JPS6184047A - 樹脂封止形モジユ−ル - Google Patents
樹脂封止形モジユ−ルInfo
- Publication number
- JPS6184047A JPS6184047A JP59205022A JP20502284A JPS6184047A JP S6184047 A JPS6184047 A JP S6184047A JP 59205022 A JP59205022 A JP 59205022A JP 20502284 A JP20502284 A JP 20502284A JP S6184047 A JPS6184047 A JP S6184047A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- signal terminal
- cathode
- gate
- control electrode
- plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
Landscapes
- Thyristors (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は複数個の半導体チップを樹脂封止した樹脂封
止形モジュールに関するものである。
止形モジュールに関するものである。
以下、2個のサイリスタチップを樹脂封止した樹脂封止
形の電力用サイリスタモジュールを例にとり説明する。
形の電力用サイリスタモジュールを例にとり説明する。
第2図(ト)は従来の電力用サイリスタモジュールの樹
脂封止前の状態を示す平面図、第2図(B)は第2図囚
の…B−IB線での断面図である。
脂封止前の状態を示す平面図、第2図(B)は第2図囚
の…B−IB線での断面図である。
図において、(1)は金属板からなる放熱板、(2)は
セラミックス板からなり放熱板(1)の上面の一部分上
に固着された絶縁基板、(3a)および(3b)はそれ
ぞれ金属板からなり一方の端部側が絶縁基板(2)の上
面の右端側の部分上および左端側の部分上に互いの間に
間隔をおいて固着され他方の端部側が絶縁基板(2)の
上面の右端縁および左端縁から上方に伸びるようにL字
形状に折り曲げられ絶縁基板(2)の上面に固着された
部分上に後述のサイリスタチップの陽極板がろう付けさ
れる陽極引き出し板、(4a)および(4b)は一方の
主面の中心部に形成されたゲート電極とゲート電極形成
部分以外の部分にゲート電極を取り囲んで形成された陰
極と他方の主面部に形成された陽極とを有するサイリス
タチップ、(5a)および(5b)はそれぞれモリブデ
ン板からなりサイリスタチップ(4al(4’b)の陽
極に上面がろう付けされ下面が陽極引き出し板(3a)
、(3b)の絶縁基板(2)に固着された部分上にろう
付けされた陽極板、(6a)および(6b)はそれぞれ
金属棒からなりサイリスタチップ(4a)、(4b)の
ゲート電極に一方の端部がろう付けされたゲートリード
、(’7a)および(7b)はそれぞれ金属板からなり
中央部がサイリスタチップ(4a)、(4b)の陰極に
ろう付けされ両端部が上方に折り曲げられたU字形状の
陰極板、(8a)および(8b)はそれぞれ金属板から
なり陰極板(7a)の左側の端部および陰極板(7b)
の右側の端部に一方の端部が溶接された陰極引き出し板
、(9a)および(9b)はそれぞれ絶縁材料からなり
放熱板(1)の上面の絶縁基板(2)の左外側の部分上
にサイリスタチップ(4a) + (4b)の配列方向
と直角方向に互いの間に間隔をおいて対向するように固
着されサイリスタチップ(4a)のゲート・陰極間およ
びサイリスタチップ(4b)のゲート・陰極間への作動
信号印加用の信号端子板を保持する信号端子板保持台、
(loa)および(lla)はそれぞれ金属板からなり
互いの間に間隔をおいて下端部側が信号端子板保持台(
9a)の信号端子板保持台(9b)側とは反対側の側面
から外部へ突出し上端部側が信号端子板保持台(9a)
の上面から上方に伸びるように信号端子板保持台(9a
)に保持されゲートリード(6a)に接続されるゲート
信号端子板および陰極板(7a)に接続される陰極信号
端子板、(1ob)および(llb)はそれぞれゲート
信号端子板(10a)および陰極信号端子板(11a)
と同様に信号端子板保持台(9b)に保持されゲートリ
ード(6b)に接続されるゲート信号端子板および陰極
板(7b)に接続される陰極信号端子板、(12a)お
よび(xzb)はそれぞれ全屈細線からなり一方の端部
がゲートリード(6a)およびゲートリード(6b)に
半田付けされ他方の端部がゲート信号端子板(loa)
の下端部およびゲート信号端子板(lob)の下端部に
