JPS6211142A

JPS6211142A - 異物検査装置

Info

Publication number: JPS6211142A
Application number: JP14015185A
Authority: JP
Inventors: Takahiro Ninomiya; 二宮　孝浩; Toshiaki Taniuchi; 谷内　俊明; Yuzo Tanaka; 田中　雄三; Takuro Hosoe; 細江　卓朗
Original assignee: Hitachi Electronics Engineering Co Ltd
Current assignee: Hitachi High Tech Corp
Priority date: 1985-06-28
Filing date: 1985-06-28
Publication date: 1987-01-20

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］コノ発明は、ＬＳＩ用ウェハなどの被検査物の表面にお
ける異物の存否などを検査する異物検査装置に関する。

［従来の技術］ＬＳＩ用ウェハの異物検査装置として、光ビームをウェ
ハ而に照射し、ウェハ而からの反射光を受光素子で受光
して電気信号に変換し、この電気信号に基づきウェハ而
における異物の存否などを判定する型式のものがある。

この受光素子としては、従来はホトマルチプライヤが使
用されている。ホトマルチプライヤの出力信号レベルと
異物の粒径との間には、第４図に示すような関係がある
。この図に示すカーブＳはホトマルチプライヤの感度曲
線であるが、この感度曲線Ｓはホトマルチプライヤの印
加電圧によって変化するものである。また、ＬＢはバッ
クグラウンドノイズのレベルを示す。このバックグラウ
ンドノイズレベルは、ウェハ而の状態、ウェハ而に設け
られたパターンなどに影響されるものである。

第４図から容易に理解できるように、ホトマルチプライ
ヤの印加電圧を上げて感度曲線Ｓを立ちヒげれば、微小
な異物に対する検出能は向１・、するが、感度曲線が飽
和するために、検出＋１Ｊ能な最大異物粒径は小さくな
る（ダイナミックレンジが狭くなる・）。逆に、ホトマ
ルチプライヤの印加電圧をドげて、感度曲線Ｓの）γち
−Ｌがりを緩やかにすれば、大きな異物まで検出できる
が（ダイナミックレンジは広がる）、微小な異物の検出
能は低下する。

ここで、パターン付きウェハの場合、パターンの影響で
バックグラウンドノイズが高レベルであるため、例えば
３μｍ以りの異物しか検出できないから、感度をＦげ、
ダイナミックレンジを広げるのが一般的である。他方、
鏡面ウエノ１、ブランク膜付きウェハの場合、バックグ
ラウンドノイズのレベルが低いから、感度を−Ｌげて微
小異物の検出能を１−げろのが一般的である。

また、前記バックグラウンドノイズのレベルとウェハ而
に対する光ビームの１１（１射角度との間にも相関があ
り、検査対照のウェハの種類などに応じて最適な照射角
度は異なる。

そこで従来から、ホトマルチプライヤの印加電圧、光ビ
ームの照射角度などの検査条件を変更し得るようにした
異物検査装置が知られている。

［解決しようとする問題点コそのような最適条件の設定のためには、そのための情報
をｔ’Ｊる必要がある。しかし、従来の異物検査装置に
は、その情報の収集を助成するための格別な機能がない
ため、その情報の収集に手数がかかるという不便があっ
た。

また、ある条件にて検査した後、その条件が不適切であ
ることが判明した場合、条件を再設定し、ウェハを再度
セットし改めて検査をやりな直す必要があり、検査のた
め手数と時間が著しく増加するという問題があった。

［発明の目的］この発明は、前記従来技術の問題点に鑑みなされたもの
であり、検査の最適条件を設定するための情報を迅速に
得ることができるとともに、最適条件が不明確の場合に
も必要な異物検査結果を効率的に得ることができる異物
検査装置を提供することにある。

［問題点を解決するためのｆ段コこの１」的を達成するために、この発明による異物検査
装置は、同一の被検査物に対する異物検査を条件を変化
させて複数回繰り返し、各回の異物検査の結果データを
記憶り段に記憶させる動作モードを有する。

