JPS6179626A - 樹脂基板のアニ−リング装置 - Google Patents
樹脂基板のアニ−リング装置Info
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- JPS6179626A JPS6179626A JP20346084A JP20346084A JPS6179626A JP S6179626 A JPS6179626 A JP S6179626A JP 20346084 A JP20346084 A JP 20346084A JP 20346084 A JP20346084 A JP 20346084A JP S6179626 A JPS6179626 A JP S6179626A
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C71/00—After-treatment of articles without altering their shape; Apparatus therefor
- B29C71/02—Thermal after-treatment
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
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- B29C2071/022—Annealing
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C53/00—Shaping by bending, folding, twisting, straightening or flattening; Apparatus therefor
- B29C53/16—Straightening or flattening
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
- Processing And Handling Of Plastics And Other Materials For Molding In General (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、光ディスクの基板として成形された樹脂基板
を加熱処理して残留応力の除去等を行うアニーリング装
置に関する。
を加熱処理して残留応力の除去等を行うアニーリング装
置に関する。
［背景技術とその問題点コ
近年、光メモリ−ディスクの基板としてポリカーボネー
ト樹脂基板の実用化が検討され、ている、光ディスクの
透明な基板にはビーム光が照射され、これにより溝によ
る記憶信号の再生や記憶信号の記録が行われるため、光
ディスクの品質に複屈折が大きく影響する。複屈折は基
板内部の残留応力によって生じるため、成形された樹脂
基板から残留応力を除去することが必要とされる。
ト樹脂基板の実用化が検討され、ている、光ディスクの
透明な基板にはビーム光が照射され、これにより溝によ
る記憶信号の再生や記憶信号の記録が行われるため、光
ディスクの品質に複屈折が大きく影響する。複屈折は基
板内部の残留応力によって生じるため、成形された樹脂
基板から残留応力を除去することが必要とされる。
また、光ディスクの高記録密度化を図るためには、前記
ビーム光の焦点制御を非常に厳しいものとするとともに
樹脂基板の平面精度を高度化することが必要で、樹脂基
板の面振れを低減して高度の平面精度を確保しなければ
ならない。
ビーム光の焦点制御を非常に厳しいものとするとともに
樹脂基板の平面精度を高度化することが必要で、樹脂基
板の面振れを低減して高度の平面精度を確保しなければ
ならない。
成形された樹脂基板の残応力の除去、平面精度の矯正を
行うためにアニーリング処理が行われるが、従来のアニ
ーリング法として熱プレス法と回転法が知られている。
行うためにアニーリング処理が行われるが、従来のアニ
ーリング法として熱プレス法と回転法が知られている。
前者は２枚の金型で樹脂基板を挟み、熱と圧力を樹脂基
板に与える方法である。これによると樹脂基板に形成さ
れた記憶信号用の案内溝が圧力によって破壊されるおそ
れがあり、また金型との密着むらによるへこみが樹脂基