半田付けさf′Lだ第1および第2のゲート配線、(1
3a)および(1−31:l)はそれぞれゲート配線(
12a)、(12b)と同様に一方の端部が陰極板(7
a)の右側の端部および陰極板(7b)の左側の端部に
半田付けされ他方の端部が陰極信号端子板(11a)の
下端部および陰極信号端子板(111))の下端部に半
田付けされた第1および第2の陰極配線、0局は絶縁基
板(2)、陽極引き出し板(3a)、(3b)の所要部
分、サイリスタチップ(4a)、(4b) 、陽極板(
5a ) 、 (5b)、ゲートリード(6a)、(6
b) 、陰極板(7a) 。
セラミックス板からなり放熱板(1)の上面の一部分上
に固着された絶縁基板、(3a)および(3b)はそれ
ぞれ金属板からなり一方の端部側が絶縁基板(2)の上
面の右端側の部分上および左端側の部分上に互いの間に
間隔をおいて固着され他方の端部側が絶縁基板(2)の
上面の右端縁および左端縁から上方に伸びるようにL字
形状に折り曲げられ絶縁基板(2)の上面に固着された
部分上に後述のサイリスタチップの陽極板がろう付けさ
れる陽極引き出し板、(4a)および(4b)は一方の
主面の中心部に形成されたゲート電極とゲート電極形成
部分以外の部分にゲート電極を取り囲んで形成された陰
極と他方の主面部に形成された陽極とを有するサイリス
タチップ、(5a)および(5b)はそれぞれモリブデ
ン板からなりサイリスタチップ(4al(4’b)の陽
極に上面がろう付けされ下面が陽極引き出し板(3a)
、(3b)の絶縁基板(2)に固着された部分上にろう
付けされた陽極板、(6a)および(6b)はそれぞれ
金属棒からなりサイリスタチップ(4a)、(4b)の
ゲート電極に一方の端部がろう付けされたゲートリード
、(’7a)および(7b)はそれぞれ金属板からなり
中央部がサイリスタチップ(4a)、(4b)の陰極に
ろう付けされ両端部が上方に折り曲げられたU字形状の
陰極板、(8a)および(8b)はそれぞれ金属板から
なり陰極板(7a)の左側の端部および陰極板(7b)
の右側の端部に一方の端部が溶接された陰極引き出し板
、(9a)および(9b)はそれぞれ絶縁材料からなり
放熱板(1)の上面の絶縁基板(2)の左外側の部分上
にサイリスタチップ(4a) + (4b)の配列方向
と直角方向に互いの間に間隔をおいて対向するように固
着されサイリスタチップ(4a)のゲート・陰極間およ
びサイリスタチップ(4b)のゲート・陰極間への作動
信号印加用の信号端子板を保持する信号端子板保持台、
(loa)および(lla)はそれぞれ金属板からなり
互いの間に間隔をおいて下端部側が信号端子板保持台(
9a)の信号端子板保持台(9b)側とは反対側の側面
から外部へ突出し上端部側が信号端子板保持台(9a)
の上面から上方に伸びるように信号端子板保持台(9a
)に保持されゲートリード(6a)に接続されるゲート
信号端子板および陰極板(7a)に接続される陰極信号
端子板、(1ob)および(llb)はそれぞれゲート
信号端子板(10a)および陰極信号端子板(11a)
と同様に信号端子板保持台(9b)に保持されゲートリ
ード(6b)に接続されるゲート信号端子板および陰極
板(7b)に接続される陰極信号端子板、(12a)お
よび(xzb)はそれぞれ全屈細線からなり一方の端部
がゲートリード(6a)およびゲートリード(6b)に
半田付けされ他方の端部がゲート信号端子板(loa)
の下端部およびゲート信号端子板(lob)の下端部に
半田付けさf′Lだ第1および第2のゲート配線、(1
3a)および(1−31:l)はそれぞれゲート配線(
12a)、(12b)と同様に一方の端部が陰極板(7
a)の右側の端部および陰極板(7b)の左側の端部に
半田付けされ他方の端部が陰極信号端子板(11a)の
下端部および陰極信号端子板(111))の下端部に半
田付けされた第1および第2の陰極配線、0局は絶縁基
板(2)、陽極引き出し板(3a)、(3b)の所要部
分、サイリスタチップ(4a)、(4b) 、陽極板(
5a ) 、 (5b)、ゲートリード(6a)、(6
b) 、陰極板(7a) 。
(7b)、陰極引き出し板(8a)、(8b)の所要部
分、信号端子板保持台(9a)、(9b)、ゲート信号
端子板(10a)、(10b)の所要部分、陰極信号端
子板(1xa)、(111’+)の所要部分、ゲート配
線(12a) 、 (12b)および陰極配線(x3a
)、(1zb)を取り囲んで下端面が放熱板(1)の上
面に固着された樹脂容器である。
分、信号端子板保持台(9a)、(9b)、ゲート信号
端子板(10a)、(10b)の所要部分、陰極信号端
子板(1xa)、(111’+)の所要部分、ゲート配
