JPS6192865A - 結晶性基板の加工方法 - Google Patents
結晶性基板の加工方法Info
- Publication number
- JPS6192865A JPS6192865A JP21402084A JP21402084A JPS6192865A JP S6192865 A JPS6192865 A JP S6192865A JP 21402084 A JP21402084 A JP 21402084A JP 21402084 A JP21402084 A JP 21402084A JP S6192865 A JPS6192865 A JP S6192865A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- silicon substrate
- resistant film
- recessed part
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 56
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 52
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 32
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 32
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 32
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 abstract 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/1626—Manufacturing processes etching
- B41J2/1629—Manufacturing processes etching wet etching
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/162—Manufacturing of the nozzle plates
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/1631—Manufacturing processes photolithography
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Weting (AREA)
- Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、シリコン基板の如き結晶性基板の加工方法に
関する。
関する。
背景技術
シリコン基板に集積回路を形成するための微細加工技術
を利用して微小な機構部品の加工が近時なされるように
なった。例えば、−Ａ線上に配列された複数のノズルを
有するインクジェットプリンタのヘッドの製作に当該微
細加工技術が利用されている。インクジェットプリンタ
のヘッドのノズルは第１図囚乃至同図（Ｃ１に示す如き
形状を有している。
を利用して微小な機構部品の加工が近時なされるように
なった。例えば、−Ａ線上に配列された複数のノズルを
有するインクジェットプリンタのヘッドの製作に当該微
細加工技術が利用されている。インクジェットプリンタ
のヘッドのノズルは第１図囚乃至同図（Ｃ１に示す如き
形状を有している。
第１図（Ｎ乃至同図（Ｃ）においてシリコン基板１の両
主面のうちの一方に所定方向に一直線上に伸長する溝２
が形成されている。溝２の底面とシリコン基板１の両主
面のうちの他方間に貫通孔３が穿設されている。この貫
通孔３によって溝２の底面に方形の開口３ａが形成され
かつシリコン基板１の両主面のうちの他方に開口３ＣＬ
より大なる開口３ｂが形成されている。
主面のうちの一方に所定方向に一直線上に伸長する溝２
が形成されている。溝２の底面とシリコン基板１の両主
面のうちの他方間に貫通孔３が穿設されている。この貫
通孔３によって溝２の底面に方形の開口３ａが形成され
かつシリコン基板１の両主面のうちの他方に開口３ＣＬ
より大なる開口３ｂが形成されている。
以上の如きシリコン基板１を得るための従来の加工方法
を第２図（５）乃至同図（ｑに示す。第２区間乃至同図
（Ｃ１は、従来の加工方法による製造工程における各工
程を経たシリコン基板の断面図であり、共通部分はすべ
て同一符号により示されている。
を第２図（５）乃至同図（ｑに示す。第２区間乃至同図
（Ｃ１は、従来の加工方法による製造工程における各工
程を経たシリコン基板の断面図であり、共通部分はすべ
て同一符号により示されている。
第２区間において、シリコン基板１の両主面にシリコン
窒化物の如くシリコン基板１に比してエツチングの影響
を受けにくい物質からなる耐エツチング性膜４α、４．
