JPS6186500A - ＧａＡｌＡｓ発光素子の製造方法 - Google Patents
ＧａＡｌＡｓ発光素子の製造方法Info
- Publication number
- JPS6186500A JPS6186500A JP59207944A JP20794484A JPS6186500A JP S6186500 A JPS6186500 A JP S6186500A JP 59207944 A JP59207944 A JP 59207944A JP 20794484 A JP20794484 A JP 20794484A JP S6186500 A JPS6186500 A JP S6186500A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- type
- type layer
- solution
- slider
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 17
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 claims description 2
- 238000009489 vacuum treatment Methods 0.000 claims description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 230000006837 decompression Effects 0.000 abstract description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 abstract 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 abstract 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 10
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000004453 electron probe microanalysis Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010583 slow cooling Methods 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
- C30B19/06—Reaction chambers; Boats for supporting the melt; Substrate holders
- C30B19/063—Sliding boat system
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発光素子の製造方法の改良に関するものである。
近年、光通信用あるいは屋外での表示用などとして高効
率の発光素子の需要が強くなっている。
率の発光素子の需要が強くなっている。
高効率発光素子の半導体材料としては、ＧａＡｌＡｓ系
の特性が最も優れていることが知られている。
の特性が最も優れていることが知られている。
Ｇａ１−ｘＡ２ｘＡｓ混晶は組成ｘ ＝ ０からｘ ＝
０． ４付近まで直接遷移型のバンド構造を有し、６
５００λ〜９００り久の間で高効率の発光を得ることが
でさる・Ｇａ１−ｘＡｔｘＡＳ混晶の場合パンドギャッ
７°（Ｅｇ単泣ｅＶ）と組成（Ｘ）の関係は近似的に次
の関係式で表わさＪすることか知られている。
０． ４付近まで直接遷移型のバンド構造を有し、６
５００λ〜９００り久の間で高効率の発光を得ることが
でさる・Ｇａ１−ｘＡｔｘＡＳ混晶の場合パンドギャッ
７°（Ｅｇ単泣ｅＶ）と組成（Ｘ）の関係は近似的に次
の関係式で表わさＪすることか知られている。
Ｅｇ（ｘ）＝１．４２４＋１．２４７ｘ （０＜Ｘ＜
０．４５）一般に、ＧａＡｌＡｓ発光素子はＰ型ＧａＡ
ｓ基板上に液相エピタキシャル成長により発光波長に対
応したバンドギヤツプＥｇを持つＰ型Ｇａ１−ｘＡｔｘ
Ａｓ層及びこの波長に対して透明となるようなバンドギ