線(12a) 、 (12b)および陰極配線(x3a
)、(1zb)を取り囲んで下端面が放熱板(1)の上
面に固着された樹脂容器である。
この従来の電力用サイリスタモジュールは、図示の状態
に組立てた後に、樹脂容器α→内に封止用樹脂を注入す
ると、完成される。
に組立てた後に、樹脂容器α→内に封止用樹脂を注入す
ると、完成される。
従来の電力用サイリスタモジュールは上記のように構成
されているので、ゲート信号端子板(loa)と陰極信
号端子板(lla)との間にゲート信号を印加すること
によってサイリスタチップ(4a)が作動し、ゲート信
号端子板(xob)と陰極信号端子板(111))との
間にゲート信号を印加することによってサイリスタチッ
プ(4b)が作動する。
されているので、ゲート信号端子板(loa)と陰極信
号端子板(lla)との間にゲート信号を印加すること
によってサイリスタチップ(4a)が作動し、ゲート信
号端子板(xob)と陰極信号端子板(111))との
間にゲート信号を印加することによってサイリスタチッ
プ(4b)が作動する。
上記のような従来の電力用サイリスタモジュールでは、
ゲート配線(12a )および陰極配線(13a)の長
さが長く(例えば10 Cm程度)なるので、これらの
配線(12a)、 (13a)がサイリスタチップ(4
b)に近接すると、サイリスタチップ(4b)の陽極φ
陰極間を流れる主電流による配線(x2a)、(x3a
)への電磁誘導によってサイリスタチップ(4a)が誤
動作する)それがある。まだ、配線(12a ) +
(x2 b ) r (x” a) +(13b)の配
線後の工程において、これらの配線(1,2a)、(1
2b)、(13a)、(13b+)に傷ができると、こ
れらの配線(1za)、(12b)、(13a)、(1
3b)に断線が生ずるおそれがあり、信頼性が悪いとい
う問題点があった。また、信号端子板保持台(9a)、
(9b)を絶嶽基板(2)の上面上に位置決めして固着
する必要がある。
ゲート配線(12a )および陰極配線(13a)の長
さが長く(例えば10 Cm程度)なるので、これらの
配線(12a)、 (13a)がサイリスタチップ(4
b)に近接すると、サイリスタチップ(4b)の陽極φ
陰極間を流れる主電流による配線(x2a)、(x3a
)への電磁誘導によってサイリスタチップ(4a)が誤
動作する)それがある。まだ、配線(12a ) +
(x2 b ) r (x” a) +(13b)の配
線後の工程において、これらの配線(1,2a)、(1
2b)、(13a)、(13b+)に傷ができると、こ
れらの配線(1za)、(12b)、(13a)、(1
3b)に断線が生ずるおそれがあり、信頼性が悪いとい
う問題点があった。また、信号端子板保持台(9a)、
(9b)を絶嶽基板(2)の上面上に位置決めして固着
する必要がある。
さらに、ゲート配線(12g、)、(12b)の両端部
をそれぞれゲートリード(6a)、(6b)およびゲー
ト信号端子板(10a)、(10b) K位置決めして
半田付けし、陰極配線(13a)、(13b)の両端部
をそれぞれ陰極板(7a)、(’7b)および陰極信号
端子板(lla)、(1To)に位置決めして半田付け
しなければならず、組立て作業性が極めて悪いという問
題点があった。
をそれぞれゲートリード(6a)、(6b)およびゲー
ト信号端子板(10a)、(10b) K位置決めして
半田付けし、陰極配線(13a)、(13b)の両端部
をそれぞれ陰極板(7a)、(’7b)および陰極信号
端子板(lla)、(1To)に位置決めして半田付け
しなければならず、組立て作業性が極めて悪いという問
題点があった。
この発明は、かかる問題点を解決するためになされたも
ので、信頼性がよく、シかも組立て作業性の極めてよい
樹脂封止形モジュールを得ることこの発明に係る樹脂封
止形モジュールは、制御V極と第1および第2の主電極
とを有する複数個の半導体チップを収容する樹脂容器の
容器壁内に中央部が埋設され一方の端部が半導体チップ
の制御電極の上にこれと係合し半田付けが可能なように
伸び他方の端部が容器壁から樹脂容器内に出て樹脂容器
の上方に伸びるように形成され半導体チップの制御電極
への作動信号が印加される制御電極信号端子板を複数個
の半導体チップのそれぞれに設けたものである。
ので、信頼性がよく、シかも組立て作業性の極めてよい
樹脂封止形モジュールを得ることこの発明に係る樹脂封
止形モジュールは、制御V極と第1および第2の主電極
とを有する複数個の半導体チップを収容する樹脂容器の
容器壁内に中央部が埋設され一方の端部が半導体チップ
の制御電極の上にこれと係合し半田付けが可能なように
伸び他方の端部が容器壁から樹脂容器内に出て樹脂容器
