JPS6210464B2 - - Google Patents

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JPS6210464B2
JPS6210464B2 JP55156459A JP15645980A JPS6210464B2 JP S6210464 B2 JPS6210464 B2 JP S6210464B2 JP 55156459 A JP55156459 A JP 55156459A JP 15645980 A JP15645980 A JP 15645980A JP S6210464 B2 JPS6210464 B2 JP S6210464B2
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JP
Japan
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ccd
output
shift register
control circuit
analog shift
Prior art date
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JP55156459A
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English (en)
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JPS5780864A (en
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Yasuo Inoe
Hiromitsu Momoki
Takahisa Ikeda
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Priority to US06/318,370 priority patent/US4472744A/en
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Publication of JPS6210464B2 publication Critical patent/JPS6210464B2/ja
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    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
    • H04N1/40—Picture signal circuits
    • H04N1/40056—Circuits for driving or energising particular reading heads or original illumination means
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
    • G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
    • G06V10/00—Arrangements for image or video recognition or understanding
    • G06V10/10—Image acquisition
    • G06V10/12—Details of acquisition arrangements; Constructional details thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H04N25/745—Circuitry for generating timing or clock signals

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  • General Physics & Mathematics (AREA)
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  • Facsimile Scanning Arrangements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、CCDホトセンサの駆動回路に関す
る。第1図にフアクシミリでの原稿読取り系統図
を示す。螢光灯3によつて照射された送信原稿4
の情報(パターン)は、レンズ2を通して光電変
換回路1に入力し、光電変換される。光電変換後
の送信情報は、受信先に向けて適宜送信される。
光電変換回路1としては、従来ホトダイオード
やホトトランジスタ等を利用していた。然るに、
高密度化及び経済性の点からCCDホトセンサを
利用する傾向にある。CCDホトセンサは固体化
されたものであり、小形化が達成可能な効果を持
つ。このセンサは種々の構成が採用され、各種の
駆動方法をとつている。