ヤ、 ７’ ｓ脩（ ｒｇｉ〉ｚ４ ）の広いｎ Ｗ
Ｇａ１−ｙＡｔｙＡｓ層をＶ ＞ Ｘなる関係のもとに
順次成長させた構造となっている。
０．４５）一般に、ＧａＡｌＡｓ発光素子はＰ型ＧａＡ
ｓ基板上に液相エピタキシャル成長により発光波長に対
応したバンドギヤツプＥｇを持つＰ型Ｇａ１−ｘＡｔｘ
Ａｓ層及びこの波長に対して透明となるようなバンドギ
ヤ、 ７’ ｓ脩（ ｒｇｉ〉ｚ４ ）の広いｎ Ｗ
Ｇａ１−ｙＡｔｙＡｓ層をＶ ＞ Ｘなる関係のもとに
順次成長させた構造となっている。
発光はＰ型ＧａＡｌＡｓ層で起きる為、発光波長はＰ型
層のイＪ）成（Ｘ）に依存する。
層のイＪ）成（Ｘ）に依存する。
発光波長＋３６００Ｘの典型的な赤色発光素子では組成
ｘ＝０．３５のＰ型層及び組成ｙ ＝ Ｑ、 ６〜０．
１３のＮ型層より構成されている。
ｘ＝０．３５のＰ型層及び組成ｙ ＝ Ｑ、 ６〜０．
１３のＮ型層より構成されている。
従来技術では第１図のようなＰ型成長溶液４及びＮ型成
長溶液５の２つの溶液で構成された横型スライドホ゛−
トを用い、Ｐ型層−１Ｎ型層を徐冷法まだは温度差法に
より順次成長する方式がとられでいる。この方式の欠点
は、Ｐ型層を成長させた後、基板結晶が一旦成長溶液か
ら切シ離されること、および基板結晶をスライドするこ
とによるキズの発生などによ、！ｐｐ−Ｎ界面付近に種
々の欠陥が導入され、特性劣化及びバラツキが問題とな
ることである。一方、リン化ガリウム（ＧａＰ）緑色発
光素子の場合にもＮ層及びＰ層を各々別個の溶液から成
長させる方式よりも、１つの溶液からＮ層及びＰ層を連
続して成長させる所謂不純物補償法による発光素子の方
が発光特性が優れていることが知られている。
長溶液５の２つの溶液で構成された横型スライドホ゛−
トを用い、Ｐ型層−１Ｎ型層を徐冷法まだは温度差法に
より順次成長する方式がとられでいる。この方式の欠点
は、Ｐ型層を成長させた後、基板結晶が一旦成長溶液か
ら切シ離されること、および基板結晶をスライドするこ
とによるキズの発生などによ、！ｐｐ−Ｎ界面付近に種
々の欠陥が導入され、特性劣化及びバラツキが問題とな
ることである。一方、リン化ガリウム（ＧａＰ）緑色発
光素子の場合にもＮ層及びＰ層を各々別個の溶液から成
長させる方式よりも、１つの溶液からＮ層及びＰ層を連
続して成長させる所謂不純物補償法による発光素子の方
が発光特性が優れていることが知られている。
第１の発明は上記事実に鑑みなされたもので、亜’Ａ
（Ｚｎ ）とテルル（Ｔｅ）を同時に添加したＰ型成長
溶液からＰ型層を成長させた後、溶液中のＺｎを減圧処
理によ）除去し、さらにアルミニウムを追加１〜／こ後
Ｎ型層を同一溶液から連続して成長さぜ、■〕−Ｎ界面
付近に種々の欠陥が導入されることを防ぐことによ多安
定した特性を持つＧａＡ７Ａｓ発元素１′−の製造方法
を提供するものである。
（Ｚｎ ）とテルル（Ｔｅ）を同時に添加したＰ型成長
溶液からＰ型層を成長させた後、溶液中のＺｎを減圧処
理によ）除去し、さらにアルミニウムを追加１〜／こ後
Ｎ型層を同一溶液から連続して成長さぜ、■〕−Ｎ界面
付近に種々の欠陥が導入されることを防ぐことによ多安
定した特性を持つＧａＡ７Ａｓ発元素１′−の製造方法
を提供するものである。
しかしながらこの場合でもＮ型層を成長した後スライド
させることにより溶液の分離させる為に、多結晶のまき
込みによるウェハー表面のキズ、及びウェハー表面に溶
液が残留することによる表面不良などの発生が問題とな
る。また横型スライドボート法は上述した以外に下記問
題点がある。
させることにより溶液の分離させる為に、多結晶のまき
込みによるウェハー表面のキズ、及びウェハー表面に溶
液が残留することによる表面不良などの発生が問題とな
る。また横型スライドボート法は上述した以外に下記問
題点がある。
■ＧａＡｌＡｓ０液相エピタキシャル成長の場合、非常
に酸化され易いアルミニウムを溶液に添加している為に
、成長前に十分な空焼きにより溶液中の酸素及び成長用
治具等に吸着した酸素を十分除去しなければならない。
に酸化され易いアルミニウムを溶液に添加している為に
、成長前に十分な空焼きにより溶液中の酸素及び成長用