扱に生じ易いという問題がある。後者は一定温度下で樹
脂基板を高速回転させる方法である。これによると樹脂
基板の回転中心からの距離に従って遠心力が変化するた
め樹脂基板に作用する応力が均一ではなく、平面精度の
矯正に難点がある。
板に与える方法である。これによると樹脂基板に形成さ
れた記憶信号用の案内溝が圧力によって破壊されるおそ
れがあり、また金型との密着むらによるへこみが樹脂基
扱に生じ易いという問題がある。後者は一定温度下で樹
脂基板を高速回転させる方法である。これによると樹脂
基板の回転中心からの距離に従って遠心力が変化するた
め樹脂基板に作用する応力が均一ではなく、平面精度の
矯正に難点がある。
［発明の目的］
本発明の目的は、樹脂基板の残留応力を低減でき、且つ
これを樹脂基板の平面精度の矯正、高度化を達成しなが
ら行え、光ディスクの高品質化、高記録害度化に資する
樹脂基板の７ニーリング装置°Ｉｙ１を提供するところ
にある。
これを樹脂基板の平面精度の矯正、高度化を達成しなが
ら行え、光ディスクの高品質化、高記録害度化に資する
樹脂基板の７ニーリング装置°Ｉｙ１を提供するところ
にある。
［問題点を解決するための手段および作用］このため本
発明の構成は、樹脂基板を！ＩＩ！置する加熱体と、こ
の加熱体を配置する基台とからなり、加熱体と基台との
間の空間を真空吸引し、これにより樹脂基板を加熱体に
吸着させるところに特徴を有する。
発明の構成は、樹脂基板を！ＩＩ！置する加熱体と、こ
の加熱体を配置する基台とからなり、加熱体と基台との
間の空間を真空吸引し、これにより樹脂基板を加熱体に
吸着させるところに特徴を有する。
黄するに本発明では、樹脂基板を加熱体で加熱すること
により残留応力を除去し、この除去を加熱体に樹脂基板
を吸着させながら行うようにし、このため加熱体の平面
精度により樹脂基板の平面精度の改善を図ることができ
、且つ前記吸着によって樹脂基板の熱収縮の防止をも図
ることができる。
により残留応力を除去し、この除去を加熱体に樹脂基板
を吸着させながら行うようにし、このため加熱体の平面
精度により樹脂基板の平面精度の改善を図ることができ
、且つ前記吸着によって樹脂基板の熱収縮の防止をも図
ることができる。
［実施例］
第１図、第２図に本実施例に係る装置が示されている。
第１図は半裁平面図で、第２図は縦断面図である。この
装置によってアニーリング処理される樹脂基板１は、熱
可塑性のポリカーボネート樹脂等を材ネ１として一対の
型による射出圧縮成形法によって成形されたもので、こ
の成形時、型に取付けたスタンパから記憶信号用の案内
溝が転写される。この転写による案内溝は樹脂基板１の
一方の面ｌＡに形成されている。
装置によってアニーリング処理される樹脂基板１は、熱
可塑性のポリカーボネート樹脂等を材ネ１として一対の
型による射出圧縮成形法によって成形されたもので、こ
の成形時、型に取付けたスタンパから記憶信号用の案内
溝が転写される。この転写による案内溝は樹脂基板１の
一方の面ｌＡに形成されている。
樹脂ノ、（板ｌが戴置される加熱体２は樹脂基板１の形
状と対応して円板状に形成される。この加熱体２の内部
には熱媒体流通用の通孔３が穿設され、通孔３にシリコ
ン、ビフェニル、フェニルエーテル等の熱媒体が流通ず
ることにより加熱体２は所定温度に昇温せしめられる。
状と対応して円板状に形成される。この加熱体２の内部
には熱媒体流通用の通孔３が穿設され、通孔３にシリコ
ン、ビフェニル、フェニルエーテル等の熱媒体が流通ず
ることにより加熱体２は所定温度に昇温せしめられる。
樹脂基板ｌの載置面である加熱体２の上面２Ａは高度に
平面仕上加工されており、このため、この上面２Ａの平
面精度は高度化されている。
平面仕上加工されており、このため、この上面２Ａの平
面精度は高度化されている。
加熱体２を配置する基台４は盤状になっており、底部４
Ａの端部に垂直な周側壁４Ｂが形成されているため、基
台４には上面が開口した凹部５が設けられている。リン
グ状をなす周側壁４Ｂには吸気孔６が貫通穿設され、こ
の吸気孔６に真空ポンプ等の吸気手段に連なる気通路７
が接続される。基台４の四部５の中央には同心円状に三
段の段部８Ａ 、８Ｂ 、８Ｃが形成された第１の加熱
体支持部材８が配置され、また凹部５の外端部寄りには
第２の加熱体支持部材９が配置される。この第２の加熱