の上方に伸びるように形成され半導体チップの制御電極
への作動信号が印加される制御電極信号端子板を複数個
の半導体チップのそれぞれに設けたものである。
この発明においては、制御電極信号端子板の長さが長い
場合であっても、この制御電極信号端子板の中央部が樹
脂容器の容器壁内に埋設されているので、この制御電極
信号端子板がこれが接続された半導体チップ以外の半導
体チップに近接するおそれがないから、この制御電極信
号端子板が接続された半導体チップがこの半導体チップ
以外の半導体チップの第1および第2の主電極間を流れ
る主電流による電磁誘導によって誤動作することがなく
、またこの制御電極信号端子板に傷ができて断線が生ず
るおそれもなく、信頼性が上記従来装置の場合よりよく
なる。さらに、上記従来装置における信号端子板保持台
および金属細線からなる配線が不要となるから、組立て
作業性が上記従来装置の場合より極めて良くなる0 〔実施例〕 第1図(4)はこの発明の一実施例の樹脂封止前の状態
を示す平面図、第1図(B)は第1図囚のIB−IB線
での断面図である0 図において、上記従来袈巽の符号と同一符号は同等部分
を示す。(4a)および(41:l)はこの実施例での
半導体チップであるサイリスタチップ、(6a)および
(6b)はこの実施例での制御電極であるゲートリード
、(20a)および(2ob)はそれぞれ金属板からな
り中央部が樹脂容器1141のサイリスタチップ(4a
L(4b)の配列方向と直角方向の両容器壁内に埋設さ
れ右側の端部がゲートリード(6a)およびゲートリー
ド(6b)と係合し半田付けが可能なように伸び左側の
端部が樹脂容器0扇の絶縁基板(2)の左外側の容器壁
の部分から樹脂容器a→内に出て樹脂容器04)の上方
に伸びるように形成されゲートリード(6a)およびゲ
ートリード(6b)への作動信号が印加されるこの実施
例での制御電極信号端子板である第1および第2のゲー
ト信号端子板、(21a)および(zxb)はそれぞれ
ゲート信号端子板(20a)、(20’b)と同様に樹
脂容器U→の容器壁内のゲート信号端子板(20a)お
よびゲート信号端子板(20b)との間に間隔をおいた
それぞれの下の部分に中央部が埋設され右側の端部が陰
極板(7a)の右側の端部および陰極板(7b)の左側
の端部と係合し半田付けが可能なように伸び左側の端部
が樹脂容器α→の容器壁のゲート信号端子板(20a
)およびゲート信号端子板(20b)との間に間隔をお
いたそれぞれの左側の部分から樹脂容器α4)内に出て
樹脂容器αdの上方に伸びるように形成され陰極板(7
a)および陰極板(7b)への作動信号が印加される第
1および第2の陰極信号端子板である。
場合であっても、この制御電極信号端子板の中央部が樹
脂容器の容器壁内に埋設されているので、この制御電極
信号端子板がこれが接続された半導体チップ以外の半導
体チップに近接するおそれがないから、この制御電極信
号端子板が接続された半導体チップがこの半導体チップ
以外の半導体チップの第1および第2の主電極間を流れ
る主電流による電磁誘導によって誤動作することがなく
、またこの制御電極信号端子板に傷ができて断線が生ず
るおそれもなく、信頼性が上記従来装置の場合よりよく
なる。さらに、上記従来装置における信号端子板保持台
および金属細線からなる配線が不要となるから、組立て
作業性が上記従来装置の場合より極めて良くなる0 〔実施例〕 第1図(4)はこの発明の一実施例の樹脂封止前の状態
を示す平面図、第1図(B)は第1図囚のIB−IB線
での断面図である0 図において、上記従来袈巽の符号と同一符号は同等部分
を示す。(4a)および(41:l)はこの実施例での
半導体チップであるサイリスタチップ、(6a)および
(6b)はこの実施例での制御電極であるゲートリード
、(20a)および(2ob)はそれぞれ金属板からな
り中央部が樹脂容器1141のサイリスタチップ(4a
L(4b)の配列方向と直角方向の両容器壁内に埋設さ
れ右側の端部がゲートリード(6a)およびゲートリー
ド(6b)と係合し半田付けが可能なように伸び左側の
端部が樹脂容器0扇の絶縁基板(2)の左外側の容器壁
の部分から樹脂容器a→内に出て樹脂容器04)の上方
に伸びるように形成されゲートリード(6a)およびゲ
ートリード(6b)への作動信号が印加されるこの実施
例での制御電極信号端子板である第1および第2のゲー
ト信号端子板、(21a)および(zxb)はそれぞれ
ゲート信号端子板(20a)、(20’b)と同様に樹
脂容器U→の容器壁内のゲート信号端子板(20a)お
よびゲート信号端子板(20b)との間に間隔をおいた
それぞれの下の部分に中央部が埋設され右側の端部が陰
極板(7a)の右側の端部および陰極板(7b)の左側