治具等に吸着した酸素を十分除去しなければならない。
しかしスライドボート法では溶液と基板結晶が常に同じ
温度ゾーンにちる為に溶液の空焼きの時間が余シ長くな
ると基４に結晶の熱劣化の問題が出て来る。したがって
、酸素の除去と云５観点だけで空焼き時間を独立に選択
することができない。
温度ゾーンにちる為に溶液の空焼きの時間が余シ長くな
ると基４に結晶の熱劣化の問題が出て来る。したがって
、酸素の除去と云５観点だけで空焼き時間を独立に選択
することができない。
・：・スライドボート法で基板結晶を多数枚チャージす
る場合溝造が複離となり、操作性が悪く量産的な製造方
法としては問題がある。
る場合溝造が複離となり、操作性が悪く量産的な製造方
法としては問題がある。
そこで本発明の第２の発明は、上記事実に鑑みなされた
ものである。本発明者は踵々の検討の、結果縦型浸漬法
を採用することにより上述した問題の解決を計ったＧａ
ＡｌＡｓ発光素子の量産的な製造方法を提供するに至っ
たものである。
ものである。本発明者は踵々の検討の、結果縦型浸漬法
を採用することにより上述した問題の解決を計ったＧａ
ＡｌＡｓ発光素子の量産的な製造方法を提供するに至っ
たものである。
以下図を参照して実施例を説明する。
実１強（列 １
第２図は第１の発明の実施において用いた黒鉛製スライ
ドボートを模式的に示したものである。
ドボートを模式的に示したものである。
下部スライダー１にＰ型ＧａＡｓ基板３が設置され、成
長、・容液４は金属ガリウム５０ Ｆ、ＧａＡｓ多結晶
４．！７、アルミニウム（Ａｌ）８０７＋１９、亜鉛５
０ｍｇ、テルル２ ｍ９を配合した組成となっている。
長、・容液４は金属ガリウム５０ Ｆ、ＧａＡｓ多結晶
４．！７、アルミニウム（Ａｌ）８０７＋１９、亜鉛５
０ｍｇ、テルル２ ｍ９を配合した組成となっている。
まだ上部バラ２イグー８にはＡ７（９）３００ｍ９が設
置されている。
置されている。
スライダーをこの状態で電気炉の均熱帯に設置し真空置
換した後、水素ガスを流しながら９００℃ｔで外心する
。９００℃で１時間保持した後スライダーｌを移動し、
基板４と成長溶液４を接融させ、に）加速度０．５℃／
分で８６０℃まで冷却しＰ型層を成長させる。この温度
で成長を一時停止し、Ａｒガスを流しながら約２ Ｔｏ
ｒｒの減圧下で約２時間保持し溶液中のＺｎを除去する
。次に常圧（で戻し再び水素ガスを流し、上部スライダ
ー３を移動しＡｔ９を溶液に追加する。追加後約１０分
間経た後、１０℃再昇温する。８７０℃で約１０分間保
持した後、再び冷却速度０．５℃／分で８３０℃まで徐
令し、Ｎ型層を成長させ８３０℃に達した時スライダー
１を移動し、成長溶液を分離する。この工僅により、約
２０μｍＬニア）Ｐ型層、及び約２０μｍのＮ型層が成
長した。ＥＰＭＡによる組成分析の結果Ｐ型層はＧａｎ
、６６ＡｔＱ、３４Ａｓ 、、Ｎ層はＧａＯ，４２Ａｔ
０．５８ＡＳであった。
換した後、水素ガスを流しながら９００℃ｔで外心する
。９００℃で１時間保持した後スライダーｌを移動し、
基板４と成長溶液４を接融させ、に）加速度０．５℃／
分で８６０℃まで冷却しＰ型層を成長させる。この温度
で成長を一時停止し、Ａｒガスを流しながら約２ Ｔｏ
ｒｒの減圧下で約２時間保持し溶液中のＺｎを除去する
。次に常圧（で戻し再び水素ガスを流し、上部スライダ
ー３を移動しＡｔ９を溶液に追加する。追加後約１０分
間経た後、１０℃再昇温する。８７０℃で約１０分間保
持した後、再び冷却速度０．５℃／分で８３０℃まで徐
令し、Ｎ型層を成長させ８３０℃に達した時スライダー
１を移動し、成長溶液を分離する。この工僅により、約
２０μｍＬニア）Ｐ型層、及び約２０μｍのＮ型層が成
長した。ＥＰＭＡによる組成分析の結果Ｐ型層はＧａｎ
、６６ＡｔＱ、３４Ａｓ 、、Ｎ層はＧａＯ，４２Ａｔ
０．５８ＡＳであった。
イ４）られだ発光素子の発光波長は６６５０Ｘ発光出力
はＰ型層及びＮ型層を別個の溶液から成長させたもの約
１．５倍であった。
はＰ型層及びＮ型層を別個の溶液から成長させたもの約
１．５倍であった。
丑記例で（−、Ｌ減圧処理時間を２時間としたが、１時
間の場合はＺｎの除去が不十分でＮ型層が得られない場
合があ）２時間以上の場合はＮ型層が再現良く得られた
