JPH01102433A - 液晶パネルの電極構造 - Google Patents

液晶パネルの電極構造

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JPH01102433A JP62260693A JP26069387A JPH01102433A JP H01102433 A JPH01102433 A JP H01102433A JP 62260693 A JP62260693 A JP 62260693A JP 26069387 A JP26069387 A JP 26069387A JP H01102433 A JPH01102433 A JP H01102433A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、絶縁ゲート形薄膜トランジスタ（以下ＴＰＴ
　という）を用いた液晶パネルの端子取り出し電極構造
に関するものである。
〈従来技術〉 アモルファスシリコンを半導体層として使用し、陽極酸
化膜をゲート絶縁膜として組み合わせることにより、（
１）絶縁性が良好（ピンホールがない）で、かつ信頼性
及び耐圧が高い。（２）可動イオン密度が小さい。（３
）半導体との界面単位密度が小さい。（４）半導体に対
する電界効果が大きい等の特徴をもつ極めて特性の良い
ＴＰＴが作製できることは既に特開昭５８−１４７０６
９に提案されている。
このＴＰＴを用いた液晶パネルの形成プロセスを図面を
参考にしながら詳述する。第２図は、このＴＰＴの構成
断面図である。ガラス基板ｌ上にＴａの膜を堆積したあ
と、フォトリソによりゲート電極２ａ、ゲートパスライ
ン２ｂ及び端子取り出し電極３をパターンニングして形
成する。（第３図参照）その後、フォトリソにより陽極
酸化の必要なゲート電極２ａのみを露出し、酒石酸アン
モニウム水溶液に浸漬し、化成処理する。６．５Ｖの定
電圧化成で約１０００人のＴａ、’ｓ膜が作製され、こ
の結果Ｔ＆から成るゲート電極２ａとＴ、ａ表面の薄い
酸化膜から成る第１の絶縁１１４が形成される。第１の
絶縁ｌ１１４上には、ＣＶＤ法又はスパッタリング法等
で厚さ１０００人のＳｉ。
Ｎ、膜が第２の絶縁膜５として積層される。第２の絶縁
ａｓは５ｉｓＮ＋以外にＳ　ｉ　Ｏ，Ｓ　ｔ　Ｏｔ、Ｙ
ｔＯｓ、Ａ　１　＊Ｏｓ、Ｍｇ　Ｐ　＊等が実施に供さ
れ、陽極酸イビされたＴａ＊Ｏｓ膜、即ち第１の絶縁膜
を保護する機能を有する。この第１の絶縁１１４と第２
の絶縁膜５でゲート絶縁層が構成される。次に半導体Ｍ
６としてグロー放電によりアモルファスシリコン層を３
０００人積層し、次にソース電極７及びドレイン電極８
として３０００人のＴｉを蒸着すのＴＰＴは保護膜１０
としてＣＶＤ法により５ｉ０３Ｎ、が３０００人積層さ
れ、半導体層４０がコートされる。この保護５ｉｌｏは
アモルファスシリコン層の保護のみならず半導体層６の
表面を空乏化し、オフ状態のリーク電流を減少させ、Ｔ
ＰＴの特性を大きく向上させる。その後、ポリイミド塗
布及びラビングによる配向処理、シール、液晶注入によ
り液晶パネルが形成される（図示せず）次に、駆動用１
．Ｓｌが搭載されたフレキシブル基板を異方導電性シー
トによりパネル上の端子取り出ｌ、電極３に接続する。
この方式によるユニット形成について説明する。第４図
は平面構造を示し、第５図はそのｘ−ｘ’断面を示す。
液晶駆動用ＬＳＩ２１を搭載したフレキシブル基板２２
をパネル２３上の電極と位置合わせを行い、基板２２と
電極との間に挿入した異方導電性シートにより接続する
。またフレキシブル基板２２の他方では、入力信号線（
共通配線）が形成された口型の両面プリント基板２４に
半田付けされ液晶表示モジュールを得る。
〈従来技術の問題点〉 この時の端子取り出し電極３のＴａは前述のポリイミド
の硬化（２００℃２ｈｒ）及びシール樹脂のげ化（１８
０℃２ｈｒ）などにより著しく変質（酸化）シ、異方導
電性シートによるフレキシブル基板との接続を不安定に
する。
本発明は以上の問題点を解消するものである。
〈問題点を解決するための手段〉 本発明は前記プロセスにおいて、絵素電極のＩＴＯ膜９
を第１図（λ）（ｂ）のごとく端子取り出し電極３上に
も残すようにパターンニングし、２層構造とする。ＩＴ
Ｏは元来酸化物であるため、前述の温度処理工程におい
てもなんら変質することなく安定なものである。
〈実施例〉 ガラス基板１上にＴａ膜を堆積した後、フォトリソによ
りゲート電極２ａゲートパスライン２ｂ及び端子取り出
し電極３を形成する。その後陽極酸化が必要なゲート電
極２１の部分のみを露出するようにフォトリソによりパ
ターンニングする。
陽極の手法、そのｔに第２の絶縁膜５形成し、アモルフ
ァスシリコンの半導体Ｊ！１６を形成し、ソース電極７
、ドレイン電極８を形成する工程及び方法は前述の従来
例に説明したのと同じである。
そして、次に絵素となるＩＴＯ膜９を形成する訳である
が、このとき、端子取り出し電極３の部分のマスクの窓
あけをして第１図（ａ）または（ｂ）のように電極３の
上にＩＴＯを形成する。第１（ａ）は電極３とマスクの
窓とが同一の場合、第１図（ｂ）は電極３よりマスクの
窓の方が大きい場合である。
この実施例では電極３の上にのみＩＴＯ膜９を形成した
が、ゲートパスライン２ｂにＩＴＯ膜９を形成してもよ
い。
その後の工程は前述の従来例　と同じである。
〈発明の効果〉 第６図にＴλ模膜上Ｔａ＋ＩＴＯａ上にフレキシブル基
板を接続した時の接続抵抗による安定性の違いを示す。
この図より明らかなように、ＴＰＴ特性を著しく向上さ
せる陽極酸化が可能な電極材料を用い、ＩＴＯとの２層
構造にすることにより、安定した接続状態を得る事がで
き、本発明の技術的意義は多大である。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の取り出し電極の構造図である。 第２図はＴＰＴの基本的構成図である。第３図はゲート
電極及び取り出し電極の図である。第４図は液晶モジュ
ールの平面構造で、第５図は第４図のＸ−Ｘ−断面構造
を示す図である。第６図は本発明の有効性を示す図であ
る。 ３・・・端子取り出し電極 ９・・・ＩＴＯ膜 ２５・・・絵素領域 ２６・・・接続領域 代理人　弁理士　杉　山　毅　至（他１名）図面の浄書 第６図 手続補正書（方式） 昭和６３年２１１２日

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １、ゲート電極上に形成した陽極酸化膜と、該陽極酸化
    膜上に積層された保護絶縁膜とを有するゲート絶縁膜と
    、前記保護絶縁膜上に形成されたアモルファス半導体層
    とを具備してなる薄膜トランジスタにおいて、前記ゲー
    ト電極の取り出し電極が前記陽極酸化前の金属とＩＴＯ
    の２層構造であることを特徴とする液晶パネルの電極構
    造。
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