体支持部材９はｆＪＳ１図の通り基台４の周側壁４Ｂに
沿って円周方向に複数個設けられる。
Ａの端部に垂直な周側壁４Ｂが形成されているため、基
台４には上面が開口した凹部５が設けられている。リン
グ状をなす周側壁４Ｂには吸気孔６が貫通穿設され、こ
の吸気孔６に真空ポンプ等の吸気手段に連なる気通路７
が接続される。基台４の四部５の中央には同心円状に三
段の段部８Ａ 、８Ｂ 、８Ｃが形成された第１の加熱
体支持部材８が配置され、また凹部５の外端部寄りには
第２の加熱体支持部材９が配置される。この第２の加熱
体支持部材９はｆＪＳ１図の通り基台４の周側壁４Ｂに
沿って円周方向に複数個設けられる。
加熱体２の中央に形成された中心孔２Ｂに第、ｌの加熱
体支持部材８の中段部８Ｂが挿入されることにより、加
熱体２の中央部分が下段部８ｃの上面８Ｄに・成せられ
る。これとともに加熱体２の外端部付近が第２の加熱体
支持部材９の上面に載せられる。これにより、凹部５の
内部において加熱体２は２種類の加熱体支持部材８，９
で支持されながら基台４に配置されることとなり、この
配置は加熱体２と基台４の底部４Ａとの間に空間１０を
設けて行われる０以上により四部５の上面開口部は加熱
体２によって閉塞されることとなるが、第１の加熱体支
持部材８の中段部８Ｂの外周面と加熱体２の中心孔２Ｂ
との間、及び基台４の周側壁４Ｂの内周面と加熱体２の
外周面との間に隙間１１．１２が確保される。また、第
１の加熱体支持部材８の下段部８Ｃの上面８Ｄと加熱体
２の下面との間にも隙間１３が設けられる。前記隙間１
１．１２は加熱体２、基台４の周側壁４Ｂ、及び第１の
加熱体支持部材２の中段部８Ｂのそれぞねの径寸法を適
宜に設定することにより設けられ、隙間１３は第１の加
熱体支持部材８の下段部８Ｃの上面８Ｄに微小凹凸や微
小溝等を形成することにより設けられる。
体支持部材８の中段部８Ｂが挿入されることにより、加
熱体２の中央部分が下段部８ｃの上面８Ｄに・成せられ
る。これとともに加熱体２の外端部付近が第２の加熱体
支持部材９の上面に載せられる。これにより、凹部５の
内部において加熱体２は２種類の加熱体支持部材８，９
で支持されながら基台４に配置されることとなり、この
配置は加熱体２と基台４の底部４Ａとの間に空間１０を
設けて行われる０以上により四部５の上面開口部は加熱
体２によって閉塞されることとなるが、第１の加熱体支
持部材８の中段部８Ｂの外周面と加熱体２の中心孔２Ｂ
との間、及び基台４の周側壁４Ｂの内周面と加熱体２の
外周面との間に隙間１１．１２が確保される。また、第
１の加熱体支持部材８の下段部８Ｃの上面８Ｄと加熱体
２の下面との間にも隙間１３が設けられる。前記隙間１
１．１２は加熱体２、基台４の周側壁４Ｂ、及び第１の
加熱体支持部材２の中段部８Ｂのそれぞねの径寸法を適
宜に設定することにより設けられ、隙間１３は第１の加
熱体支持部材８の下段部８Ｃの上面８Ｄに微小凹凸や微
小溝等を形成することにより設けられる。
樹脂基板ｌの中心孔ＩＢに第１の加熱体支持ｉ？）材８
の上段部８Ａが挿入され、樹脂基板ｌの外端部が保Ｊ、
）体４の周側壁４Ｂの上面に形成された平坦段部４Ｃに
載せられる。これにより樹脂基板１は加熱体２に載置さ
れ、アニーリング処理の準備つ１整う。尚、この加熱体
２への樹脂基板ｌのａ置、よ、前記記憶信号用案内溝が
形成された面ＩＡを土向きにして行う。
の上段部８Ａが挿入され、樹脂基板ｌの外端部が保Ｊ、
）体４の周側壁４Ｂの上面に形成された平坦段部４Ｃに
載せられる。これにより樹脂基板１は加熱体２に載置さ
れ、アニーリング処理の準備つ１整う。尚、この加熱体
２への樹脂基板ｌのａ置、よ、前記記憶信号用案内溝が
形成された面ＩＡを土向きにして行う。
前記吸気手段を駆動し、吸気孔６から前記空間ＩＯの空
気を排出する。この結果、空間ｌｏが真空吸引されると
ともに、前記隙間１３．及び隙間１１．１２を介して加
熱体２の、上面２Ａ側に存在する空気も吸引され、この
ため樹脂基板ｌが加熱体２の１−面２Ａに吸着される。
気を排出する。この結果、空間ｌｏが真空吸引されると
ともに、前記隙間１３．及び隙間１１．１２を介して加
熱体２の、上面２Ａ側に存在する空気も吸引され、この
ため樹脂基板ｌが加熱体２の１−面２Ａに吸着される。
この後、加熱体２つ前記通孔３に熱媒体を流通させて加
熱体２を昇７１１！させる。これにより樹脂基板１を加
