JPS6199216A

JPS6199216A - 微細パタ−ン電極の製造方法

Info

Publication number: JPS6199216A
Application number: JP22148784A
Authority: JP
Inventors: 畑島　光久
Original assignee: Toppan Printing Co Ltd
Current assignee: Toppan Inc
Priority date: 1984-10-19
Filing date: 1984-10-19
Publication date: 1986-05-17
Also published as: JPH0453046B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（本発明の属する技術分骨）本発明は、液晶用表示装置に用いる′電極の微細なパタ
ーンをエツチングに依り製造する微細パターン電極の製
造方法に関する。

（本発明の技術的背景とその問題点）従来の高精度の做細パターン透明戚極等の微細パターン
電極を製造する場合には、ガラス等の透明基板に導電性
膜を設け、更に該導電性膜上に所望のｔｉをパターンに
合わせてレジストを塗布後エツチングにより製造するの
が一投的であつｔこ。

上記方法により、高精度微細パターン′醒極を製造シた
場合、ショートやピンホールおよび断線等の不良事故が
起りやすく、前者のショートの場合。

不良箇所を再エツチングするか、まｔこはレーザや超詮
波を利用して修正することが可能である。しかし後者の
不良箇所の修正は、スノくツタリングやリフトオフによ
り修正可能であるが、そのプロセスが複雑で難しいもの
であつｔこ。

ここで透明電極を製造するのに最も問題となるピンホー
ルにづいて説明する。

まず、従来の微細電極の製造方法につき図を用いて詳細
に説明する。

従来の微測パターン電極の製造は、−ＩＣず第２図（イ
）に示すようにガラス等の透明な基板（１）上に薄着等
の手段により透明な導電性膜（２）を設け１次に同図（
ロ）に示すように前記導亀性嘆１２）上に所望の１填パ
ターンに合わせてレジスト１３）を塗布後、エツチング
処理、レジストを剥離して、同図（ハ）に示すような透
明な微細パターン〔引４）を得ていた。

しかし、レジスト１３）にピンホールがあると、第２図
（ハ）に示したようにｔ　極ｔ４＋部分にもピンホール
［５）が生じ不都合なもので、ましてこのピンホールは
、電極を’Ｓ！　１青した後の倹倉によって初めて判明
するものであっｔこ。

上記ピンホール（５）が−ｔｉの表示部分以外のリード
線等の時は、クロムやニッケル等の金属を蒸着して補う
ことがＯＴ能であるが、欠陥が表示部分の場合は、上記
手段を用いることはできないので。

ピンホール等の欠陥部分のみを再度膜付しなければなら
なかった。

この膜付は、欠陥部分のみ精度よく行う技術が必要であ
るうえ、欠陥部が増えれば実施することが困誰となって
しまう。

（発明の目的）高精度のパターンによる微細パターン電極の製造方法に
於いて従来スパッタやリフトオフによって補正してきｔ
こピンホールや断線の欠陥を少ない＋ｉ　ｒ＋、ＩＩＢ
ハターン電極の製造方法を提倶することである。

（発明の概要）非導電性であるガラス等の基板上に所望の微細パターン
電極をエツチングによって製造する微細パターン電極の
製造方法において、基板上に透明な第１導亀性模を設け
、次に所望の電極パターンに合せてレジスト膜を形成後
、エノ千ング、剥膜を行い、さらに第１導電性模と異な
る種類の第２導鑞性摸を設けｔこ陵、前記と同じ電極パ
ターンの第２レジスト模を形成し、エツチング処理を行
うことを特徴とした微細パターンｔＦｌｉの製造方法で
ある。

法により酸化錫膜（以下Ｓ　ｎＯ２膜）からなる第１４
成性膜１１２１を全面に設け、矢に該１４硫性俣・＋２
１上にレジスト（０ＦＰＲ東京応化製）を塗布後、所遣
ホ１＋Ｊｊ　パターンに確光現像し、同図（ロ）に示す
ようにレジスト膜（１３）を形成する。

