JPH01213846A - 基板のアニール方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕・ 光を用いての情報の読み出し、あるいは書き込み、消去
を行なう情報記録媒体に関する。

〔従来の技術〕

恒温槽中で光透過性基板の外周部を容器で固定しながら
基板を垂直に立てた状態でアニールする方法（垂直アニ
ール方法）。及び、恒温槽中で基板中心部をチャックし
、回転しながらアニールする方法（回転アニール方法）
（電子通信学会論文誌’８２／１０ＶｏＬ、Ｊ６５　　
ＣＮα１０）が−船釣である。基板を熱プレス間に入れ
て、圧力をかけながら熱を加える方法もあるが、基板表
面のプリフォーマット部が破壊される為、好ましくない
。

〔発明が解決しようとする課題〕

垂直アニール方法では、アニール時に基板変形が起こり
、それを抑える事ができず、比較的低い温度での不十分
なアニールしかできなかった。尚且つ、アニールに長時
間を要していた。

回転アニール方法は、アニール時に基板が、変形しない
ように、高速回転で基板う回転させる為、高い温度での
アニール時にはプリフォーマット部が基板回転による遠
心力で同心円状に伸ばされ、尚且つ、遠心力により、基
板構成の高分子が、引っ張り応力を受けて複屈折を発生
させる現象を起こしていた。

本発明は、上記従来アニール方法の欠点である不均一な
基板の変形、複屈折の増加を発生させずに基板の３軸方
向に完全なアニールを行なう方法を提供する事を目的と
している。

〔課題を解決するための手段〕

本特許の基板アニール方法は、光透過性基板を通過する
光を用いて、情報の読み出し、書き込みを行なう情報記
録媒体に於いて、前記光透過性基板を基板支持体の上に
片面接触の状態で、載せてアニールする事を特徴として
いる。

（実施例１〕 第１図は本方法を用いた実施例である。１はボッカーボ
ネート基板（円板状）で、奇人化成製ＡＤ５５０３の射
出成形品である。外径φ１３０ａｎ、内径φ１５Ｍ、板
厚１．２Ｍで、片面に深さ６５０人、トラックピッチ１
．６μｍ１溝巾０．６μｍのスパイラルのグループが付
いている。２は青板ガラス（円板状）で表面スムーズ品
である。３は恒温槽である。４は位置合わせ用のセンタ
ーボスである。

始めにガラス２を１５０°Ｃの恒温槽に入れてｌＯ分子
熱後２ポリカーボネート基板をガラス上にセンターボス
と基板内径が一致するように、第２図（■部詳細）に示
す如（、置いて、１０分間アニールした。基板単体で検
査したところ、アニール前と後で、面プレ量は６０μｍ
から３０μｍへ減少し、ソリ角は１．０度から０：１度
へ減少していた。グループ形状の変化をプッシュプル信
号で見たが、約２５％の振幅ダウンであった。その他、
アニールによる欠陥の増加、光学歪（ピックアップを用
いた複屈折測定）は減少こそすれ、増加はしていなかっ
た。

〔実施例２〕 第３図、第４図は本方法を用いた実施例である。

１１はポリカーボネート基板（円板状）で、奇人化成製
ＡＤ−５５０３の射出成型品である。外径φ１３０ｍｍ
、内径１５ｍｍ、板厚１．２印で、片面に深さ７００人
、トラックピッチ１．６μｍ、溝巾０．８μｍのスパイ
ラルのグループがイ寸いている。１２は炭素鋼３４５Ｃ
に硬質クロムメツキを施し、表面を鏡面に仕上げた鏡面
板である。１３は恒温槽である。１４は位置合わせ用の
センターボスである。