［作用コかかる動作モードにより、様々な検査条件下での異物検
査の結果データが自動的に得られるため、その結果デー
タから最適条件を容易に判定して、迅速容易に最適な検
査条件を設定できる。

また、最適条件が不明確な場合、そのような動作モード
において得られる様々な条件下での異物検査の結果デー
タから、最適な条件ドでの異物検査の結果データを選別
して採用することができ、人手の介入により、条件を再
設定して］［＃試験する場合よりも、検査のための時間
および手数を大幅に削減できる。

［実施例コ以下、図面を参照し、この発明の一実施例について詳細
に説明する。

第１図は、この発明によるウェハ川異物検査装置の光学
系部分などの構成を簡略化して示す概要図である。この
図において、１０はＸ方向に摺動可能にベース１２に支
持されたＸステージである。

このＸステージ１０（こは、ステッピングモータ１４の
回転軸に直結されたスクリュー１６が螺合しており、ス
テッピングモータ１４を作動させることにより、Ｘステ
ージ１０をＸ方向に進退させることができる。１８はＸ
ステージ１０のＸ方向位置Ｘに対応したコード信号を発
生するリニアエンコーダである。

Ｘステージ１０には、Ｘステージ２０がＺ方向に移動可
能に取り付けられている。その駆動手段は図中省略され
ている。また、Ｘステージ２０には、被検査物としての
ウェハ３０が載置される回転ステージ２２が回転１工能
に支持されている。ここで、ウェハ３０としては、ブラ
ンク膜付きウェハ、鏡面ウェハ、またはパターン付きウ
ェハをセツトして検査可能である。

この回転ステージ２２は、ステッピングモータ２４が連
結されており、これを作動させることにより回転される
ようになっている。このステッピングモータ２４には、
回転ステージ２２の回転方向位置０に対応したコード信
号を出力するロータリエンフーダが内蔵されている。

なお、ウェハ３０は、回転ステージ２２に負圧吸着によ
り位置決め固定されるが、そのための手段は図中省かれ
ている。

このウェハ用異物検査装置は、偏光レーザ光を利用して
ウェハ３０上の異物を自動的に検査するものであり、ウ
ェハ３０の上面（被検査面）に、Ｓ偏光レーザ光が照射
される。そのために、Ｓ偏光レーザ発振７９１３６．３
８が設けられている。各Ｓ偏光レーザ発振器３６．３８
は、ある波長のＳ偏光レーザ光を発生するもので、例え
ば波長が８３００オングストロームの半導体レーザ発振
器である。

そのＳ偏光レーザ光は、Ｙ方向よりウェハ３０の１−而
に約２度の照射角度φで照射される。このように照射角
度が小さいため、円形断面のＳ偏光レーザ光のビームを
照射した場合、ウェハ而におけるスポットが長く延びて
しまい、１−分な照射密度を得られない。そこでＳ偏光
レーザ発振器３６゜３８の前方にシリンドリカルレンズ
４４．４６を配置し、Ｓ偏光レーザ発振器３８．３８か
ら出たほぼ円形断面のＳ偏光レーザ光ビームを、Ｚ方向
につぶれた扁平な断面形状のビームに絞ってからウェハ
而に照射するようにしている。

ここで、パターンなしのブランク膜付きウェハ（または
鏡面ウェハ）の場合、Ｓ偏光レーザ光は、その照射スポ
ット内に異物が存在しなければ、はぼ正反射されＺ方向
には反射されないが、異物が存在すれば、それにより乱
反射されて２方向にも反射される。

他方、パターン付きウェハの場合、ウェハ而に照射され
たＳ偏光レーザ光の反射レーザ光は、その照射スポット
内にパターンが存在すれば、Ｚ方向にも反射されるが、
そのパターンの面は微視的に（ｋ滑であるため、反射レ
ーザ光はほとんどＳ偏光成分だけである。これに対し、
異物の表面には一般に微小な凹凸があるため、照射スポ
ット内に異物が存在すると、照射されたＳ偏光レーザ光
は散乱して偏光方向が変化し、反射レーザ光には、Ｓ偏
光成分の外に、Ｐ偏光成分をかなり含まれることになる
。