第2図は、フアクシミリでの走査データの読取
りから送信までの過程を示す図である。CCDホ
トセンサ5は、1走査毎のデータを並列に読取
り、直列に出力する機能を持つ。このホトセンサ
5は、センサ制御回路7によつて制御をうける駆
動回路6によつてデータの蓄積、転送、送出(シ
フト)の動作を行う。ホトセンサ5のシフトによ
つて送出される直列データはエミツタホロワ接続
形式(インピーダンス変換用)となつているトラ
ンジスタ9を介して、且つ抵抗10を介して出力
される。この出力は、コンデンサ11によつて直
流成分除去が行われ、ビデオアンプ12に入力す
る。コンデンサ11による不用な直流成分除去後
の交流成分は微小振幅である故、意図的な直流成
分の印加が制御回路7によつて制御をうける直流
再生回路出力によつて白か黒かの二値判定を行
う。この回路14の出力はビデオ信号VIDEOと
なる。制御回路7は、1ライン走査開始信号(走
査指令信号)TSCAN及び蓄積時間制御回路8の蓄
積時間TSとによつて制御をうける。
第3図は、CCDホトセンサ5の構成及び該セ
ンサの駆動系を示す。CCDホトセンサ5は、
CCDホトセンサ5のCCD本体部の機能を持つ
CCDホトダイオードアレイ部16と転送ゲート
17、アナログシフトレジスタ18、出力アンプ
19とより成る。制御回路6は、MOSドライバ
20A,20B,20C、ダンピング抵抗21
A,21B,21Cとより成り、センサ制御回路
7の出力TG,1,2をうけて、転送ゲート
用信号TG,アナログシフトレジスタ18のシフ
トパルス信号φ1,φ2とを出力する。φ1とφ
2とは逆相関係にある。ホトダイオードアレイ部
16は1走査ライン分のデータ蓄積容量、例えば
総計2048ビツトより成り、偶数、奇数で1024ビツ
ト毎に分けている。図で上位と下位とに転送ゲー
ト及びシフトレジスタとは、例えば上位が奇数、
下位が偶数対応を示している。ダンピング抵抗2
1A,21B,21Cはそれぞれレベル調整用に
使用される。センサ制御回路7は、制御回路2
2,23、基本クロツク発振回路24とより成
る。制御回路22は、TSCAN及びTSをうけてT
Gを出力する。制御回路23は、TSCAN,TS及び
基本クロツクとをうけて1,2を出力する。
第4図はタイムチヤートを示す。このタイムチ
ヤートを利用してCCDホトセンサ5を中心とす
る動作を説明する。1走査ライン開始信号TSCAN
は、1走査ライン開始毎に発生(Lレベル)す
る。従つて、8回走査される文字があつたとする
と、この文字の走査完了までに、8個の1走査ラ
イン開始信号TSCANが発生する。パルスTSは、
1走査ライン区間毎に所定の蓄積時間t1の巾のパ
ルスを持つ。制御回路22は、TSCAN,TSとを
入力として第4図の転送ゲート制御信号φTGの逆
相信号TGを発生する。説明を転送ゲート制御信
号φTGで行う。信号φTGは各走査ライン毎に、区
間t1のLレベル、区間t2のHレベル、区間t3のL
レベル、区間t4のHレベルのパルスより成る。走
査開始信号TSCANにより、転送ゲート制御信号φ
TGがLレベルになり、転送ゲート17は閉じる。
この間、アナログシフトレジスタ18に、すでに
転送ゲート17を介して転送されていた電荷(デ
ータ)は、移送クロツク信号φ1,φ2(例えば
500KHz)により区間t2中に出力アンプ19を介
して外部に掃き出される(図ではt3,t4の区間の
み示しているが、他も同じ)。蓄積時間t1経過す
ると、転送ゲート制御信号φTGはHレベルにな
り、上記区間t1中にアレイ部16に蓄積された電
荷が区間t2で転送ゲート17を介してシフトレジ
スタ18に転送される。区間t2経過後、制御信号
φTGはレベルとなる故、転送ゲート17は閉じ、
シフトレジスタ18に転送された上記電荷は、ク
ロツク信号φ1,φ2に同期して右方向に移送さ
れ、出力ゲート19を介して出力Vputとなる。
この出力Vputが掃き出され出力される区間t3が経
過すると、φTGがHレベルになり、ゲート17が
開放され、次の開始信号TSCANが到達するまでの
区間t4の間、アレイ部16に発生した電荷は、転
送ゲート17、シフトレジスタ18を通してφ
1,φ2により外部に移送され続ける。この区間
t4の間に出力されてくる信号は正規の送信信号で
はない故、不用成分として除去される。結局、第
4図に示した区間t3の間に出力したVputが正規の
送信情報として扱われる。以上の動作は、各走査
ライン毎に行われる。
以上のように蓄積時間及びデータ出力時間以外
で転送ゲートを開放し、電荷を掃き捨て、CCD
ホトセンサ出力VIDEO1における有効な出力Vp
utを得るCCDホトセンサ駆動方式では蓄積時間t1
中にもアナログシフトレジスタ出力Vdunが掃き
捨て期間t3′の間出力される。シフトクロツクφ
1,φ2は一定なのでt3′は有効な出力Vputの出
力期間t3と同一である。またVdunは無意味なデ
ータであり、不用出力である。このとき、ケイ光
灯3の光量が増加してVIDEO2のように出力Vp
utの出力値がセンサ飽和電圧Vsatに達してしまう
