JPS6187871A - イオン・ビ−ム・デポジシヨン法 - Google Patents
イオン・ビ−ム・デポジシヨン法Info
- Publication number
- JPS6187871A JPS6187871A JP19230484A JP19230484A JPS6187871A JP S6187871 A JPS6187871 A JP S6187871A JP 19230484 A JP19230484 A JP 19230484A JP 19230484 A JP19230484 A JP 19230484A JP S6187871 A JPS6187871 A JP S6187871A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion beam
- sample
- deposition method
- present
- metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 6
- 238000007737 ion beam deposition Methods 0.000 title description 3
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 claims description 8
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 claims description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 5
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 5
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 241000534672 Hiodon alosoides Species 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
- C23C16/18—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material from metallo-organic compounds
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はイオン・ビーム加工法に係り、イオン・ビーム
による金属膜形成法に関する。
による金属膜形成法に関する。
従来、イオン・ビーム加工処理あるいは電子ビーム加工
処理は、主としてＵ光あるいはエツチング処理に用いら
れているのが通例であった。
処理は、主としてＵ光あるいはエツチング処理に用いら
れているのが通例であった。
本発明は、かかる従来技術におけるイオン・ビーム処理
法において、ビーム状に金ｍ膜を形成する処理法が無い
と云う問題点があった。
法において、ビーム状に金ｍ膜を形成する処理法が無い
と云う問題点があった。
本発明は、かかる従来技術の問題点を解決するために、
イオン・ビーム・デボクシ１ン法に於いて有機金属化合
物または金属化合物雰囲気に電子ビームまたはイオン・
ビームを照射し、試料表面に有機金属化合物の構成元素
金属または合金をビーム状にデボジシｌンする事を特徴
とする手段を提供する。
イオン・ビーム・デボクシ１ン法に於いて有機金属化合
物または金属化合物雰囲気に電子ビームまたはイオン・
ビームを照射し、試料表面に有機金属化合物の構成元素
金属または合金をビーム状にデボジシｌンする事を特徴
とする手段を提供する。
本発明は、試料表面に有機金属化合物または金属化合物
雰囲気を現出し、該有機金属化合物または金属化合物雰
囲気に電子ビームまたはイオン・ビーム等のエネルギー
・ビームを走査しながら照射することにより、前記有機
金属化合物または金属化合物を分解し、構成元素である
金属元素をイオン化しビーム状をなすと共に、該金属ま
たは合金を膜状に且つビーム状に試料表面にデポジショ
ンする。
雰囲気を現出し、該有機金属化合物または金属化合物雰
囲気に電子ビームまたはイオン・ビーム等のエネルギー
・ビームを走査しながら照射することにより、前記有機
金属化合物または金属化合物を分解し、構成元素である
金属元素をイオン化しビーム状をなすと共に、該金属ま
たは合金を膜状に且つビーム状に試料表面にデポジショ
ンする。
第１図は、本発明の一実施例を示すイオン・ビーム・デ
ポジション法の模式図である。今、真空容器内にある試
料台１上には試料２が設置され、該試料２の表面にはノ
ズル３からの金属化合物ガス４が供給され、試料２の表
面には電子ビームまたはＡにイオン・ビーム５が照射さ
れて、金目膜６が形成されて成る。
ポジション法の模式図である。今、真空容器内にある試
料台１上には試料２が設置され、該試料２の表面にはノ
ズル３からの金属化合物ガス４が供給され、試料２の表
面には電子ビームまたはＡにイオン・ビーム５が照射さ
れて、金目膜６が形成されて成る。
有機金属化合物としては（Ｃ＊ ”ｓ ）４３ ｎ ＊
（ＯＨｓ）ｔ Ａ １０ ｔ Ｉ （ａ
！ｎ、）３ｓｂ、 （ＯｘＨ＠）、Ｚｎ等が有り、各
々Ｓｎ、Ａｌ、Ｓｂ。
（ＯＨｓ）ｔ Ａ １０ ｔ Ｉ （ａ
！ｎ、）３ｓｂ、 （ＯｘＨ＠）、Ｚｎ等が有り、各
々Ｓｎ、Ａｌ、Ｓｂ。
Ｚｎ等の金属をデポジションすることができる。
本発明を合金膜形成に用いられることは云うまでもない
。金属化合物としてはｈａＱＬ、、Ｍｏ０Ｌ１、ＳｎＢ
ｒ４等があり、それぞれｈｅ、Ｍｏ。
。金属化合物としてはｈａＱＬ、、Ｍｏ０Ｌ１、ＳｎＢ
ｒ４等があり、それぞれｈｅ、Ｍｏ。
Ｓｎ等の金属をデポジションすることができる。
本発明によりα１μ程度の極めて細いビーム状に金属膜
または合金膜を試料上に直接形成出来る効果がある。
または合金膜を試料上に直接形成出来る効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示すイオン・ビーム・デポ
ジション法の模式図である。 １・・・・・・試料台 ２・・・・・・試料 ５・・・・・・ノズル ４・・・・・・有機金属化合物ガス ５・・・・・・イオン・ビーム ６・・・・・・金属膜 以 上
ジション法の模式図である。 １・・・・・・試料台 ２・・・・・・試料 ５・・・・・・ノズル ４・・・・・・有機金属化合物ガス ５・・・・・・イオン・ビーム ６・・・・・・金属膜 以 上
Claims (1)
- 有機金属化合物、または金属化合物雰囲気に電子ビー
ムまたはイオン・ビームを照射し、試料表面に有機金属
化合物または金属化合物の構成元素金属または合金をビ