。
間の場合はＺｎの除去が不十分でＮ型層が得られない場
合があ）２時間以上の場合はＮ型層が再現良く得られた
。
実に布ｒ２”す２
第３図・は第２の発明の実施において用いた縦型浸ｎ法
の装置を模式的に示しだものである。電気炉１１及び石
英反応管１２によ）構成される。炉内には、金属ガリウ
ム３ Ｋｇ、ＧａＡｓ多結晶２４０，９゜テルル１２０
ｍ９を配合した組成の成長溶′ｔｉ、４が、炉外の反応
管上部には、Ｐ型ＧａＡｓ基板３を装着した基板ホルダ
ー１３が設置されている。また反応管上部にはＺｎ投入
器６及びＡｔ投入器７が設置されている。この状態で、
真空置換後水素ガスを流しながら９００℃まで昇温する
。９００℃で２．５時間保持した後、Ｚｎ投入器６から
Ｚｎ ３ りをＡｔ投入器７からＡｔ４．８ｇを添加す
る。更に３０分間９００℃で保持した後、基板ホルダー
１３を成長溶液の直上部で予熱した後成長溶液に′Ｉ２
１青し、冷却速度０５℃／分で８６０ｃまで徐冷しＰ型
層を成長させる。この温度で成長を一時停止しＡｒガス
を流しながら約２ Ｔｏｒｒの減圧下で２時間保持し溶
液中のＺｎを除去した後、常圧に戻し再び水素ガスを流
してＡ、を投入器７より Ａｔ １８ ｇを追加する。
の装置を模式的に示しだものである。電気炉１１及び石
英反応管１２によ）構成される。炉内には、金属ガリウ
ム３ Ｋｇ、ＧａＡｓ多結晶２４０，９゜テルル１２０
ｍ９を配合した組成の成長溶′ｔｉ、４が、炉外の反応
管上部には、Ｐ型ＧａＡｓ基板３を装着した基板ホルダ
ー１３が設置されている。また反応管上部にはＺｎ投入
器６及びＡｔ投入器７が設置されている。この状態で、
真空置換後水素ガスを流しながら９００℃まで昇温する
。９００℃で２．５時間保持した後、Ｚｎ投入器６から
Ｚｎ ３ りをＡｔ投入器７からＡｔ４．８ｇを添加す
る。更に３０分間９００℃で保持した後、基板ホルダー
１３を成長溶液の直上部で予熱した後成長溶液に′Ｉ２
１青し、冷却速度０５℃／分で８６０ｃまで徐冷しＰ型
層を成長させる。この温度で成長を一時停止しＡｒガス
を流しながら約２ Ｔｏｒｒの減圧下で２時間保持し溶
液中のＺｎを除去した後、常圧に戻し再び水素ガスを流
してＡ、を投入器７より Ａｔ １８ ｇを追加する。
追加後：３０分間経た後、１０℃昇温し８７０℃で１０
分間保持して再び冷却速度０．５℃／分で８３０Ｃまで
徐冷しＮ層を成長させ、８３０℃に達した時基板ホルダ
ー１３を成長溶液よシ分離して反応管上部寸で引き上げ
る。この工程により約２５訓ｐ型層及び約２５μｍのＮ
型層が成長した。まだＥＰＭＡでの組成分析の結果はＰ
型層ばＧａＯ，６８Ａｔｏ、ｓｓ’、Ｎ型層はＧａＯ，
３８ＡｔＯ，６□Ａｓであった。得られた発光素子の発
光波長は６７００ Ａ ％発光出力は実施例１のものと
ほぼ同一であった。
分間保持して再び冷却速度０．５℃／分で８３０Ｃまで
徐冷しＮ層を成長させ、８３０℃に達した時基板ホルダ
ー１３を成長溶液よシ分離して反応管上部寸で引き上げ
る。この工程により約２５訓ｐ型層及び約２５μｍのＮ
型層が成長した。まだＥＰＭＡでの組成分析の結果はＰ
型層ばＧａＯ，６８Ａｔｏ、ｓｓ’、Ｎ型層はＧａＯ，
３８ＡｔＯ，６□Ａｓであった。得られた発光素子の発
光波長は６７００ Ａ ％発光出力は実施例１のものと
ほぼ同一であった。
実施例１ではＮ型層の表面にスライダーによるキズ溶液
の残留による表面不良がみられたが実施例２ではほぼ完
全な鏡面が得られた。
の残留による表面不良がみられたが実施例２ではほぼ完
全な鏡面が得られた。
同一溶液から連続してＰ型層及びＮ型層を成長させるこ
とにより安定した特性のＧａＡｌＡｓ発光素子の製造が
可能となシガリウムの原単位も従来の約半分と７（ｔっ
た。また縦型浸漬法の採用し多数枚束ねた！′１り造の
基板ホルダーを用いることによ）、１回の成長で直径約
５０ｍｍφのウェハー３０枚の処理が可能となシはぼ完
全な鏡面が得られるようになっ 、′こ 。
とにより安定した特性のＧａＡｌＡｓ発光素子の製造が
可能となシガリウムの原単位も従来の約半分と７（ｔっ
た。また縦型浸漬法の採用し多数枚束ねた！′１り造の
基板ホルダーを用いることによ）、１回の成長で直径約
５０ｍｍφのウェハー３０枚の処理が可能となシはぼ完