の端部と係合し半田付けが可能なように伸び左側の端部
が樹脂容器α→の容器壁のゲート信号端子板(20a
)およびゲート信号端子板(20b)との間に間隔をお
いたそれぞれの左側の部分から樹脂容器α4)内に出て
樹脂容器αdの上方に伸びるように形成され陰極板(7
a)および陰極板(7b)への作動信号が印加される第
1および第2の陰極信号端子板である。
上記のように構成された電力用サイリスタモジュールに
おいては、ゲート信号端子板(20a)および陰極信号
端子板(21a )の長さが長い場合であっても、これ
らの信号端子板(20a)、 (zla)の中央部が樹
脂容器α4)の容器壁内に埋設されているので、これら
の信号端子板(20a)、(21a)がサイリスタチッ
プ(41:l)に近接するおそれがないから、サイリス
タチップ(4b)の陽極・陰極間を流れる主電流による
電磁誘導によってサイリスタチップ(4a)が誤動する
おそれがなく、また信号端子板(20a)+ (2xa
) 。
おいては、ゲート信号端子板(20a)および陰極信号
端子板(21a )の長さが長い場合であっても、これ
らの信号端子板(20a)、 (zla)の中央部が樹
脂容器α4)の容器壁内に埋設されているので、これら
の信号端子板(20a)、(21a)がサイリスタチッ
プ(41:l)に近接するおそれがないから、サイリス
タチップ(4b)の陽極・陰極間を流れる主電流による
電磁誘導によってサイリスタチップ(4a)が誤動する
おそれがなく、また信号端子板(20a)+ (2xa
) 。
(zob)、(21b)に傷ができて断線が生ずるおそ
れもなく、信頼性が上記従来装置の場合よりよくなる。
れもなく、信頼性が上記従来装置の場合よりよくなる。
さらに、上記従来装置における信号端子板保持台(9a
)、(9b/)および金属細線からなる配線(12a)
、(12b)、(13a)、(13b)が不要となるか
ら、組立テ作業性が上記従来装置の場合よυ極めてよく
なる。
)、(9b/)および金属細線からなる配線(12a)
、(12b)、(13a)、(13b)が不要となるか
ら、組立テ作業性が上記従来装置の場合よυ極めてよく
なる。
なお、この実施例では、陰極信号端子板(21a)。
(211))を設けたが、必ずしもこれらは必要ではな
く、これらの陰極信号端子板(21a)、(2xb)を
省略してもよい。この場合には、陰極信号端子板(21
a)、(21b)の替りに、陰極引き出し板(8a)、
(8’b)を使用すればよい。
く、これらの陰極信号端子板(21a)、(2xb)を
省略してもよい。この場合には、陰極信号端子板(21
a)、(21b)の替りに、陰極引き出し板(8a)、
(8’b)を使用すればよい。
また、この実施例では、樹脂封止形電力用サイリスタモ
ジュールを例にとり述べたが、この発明はこれに限らず
、制御電極と第1および第2の主電極とを有するトラン
ジスタチップなどのその他の半導体チップを用いる樹脂
封止形モジュールにも適用することができる。
ジュールを例にとり述べたが、この発明はこれに限らず
、制御電極と第1および第2の主電極とを有するトラン
ジスタチップなどのその他の半導体チップを用いる樹脂
封止形モジュールにも適用することができる。
この発明は以上説明したとおり、制御電極と第1および
第2の主電極とを有する複数個の半導体チップを収容す
る樹脂容器の容器壁内に中央部が埋設され一方の端部が
半導体チップの制御電極の上にこれと係合し半田付けが
可能なように伸び他方の端部が容器壁から樹脂容器内に
出て樹脂容器の上方に伸びるように形成され半導体チッ
プの制御電極への作動信号が印加される制御電極信号端
子板を複数個の半導体チップのそれぞれに設けたので、
制御電極信号端子板の長さが長い場合であっても、この
制御電極信号端子板の中央部が樹脂容器の容器壁内に埋
設されていることにより、この制御電極信号端子板がこ
れが接続された半導体チップ以外の半導体チップに近接
するおそれがないから、この制御電極信号端子板が接続
された半導体チップがこの半導体チップ以外の半導体チ
ップの第1および第2の主電極間を流aる圧電流による
電磁誘導によって誤動作することがなく、またこの制御
電極信号端子板に傷ができて!!I?線が生ずるおそれ
もなく、信頼性が上記従来装置の場合よりよくなる0さ
らに、上記従来装置における信号端子保持台および金属
細線からなる配線が不要となるから、組立て作業性が上
記従来装置の場合より極めてよくなる。
第2の主電極とを有する複数個の半導体チップを収容す
る樹脂容器の容器壁内に中央部が埋設され一方の端部が
半導体チップの制御電極の上にこれと係合し半田付けが
可能なように伸び他方の端部が容器壁から樹脂容器内に
