JPS61994A - 磁気バブルメモリ素子 - Google Patents
磁気バブルメモリ素子Info
- Publication number
- JPS61994A JPS61994A JP59120005A JP12000584A JPS61994A JP S61994 A JPS61994 A JP S61994A JP 59120005 A JP59120005 A JP 59120005A JP 12000584 A JP12000584 A JP 12000584A JP S61994 A JPS61994 A JP S61994A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- magnetic
- transfer
- bar
- magnetic bubble
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はフィールドアクセス方式のメジャ/マイナ構成
を有する磁気パズルメモリ素子に係わり、特にそのスタ
ート・ストップ特性の改良に関するものである。
を有する磁気パズルメモリ素子に係わり、特にそのスタ
ート・ストップ特性の改良に関するものである。
第1図は例えば特開昭56−44rfF2”−1F2:
報などによシ公知とされている磁気バブルメモリ素子の
一例を示す要部平面構成図でるる。同図において、1t
i磁気バブル情報を保存するマイナループ、2は読み出
し情報を転送するリードメジャライン、3は書き込み情
報を転送する2イトメジヤライン、4は磁気バブルの有
無を電気信号に変換する磁気パズル検出器、sFi磁気
バブル情報をライトメシャツイン3上に書き込む磁気バ
ブル発生器、6はマイカループ1上の磁気バブルをリー
ドメジャライン2に複写するレプリケートゲート、7は
ライトメシャライン3上の磁気バブルをライナループ1
内の磁気バブルと入れ換えするスワップゲートである。
報などによシ公知とされている磁気バブルメモリ素子の
一例を示す要部平面構成図でるる。同図において、1t
i磁気バブル情報を保存するマイナループ、2は読み出
し情報を転送するリードメジャライン、3は書き込み情
報を転送する2イトメジヤライン、4は磁気バブルの有
無を電気信号に変換する磁気パズル検出器、sFi磁気
バブル情報をライトメシャツイン3上に書き込む磁気バ
ブル発生器、6はマイカループ1上の磁気バブルをリー
ドメジャライン2に複写するレプリケートゲート、7は
ライトメシャライン3上の磁気バブルをライナループ1
内の磁気バブルと入れ換えするスワップゲートである。
第2図は第1図で説明したスワップゲート近傍の要部拡
大平面図であル、第1図と同一部分は同一符号を付す。
大平面図であル、第1図と同一部分は同一符号を付す。
同図において、11,12,13,14゜15はマイナ
ループ1の磁気バブル転送路を構成する転送パターンで
う夛、特に転送パターン12は互いに隣接するマイナル
−11間を結合するバーパターンと称され、このバーパ
ターン12はパターンボリウムの小さい転送パターン1
1からパターンボリウムの大きい転送パターン13へ磁
気バブルが転送する際に生じる転送特性の低下を防止さ
せる機能を有している。21.22,23.24はライ
トメシャライン3の磁気バブル転送路を構成する転送パ
ターン、31.32.33はマイナループ1とライトメ
シャライン3とを結合する磁気バブル転送補助用バーパ
ターン、−41Uマイナループ1とライトメシャライン
3とを結合させかつスワップ動作電流を流す前記スワッ
プゲート1を構成するコンダクタパターンであり、この
コンダクタパターン41はマイナループ1およびライト
メシャ2イン3の形成面よシも下層に絶縁膜を介して導
電性パターンにより形成されている。なお、Pは磁気バ
ブルの転送方向、HRは回転磁界であシ矢印方向の向き
に回転磁界HRが加えられる。
ループ1の磁気バブル転送路を構成する転送パターンで
う夛、特に転送パターン12は互いに隣接するマイナル
−11間を結合するバーパターンと称され、このバーパ
ターン12はパターンボリウムの小さい転送パターン1
1からパターンボリウムの大きい転送パターン13へ磁
気バブルが転送する際に生じる転送特性の低下を防止さ
せる機能を有している。21.22,23.24はライ
トメシャライン3の磁気バブル転送路を構成する転送パ
ターン、31.32.33はマイナループ1とライトメ
シャライン3とを結合する磁気バブル転送補助用バーパ
ターン、−41Uマイナループ1とライトメシャライン
3とを結合させかつスワップ動作電流を流す前記スワッ
プゲート1を構成するコンダクタパターンであり、この