このような現象に着［１し、このウェハ用異物検査装置
においては、パターン付きウェハの場合には、ウェハ而
からのＺ方向への反射レーザ光に含まれるＰ偏光成分の
レベルに基づき、異物の有無と異物のサイズを検出する
。

他方、ブランク膜付きウェハ（鏡面ウェハも含む）の場
合には、検出感度を増大させるために、Ｚ方向へのＳ偏
光反射レーザ光およびＰ偏光反射レーザ光のレベルに基
づき、異物の存否およびサイズを検出する。

ｒｌＴび第１図を参照する。ウェハ而からの反射レーザ
光は、前記原理に従い異物を検出する検出系５０と、ウ
ェハの［」視観察のための顕微鏡５２とに共通の光学系
に入射する。すなわち、反射レーザ光は、対物゛レンズ
５４、ハーフミラ−５６、プリズム５８を経由して４５
度プリズム６０に達する。

また、１」視観察のためにランプ７０が設けられている
。このランプ７０から出たｉｒＪ視光により、ハーフミ
ラ−５６および対物レンズ５４を介してウェハ而が照明
される。その反射光も、反射レーザ光と同様に４５度プ
リズム６０に達する。

プリズム６０を経由して顕微鏡５２側に入射した可視反
射光は、６０度プリズム６２、フィールドレンズ６４、
リレーレンズ６６を順に通過して接眼レンズ６８に入射
する。したがって、接眼レンズ６８より、ウェハ３０を
十分大きな倍率で目視観察することができる。この場合
、視野の中心に、ウェハ面上のＳ偏光レーザ光スポット
の範囲が位置する。また、プリズム５８を通してウニ／
％３０を低倍率で観察することもできる。

プリズム６０を経由して検出系側に入射した反射レーザ
光は、スリット７２に設けられたアパーチャフ４を通過
し、ホトマルチプライヤ９０へ送られる。

ここで、ウェハ３０がパターン付きウェハの場合には、
Ｓ偏光カットフィルタ８６（偏光板）が符号８６゛によ
り示す位置に移動せしめられるため、反射レーザ光のＰ
偏光成分だけが抽出されてホトマルチプライヤ９０に入
射する。ウェハ３０がブランク膜付きウェハ（または鏡
面ウェハ）の場合、Ｓ偏光カットフィルタ８８は実線で
示す位置に移動せしめられるため、反射レーザ光のＳ偏
光成分もＰ偏光成分もホトマルチプライヤ９０に入射す
る。後述するように、ホトマルチプライヤ９０の出力信
号（検出信号）の検出信号のレベルに基づき、ウェハ而
１ユのアパーチャア４の視野内における異物の存否と、
異物の粒径が判定される。

８７はＳ偏光カットフィルタ８６を移動゛させるための
ソレノイドである。

ここで、異物検査は、前述のようにウェハを回転させつ
つＸ方向Ｃ￥：径方向）に送りながら行われる。そのよ
うなウェハ３０の移動に従い、第３図に示すように、Ｓ
偏光レーザ光のスポット３０Ａはウェハ３０の１−而を
外側より中心へ向かって螺旋状に移動する。検出系５０
と顕微鏡５２は静止しており、アパーチャア４の視野は
常にスポット３０Ａ内に含まれ、スポット３０Ａに追従
して移動する。すなわち、ウェハ而は螺旋走査されなが
ら検査される。

ここで、照射角度φについて説明する。従来のウェハ用
異物検査装置においては、ホトレジスト膜、アルミニウ
ム蒸着膜などのパターンのないブランク膜が表面に被着
されたウェハの異物検査を行う場合、かなり大きな照射
角度、例えば３０度で光ビームがウェハ而に照射される
ようになっている。