出て樹脂容器の上方に伸びるように形成され半導体チッ
プの制御電極への作動信号が印加される制御電極信号端
子板を複数個の半導体チップのそれぞれに設けたので、
制御電極信号端子板の長さが長い場合であっても、この
制御電極信号端子板の中央部が樹脂容器の容器壁内に埋
設されていることにより、この制御電極信号端子板がこ
れが接続された半導体チップ以外の半導体チップに近接
するおそれがないから、この制御電極信号端子板が接続
された半導体チップがこの半導体チップ以外の半導体チ
ップの第1および第2の主電極間を流aる圧電流による
電磁誘導によって誤動作することがなく、またこの制御
電極信号端子板に傷ができて!!I?線が生ずるおそれ
もなく、信頼性が上記従来装置の場合よりよくなる0さ
らに、上記従来装置における信号端子保持台および金属
細線からなる配線が不要となるから、組立て作業性が上
記従来装置の場合より極めてよくなる。
第1図(4)はこの発明の一実施例の樹脂封止前の状態
を示す平面図、第1図(B)は第1図(A)のiB −
IB線での断面図、第2図(A)は従来の電力用サイリ
スタモジュールの樹脂封止前の状態を示す平面図、第2
図の)は第2図(A)の■B −11B線での断面図で
ある0 図において、(1)は放熱板、(2)は絶縁基板、(4
a)および(4b)は半導体チップ(サイリスタチップ
)、(6a)および(6b)は制御電極(ゲートリード
)、(20a)および(201))は制御電極信号端子
板(ゲート信号端子板)である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
を示す平面図、第1図(B)は第1図(A)のiB −
IB線での断面図、第2図(A)は従来の電力用サイリ
スタモジュールの樹脂封止前の状態を示す平面図、第2
図の)は第2図(A)の■B −11B線での断面図で
ある0 図において、(1)は放熱板、(2)は絶縁基板、(4
a)および(4b)は半導体チップ(サイリスタチップ
)、(6a)および(6b)は制御電極(ゲートリード
)、(20a)および(201))は制御電極信号端子
板(ゲート信号端子板)である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- (1)放熱板の上面の一部分上に固着された絶縁基板の
上面に互いの間に間隔をおいて固着され制御電極と第1
および第2の主電極とを有する複数個の半導体チップ、
上記絶縁基板および上記複数個の半導体チップを取り囲
んで下端面が上記放熱板の上面に固着された樹脂容器、
並びに上記複数個の半導体チップのそれぞれに対応して
設けられ中央部が上記樹脂容器の容器壁内に埋設され一
方の端部が当該半導体チップの制御電極の上にこれと係
合し半田付けが可能なように伸び他方の端部が上記容器
壁から上記樹脂容器内に出て上記樹脂容器の上方に伸び
るように形成された上記当該半導体チツプへの作動信号
印加用の制御電極信号端子板を備えた樹脂封止形モジュ
ール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59205022A JPS6184047A (ja) | 1984-09-29 | 1984-09-29 | 樹脂封止形モジユ−ル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59205022A JPS6184047A (ja) | 1984-09-29 | 1984-09-29 | 樹脂封止形モジユ−ル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6184047A true JPS6184047A (ja) | 1986-04-28 |
| JPH0247109B2 JPH0247109B2 (ja) | 1990-10-18 |
Family
ID=16500144
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59205022A Granted JPS6184047A (ja) | 1984-09-29 | 1984-09-29 | 樹脂封止形モジユ−ル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6184047A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6235658A (ja) * | 1985-08-09 | 1987-02-16 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置 |
