JPS6184957A - カラ−光導電素子 - Google Patents
カラ−光導電素子Info
- Publication number
- JPS6184957A JPS6184957A JP59207412A JP20741284A JPS6184957A JP S6184957 A JPS6184957 A JP S6184957A JP 59207412 A JP59207412 A JP 59207412A JP 20741284 A JP20741284 A JP 20741284A JP S6184957 A JPS6184957 A JP S6184957A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- color
- thin film
- photoconductive element
- semiconductor thin
- absorption edge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Facsimile Heads (AREA)
- Facsimile Scanning Arrangements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、カラー用光導電素子の構造に関する。
従来例の構成とその問題点
原稿と一対一に対応するように透明基板上に光センサを
形成した光導電素子いわゆる密着型イメージセンサでカ
ラー原稿の読み取りを可能にする方法としては、ゼラチ
ンを主剤としそれを赤、緑。
形成した光導電素子いわゆる密着型イメージセンサでカ
ラー原稿の読み取りを可能にする方法としては、ゼラチ
ンを主剤としそれを赤、緑。
青に周期的に染色してパターン化したカラーフィルタを
薄いガラス板上に形成したものを、ライン状に並んだセ
ンナ上に貼り合わせ、フィルタ側から入射した光によっ
てセンサから得られる信号を赤、緑、背に分離して読み
取って色を検出していた。この方法による有機物のカラ
ーフィルタは、原稿からの反射光による劣化または光の
熱成分による劣化等があり、耐久性の上で信頼性の低い
ものであった。
薄いガラス板上に形成したものを、ライン状に並んだセ
ンナ上に貼り合わせ、フィルタ側から入射した光によっ
てセンサから得られる信号を赤、緑、背に分離して読み
取って色を検出していた。この方法による有機物のカラ
ーフィルタは、原稿からの反射光による劣化または光の
熱成分による劣化等があり、耐久性の上で信頼性の低い
ものであった。
また他の方法として赤、緑、青の領域に発光のピークを
持つ光源を準備し、これを順次に点灯することによシ赤
、緑、青の光源の点灯時に於ける信号を読み取って色を
検出していた。この方法では光源のための余分のスペー
スを必要とするため、装置が大型になり、またそれぞれ
の光源で原稿の読み取りを行なわなければならないので
原稿読み取りに時間がかかるという欠点があった。
持つ光源を準備し、これを順次に点灯することによシ赤
、緑、青の光源の点灯時に於ける信号を読み取って色を
検出していた。この方法では光源のための余分のスペー
スを必要とするため、装置が大型になり、またそれぞれ
の光源で原稿の読み取りを行なわなければならないので
原稿読み取りに時間がかかるという欠点があった。
発明の目的
本発明は、かかる欠点を除き耐久性の上で信頼性が高く
、かつ小型で読み取り速度の速いカラー光導電素子を提
供することを目的としている。
、かつ小型で読み取り速度の速いカラー光導電素子を提
供することを目的としている。
発明の構成
上記目的を達成するため本発明は、透明基板上に、主走
査方向に一定のピッチで周期的に配列した吸収端波長の
異なる2種類以上のカラーフィルタ用半導体薄膜を形成
し、その上に透光性かつ絶縁性の薄膜を介して、光セン
サ薄膜を形成した構造とすることにより、最終的に得ら
れる光導電素子の信頼性を高くかつ読み取り速度を早く
し、しかもこれを小型にすることを特徴としている。
査方向に一定のピッチで周期的に配列した吸収端波長の
異なる2種類以上のカラーフィルタ用半導体薄膜を形成
し、その上に透光性かつ絶縁性の薄膜を介して、光セン
サ薄膜を形成した構造とすることにより、最終的に得ら
れる光導電素子の信頼性を高くかつ読み取り速度を早く
し、しかもこれを小型にすることを特徴としている。
実施例の説明
半導体を薄膜としだ時、その半導体特有の禁止帯幅によ
り禁止帯幅より大きいエネルギーを持つ光は吸収され、
禁止帯幅より小さいエネルギーを持つ光は吸収されずに
透過することは良く知られている。禁止帯幅エネルギー
に相当する光の波長を吸収端波長というが、この波長は
材料によって決まり、半値波長すなわち光の透過率が5
0係となる波長のばらつきは小さい。従って一禁止帯幅
の異なる材料を用いれば各種の短波長側カプトフィルタ
ーを作ることができる。
り禁止帯幅より大きいエネルギーを持つ光は吸収され、
禁止帯幅より小さいエネルギーを持つ光は吸収されずに
透過することは良く知られている。禁止帯幅エネルギー
に相当する光の波長を吸収端波長というが、この波長は
材料によって決まり、半値波長すなわち光の透過率が5
0係となる波長のばらつきは小さい。従って一禁止帯幅
の異なる材料を用いれば各種の短波長側カプトフィルタ
ーを作ることができる。
この様な半導体薄膜を光センサの光入射側に配置するこ
とにより、上記の光センサの信号の有無を検知して入射
光の波長が吸収端より長波長か短波長かを判別すること
ができ、また数種類の吸収端波長の異なる半導体を組み
あわせれば、光センサの信号から入射光の色を判別する
ことができる。
とにより、上記の光センサの信号の有無を検知して入射
光の波長が吸収端より長波長か短波長かを判別すること
ができ、また数種類の吸収端波長の異なる半導体を組み
あわせれば、光センサの信号から入射光の色を判別する
ことができる。
第1図に本発明による光導電素子の構造を光導体フィル
タが3種の場合で示す。
タが3種の場合で示す。
第1図で1は透明基板、2は第1のカラーフィルタ用半
導体薄膜、3は第2の半導体薄膜、4は第3の半導体薄
膜であり、それらの吸収端波長はそれぞれλ1.λ2.