ｈがそれぞれ形成されている。
窒化物の如くシリコン基板１に比してエツチングの影響
を受けにくい物質からなる耐エツチング性膜４α、４．
ｈがそれぞれ形成されている。
耐エツチング性膜４ｂの少なくとも１箇所にフォトリン
グラフィ等の周知の技術により異方性エツチングのだめ
の方形の開口を形成したのちシリコン基板１をＫＯＨ，
水溶液等のエツチング液に浸漬することによりシリコン
基板１にエツチングが施されている。このとき、シリコ
ン基板１の面方位を（１００）とすれば、（Ｚｏｏ）面
におけるエツチング速度が（１１１）面におけるものよ
りも約４００倍速いのでシリコン基板１の主面に垂、
直な方向へのエツチングが支配的となり、貫通孔３が形
成される。
グラフィ等の周知の技術により異方性エツチングのだめ
の方形の開口を形成したのちシリコン基板１をＫＯＨ，
水溶液等のエツチング液に浸漬することによりシリコン
基板１にエツチングが施されている。このとき、シリコ
ン基板１の面方位を（１００）とすれば、（Ｚｏｏ）面
におけるエツチング速度が（１１１）面におけるものよ
りも約４００倍速いのでシリコン基板１の主面に垂、
直な方向へのエツチングが支配的となり、貫通孔３が形
成される。
この第２区間に示す如きシリコン基板１の貫通孔３の内
壁面に耐エツチング性膜４ｈと同質の膜を形成したのち
フォトリソグラフィ技術によって耐エツチング性膜４ｃ
Ｌを貫通孔３による開口を覆う部分を含めて帯状に除去
すると同図（８１に示す如きシリコン基板１が得られる
。
壁面に耐エツチング性膜４ｈと同質の膜を形成したのち
フォトリソグラフィ技術によって耐エツチング性膜４ｃ
Ｌを貫通孔３による開口を覆う部分を含めて帯状に除去
すると同図（８１に示す如きシリコン基板１が得られる
。
次いで、シリコン基板ｌに等方性エツチングを施すと第
２図（Ｃ１に示す如く溝２が形成される。１以上の如き
従来の加工方法においては、主面１αを覆う耐エツチン
グ性膜４ａの除去時に貫通孔３の内壁面の膜も一部除去
されてし箇うので、貫通孔３と溝２との境界近傍もエツ
チングされ溝２の底部に形成される開口の形状が不定に
なって再現性が悪いと同時に当該開口の周縁を形成する
エツジがシャープにならないという問題があった。また
、耐エツチング性膜４ｃＬを帯状に除去する際に耐エツ
チング性膜４ｃＬ上への７オトレジスト塗布時において
貫通孔３が存在するので、真空チャックによって貫通孔
３を通してフォトレジストが耐エツチング性膜４ｈによ
って覆われている主面へ浸み出さないようにするだめの
貫通孔３のマスキングが必要であり、工数が多いという
問題もあった。
２図（Ｃ１に示す如く溝２が形成される。１以上の如き
従来の加工方法においては、主面１αを覆う耐エツチン
グ性膜４ａの除去時に貫通孔３の内壁面の膜も一部除去
されてし箇うので、貫通孔３と溝２との境界近傍もエツ
チングされ溝２の底部に形成される開口の形状が不定に
なって再現性が悪いと同時に当該開口の周縁を形成する
エツジがシャープにならないという問題があった。また
、耐エツチング性膜４ｃＬを帯状に除去する際に耐エツ
チング性膜４ｃＬ上への７オトレジスト塗布時において
貫通孔３が存在するので、真空チャックによって貫通孔
３を通してフォトレジストが耐エツチング性膜４ｈによ
って覆われている主面へ浸み出さないようにするだめの
貫通孔３のマスキングが必要であり、工数が多いという
問題もあった。
尚、耐エツチング性膜４ａによって覆われている主面に
対する加工を先に行なって溝２を貫通孔３より先に形成
することが考えられるが、この場合には貫通孔３の形成
時において、溝２が形成された主面をチャック面として
真空チャックによるシリコン基板１の保持を行なうこと
ができなくなるという問題が生じる。
対する加工を先に行なって溝２を貫通孔３より先に形成
することが考えられるが、この場合には貫通孔３の形成
時において、溝２が形成された主面をチャック面として
真空チャックによるシリコン基板１の保持を行なうこと
ができなくなるという問題が生じる。
発明の概要
本発明の目的は、結晶性基板の一方の主面に形成された
四部に貫通孔によって形成される開口の周縁を形成する
エツジをシャープにすることができる結晶性基板の加工
方法を提供することである。
四部に貫通孔によって形成される開口の周縁を形成する
エツジをシャープにすることができる結晶性基板の加工
方法を提供することである。
本発明による結晶性基板の加工方法は、結晶性基板の両
主面のうちの一方に所定の深さの第１凹部が形成される
ように異方性エツチングを施し、次いで結晶性基板の両
主面のうちの他方に第１凹部の最深部に達する凹部が形
成されるようにエツチングを施すことを特徴としている
。
主面のうちの一方に所定の深さの第１凹部が形成される
ように異方性エツチングを施し、次いで結晶性基板の両
主面のうちの他方に第１凹部の最深部に達する凹部が形
成されるようにエツチングを施すことを特徴としている
。
実施例
以下、本発明の実施例につき第３図及び第４図を参照し