熱体２により加熱する。樹脂基板ｌの材料がポリヵーポ
ネーｉ・樹脂の場合、この加熱温度を１４０−１８０
’０．。
熱体２を昇７１１！させる。これにより樹脂基板１を加
熱体２により加熱する。樹脂基板ｌの材料がポリヵーポ
ネーｉ・樹脂の場合、この加熱温度を１４０−１８０
’０．。
とじ、加熱時間を３０〜６０分とする。この加熱Ａ理に
よって樹脂基板ｌの残留応力は低減される。
よって樹脂基板ｌの残留応力は低減される。
また、この加熱処理は加熱体２の上面２Ａに樹脂基板１
が吸着されながら行われ、加熱体のこの上面２Ａは前述
の通り高度の平面精度を備えた面となっているため、樹
脂基板ｌは上面２Ａと略同じの高度の平面精度に矯正さ
れることになり、ＩＡ脂基板１の面振れの発生、そりの
発生が防止される。更に、樹脂基板ｌの加熱は前記吸着
によって加熱体２に樹脂基板ｌが固定された状態で行わ
れるため、加熱による樹脂基板ｌの熱収縮を極めて小さ
なものに抑えることができる。
が吸着されながら行われ、加熱体のこの上面２Ａは前述
の通り高度の平面精度を備えた面となっているため、樹
脂基板ｌは上面２Ａと略同じの高度の平面精度に矯正さ
れることになり、ＩＡ脂基板１の面振れの発生、そりの
発生が防止される。更に、樹脂基板ｌの加熱は前記吸着
によって加熱体２に樹脂基板ｌが固定された状態で行わ
れるため、加熱による樹脂基板ｌの熱収縮を極めて小さ
なものに抑えることができる。
以上に加えて、樹脂基板ｌは記憶信号用の案内溝が形成
された面ＩＡを上向きにして加熱体２に吸着され、この
面ＩＡは加熱体２に接触しないため、案内ｊＩｓｉが破
壊されることはない。
された面ＩＡを上向きにして加熱体２に吸着され、この
面ＩＡは加熱体２に接触しないため、案内ｊＩｓｉが破
壊されることはない。
以上の加熱処理後、加熱体２の通孔３における熱媒体の
流通を中止し、樹脂基板ｌを冷却させる。この冷却は自
然冷却でもよく、或いは加熱体２の通孔３に冷却媒体を
流通させたり、加熱体２から取外した樹脂基板１を冷却
用の型に押出てたり等する強制冷却でもよい。
流通を中止し、樹脂基板ｌを冷却させる。この冷却は自
然冷却でもよく、或いは加熱体２の通孔３に冷却媒体を
流通させたり、加熱体２から取外した樹脂基板１を冷却
用の型に押出てたり等する強制冷却でもよい。
以上のようにしてアーニング処理された樹脂基板は光デ
ィスクの基板として使用される場合、残留応力の低減に
よって複屈折が１／８〜１／３に、例えば複屈折６０ｎ
ｗがｌＯ〜２０ｎｍに減少しており、また樹脂基板の熱
収縮率は１．５％以下の極めて小さな値に抑えられてい
る。
ィスクの基板として使用される場合、残留応力の低減に
よって複屈折が１／８〜１／３に、例えば複屈折６０ｎ
ｗがｌＯ〜２０ｎｍに減少しており、また樹脂基板の熱
収縮率は１．５％以下の極めて小さな値に抑えられてい
る。
本実施例の加熱体は内部の通孔に熱媒体を流通させるｆ
Ａ流体方式によるものであったが、内部に′−Ｌ８線を
設けた電熱方式によるものでもよい、要すれば載置され
た樹脂基板を加熱処理できるものであればよい、また、
加熱体を基台に配置する構造は本実施例のものに限定さ
れず、任意な構造とすることができ、更に加熱体、基台
の形状は任意なものでよく、要すれば、加熱体が基台に
配置され、加熱体と基台との間に真空吸引される空間が
できるものであればよい。
Ａ流体方式によるものであったが、内部に′−Ｌ８線を
設けた電熱方式によるものでもよい、要すれば載置され
た樹脂基板を加熱処理できるものであればよい、また、
加熱体を基台に配置する構造は本実施例のものに限定さ
れず、任意な構造とすることができ、更に加熱体、基台
の形状は任意なものでよく、要すれば、加熱体が基台に
配置され、加熱体と基台との間に真空吸引される空間が
できるものであればよい。
［発明の効果］
本発明によれば、樹脂基板の残留応力が低減されるため
光ディスクの複屈折を減少でき、従って光ディスクの品
質を向上でき、更に樹脂基板の平面精度が矯１１゛され
この平面精度が向上するため、光ディスクの高記録密度
化を実現することが可能になる。
光ディスクの複屈折を減少でき、従って光ディスクの品
質を向上でき、更に樹脂基板の平面精度が矯１１゛され
この平面精度が向上するため、光ディスクの高記録密度
化を実現することが可能になる。