λ3でλ1くλ2くλ3なる関係が成立するように材料
が選定されている。またその上部には光学的に透明な絶
縁性の薄膜6を介して感光波長域がλ からλ4 (但
しλ3くλ4)の範囲にある光センサ6(センサa’)
、7(センサb)。
導体薄膜、3は第2の半導体薄膜、4は第3の半導体薄
膜であり、それらの吸収端波長はそれぞれλ1.λ2.
λ3でλ1くλ2くλ3なる関係が成立するように材料
が選定されている。またその上部には光学的に透明な絶
縁性の薄膜6を介して感光波長域がλ からλ4 (但
しλ3くλ4)の範囲にある光センサ6(センサa’)
、7(センサb)。
8(センサC)を分離して形成し、紙面に垂直方向に電
圧を印加する。この様な光導電素子にガラス基板1側か
ら光(’hν)を入射させる場合を考える。第1表に入
射光の波長範囲と各光センサの信号を示す。光電流が流
れる時の出力信号を「1」。
圧を印加する。この様な光導電素子にガラス基板1側か
ら光(’hν)を入射させる場合を考える。第1表に入
射光の波長範囲と各光センサの信号を示す。光電流が流
れる時の出力信号を「1」。
流れない時の出力信号を「o」とし、波長範囲が広がれ
ば信号は加算されるものとする。
ば信号は加算されるものとする。
第 1 表
第1表かられかるように、センサa、センサb。
センサCの信号の組み合わせがすべて異なるので入射し
てきた光の色を判別することが可能である。
てきた光の色を判別することが可能である。
同様に吸収端の波長の異なるフィルタの数を増せば、多
種の色の読み取りが可能になる。
種の色の読み取りが可能になる。
カラーフィルタ用半導体薄膜2,3.4の材料としては
、その吸収端が可視光の波長域にあるものであれば何で
も良いが、■−■族化合物やそれらの固溶体でなるもの
は、特に可視光域で吸収端をコントロールし易く吸収特
性に優れ、しかも薄膜形成が容易であるので特に好まし
い。例えば520nmより短波長をカットするものとし
てばCdSがあり、620 nmより短波長をカットす
るものとしては固溶体CdS Se 等がある
。
、その吸収端が可視光の波長域にあるものであれば何で
も良いが、■−■族化合物やそれらの固溶体でなるもの
は、特に可視光域で吸収端をコントロールし易く吸収特
性に優れ、しかも薄膜形成が容易であるので特に好まし
い。例えば520nmより短波長をカットするものとし
てばCdSがあり、620 nmより短波長をカットす
るものとしては固溶体CdS Se 等がある
。
0.6 0+4
また光センサ薄膜6,7.8用の材料としては、可視光
域に感度を有するものなら°何でも良いが、感光波長域
のコントロールの容易な■−■族化合物や、それらの固
溶体でなるもの、なかでも特に光電流の大きいCdS、
CdSeあるいはこれらの固溶体Cd5−CdSeを主
体として成るものが好ましい。普通には増感と明暗比を
大きくするため、若干のCtとCuを膜中に添加する。
域に感度を有するものなら°何でも良いが、感光波長域
のコントロールの容易な■−■族化合物や、それらの固
溶体でなるもの、なかでも特に光電流の大きいCdS、
CdSeあるいはこれらの固溶体Cd5−CdSeを主
体として成るものが好ましい。普通には増感と明暗比を
大きくするため、若干のCtとCuを膜中に添加する。
以下具体実施例について述べる。
具体実施例
光導電素子をカラー用イメージセンサ等に用いる場合、
通常は赤(以下R)、緑(以下G)、青(以下B)及び
それらの補色であるシアン(以下C)、マジェンタ(以
下M)、黄色(以下Y)。
通常は赤(以下R)、緑(以下G)、青(以下B)及び
それらの補色であるシアン(以下C)、マジェンタ(以
下M)、黄色(以下Y)。
白(以下W)、黒(以下Bt)の8種の色が識別可能で
あれば、カラー原稿を読み取ることができる。
あれば、カラー原稿を読み取ることができる。
この場合は、前記の第1.第2.第3のカラーフィルタ
用半導体薄膜2,3.4の吸収端の波長がλ = 38
0 n m 、λ2 = 49 On !n 、λ3=
590nmの付近にくるようにすれば良い。
用半導体薄膜2,3.4の吸収端の波長がλ = 38
0 n m 、λ2 = 49 On !n 、λ3=
590nmの付近にくるようにすれば良い。
またセンサ感光波長域がCd5−CdSe固溶体の様に
380〜700nm付近であれば、第1の半導体薄膜は
不要で、第2.第3の半導体薄膜3′。
380〜700nm付近であれば、第1の半導体薄膜は
不要で、第2.第3の半導体薄膜3′。
4′のみで、3種の光センサの信号からR,G。
B、Y、C,M、W、Btの8種の色を識別することが
できる。この場合による光導電素子の断面の概略図を第
2図に、第2表に各センナから得られる信号の大きさを
任意尺度で示す。8種の電信号が明確に判別できること
が分る。