コンダクタパターン41はマイナループ1およびライト
メシャ2イン3の形成面よシも下層に絶縁膜を介して導
電性パターンにより形成されている。なお、Pは磁気バ
ブルの転送方向、HRは回転磁界であシ矢印方向の向き
に回転磁界HRが加えられる。
Bは磁気バブルをスタート・ストップ動作させる場合の
ストップ方向である。
ストップ方向である。
このように構成されたスワップゲートにおいて、磁気バ
ブルをストップ動作させる場合、マイナループ1を矢印
P方向に転送し、例えば転送パターン11および転送パ
ターン13に転送されてきた磁気バブルBは、回転磁界
H3のストップ方向8に加えられたホールディング磁界
により、各転送パターンit 、13の脚部11m、1
3aに発生する吸引磁極に引きつけられ、これらの脚部
1ia、taaにストップする。次にスタート動作を行
なうと、各脚部10.13&にストップしていた磁気バ
ブルBは回転磁界HRの回転に伴なってそれぞれ次の転
送バクーン14.バーパターン12へと転送され、正常
なスフ”−ト・ストップ動作が行なわれる。
ブルをストップ動作させる場合、マイナループ1を矢印
P方向に転送し、例えば転送パターン11および転送パ
ターン13に転送されてきた磁気バブルBは、回転磁界
H3のストップ方向8に加えられたホールディング磁界
により、各転送パターンit 、13の脚部11m、1
3aに発生する吸引磁極に引きつけられ、これらの脚部
1ia、taaにストップする。次にスタート動作を行
なうと、各脚部10.13&にストップしていた磁気バ
ブルBは回転磁界HRの回転に伴なってそれぞれ次の転
送バクーン14.バーパターン12へと転送され、正常
なスフ”−ト・ストップ動作が行なわれる。
しかしながら、このように構成されるスワップゲートに
おいて、ホールディング磁界がそのストップ方向8に加
えられた場合、バイアス磁界上限値側においてバーパタ
ーン12近傍の転送パターン11.13に保持される磁
気バブルBが極めて消失し易くなるという問題があった
。
おいて、ホールディング磁界がそのストップ方向8に加
えられた場合、バイアス磁界上限値側においてバーパタ
ーン12近傍の転送パターン11.13に保持される磁
気バブルBが極めて消失し易くなるという問題があった
。
したがって本発明は前述した問題に鑑みて表されたもの
でラシ、そρ目的とするところは、バーパターンを有す
ることによυ転送特性を低下させることなく、良好なス
タート・ストップ特性が得られる磁気バブルメモリ素子
を提供するととにある0 〔発明の概要〕 このような目的を達成するために本発明線、ノ(−パタ
ーンの実効的な長さを短かくさせたものであるO すなわち、第3図に要部拡大平面図で示すようにバーパ
ターン12近傍の転送)くターン11.13に保持され
る磁気バブルBが消失し易い原因は、転送パターン11
.13間に延在セれるノ(−)くターン12の一端部に
、回転磁界[11のストップ方向8に加えられるホール
ディング磁界により強力な反発磁極9が発生することに
起因することから、バーパターン12を分割された複数
の)くターン素片で構成し、実効的な長さを短かくする
ことによって、反発磁極9を低下させ、磁気バブルBを
転送パターン11.13の所定の位置に保持させるもの
である。
でラシ、そρ目的とするところは、バーパターンを有す
ることによυ転送特性を低下させることなく、良好なス
タート・ストップ特性が得られる磁気バブルメモリ素子
を提供するととにある0 〔発明の概要〕 このような目的を達成するために本発明線、ノ(−パタ
ーンの実効的な長さを短かくさせたものであるO すなわち、第3図に要部拡大平面図で示すようにバーパ
ターン12近傍の転送)くターン11.13に保持され
る磁気バブルBが消失し易い原因は、転送パターン11
.13間に延在セれるノ(−)くターン12の一端部に
、回転磁界[11のストップ方向8に加えられるホール
ディング磁界により強力な反発磁極9が発生することに
起因することから、バーパターン12を分割された複数
の)くターン素片で構成し、実効的な長さを短かくする
ことによって、反発磁極9を低下させ、磁気バブルBを
転送パターン11.13の所定の位置に保持させるもの
である。
次に図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。
第4図は本発明による磁気バブルメモリ素子の一実施例
を説明するためのスワップゲート近傍の要部拡大平面図
であシ、第2図と同一部分は同一符号を付す。同図にお
いて、互いに隣接するマイナループ1の相互間を結合す
るバーパターン12′は、/リーンのほぼ中央部分に該
パターンが存在しない、いわゆるパターン切断部が形成