あらかじめ鏡面板１２を１２０″Ｃとの恒温槽へ入れて
置き、その鏡面板にポリカーボネート基板を置いて、直
後の状態が、第３図である。恒温槽を１２０°Ｃに保ち
８時間後、恒温槽よりポリカーボネート基板を取り出す
直前の状態が第４図である。ポリカーボネート基板は、
鏡面板形状（笠形）に完全にならっていた。アニール前
と後で、面プレ量は５０μｍから３０μｍへ減少、ソリ
角は、鏡面板形状に従い２°±０．０５°の範囲となっ
た。グループ形状の変化をプッシュプル信号で見たが、
約２０％の振巾ダウンであった。その他、アニールによ
る欠陥の増加、光学歪は減少こそすれ、増加はしていな
かった。

〔実施例３〕 第５図は、本方法を用いた実施例である。２１はポリカ
ーボネート基板（円板状）で、外径φ１３０ｍｍ、内径
１５ｍｍ、板厚１．２皿で、片面に深さ６００人、トラ
ックピッチ１．６μｍ、溝巾０．６μｍのコンセントタ
ックのグループが付いている。２２は、石英ガラス円板
、２４は電熱ヒータである。

電熱ヒータを加熱させて、石英ガラス２２の表面温度が
１４０°Ｃの状態として、室温中で、ポリカーボネート
基板のアニールを１５分間行った。

アニール前後で、面プレ量は６０μｍから２０μｍへ減
少、ソリ角は、１．５度から０．０５度へ減少した。プ
ッシュプル信号はアニール前に比べ約１５％の振巾ダウ
ンであった。その他、欠陥、光学歪の増加はなかった。

恒温槽中のアニールに比べ、室温雰囲気でのアニールで
も、問題はなかった。

〔実施例４〕 第６図は本方法を用いた実施例である。３１はポリカー
ボネート基板、３２は石英ガラス板である。３８は、静
電気除去用のＮｚイオンプローである。３３．３５は恒
温槽であり、３３はワークのＴｇ以上の高温、３４は１
ｇ以下の中温に設定可能である。３６．３７は高温槽へ
のワーク出入すのワーク出入すの為のゲートである。

３３高温槽は、１５０°Ｃ１３５扁温槽は１２０°Ｃに
設定し、恒温槽に入れる前に基板３１の表、裏面、石英
ガラスの基板接触面をイオンプロー後、恒温槽３３．３
５を通過させて基板のアニールを実施した。槽内での基
板滞留時間は、３３恒温槽が１０分、３５恒温槽が１５
分とした。

アニールの結果は、実施例１．２．３と同様、面ブレの
減少、ソリ角の矯正、を何ら欠点を伴わずに行なう事が
できた。更に、本アニール品にＮｄＤｙＣｏの光磁気記
録膜を成膜し、Ｃ／Ｈを測定した所、本アニール品５０
ｄ、に比べ、本アニール品は５５ｄ８と、Ｃ／Ｈの大巾
な向上をみる事ができた。

〔発明の効果〕

従来のアニール方法に比較して、下記の効果がある。

■不均一な基板の変形を防止し、任意の形状に基板を矯
正できる。

■射出成形基板では不可避の、基板の面内、厚み方向（
３軸方向）の複屈折差を小さくし、基板の光学特性を等
方性なものにし、光学ピンクアップによる斜入射光が、
基板により受ける複屈折の影響を大巾に低減する事がで
きる。

【図面の簡単な説明】

第１図　；本発明の実施例略図。 第２図　；第１図の部の拡大図。 第３図　；本発明の実施例略図。 第４図　；第３図のアニール終了直前の状態図。 第５図　；本発明の実施例略図。 第６図　：本発明の実施例略図。 以上 出願人　セイコーエプソン株式会社 矛ｊ図 ￥　２　図 茎　３図 Ｘ　４　図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 光透過性基板を通過する光を用いて、情報の読み出し、
   書き込みを行なう情報記録媒体に於いて、前記光透過性
   基板を基板支持体の上に片面接触の状態で載せてアニー
   ルする事を特徴とする基板のアニール方法。