できる。この場合による光導電素子の断面の概略図を第
2図に、第2表に各センナから得られる信号の大きさを
任意尺度で示す。8種の電信号が明確に判別できること
が分る。
第 2 表
第2図で、3′は吸収端波長が490nm付近にあるカ
ラーフィルタ用半導体薄膜、4′は吸収端が590nm
付近にある半導体薄膜、6’、7’。
ラーフィルタ用半導体薄膜、4′は吸収端が590nm
付近にある半導体薄膜、6’、7’。
81はCd5−CdSe固溶体から成る光センサで各々
センサa /、センサb′、センサC′でアル。
センサa /、センサb′、センサC′でアル。
発明の効果
この様な構造を持つ光センサは、半導体フィルタの半値
波長のばらつきが小さいため、色の分離が良くまた耐高
温性のために長寿命化が可能であり、まだ多数の光源を
使用しないため、読み取り速度も速い。
波長のばらつきが小さいため、色の分離が良くまた耐高
温性のために長寿命化が可能であり、まだ多数の光源を
使用しないため、読み取り速度も速い。
以上の様に、本発明による光導電素子は、信頼性も高く
、かう読み取り速度の速いカラー光導電素子を提供する
ものであり、工業的価値の大きいものである。
、かう読み取り速度の速いカラー光導電素子を提供する
ものであり、工業的価値の大きいものである。
第1図、第2図は本発明の実施列による光導電素子の断
面の概略図である。 1・・・・・・透明基板、2,3.4・・・・・・半導
体薄膜。 5・・・・・透明絶縁膜、6,7.8・・・・・光セン
サ、2′。 3 / 、 4 /・・・・・−半導体薄膜、6’、7
’、8’・・・・・・光センサ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図
面の概略図である。 1・・・・・・透明基板、2,3.4・・・・・・半導
体薄膜。 5・・・・・透明絶縁膜、6,7.8・・・・・光セン
サ、2′。 3 / 、 4 /・・・・・−半導体薄膜、6’、7
’、8’・・・・・・光センサ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図
Claims (3)
- (1)透明基板上に、主走査方向に一定のピッチで周期
的に配列した吸収端波長の異なる2種類以上のカラーフ
ィルタ用半導体薄膜を形成し、この半導体膜上に透光性
かつ絶縁性の薄膜を介して光センサ薄膜を形成したこと
を特徴とするカラー光導電素子。 - (2)カラーフィルタ用半導体薄膜のうち少なくとも1
種類の半導体薄膜の吸収端波長が、480〜500nm
にあり、他のもう1種類の半導体薄膜の吸収端波長が5
80〜600nmにあることを特徴とする特許請求の範
囲第1項記載のカラー光導電素子。 - (3)光センサ薄膜がCdS、CdSe、あるいはCd
S−CdSe固溶体を主体として成ることを特徴とする
特許請求の範囲第1項あるいは第2項のいずれかに記載
のカラー光導電素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59207412A JPS6184957A (ja) | 1984-10-03 | 1984-10-03 | カラ−光導電素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59207412A JPS6184957A (ja) | 1984-10-03 | 1984-10-03 | カラ−光導電素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6184957A true JPS6184957A (ja) | 1986-04-30 |
Family
ID=16539312
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59207412A Pending JPS6184957A (ja) | 1984-10-03 | 1984-10-03 | カラ−光導電素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6184957A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0339860U (ja) * | 1989-08-29 | 1991-04-17 |
-
1984
- 1984-10-03 JP JP59207412A patent/JPS6184957A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0339860U (ja) * | 1989-08-29 | 1991-04-17 |
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