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
第３国人乃至同図ｆｃｌは本発明による製造工程におけ
る各工程を経た半導体基板の断面図であり、共通部分は
すべて同一符号により示されている。
る各工程を経た半導体基板の断面図であり、共通部分は
すべて同一符号により示されている。
第３国人において、第２図（至）と同様にシリコン基板
１の両主面にシリコン窒化物等の耐エツチング性膜４ｃ
Ｌ、４ｈがそれぞれ形成されている。耐エツチング性膜
４ｂの少なくとも１箇所にフォトリングラフィ等の周知
の技術により異方性エツチングのだめの方形の開口を形
成したのちシリコン基板１をＫＯＨ水溶液等のエツチン
グ液に浸漬することによりシリコン基板１に異方性エツ
チングが施されている。このとき、シリコン基板１の面
方位を（１００）とすれば、（１００）面におけるエツ
チング速度が（１１１）面におけるものよりも約４００
倍速いのでシリコン基板１の主面に垂直な方向へのエツ
チングが支配的となり、断面が略Ｖ字形の凹部が形成さ
れ始める。この凹部によってシリコン基板１の主面に形
成される開口の各辺の長さに基づいて凹部の深さを検知
することができるので、当該開口の各辺の長さを測定し
て異方性エツチングの終了時刻を決定することにより所
定の深さの凹部５が形成される。
１の両主面にシリコン窒化物等の耐エツチング性膜４ｃ
Ｌ、４ｈがそれぞれ形成されている。耐エツチング性膜
４ｂの少なくとも１箇所にフォトリングラフィ等の周知
の技術により異方性エツチングのだめの方形の開口を形
成したのちシリコン基板１をＫＯＨ水溶液等のエツチン
グ液に浸漬することによりシリコン基板１に異方性エツ
チングが施されている。このとき、シリコン基板１の面
方位を（１００）とすれば、（１００）面におけるエツ
チング速度が（１１１）面におけるものよりも約４００
倍速いのでシリコン基板１の主面に垂直な方向へのエツ
チングが支配的となり、断面が略Ｖ字形の凹部が形成さ
れ始める。この凹部によってシリコン基板１の主面に形
成される開口の各辺の長さに基づいて凹部の深さを検知
することができるので、当該開口の各辺の長さを測定し
て異方性エツチングの終了時刻を決定することにより所
定の深さの凹部５が形成される。
この第３図（支）に示す如きシリコン基板１の凹部５の
内壁面に耐エツチング性膜４ｈと同質の膜を形成したの
ちフォトリソグラフィ技術によって耐エツチング性膜４
ｃＬを凹部５と対応する位置を含めて帯状に除去すると
同図［Ｂ）に示す如きシリコン基板１が得られる。
内壁面に耐エツチング性膜４ｈと同質の膜を形成したの
ちフォトリソグラフィ技術によって耐エツチング性膜４
ｃＬを凹部５と対応する位置を含めて帯状に除去すると
同図［Ｂ）に示す如きシリコン基板１が得られる。
この第３図ＣＢ＋に示す如きシリコン基板ｌに等方性エ
ツチングを施すと溝２が形成される。このとき、凹部５
の深さと溝２の深さの和がシリコン基板１の厚さに等し
くなるようにエツチング量を制御すれば、第３図ＣＢ＋
に示す如き形状のシリコン基板１が得られる。そして、
凹部５の内壁面を覆う耐エツチング膜を除去することに
より、凹部５が貫通孔となる。
ツチングを施すと溝２が形成される。このとき、凹部５
の深さと溝２の深さの和がシリコン基板１の厚さに等し
くなるようにエツチング量を制御すれば、第３図ＣＢ＋
に示す如き形状のシリコン基板１が得られる。そして、
凹部５の内壁面を覆う耐エツチング膜を除去することに
より、凹部５が貫通孔となる。
以上の如き本発明による結晶性基板の加工方法において
は耐エツチング性膜４αを除去するために７オトレジス
トを塗布する際、貫通孔が形成されてないので真空チャ
ックによるフォトレジストの浸み出しはない。普た、等
方性エツチングを施す際に凹部５内の非エツチング性の
膜が除去されることはない。従って、凹部５によって溝
２に形成される開口の周縁を形成するエツジをシャープ
にすることができることとなる。
は耐エツチング性膜４αを除去するために７オトレジス
トを塗布する際、貫通孔が形成されてないので真空チャ
ックによるフォトレジストの浸み出しはない。普た、等
方性エツチングを施す際に凹部５内の非エツチング性の
膜が除去されることはない。従って、凹部５によって溝
２に形成される開口の周縁を形成するエツジをシャープ
にすることができることとなる。
第４図は、本発明による結晶性基板の加工方法によって
形成されたインクジェットプリンタのヘッドを示す断面
図である。同図において、シリコン基板１の両主面のう
ちの一方には溝２が形成されている。シリコン基板１の
両主面のうちの他方と溝２の底面間に異方性エツチング
にエリ形成された貫通孔３が存在する。そして、シリコ
ン基板１の両主面のうちの一方と共に酸化シリコン等か
らなる絶縁膜６を挾んで加速電極７が固設されている。
形成されたインクジェットプリンタのヘッドを示す断面
図である。同図において、シリコン基板１の両主面のう