発明者の研究によれば、そのような従来装置における検
出信号のバックグラウンドノイズには、ウェハ表面（ブ
ランク膜の表面）の状態により決まるノイズ成分だけで
はな（、ブランク膜内部の状態に関係するノイズ成分と
、ブランク膜の下のウェハ素地面の状態に関係するノイ
ズ成分とが含まれている。ウェハ表面からの反射光を利
用するという原理１−１最初のノイズ成分を完全に除去
することは不可能であり、また、その影響も致命的なも
のではない。しかし、後の２つのノイズ成分は、ウェハ
内部の状態に影響されるものであり、直接５ｔｉ検出の
原因となるため、除去すべきものである。

発明者の研究によれば、従来装置においてはビームの照
射角度が大きいため、ウェハ表面に入射した光ビームの
一部がブランク膜の内部に侵入し、ウェハ素地面で反射
され、１ｆびブランク膜を通過しウェハ表面に出て充電
素子に入射するために、前述の好ましくないノイズ成分
が生じていたことが判明した。

そこで、この実施例においては、ウェハ而で光ビームが
実質的に全反射するように、光ビームの照射角度を前述
のように１・分小さく選び、ウェハ内部への光ビームの
侵入を防１１ニジている。

次に、このウェハ用異物検査装置の信号処理および制御
系について、第２図を参照して説明する。

前記ホトマルチプライヤ９０から出力される検出信号は
、増幅器１００により増幅されてからレベル比較回路１
０２に人力される。

ここで、ウェハ１この異物の粒径と、検出信号のレベル
との間には、第４図に示すような関係がある。ただし、
ホトマルチプライヤ９０の感度によって、異物粒径の目
盛りは異なることは当然である。この図において、Ｌ／
　、Ｌ２．Ｌ、３はレベル比較回路１０２の閾値である
。

レベル比較回路１０２は、検出信号のレベルを各閾値と
比較し、各閾値との比較結果を示す２進コードを出力す
る。例えば、検出信号レベルが閾値Ｌｌｌ横溝らば、（
０００）２を出力し、検出信号レベルが閾値し２以上で
閾値し３未満ならば、（０１１）２を出力し、検出信号
レベルか閾値Ｌ３以−Ｌならば（１１１）　２を出力す
る。

レベル比較回路１０２の出力コードは、データ処理シス
テム１３０とのインターフェイスをａｊるインターフェ
イス回路ｔｏｓに入力される。

また、インターフェイス回路１０８には、前記ロータリ
エンコーダおよびリニアエンコーダから、各時点におけ
る回転角度位置ＯおよびＸ方向（”Ｉ’。

径方向）位置Ｘの情報を示す信号（２進コード）が、バ
ッファ回路１１０．１１２を介し入力される。

前記インターフェイス回路１０８への各入力コードは、
−＝一定の周期でインターフェイス回路１０８内部のあ
るレジスタに取り込まれ、そこに一時的に保持される。

さらに、インターフェイス回路１０８の内部には、デー
タ処理システム１３０よりステッピングモータ１４．２
４およびソレノイド８７の制御情報がセットされるレジ
スタもある。このレジスタにセットされた制御情報に従
い、モータコントローラ１１６によりステッピングモー
タ１４．２４の駆動制御が行われ、またソレノイドドラ
イバｌ１７によりソレノイド８７の駆動制御が行われる
。

また、ホトマルチプライヤ９０の感度設定のために、ラ
ンチ回路１２０および可変分圧回路１２２が設けられて
いる。可変分圧回路１２２は、外部から供給される一定
電月、■を、ラッチ回路１２０の保持情報に応じた分圧
比で分圧してホトマルチプライヤ９０に印加するもので
ある。その分圧比は、低感度、中感度、高感度号の３段
階に切り換えｒ１１能である。ラッチ回路１２０には、
インターフェイス回路１０８を介して、データ処理シス
テム１３０より感度指定情報がセットされる。