全な鏡面が得られるようになっ 、′こ 。
上記実施例では発光波長が６６００〜６７００Ｘの赤色
発光であったがＰ型ＧａＡｌＡｓ層のアルミニウムの組
成を変えることにより６５００〜９０００ Ｘの発光が
可能である。またＮ型添加剤としてテルル（Ｔｃ）を用
いたがイオウ（Ｓ）、セレン（Ｓｅ）であっても良くＰ
型添加剤としてはカドミニウム（Ｃａ）でちっても良い
。
発光であったがＰ型ＧａＡｌＡｓ層のアルミニウムの組
成を変えることにより６５００〜９０００ Ｘの発光が
可能である。またＮ型添加剤としてテルル（Ｔｃ）を用
いたがイオウ（Ｓ）、セレン（Ｓｅ）であっても良くＰ
型添加剤としてはカドミニウム（Ｃａ）でちっても良い
。
繁１図は従来技術の横型スライドボートを示す説明図で
ある。 １・・・下部スライダー、２・・・上部スライダー、３
・・・Ｐ型ＧａＡｓ基板、４・・・Ｐ型成長溶液、５・
・・Ｎ型成長溶液。 第２図は本発明に使用する横型スライド＋ｌ：” −ト
の一例を示す図である。 １・・・下部スライダー、２・・・中部スライダー、３
・・・Ｐ型ＧａＡｓ基板、・１・・・成長溶液、８・・
・上部スライダー、９・・・追加用アルミニウム。 第３図は本発明に使用する縦型浸漬法の装置の一例を示
す図である。 ３・・・Ｐ型ＧａＡｓ基板、４・・・成長溶液、６・・
・Ｚｎ投入器、７・・・Ａｔ投入器、１１・・・電気炉
、１２・・・石英反応管、１３・・・基板ホルダー。
ある。 １・・・下部スライダー、２・・・上部スライダー、３
・・・Ｐ型ＧａＡｓ基板、４・・・Ｐ型成長溶液、５・
・・Ｎ型成長溶液。 第２図は本発明に使用する横型スライド＋ｌ：” −ト
の一例を示す図である。 １・・・下部スライダー、２・・・中部スライダー、３
・・・Ｐ型ＧａＡｓ基板、・１・・・成長溶液、８・・
・上部スライダー、９・・・追加用アルミニウム。 第３図は本発明に使用する縦型浸漬法の装置の一例を示
す図である。 ３・・・Ｐ型ＧａＡｓ基板、４・・・成長溶液、６・・
・Ｚｎ投入器、７・・・Ａｔ投入器、１１・・・電気炉
、１２・・・石英反応管、１３・・・基板ホルダー。
Claims (2)
- （１）Ｐ型ヒ化ガリウム基板上に、Ｐ型ＧａＡｌＡｓ層
さらに該層上にＮ型ＧａＡｌＡｓ層を有するＧａＡｌＡ
ｓ発光素子を液相エピタキシャル成長により製造するに
際して、亜鉛（Ｚｎ）とテルル（Ｔｅ）を添加したアル
ミニウム（Ａｌ）−ガリウム（Ｇａ）溶液よりまずＰ型
ＧａＡｌＡｓ層を成長させた後減圧処理により溶液中の
Ｚｎを除去し、次いでＡｌを追加した後引き続きＮ型Ｇ
ａＡｌＡｓ層を同一溶液から連続して成長させることを
特徴とするＧａＡｌＡｓ発光素子の製造方法。 - （２）液相エピタキシャル成長に際して、縦型浸漬法を
用いることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のＧ
ａＡｌＡｓ発光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59207944A JPS6186500A (ja) | 1984-10-05 | 1984-10-05 | ＧａＡｌＡｓ発光素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59207944A JPS6186500A (ja) | 1984-10-05 | 1984-10-05 | ＧａＡｌＡｓ発光素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6186500A true JPS6186500A (ja) | 1986-05-01 |
| JPH0522677B2 JPH0522677B2 (ja) | 1993-03-30 |
Family
ID=16548119