ちの一方には溝２が形成されている。シリコン基板１の
両主面のうちの他方と溝２の底面間に異方性エツチング
にエリ形成された貫通孔３が存在する。そして、シリコ
ン基板１の両主面のうちの一方と共に酸化シリコン等か
らなる絶縁膜６を挾んで加速電極７が固設されている。
かかる構成において、貫通孔３内にインクを供給しかつ
シリコン基板１と加速電極７間に電圧を印加することに
より、貫通孔３より加速電極７の方向にインクが射出さ
れる。
シリコン基板１と加速電極７間に電圧を印加することに
より、貫通孔３より加速電極７の方向にインクが射出さ
れる。
以上の如きヘッドにおいてはノズルとして作用する貫通
孔３によって溝２に形成された開口の周縁を形成するエ
ツジがシャープになっているのでインクの射出を良好に
なすことができる。
孔３によって溝２に形成された開口の周縁を形成するエ
ツジがシャープになっているのでインクの射出を良好に
なすことができる。
以上詳述した如く本発明による結晶性基板の加工方法は
、結晶性基板の両主面のうちの一方に所定の深さの第１
凹部が形成されるように異方性エツチングを施し、次い
で結晶性基板の両主面のうちの他方に第１凹部の最深部
に達する第２凹部が形成されるようにエツチングを施す
ようにしたので、第２凹部を形成する過程において貫通
孔が存在しないこととなり、第２凹部の形成終了時に形
成される開口の周縁を形成するエツジをシャープにする
ことができることになる。
、結晶性基板の両主面のうちの一方に所定の深さの第１
凹部が形成されるように異方性エツチングを施し、次い
で結晶性基板の両主面のうちの他方に第１凹部の最深部
に達する第２凹部が形成されるようにエツチングを施す
ようにしたので、第２凹部を形成する過程において貫通
孔が存在しないこととなり、第２凹部の形成終了時に形
成される開口の周縁を形成するエツジをシャープにする
ことができることになる。
第１図（５）は、インクジェットプリンタのヘッドのノ
ズルの形状を示す平面図ｓ’Ｊ４１図［Ｂｌは、第１図
（２）のＡ−Ｂ断面図、第１図（Ｃ）は、第１区間のＣ
−り断面図、第２図は、従来の結晶性基板の加工方法に
よる製造工程における各工程を経た基板の断面図、第３
図は、本′発明による製造工程における各工程を経た基
板の断面図、第４図は、本発明によって形成されたノズ
ルを有するインクジェットプリンタのヘッドの断面図で
ある。 主要部分の符号の説明 １・・・・・・シリコン基板 ２・・・・・・溝５・
・・・・・凹 部
ズルの形状を示す平面図ｓ’Ｊ４１図［Ｂｌは、第１図
（２）のＡ−Ｂ断面図、第１図（Ｃ）は、第１区間のＣ
−り断面図、第２図は、従来の結晶性基板の加工方法に
よる製造工程における各工程を経た基板の断面図、第３
図は、本′発明による製造工程における各工程を経た基
板の断面図、第４図は、本発明によって形成されたノズ
ルを有するインクジェットプリンタのヘッドの断面図で
ある。 主要部分の符号の説明 １・・・・・・シリコン基板 ２・・・・・・溝５・
・・・・・凹 部
Claims (1)
- 結晶性基板の両主面に第１耐エッチング性膜を形成し
、前記両主面のうちの一方に形成された前記第１耐エッ
チング性膜の少なくとも１箇所において第１開口部が形
成されるように前記第１耐エッチング性膜の一部を除去
して前記一方を露出させ、次いで前記結晶性基板に前記
一方に垂直な方向においてエッチング速度の大なる異方
性エッチングを施して所定の深さの第１凹部を形成し、
次いで前記第１凹部の壁面に第２耐エッチング性膜を形
成し、次いで前記両主面のうちの他方に形成されている
前記第１耐エッチング性膜の前記第１開口部に対応する
部分に第２開口部が形成されるように前記第１耐エッチ
ング性膜の一部を除去して前記結晶性基板にエッチング
を施して第２凹部を形成し、前記第１及び第２凹部の深
さの和が前記結晶性基板の厚さに等しくなるようにし、
前記第２耐エッチング性膜を除去して貫通孔を形成する
ようにしたことを特徴とする結晶性基板の加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21402084A JPS6192865A (ja) | 1984-10-12 | 1984-10-12 | 結晶性基板の加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21402084A JPS6192865A (ja) | 1984-10-12 | 1984-10-12 | 結晶性基板の加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6192865A true JPS6192865A (ja) | 1986-05-10 |
Family
ID=16648941