データ処理システム１３０は、マイクロプロセッサ１３
１、プログラムやデータなどを記憶するためのメモリ１
３２、バス１３３、検査結果データなどを保存するため
のフロッピーディスク装置１３４と、そのコントローラ
１３６、その他、図示されていないが、オペレータとの
対話を行うためのキーボードやＣＲＴディスプレイ装置
、ウェハの異物マツプなどを印刷出力するためのＸ−Ｙ
プロッタなどから構成されている。

この異物検査装置は、動作モードとして、設定された条
件下で各ウェハを１回検査する通常モード、印刷結果を
異物マツプなどの形でＸ−Ｙプロッタで印刷出力したり
、ＣＲＴディスプレイ装置で表示したりするモードなど
の他に、検査条件（この実施例ではホトマルチプライヤ
９０の感度）を変えながら、各ウェハの異物検査を複数
回繰り返し、それぞれの検査結果を記憶保存する自動条
件変更検査モードを有し、いずれの動作モードもキーボ
ードから指定できる。この自動条件変更検査モードがこ
の発明に直接関係するので、そのモードでの動作に付い
て、以下説明する。

回転ステージ２２の所定位置にウェハ３０がセットされ
、詳細は省略するが、ウェハ自動セット機構からのセッ
ト完了割込み信号がインターフェイス回路１０８を介し
てマイクロプロセッサ１３１に与えられると、マイクロ
プロセッサ１３１はメモリ１３２ヒの検査処理プログラ
ム１３２Ａに従い、自動条件変更検査モードの処理の実
行を開始する。その処理の流れを第５図のフローチャー
トに沿って説明する。

まず、マイクロプロセッサ１３１は、Ｘステージ１０１
２ステージ２０および回転ステージ２２を所定位置に位
置決めさせるためのモータ制御情報、および、ウェハ３
０がパターン付きウェハの場合にはＳ偏光カットフィル
タ８６を符号８６”の位置に移動させ、ウェハ３０がブ
ランク膜付きウェハ（または鏡面ウェハ）の場合にはＳ
偏光カットフィルタ８６を実線位置へ移動させるための
ソレノイド制御情報を、インターフェイス回路１０８の
内部レジスタにセットする（ステップ２００）。なお、
ウェハがパターン付きか、ブランク膜付きか、または鏡
面かは、検査に先立ちキーボードより指定されいる。

このモータ制御情報に従い、モータコントローラ１１６
がステッピングモータ１４．２４を制御し、各ステージ
を所定位置に移動させる。同様に、ソレノイドドライバ
１１７は、ソレノイド制御情報に従い、ソレノイド８７
を付勢または消勢する。

ついでマイクロプロセッサ１３１は、ＲＡＭ１３２１の
Ｐカウンタ１３２Ｃに３を８き込み（ステップ２０５）
、ラッチ回路１２０にＰカウンタ１３２Ｃの値をセット
する（ステップ２１０）。

ラッチ回路１２０の保持情報は３であるから、ｉｉ）変
分圧回路１２２の分圧比は最高となり、ホトマルチプラ
イヤ９０に低感度対応の電圧が印加され、ホトマルチプ
ライヤ９０の感度は低感度となる。

ここで、Ｐカウンタ１３２Ｃの値、つまり感度設定情報
は、ホトマルチプライヤ９０の設定感度に対応している
。メモリ１３２には、低、中、高の各感度における感度
曲線データに対応した検出信号レベルと異物粒径との変
換テーブル１３２０゜Ｅ、Ｆが予め格納されている。

さて、以」−の準備処理を終了すると、実際の検査処理
が始まる。

まず、イクロプロセッサ１３１は、インターフェイス回
路１０８を介して、モータコントローラ１１６に対して
走査開始を指示する（ステ・ツブ２１５）。この指示を
受けたモータコントローラ１１６は、前述の螺旋走査の
ためのモータ１４．２４の駆動を開始する。

次に、マイクロプロセッサ１３１は、インターフェイス
回路１０８の特定の内部レジスタの内容、すなわち、検
出信号のレベル比較結果のコード（Ｌコード）と、走査
位置Ｘ、０のコードを順次取り込み、大力バッファ１３
２の特定エリアに書き込む（ステップ２２０）。そして
、そのＬコードについてのゼロ判定を行う（ステップ２
３０）。