ーム状にデポジションする事を特徴とするイオン・ビー
ム・デポジション法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19230484A JPS6187871A (ja) | 1984-09-13 | 1984-09-13 | イオン・ビ−ム・デポジシヨン法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19230484A JPS6187871A (ja) | 1984-09-13 | 1984-09-13 | イオン・ビ−ム・デポジシヨン法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6187871A true JPS6187871A (ja) | 1986-05-06 |
Family
ID=16289043
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19230484A Pending JPS6187871A (ja) | 1984-09-13 | 1984-09-13 | イオン・ビ−ム・デポジシヨン法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6187871A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0483517A3 (en) * | 1990-10-29 | 1992-05-27 | International Business Machines Corporation | Gas delivery for ion beam deposition and etching |
| US5514477A (en) * | 1992-09-11 | 1996-05-07 | Hitachi, Ltd. | Corrosion-resistant laminate which consists of a metal of a single mass number deposited on a substrate |
| US8872615B2 (en) | 2010-05-28 | 2014-10-28 | Institute Of Geological And Nuclear Sciences Limited | Magnetic nanoclusters |
-
1984
- 1984-09-13 JP JP19230484A patent/JPS6187871A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0483517A3 (en) * | 1990-10-29 | 1992-05-27 | International Business Machines Corporation | Gas delivery for ion beam deposition and etching |
| US5514477A (en) * | 1992-09-11 | 1996-05-07 | Hitachi, Ltd. | Corrosion-resistant laminate which consists of a metal of a single mass number deposited on a substrate |
| US8872615B2 (en) | 2010-05-28 | 2014-10-28 | Institute Of Geological And Nuclear Sciences Limited | Magnetic nanoclusters |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6187871A (ja) | イオン・ビ−ム・デポジシヨン法 | |
| CA2037432A1 (en) | Method of and apparatus for preparing oxide superconducting film | |
| JPS54141111A (en) | Method and apparatus for production of magnetic recording medium | |
| JPS62142758A (ja) | 薄膜形成装置の使用方法 | |
| CA2016028A1 (en) | Method of fabricating oxide superconducting film | |
| JPS6358446A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPH03226572A (ja) | スパッタリング装置 | |
| JPH0480986B2 (ja) | ||
| Mallya et al. | Angular distribution XPS studies on recoil-implanted substrates: Au in Al2O3 | |
| JP2625107B2 (ja) | 露光用マスクの製造方法 | |
| JPS60174874A (ja) | メタルマスク | |
| JPS6187315A (ja) | イオン・ビ−ム・デポジシヨン法 | |
| JPH01275746A (ja) | ダイヤモンドに対して金属炭化物層を被着する方法 | |
| JPH0473932A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPS57108850A (en) | Formation of metallic pattern | |
| JPS61284939A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2000303164A (ja) | 化合物成膜方法および装置 | |
| JPH01225772A (ja) | イオンビームスパッタ装置 | |
| JP3500172B2 (ja) | 分子線エピタキシー装置 | |
| JPS634450B2 (ja) | ||
| JPS61279697A (ja) | 銅合金素材への銀メツキ方法 | |
| JPS60224785A (ja) | アルミスポツトリ−ドフレ−ムの製造方法 | |
| JPS6187340A (ja) | イオン・ビ−ム・デポジシヨン法 | |
| JPS60178623A (ja) | 荷電ビ−ム露光方法 | |
| JPS55108732A (en) | Manufacture of ohmic electrode |