図面は一実施例を示し、第１図は装置の半裁外面図、第
２図は装置の縦断面図である。 ｌ・・・樹脂基板、ＩＡ・・・案内溝が形成された面。 ２・・・加熱体、３・・・熱媒体の通孔、４・・・基台
、６・・吸気孔、ｉｏ・・・空間。
２図は装置の縦断面図である。 ｌ・・・樹脂基板、ＩＡ・・・案内溝が形成された面。 ２・・・加熱体、３・・・熱媒体の通孔、４・・・基台
、６・・吸気孔、ｉｏ・・・空間。
Claims (2)
- （１）樹脂基板を載置する加熱体と、この加熱体を配置
する基台とからなり、前記加熱体とこの基台との間の空
間を真空吸引して前記樹脂基板を前記加熱体に吸着させ
ることを特徴とする樹脂基板のアニーリング装置。 - （２）前記特許請求の範囲第１項において、前記樹脂基
板は案内溝が形成された面を上向きにして前記加熱体に
載置されることを特徴とする樹脂基板のアニーリング装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20346084A JPS6179626A (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | 樹脂基板のアニ−リング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20346084A JPS6179626A (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | 樹脂基板のアニ−リング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6179626A true JPS6179626A (ja) | 1986-04-23 |
| JPH0367615B2 JPH0367615B2 (ja) | 1991-10-23 |
Family
ID=16474490
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20346084A Granted JPS6179626A (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | 樹脂基板のアニ−リング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6179626A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4840873A (en) * | 1986-07-11 | 1989-06-20 | Kuraray Co., Ltd. | Production of optical recording medium |
| JPH01271940A (ja) * | 1988-04-23 | 1989-10-31 | Hitachi Maxell Ltd | 光情報記録媒体 |
| JP2010194667A (ja) * | 2009-02-25 | 2010-09-09 | Toray Ind Inc | 樹脂板の歪み取り装置、および歪み取り方法 |
| CN106739028A (zh) * | 2017-02-24 | 2017-05-31 | 宁夏共享机床辅机有限公司 | 一种用于聚丙交酯材质模具的自动热处理设备 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58199114A (ja) * | 1982-05-17 | 1983-11-19 | Terufumi Machida | 高強度熱可塑性樹脂の製造方法 |
| JPS595019A (ja) * | 1982-07-02 | 1984-01-11 | Toppan Printing Co Ltd | 耐熱容器の製造方法 |
-
1984
- 1984-09-28 JP JP20346084A patent/JPS6179626A/ja active Granted
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| JPH0367615B2 (ja) | 1991-10-23 |
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