Ｌコードがゼロならば、その時の走査位置には異物が存
在しないと判定し、ステップ２２０に戻る。

Ｌコードがゼロでなければ、その時の走査位置と、既に
検出されてメモリ１３２−ヒの異物テーブル１３２Ｇに
格納されている他の異物の位置とを比較する（ステップ
２３５）。この比較が不一致ならば、新しい異物が検出
されたと判断し、その異物のしコードを、Ｐカウンタ１
３２Ｃの値（設定感度）に対応する１つの変換テーブル
により感度に合わせて変換しくステップ２４０）、その
変換後のコードと、異物の位置の情報と、レベル比較結
果コード（異物の粒径情報）とを、異物テーブル１３２
Ｇに格納する（ステップ２４５）。

ステップ２３５の比較が一致した場合、既に検出済みの
異物の一部が再度検出されたものと判断し、現在検出さ
れた異物の情報は異物テーブル１３２Ｇには格納しない
。

これと並行して、マイクロプロセッサ１３１は、インタ
ーフェイス回路１０８より取り込んだ走査位置情報によ
り、走査終了位置まで走査が進んだかチェックしている
（ステップ２２５）。走査路ｒと判定すると、マイクロ
プロセッサ１３１は、インターフェイス回路１０８を通
じて、モータコントローラ１１６に対し走査停止指示を
送る（ステップ２５０）。この指示に応答して、モータ
コントローラ１１６はステッピングモータ１４．２４の
駆動を停！にする。

次にマイクロプロセッサ１３１は、異物テーブル１３２
Ｇに格納されている異物の情報を、設定感度情＋ｖ（Ｐ
カウンタの値）およびウェハ識別情報とともにフロッピ
ーディスクコントローラ１３６へ転送し、フロッピーデ
ィスク装置１３４へ格納させる（ステップ２５５）。

次に、マイクロプロセッサ１３１は、Ｐカウンタ１３２
Ｃの値を１だけデクリメントしくステップ２６０）、そ
の値がＯ以ｌ−であるか判定する（ステップ２６５）。

０以１ｔならば、マイクロプロセッサ１３１は、ウェハ
を所定位置へ位置決めさせるためのモータ制御情報をモ
ータコントローラ１１６へ与える（ステップ２７０）。

その位置決めが完ｒすると、マイクロプロセッサ１３１
は、走査開始をモータコントローラ１１６へ指示するＰ
カウンタの値をラッチ回路１２０にセットする（ステッ
プ２７５）。そして、ステップ２１５以降の処理を開始
する。

このようにして、各ウェハについて、異物検査が３回実
行される。２回目の検査では、ラッチ回路１２０の値は
２となるため、ホトマルチプライヤ９０には中感度に対
応した電圧が可変分圧回路１２２により印加され、中感
度に設定され、また中感度用の変換テーブル１３２Ｅが
Ｌコード変換に使用される。３回目の検査では、ラッチ
回路１２２の値は１となるため、ホトマルチプライヤ９
０は高感度に設定され、高感度用の変換テーブル１３２
ＦがＬコード変換に用いられる。そして、各回の検杏結
宋のデータは、１回［１と同様にフロッピーディスク装
置へ格納される。

３回ＩＮの検査が終了すると、ステップ２６５の判定の
結果がＮｏとなり、１つのウェハに対する検査が終ｒす
る。

このように、検査条件の１つであるホトマルチプライヤ
９０の感度を低、中、高と変化させながら、同一のウェ
ハに対する異物検査が合計３回実行され、その異物検査
の結果データがフロッピーディスク装置１３４に格納さ
れる。そして、かかる検査の結果データ、または、それ
に基づいた異物マツプを、例えばＸ−Ｙプロッタまたは
ＣＲＴディスプレイ装置で出力させ、それに基づき最適
感度を容易に判定し、その判定結果に従い、迅速容易に
最適感度を設定できる。また、その検査結果データ中か
ら、最適感度の検査結果データを選別することもできる
。