てれて2分割された第1のパターン素片tZaと第2の
ノくターン素片12bとで構成されている。
を説明するためのスワップゲート近傍の要部拡大平面図
であシ、第2図と同一部分は同一符号を付す。同図にお
いて、互いに隣接するマイナループ1の相互間を結合す
るバーパターン12′は、/リーンのほぼ中央部分に該
パターンが存在しない、いわゆるパターン切断部が形成
てれて2分割された第1のパターン素片tZaと第2の
ノくターン素片12bとで構成されている。
このような構成によれは、第5図に示すようにバーパタ
ーン12′の先端部に発生する反発磁極9を弱くするこ
とができるので、転送パターン11゜13の各脚部11
a、13mに磁気バブルを安定に保持することができる
。
ーン12′の先端部に発生する反発磁極9を弱くするこ
とができるので、転送パターン11゜13の各脚部11
a、13mに磁気バブルを安定に保持することができる
。
第6図は前述したバーパターン12 、12’を実際に
約2μm径の磁気バブル磁性膜゛を用いて作製した磁気
バブルメモリ素子のバイアス磁界マージン特性図である
。同図において、特性■は従来のバーパターン12.特
性…は本発明によるバーパタ−ン12′ をそれぞれ用
い、また特性Iは本発明によるバーパターン12′を用
いて回転磁界HRを連続して印加した場合をそれぞれ示
したものである。同図から明らかなように本発明による
バーパターン12′を用いることによって、バイアス磁
界マージンの低下を確実に抑えることができる。
約2μm径の磁気バブル磁性膜゛を用いて作製した磁気
バブルメモリ素子のバイアス磁界マージン特性図である
。同図において、特性■は従来のバーパターン12.特
性…は本発明によるバーパタ−ン12′ をそれぞれ用
い、また特性Iは本発明によるバーパターン12′を用
いて回転磁界HRを連続して印加した場合をそれぞれ示
したものである。同図から明らかなように本発明による
バーパターン12′を用いることによって、バイアス磁
界マージンの低下を確実に抑えることができる。
力お、本発明は前述した実施例のみに限定されることな
く、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変形を実施
し得ることは勿論である。例えば第7図(a)に示すバ
ーパターン12′は第1のパターン素片12aをパター
ンポリウムを太きく形成し、第2のパターン素片12b
はパターンポリウムヲ小さく形成する他は第4図のもの
と同様に構成され、かつ同様の作用効果を奏するもので
ある。また第7図(b)に示すものはバーパターン12
′が同等のパターンポリウムを有する2つの第1のバー
パターン素片12a′と第2のバーパターン素片12b
′ とで構成され、さらに第7図(c)に示すものはバ
ーパターン12′がパターンポリウムの大きい第1のパ
ターン素片12mと、パターンポリウムの小さい第2の
パターン素片12bと、第1のパターン素片12&と同
等のパターンポリウムを有する第3のパターン素片12
eとで構成されておシ、いずれの構成においても前述と
全く同様の効果が得られる。
く、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変形を実施
し得ることは勿論である。例えば第7図(a)に示すバ
ーパターン12′は第1のパターン素片12aをパター
ンポリウムを太きく形成し、第2のパターン素片12b
はパターンポリウムヲ小さく形成する他は第4図のもの
と同様に構成され、かつ同様の作用効果を奏するもので
ある。また第7図(b)に示すものはバーパターン12
′が同等のパターンポリウムを有する2つの第1のバー
パターン素片12a′と第2のバーパターン素片12b
′ とで構成され、さらに第7図(c)に示すものはバ
ーパターン12′がパターンポリウムの大きい第1のパ
ターン素片12mと、パターンポリウムの小さい第2の
パターン素片12bと、第1のパターン素片12&と同
等のパターンポリウムを有する第3のパターン素片12
eとで構成されておシ、いずれの構成においても前述と
全く同様の効果が得られる。
以上説明したように本発明によれば、互いに隣接するマ
イナループ相互間に結合されるバーパターンを分割され
た複数のパターン素片で構成することによ)、転送特性
を低下させることなく、良好なスタート・ストップ特性
が得られるという櫨めで優れた効果を奏する。
イナループ相互間に結合されるバーパターンを分割され
た複数のパターン素片で構成することによ)、転送特性
を低下させることなく、良好なスタート・ストップ特性
が得られるという櫨めで優れた効果を奏する。
第1図ないし第3図は従来の磁気バブルメモリ素子の一
