JPS60117480A - 磁気バブルメモリ素子 - Google Patents
磁気バブルメモリ素子Info
- Publication number
- JPS60117480A JPS60117480A JP58224115A JP22411583A JPS60117480A JP S60117480 A JPS60117480 A JP S60117480A JP 58224115 A JP58224115 A JP 58224115A JP 22411583 A JP22411583 A JP 22411583A JP S60117480 A JPS60117480 A JP S60117480A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transfer path
- magnetic bubble
- transfer
- pattern
- magnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は磁気バブルメモリ素子、特に折り返し形マイナ
ループの磁気バブル転送パターンのパターン形状に関す
るものである。
ループの磁気バブル転送パターンのパターン形状に関す
るものである。
近年、磁気バブルメモリ素子は、高密度化に伴ない、そ
のマイナループにはｉｔ図、第２図に示すような折シ返
し形マイナループが採用されている。これらの折り返し
形マイナループは、ゲート部冗長設Ｆ５１のため、マイ
ナルーブ内直接転送路部ｌとゲート部２とを接続する転
送路には第１図に示すようなコーナを２個所以上Ｍする
直線形転送路３あるいは纂２図に示すような扇形伝送路
４が用いられている。このため、第１図の場合には、直
線形転送路３とマイナループ内の＠線転送踏部ｌとの間
で磁気バブル転送スタートストップ動作に不均衡が生じ
、磁気バブル転送特性を低下させる原因となっていた。
のマイナループにはｉｔ図、第２図に示すような折シ返
し形マイナループが採用されている。これらの折り返し
形マイナループは、ゲート部冗長設Ｆ５１のため、マイ
ナルーブ内直接転送路部ｌとゲート部２とを接続する転
送路には第１図に示すようなコーナを２個所以上Ｍする
直線形転送路３あるいは纂２図に示すような扇形伝送路
４が用いられている。このため、第１図の場合には、直
線形転送路３とマイナループ内の＠線転送踏部ｌとの間
で磁気バブル転送スタートストップ動作に不均衡が生じ
、磁気バブル転送特性を低下させる原因となっていた。
゛まだ、第２図の場合には扇形転送路今において、磁気
バブル転送入口側斜め転送路５とその出口側斜め転送路
６とでは、磁気バブル転送入口側斜め転送路５側が磁気
バブル転送バイアス磁界マージンが小さくなるという問
題があった。すなわち、第３図に、前述した磁気バブル
転送人口餓斜め転送路５を拡大平面図で示すようにこの
転送路５を構成する変形非対称シェブロンパターン７の
磁気バブル転送入口側パターン７ｍの足長ｔ１がその出
口側パターン７ｂの足長ｔ。
バブル転送入口側斜め転送路５とその出口側斜め転送路
６とでは、磁気バブル転送入口側斜め転送路５側が磁気
バブル転送バイアス磁界マージンが小さくなるという問
題があった。すなわち、第３図に、前述した磁気バブル
転送人口餓斜め転送路５を拡大平面図で示すようにこの
転送路５を構成する変形非対称シェブロンパターン７の
磁気バブル転送入口側パターン７ｍの足長ｔ１がその出
口側パターン７ｂの足長ｔ。
よりも短かいＣ１１＜ｔ＊）ため、磁気バブルがパター
ン７ｂからパターン７ａヘギヤツプｇを介して転送され
る際、磁気バブル転送入口側のパターン７ａに形成され
る吸引磁極が、出口側パターン７ｂの吸引磁極に対して
転送路６＠に比べて弱くなり、入口側転送路５のバイア
ス磁界マージンを小さくしていた。また、磁気バブル転
送スタート・ストップ動作においては入口側転送路５は
出口側転送路６よりもバイアス磁界マージンの低下が顕
著であった。
ン７ｂからパターン７ａヘギヤツプｇを介して転送され
る際、磁気バブル転送入口側のパターン７ａに形成され
る吸引磁極が、出口側パターン７ｂの吸引磁極に対して
転送路６＠に比べて弱くなり、入口側転送路５のバイア
ス磁界マージンを小さくしていた。また、磁気バブル転
送スタート・ストップ動作においては入口側転送路５は
出口側転送路６よりもバイアス磁界マージンの低下が顕
著であった。
したがって不発明は前述した従来技術の問題に鑑みてな
されたものであり、その目的とするところは、マイナル