そして卓出している第１４１性膜ｕ２１面を還元後。

４５Ｃ塩化第２鉄の塩ｅ溶液に１分間浸漬後、レジスト
膜を剥離して同図（ハ）に示した所望のパターン環＃Ｌ
■を有する透明電極を得た。

この段階で成罹旧）のピンホールｔ１８１の宵無にかか
わらず、第１導ｔｔ　ｔ’ｌＥ　４であるＳ　ｎＯ２よ
りエツチングされ易い酸化インジウム（以下■ｎ２０３
）が９５％とＳ　ｎＯ２が５％の混合物からなる第２導
亀性模口５）を同図（羽に示しｔこよ５に全面に設け、
次に前述と同じパター：ｚ、＠２レジスト模（１６）を
同様の操作により同図に）に示したように設ける。そし
て同じエツチング液で１〜５分間エツチングし同図（へ
）に示した第２電極（［７）を有する本発明の透明電極
を１４ｔこ。

（実ｌＩｍ例２）実施１列１において第２導電性膜としてＩｎ、、０３と
Ｓ　ｎＯ２の混合物を用いたが、これに代り酸化インジ
ウム（以下Ｉｎ２０３−　Ｘ　）を用いても同じ条件で
同様の透明亀：゛ケが得られｔこ。

（実施例３）実施例１における第１導亀性１漢としてＳ　ｎｏ　２　
、第２導心性嘆としてＩｎ２Ｏ３とＳ　ｎＯ２の混合物
を用いた代りに第１導心性膜としてＩｎ２Ｏ，とＳ　ｎ
ｏ　２の？昆合物。

第２導亀性膜としてＩｎ２Ｏ，−ｘミギを用い同様の透
明１訴を得た。

この時の第１導亀性膜のエツチング条件は、４５Ｃ塩化
第２鉄溶ｌ夜で１〜５分間、そして礪２導社ヰ漠におい
ては、ａ濃度が１０％の常温の塩化第２鉄液により３分
間行うものであった。

この実姉例については、ピンホールの欠陥について述べ
ているが、この曲にもｆＴ礫とか短絡等も同時に発生し
ている場合もある。このうち断線については前記説明の
ピンホールの防止工程を行うことにより同時に欠陥箇所
を修復することができる。まｔこ、短絡の発生に対する
対策としては、再エツチングやＶ−ザーｌ！ｊＴ線、超
片波断線等の本発明外の方法により容易に解決すること
ができることは前述のとおりである。

（作　用）第１導成性模をレジスト１摸を設けてエツチングし電極
を製造しｔこ際発生していても、この段階で検査を行わ
ずに、電極上に第１導電性膜と異なる種類の金属からな
る第２導区性１漢を設け、前記レジスト膜と同じパター
ンの第２レジスト膜な設け。

第２電極を重ねることにより、それぞれのエツチング可
能において、それぞし亀囁にピンホールが発生しても、
そのピンホールの位置が一致することは１夕めてまれで
あり、ピンホールの極めて少なイ１政訓パターン電極が
製造できる。

この製造において、２回目のエツチングの条件は、第１
導亀性模はエツチングせず、第２導電性模のみエツチン
グ可能な条件なので第１導電性膜を２回目のエツチング
でエツチングされるおそれがない。

（効　襲）雫同シバターンで２度エソ千ングするという１硝亀な力
先により第１導１１生膜のｔｉｔｉのピンホールの位ｌ
直と第２４シ性漠の第２電極のピンホール、断１線の位
置が一致することは極めてまれであることから、製造後
の微細パターン電極にピンホール。

断線の発生が啄めて少なくなり、做、細パターン電極の
信頼度が向上するばかりでなく、検査優におけるピンホ
ール、断線の補正が少なく、生産性が向上する。

これと同時に、補正箇所が少なくなり、倹資が軽減され
、まｔこ一方補正箇所の修復における他部分への影響を
軽減できる。

【図面の簡単な説明】

第１図（イ）〜（へ）は１本発明の微細パターン心（６
の製造工程を示す説明図、第２図（イ）〜ρ→は、従来
の微細パターン電極の製造工程を示す説明図である。１１・・・基板　　　　　１２・・・第１導電注模１６
・・・レジスト膜　　１４・・・電極１５・・・第２導
亀性−１６・・・第２レジスト膜１７＝−゛“′。　　
１８−　Ｆ：：７＊−／ｌ／　　　　　。

Claims

【特許請求の範囲】

ガラス等の基板上に所望の微細パターン電極をエッチン
グによって製造する微細パターン電極の製造方法におい
て、基板上に透明な第１導電性膜を設け、次に所望の電
極パターンに合わせてレジスト膜を形成後、エッチング
処理した後、さらに第１導電性膜とは異なる種類の第２
導電性膜を設け前記と同じ電極パターンの第２レジスト
膜を形成し、エッチング処理を行うことを特徴とした微
細パターン電極の製造方法。