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59207944A Granted JPS6186500A (ja) | 1984-10-05 | 1984-10-05 | ＧａＡｌＡｓ発光素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6186500A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61127699A (ja) * | 1984-11-26 | 1986-06-14 | Mitsubishi Monsanto Chem Co | ひ化ガリウム・アルミニウム混晶エピタキシヤルウエハ及びその製造方法 |
-
1984
- 1984-10-05 JP JP59207944A patent/JPS6186500A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61127699A (ja) * | 1984-11-26 | 1986-06-14 | Mitsubishi Monsanto Chem Co | ひ化ガリウム・アルミニウム混晶エピタキシヤルウエハ及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0522677B2 (ja) | 1993-03-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6115577B2 (ja) | ||
| JPH06105797B2 (ja) | 半導体基板及びその製造方法 | |
| JPS6037076B2 (ja) | ３−６族化合物半導体の温度液相成長法 | |
| US4944811A (en) | Material for light emitting element and method for crystal growth thereof | |
| US4218270A (en) | Method of fabricating electroluminescent element utilizing multi-stage epitaxial deposition and substrate removal techniques | |
| JPH01232732A (ja) | 半導体結晶製造方法 | |
| JPS6186500A (ja) | ＧａＡｌＡｓ発光素子の製造方法 | |
| JP4235711B2 (ja) | 縦型ボート法によるＧａＡｓ単結晶の製造方法 | |
| CA1234036A (en) | Lpe growth on group iii-v compound semiconductor substrates containing phosphorus | |
| US3619304A (en) | Method of manufacturing gallium phosphide electro luminescent diodes | |
| JPH0463040B2 (ja) | ||
| JPH1197740A (ja) | ＧａＰ発光ダイオード用エピタキシャルウェーハおよびＧａＰ発光ダイオード | |
| JP3560180B2 (ja) | ＺｎＳｅホモエピタキシャル単結晶膜の製造法 | |
| JPH05335621A (ja) | ガリウム燐緑色発光ダイオード | |
| JP3097587B2 (ja) | 発光半導体素子用エピタキシャルウェーハ | |
| JP2003146791A (ja) | 化合物半導体単結晶の製造方法 | |
| JPS60115271A (ja) | リン化ガリウム赤色発光素子の製造方法 | |
| JPH0260209B2 (ja) | ||
| GB2193035A (en) | Semiconductor material | |
| JPS60236220A (ja) | 液相エピタキシヤル成長法 | |
| JPH0525396B2 (ja) | ||
| Su et al. | The growth and characterization of ZnSe epilayers grown by VPE and MOCVD | |
| JPS61106491A (ja) | 液相エピタキシヤル成長方法 | |
| JPS62163310A (ja) | 化合物半導体結晶の製造方法 | |
| JPH04133316A (ja) | 気相成長方法 |