ーズの直線転送路部とゲート部との結合部分の磁気バブ
ル転送特性を向上させることにより、マイナルーズの磁
気バブル転送特性を向上させた折り返し形磁気パズルメ
モリ素子を提供することにある。
されたものであり、その目的とするところは、マイナル
ーズの直線転送路部とゲート部との結合部分の磁気バブ
ル転送特性を向上させることにより、マイナルーズの磁
気バブル転送特性を向上させた折り返し形磁気パズルメ
モリ素子を提供することにある。
このような目的を達成するために本発明は、変形非対称
シェブロンパターンの磁気バブル伝送入口側パターンの
足長を、出口側パターンの足長よりも長くなるように形
状を変更し入口側転送路に出口側転送路の傾斜と同方向
の傾斜をもたせたものである。
シェブロンパターンの磁気バブル伝送入口側パターンの
足長を、出口側パターンの足長よりも長くなるように形
状を変更し入口側転送路に出口側転送路の傾斜と同方向
の傾斜をもたせたものである。
次に図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。
第４図は本発明による磁気バブルメモリ素子の一例を示
す折シ返し形マイナループの平面構成図であシ、前述の
図と同一部分は同一符号を付し、その説明は省略する。
す折シ返し形マイナループの平面構成図であシ、前述の
図と同一部分は同一符号を付し、その説明は省略する。
同図において、直線転送路部１とゲート部２とを結合す
る扇形転送ｗ１４において、磁気バブル入口側斜め転送
路５′は、その出口側斜め転送路６′とともに同一方向
の傾斜を有して形成されている。この場合、この斜め転
送路５′は第５図に要部拡大平面図で示すように磁気バ
ブル転送入口側の変形非対称シェブロンパターン７／の
入口側パターン７ ａ／の足長ｔ１がその出口側パター
ン７ｂｌの足長ｔ！よりも長＜ （ｔｔ＞ｔ２） シて
形成され、これによって斜め転送Ｗ＆５′は出口側斜め
転送路６′と同方向の傾斜をもたせている。
る扇形転送ｗ１４において、磁気バブル入口側斜め転送
路５′は、その出口側斜め転送路６′とともに同一方向
の傾斜を有して形成されている。この場合、この斜め転
送路５′は第５図に要部拡大平面図で示すように磁気バ
ブル転送入口側の変形非対称シェブロンパターン７／の
入口側パターン７ ａ／の足長ｔ１がその出口側パター
ン７ｂｌの足長ｔ！よりも長＜ （ｔｔ＞ｔ２） シて
形成され、これによって斜め転送Ｗ＆５′は出口側斜め
転送路６′と同方向の傾斜をもたせている。
−３＝
このような構成によれば、磁気バブルがパターン７ ｂ
’からパターン７ ａ／ヘギャップｇを介して転送され
る際、磁気バブル転送入口側パターン７ｂ′に形成され
る吸引磁極が大きくなるので、磁気バブルが転送されや
すくなり、したがって磁気バブル転送特性が向上できる
。
’からパターン７ ａ／ヘギャップｇを介して転送され
る際、磁気バブル転送入口側パターン７ｂ′に形成され
る吸引磁極が大きくなるので、磁気バブルが転送されや
すくなり、したがって磁気バブル転送特性が向上できる
。
以上説明したように本発１３１よれば、直線転送路部と
ゲート部との接続部分の磁気バブル転送特性が向上でき
るので、折夛返し形マイナループの磁気バブル転送特性
か向上し、バイアス磁界マージンが広くな９、安定した
動作か得られる折り返し形磁気バブルメモリ素子管提供
できるという極めて優れた効果を有する。
ゲート部との接続部分の磁気バブル転送特性が向上でき
るので、折夛返し形マイナループの磁気バブル転送特性
か向上し、バイアス磁界マージンが広くな９、安定した
動作か得られる折り返し形磁気バブルメモリ素子管提供
できるという極めて優れた効果を有する。
第１図、第２図は従来の折如返し形マイナループを示す
平面構成図、第３図は第２図に示す斜め転送路５の★郁
拡大平面図、第４図は本発明による磁気パブ′ルメモリ
素子の一例を示す折９返し形マイナループの平面構成図
、ｌｌｌ５５図は第４図に示 ４− す斜め転送路５′の要部拡大平面図である。 １−・・・直線転送路部、２・・・・ゲート部、３・・
・・直線転送路部 口側斜め転送路、６′・・・・磁気バブル転送出口側斜
め転送路、７′・・・・磁気バブル転送入口側変形非対
称シェブロンパターン、７ａ′・・・・入口側パターン
、７ｂ′・・・・出口側パターン。 −４７９− −１−
平面構成図、第３図は第２図に示す斜め転送路５の★郁
拡大平面図、第４図は本発明による磁気パブ′ルメモリ
素子の一例を示す折９返し形マイナループの平面構成図