例を説明するための図、第4図および第5図は本発明に
よる磁気バブルメモリ素子の一実施例を説明するための
スワップゲートの拡大平面図、第6図は従来および本発
明による磁気バブルメモリ素子のバイアス磁界マージン
特性を示す図、 i 7図(a) 、 (b)
、 (e)は本発明による磁気バブルメモリ素子の他
の実施例を説明するためのバーパターンの他の実施例を
示す平面図である。 1・・・・マイナループ、2・・・−リードメジャライ
ン、3・拳0・ライトメシャライン、7・・・・スワッ
プゲート、8・・・・磁気バフルのストップ方向、9・
・・・反発磁極、11・・・・転送パターン、11a・
・・・脚部、12.12’・・・・ハーバターン、12
V・・・第1のパターン素片、1za’・書・・第1の
バーパターン素片、12b・・・・第2のパターン素片
、12b′・・・・第2のバーパターン素片、12CI
I・・・第3のパターン素片、13.i4,15,22
,23゜24・・・・転送バター:y、31,32,3
3 ・・・・転送補助用バーパターン、41・・・・
コンダクタパターン。 第1図 第2図 第4図 第5図 回転繍尊イ釘1ろe)
例を説明するための図、第4図および第5図は本発明に
よる磁気バブルメモリ素子の一実施例を説明するための
スワップゲートの拡大平面図、第6図は従来および本発
明による磁気バブルメモリ素子のバイアス磁界マージン
特性を示す図、 i 7図(a) 、 (b)
、 (e)は本発明による磁気バブルメモリ素子の他
の実施例を説明するためのバーパターンの他の実施例を
示す平面図である。 1・・・・マイナループ、2・・・−リードメジャライ
ン、3・拳0・ライトメシャライン、7・・・・スワッ
プゲート、8・・・・磁気バフルのストップ方向、9・
・・・反発磁極、11・・・・転送パターン、11a・
・・・脚部、12.12’・・・・ハーバターン、12
V・・・第1のパターン素片、1za’・書・・第1の
バーパターン素片、12b・・・・第2のパターン素片
、12b′・・・・第2のバーパターン素片、12CI
I・・・第3のパターン素片、13.i4,15,22
,23゜24・・・・転送バター:y、31,32,3
3 ・・・・転送補助用バーパターン、41・・・・
コンダクタパターン。 第1図 第2図 第4図 第5図 回転繍尊イ釘1ろe)
Claims (1)
- 複数のマイナループとライトメジャラインとが結合され
磁気バブル情報の書き換えを行なうスワップゲート近傍
に、互いに隣接するマイナループ間を結合させるバーパ
ターンを備えた磁気バブルメモリ素子において、前記バ
ーパターンを複数のパターン素片で構成したことを特徴
とする磁気バブルメモリ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59120005A JPS61994A (ja) | 1984-06-13 | 1984-06-13 | 磁気バブルメモリ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59120005A JPS61994A (ja) | 1984-06-13 | 1984-06-13 | 磁気バブルメモリ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61994A true JPS61994A (ja) | 1986-01-06 |
Family
ID=14775537
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59120005A Pending JPS61994A (ja) | 1984-06-13 | 1984-06-13 | 磁気バブルメモリ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61994A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5992487A (ja) * | 1982-11-19 | 1984-05-28 | Hitachi Ltd | 磁気バブルメモリ素子 |
-
1984
- 1984-06-13 JP JP59120005A patent/JPS61994A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5992487A (ja) * | 1982-11-19 | 1984-05-28 | Hitachi Ltd | 磁気バブルメモリ素子 |
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