| EP0609528A1 (en) * | 1993-02-01 | 1994-08-10 | Motorola, Inc. | Low inductance semiconductor package |
| US5967858A (en) * | 1996-12-10 | 1999-10-19 | Fuji Electric Co., Ltd. | Power module |
-
1984
- 1984-09-29 JP JP59205022A patent/JPS6184047A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6235658A (ja) * | 1985-08-09 | 1987-02-16 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置 |
| EP0609528A1 (en) * | 1993-02-01 | 1994-08-10 | Motorola, Inc. | Low inductance semiconductor package |
| US5967858A (en) * | 1996-12-10 | 1999-10-19 | Fuji Electric Co., Ltd. | Power module |
| DE19752408B4 (de) * | 1996-12-10 | 2010-06-24 | Fuji Electric Systems Co., Ltd. | Leistungsmodul mit einem oder mehreren Halbleiter-Leistungsbauelementen |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0247109B2 (ja) | 1990-10-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7227259B2 (en) | Low-inductance circuit arrangement for power semiconductor modules | |
| US10008392B2 (en) | Method for producing a power semiconductor module | |
| US6084293A (en) | Stacked semiconductor device | |
| JP3233507B2 (ja) | 半導体装置 | |
| EP2099120B1 (en) | Power converter | |
| JPS60163447A (ja) | 半導体素子 | |
| JP2010103222A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0570316B2 (ja) | ||
| US6646884B1 (en) | Sandwich-structured intelligent power module | |
| JP2828056B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| US6184579B1 (en) | Double-sided electronic device | |
| JP2006253516A (ja) | パワー半導体装置 | |
| JPS6184047A (ja) | 樹脂封止形モジユ−ル | |
| CN220731524U (zh) | 功率模块 | |
| US5508476A (en) | Mounting arrangement for semiconductor devices | |
| JPH03220761A (ja) | 半導体装置 | |
| US5744861A (en) | Power semiconductor module | |
| JPH0617317Y2 (ja) | 混成集積回路の接続構造 | |
| KR100487464B1 (ko) | 리드프레임을이용한반도체칩패키지 | |
| JPS60200559A (ja) | メモリモジュール | |
| JPH0325965A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3474408B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPS63122131A (ja) | 半導体装置用キヤリアテ−プ | |
| JPS6236385B2 (ja) | ||
| JP3011502B2 (ja) | 混成集積回路 |