、ｌｌｌ５５図は第４図に示 ４− す斜め転送路５′の要部拡大平面図である。 １−・・・直線転送路部、２・・・・ゲート部、３・・
・・直線転送路部 口側斜め転送路、６′・・・・磁気バブル転送出口側斜
め転送路、７′・・・・磁気バブル転送入口側変形非対
称シェブロンパターン、７ａ′・・・・入口側パターン
、７ｂ′・・・・出口側パターン。 −４７９− −１−
Claims (1)
- 折夛返し形マイナループを備えた磁気バブルメモリ素子
において、前記マイナループの直線転送路部とゲート部
とを接続する転送路の磁気バブル転送パターンか、磁気
バブル転送入口側足長をその出口側足長よりも長く形成
し、前記接続部分の転送路が前記直線転送路部に対して
同一方向に傾斜させることを４＋徴とした磁気バブルメ
モリ菓子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58224115A JPS60117480A (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | 磁気バブルメモリ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58224115A JPS60117480A (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | 磁気バブルメモリ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60117480A true JPS60117480A (ja) | 1985-06-24 |
Family
ID=16808765
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58224115A Pending JPS60117480A (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | 磁気バブルメモリ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60117480A (ja) |
-
1983
- 1983-11-30 JP JP58224115A patent/JPS60117480A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS60117480A (ja) | 磁気バブルメモリ素子 | |
| JPS6074186A (ja) | 磁気バブル転送回路 | |
| JPS5990288A (ja) | 磁気バブル転送回路 | |
| JPS619885A (ja) | 磁気バブルメモリ素子 | |
| JPH0646501B2 (ja) | 磁気バブルメモリ素子 | |
| JPS61994A (ja) | 磁気バブルメモリ素子 | |
| JPS60261098A (ja) | 磁気バブルメモリ素子 | |
| JPS60179989A (ja) | 磁気バブル転送路 | |
| JPH0646500B2 (ja) | 磁気バブル転送路 | |
| JPS6063784A (ja) | 磁気バブルメモリ素子 | |
| JPS60129996A (ja) | 磁気バブルメモリ素子 | |
| JPS59162685A (ja) | 磁気バブルメモリ | |
| JPS60111386A (ja) | 磁気バブルメモリ素子 | |
| JPS62177784A (ja) | 磁気バブル素子 | |
| JPS6376182A (ja) | バブル磁区伸長器 | |
| JPS5824869B2 (ja) | バブル転送回路 | |
| JPS60261097A (ja) | 磁気バブルメモリ素子 | |
| JPS60117483A (ja) | 磁気バブルメモリデバイス | |
| JPS61104487A (ja) | 磁気バブルメモリ素子 | |
| JPS61264584A (ja) | 磁気バブルメモリ素子 | |
| JPS61165879A (ja) | 磁気バブルメモリ素子 | |
| JPH0223093B2 (ja) | ||
| EP0155212A2 (en) | Magnetic bubble memory device | |
| JPS61258388A (ja) | 磁気バブル素子 | |
| JPS61210595A (ja) | 磁気バブルメモリ素子 |