と、原稿4の情報が忠実に読取れなくなる。そこ
で、蓄積時間t1を短くしてt0にすると蓄積時間が
短かくなるため出力Vputはセンサ飽和電圧Vsat
よりも小さくなるが、t0<t0′のため不用データV
dunと出力VputがVIDEO3のように重畳してしま
い、やはり、原稿4の情報が忠実に読取れなくな
るという欠点があつた。
本発明の目的は、従来技術の欠点をなくし、掃
き出し期間を短かくして蓄積時間を短かくなつて
も原稿に忠実な読取データを得られることを目的
とする。
本発明では、走査指令信号によりデータ蓄積を
開始すると同時に、アナログシフトレジスタの移
送クロツクを有効データ出力時の移送クロツクよ
りも高い周波数にしてアナログシフトレジスタ中
のデータを速く掃き出し、有効データ出力と掃き
出しデータが重畳する期間を短かくし、蓄積時間
も短かくできる。
本発明の一実施例を第5図、第6図、第7図を
用いて説明する。第5図におけるセンサ制御回路
28は第3図におけるセンサ制御回路7に相当
し、基本クロツク発振器24の代わりに基本周波
数f1発生器26と基本周波数f2発生器27及びセ
レクタ25を追加したものであり、他は全て、第
3図のセンサ制御回路7と同一である。
第6図において、1ライン走査開始信号TSCAN
がセンサ制御回路28に入力されると蓄積時間t1
の期間はセレクタ25により基本周波数f2発生器
27がセレクトされ、シフトクロツクφ1(
2)は周波数f2となり、このf2でCCDセンサが駆
動される。t1が経過するとセレクタ25は蓄積時
間制御回路8により指令をうけ、基本周波数f1発
生器26をセレクトするためCCDセンサはf1で駆
動される。
次に1ライン走査開始信号TSCANがセンサ制御
回路28に入力するまでセレクタ25は基本周波
数f1発生器26をセレクトし続ける。以下この動
作を繰り返す。ここでf1<f2であり、具体例とし
てはf1=500KHz,f2=2MHzである。
この構成としたことによつて従来不用出力Vdu
nをt3′時間かかつて実行していたのに対し、CCD
センサ駆動周波数をf1からf2にしたことでt3′より
も小さいt5時間で実行可能となるため第7図のよ
うに螢光灯1のような光源の光量が従来より増加
しても蓄積時間を小さくすることができるため、
CCDセンサ出力が飽和出力Vsatになり、原稿4
の情報が忠実に読取れなくなることもなく、また
不用出力Vdunと有効データVputが蓄積時間t0(t5
<t0<t3′)の期間では重畳しなくなる。
本発明によれば、従来方式より光量を増加して
蓄積時間を短くしても、原稿情報を忠実に読取る
ことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図、第2図、第3図は従来例図、第4図は
タイムチヤート、第5図は本発明の実施例図、第
6図、第7図はそのタイムチヤートである。 28…センサ制御回路、24…基本クロツク発
振器、25…セレクタ、26…基本周波数f1発生
器、27…基本周波数f2発生器。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 CCD本体部と転送ゲートとアナログシフト
    レジスタとにより成るCCDホトセンサを駆動す
    る駆動回路であつて、走査ライン毎に読取り対象
    となるパターンを走査して読取り、上記CCD本
    体部に並列に蓄積させ、該蓄積した電荷を上記転
    送ゲートを介して上記アナログシフトレジスタに
    転送し、転送終了後クロツクによりアナログシフ
    トレジスタをシフトさせてデータを外部に移送さ
    せてなるCCDホトセンサの駆動回路に於いて、
    各1走査ライン区間内にあつては、上記読取りパ
    ターンのCCDへの蓄積時間中でのアナログシフ
    トレジスタへのシフト用印加クロツクの周波数
    を、それ以外の時点での周波数に比して大きく設
    定してなるCCDホトセンサの駆動回路。
JP55156459A 1980-11-08 1980-11-08 Driving circuit for ccd photosensor Granted JPS5780864A (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP55156459A JPS5780864A (en) 1980-11-08 1980-11-08 Driving circuit for ccd photosensor
US06/318,370 US4472744A (en) 1980-11-08 1981-11-05 Photoelectric converter apparatus
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JPS5780864A JPS5780864A (en) 1982-05-20
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