なお、他の動作モードは、この発明の要旨とは直接関係
しないので、その説明を省略する。

ここで、この発明は前記実施例だけに限定されるもので
はなく、適宜変形して実施し得るものである。

例えば、前記実施例では、検査条件として、感度のみ変
化させているが、ホトマルチプライヤの出力信号のレベ
ル比較用の閾値、偏光レーザ光の照射角度など、他の条
件も変化させてもよい。

自動条件変更検査モードにおいて、検査途中で異物マツ
プをＣＲＴディスプレイ装置などで表示出力させるよう
にしてもよい。

検査のための走査は螺旋走査に限らず、例えば直線走査
としてもよい。但し、直線走査は走査端で停止するため
、走査時間が増加する傾向があり、また、ウェハのよう
な円形などの被検査面を走査する場合、走査端の位置制
御が複雑になる傾向がある。したがって、ウェハなどの
異物検査の場合、螺旋走査が一般に有利である。

また、偏光レーザ光以外の光ビームを利用する同様なウ
ェハ用異物検査装置にも、この発明は適用可能である。

さらに、この発明は、ウェハ以外の被検査物の表面にお
ける人物を検査する装置に一般的に適用できるものであ
る。

［発明の効果コ以−１−詳述したように、この発明によれば、同一の被
検査物に対する異物検査を条件を変化させて複数回繰り
返し、各回の異物検査の結果データを記憶手段に記憶さ
せる動作モードが異物検査装置に付与されるため、様々
な検査条件ドでの異物検査の結果データを自動的に得て
、その結果データから最適条件を容易に判定し、迅速容
易に最適な検査条件を設定できるとともに、最適条件が
不明確な場合、そのような動作モードにおいて得られる
様々な条件下での異物検査の結果データから、最適な条
件下での異物検査の結果データを選別して採用すること
ができ、人手の介入により、条件を再設定して再試験す
る場合よりも、検査のための時間および手数を大幅に削
減できる、などの効果を達成できる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明によるウェハ用異物検査装置の光学系
などの概要図、第２図は同ウェハ用異物検査装置の信号
処理および制御系を示す概略ブロック図、第３図はウェ
ハ而走査の説明図、第４図は異物の粒径と検出信号レベ
ルとの関係などを示すグラフ、第５図は自動条件変型検
査モードの概略フローチャートである。１０・・・Ｘステージ、１４．２４・・・ステッピング
モータ、２２・・・回転ステージ、３０・・・ウェハ、
３６．３８・・・Ｓ偏光レーザ発振器、４４．４６・・
・シリンドリカルレンズ、５０・・・検出系、５２・・
・顕微鏡、７２・・・スリット、８６・・・Ｓ偏光カッ
トフィルタ、９０・・・ホトマルチプライヤ、１００・
・・増幅器、１０２・・・レベル比較回路、ｌＯ８・・
・インターフェイス回路、１１６・・・モータコントロ
ーラ、１２０・・・ラッチ回路、１２１・・・可変分圧
回路、１３０・・・データ処理システム、１３１・・・
マイクロプロセッサ、１３２・・・メモリ、１３４・・
・フロッピーディスク装置。第　　３　　図第　　４　　図一１畑ａ怪第５図Ｃ＝Ｄ ■

Claims

【特許請求の範囲】

（１）被検査物の表面に光ビームを照射する手段と、前
記被検査物の表面からの反射光に基づき前記被検査物の
表面における異物を検出する手段とを備え、前記被検査
物の表面を走査しながら前記被検査物に対する異物検査
を行う異物検査装置であって、同一の被検査物に対する
異物検査を条件を変化させて複数回繰り返し、各回の異
物検査の結果データを記憶手段に記憶させる動作モード
を有することを特徴とする異物検査装置。
（２）被検査物はウェハであり、光ビームは偏光レーザ
光ビームであることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の異物検査装置。