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21402084A Pending JPS6192865A (ja) | 1984-10-12 | 1984-10-12 | 結晶性基板の加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6192865A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011156873A (ja) * | 2004-08-05 | 2011-08-18 | Fujifilm Dimatix Inc | プリントヘッドのノズル形成 |
| JP2020004819A (ja) * | 2018-06-27 | 2020-01-09 | 日産自動車株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5549275A (en) * | 1978-10-06 | 1980-04-09 | Fuji Xerox Co Ltd | Multi-nozzle orifice plate |
-
1984
- 1984-10-12 JP JP21402084A patent/JPS6192865A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5549275A (en) * | 1978-10-06 | 1980-04-09 | Fuji Xerox Co Ltd | Multi-nozzle orifice plate |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011156873A (ja) * | 2004-08-05 | 2011-08-18 | Fujifilm Dimatix Inc | プリントヘッドのノズル形成 |
| JP2020004819A (ja) * | 2018-06-27 | 2020-01-09 | 日産自動車株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4857477A (en) | Process for fabricating a semiconductor device | |
| JP3127002B2 (ja) | 大型および小型の構造体を製作するための低温、片面、複数ステップによるエッチング工程 | |
| US6734084B1 (en) | Method of manufacturing a semiconductor device with recesses using anodic oxide | |
| JP3338098B2 (ja) | 三次元シリコンデバイスの製造方法 | |
| JPH0529638B2 (ja) | ||
| JPS61226929A (ja) | 半導体デバイスの形成方法 | |
| JPH09216368A (ja) | インクジェットノズルプレートおよびその製造方法 | |
| JPH1145874A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6192865A (ja) | 結晶性基板の加工方法 | |
| US5338703A (en) | Method for producing a recessed gate field effect transistor | |
| US6723250B1 (en) | Method of producing structured wafers | |
| JPH0336302B2 (ja) | ||
| JP2722518B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3814910B2 (ja) | 単結晶シリコン基板の溝形成方法 | |
| JP3274448B2 (ja) | ステンシルマスクの製造方法 | |
| JPH0645617A (ja) | 単結晶薄膜部材の製造方法 | |
| JPS61208833A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6359532B2 (ja) | ||
| JPS5843523A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH01244636A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH01205523A (ja) | 電極の形成方法 | |
| JPH10116814A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH07122568A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH0628319B2 (ja) | 半導体圧力センサの製造方法 | |
| JPH10208995A (ja) | 荷電ビーム露光用転写マスク |