JPH0317192B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0317192B2 JPH0317192B2 JP56204076A JP20407681A JPH0317192B2 JP H0317192 B2 JPH0317192 B2 JP H0317192B2 JP 56204076 A JP56204076 A JP 56204076A JP 20407681 A JP20407681 A JP 20407681A JP H0317192 B2 JPH0317192 B2 JP H0317192B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- film
- layer
- photoresist film
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(1) 発明の技術分野
本発明はEL（エレクトロルミネツセンス以下
ELと称する）表示パネル等に好適な電極基板の
製造方法の改良に関するものである。
ELと称する）表示パネル等に好適な電極基板の
製造方法の改良に関するものである。
(2) 技術の背景
近年、EL層を誘電体層でサンドイツチ状に挾
んだ、いわゆる二重絶縁層構造の薄膜EL表示パ
ネルが開発、実用化されている。
んだ、いわゆる二重絶縁層構造の薄膜EL表示パ
ネルが開発、実用化されている。
(3) 従来技術と問題点
このようなEL表示パネルの従来の製造方法に
ついて第１図を用いて説明する。まずガラスのよ
うな透明な絶縁基板１上に所定パターンの線状の
透明なインジウム錫酸化物（ITO）からなる下部
電極２を蒸着およびホトリソグラフイ法によつて
多数平行に配設する。次にこのような下部電極上
に酸化イツトリウム（Y2O3）のような第１の誘
電体膜３を蒸着によつて形成する。次にこの上に
マンガンを添加した硫化亜鉛（ZnS；Mn）より
なるEL層４を蒸着によつて形成する。更にこの
上にY2O3のような第２の誘電体膜５を蒸着によ
つて形成したのちこの上にアルミニウム（Al）
よりなる上部電極６を前記下部電極に対して直交
に配列するように蒸着およびホトリソグラフイ法
にて形成する。そして下部電極２と上部電極６と
の各交点部つまり対向領域で発光セルを構成し、
それら発光セルからの光を絶縁基板１側より観察
するようにしている。
ついて第１図を用いて説明する。まずガラスのよ
うな透明な絶縁基板１上に所定パターンの線状の
透明なインジウム錫酸化物（ITO）からなる下部
電極２を蒸着およびホトリソグラフイ法によつて
多数平行に配設する。次にこのような下部電極上
に酸化イツトリウム（Y2O3）のような第１の誘
電体膜３を蒸着によつて形成する。次にこの上に
マンガンを添加した硫化亜鉛（ZnS；Mn）より
なるEL層４を蒸着によつて形成する。更にこの
上にY2O3のような第２の誘電体膜５を蒸着によ
つて形成したのちこの上にアルミニウム（Al）
よりなる上部電極６を前記下部電極に対して直交
に配列するように蒸着およびホトリソグラフイ法
にて形成する。そして下部電極２と上部電極６と
の各交点部つまり対向領域で発光セルを構成し、
それら発光セルからの光を絶縁基板１側より観察
するようにしている。
ところで前述した誘電体膜３，５およびEL層
４のそれぞれの厚さは5000〓（オングストロー
ム）程度と極めて薄く、パターニングされた下部
電極上にこれら誘電体膜３，５、EL層４、上部
電極６を形成した状態を拡大した場合の断面図は
第２図のようになる。図で６は上部電極で下部電
極２との間に前述した誘電体膜３，５およびEL
層４が形成されているものとする。つまり下部電
極が所定のパターンに線状に形成されているの
で、その上に形成される誘電体膜３，５および
EL層４はその下部電極２に沿つた形で形成され、
該下部電極のエツジ部分Ａ上に形成される上記誘
電体膜３，５およびEL層の厚さは、それ以外の
部分に形成されるものより薄く形成されるように
なる。
４のそれぞれの厚さは5000〓（オングストロー
ム）程度と極めて薄く、パターニングされた下部
電極上にこれら誘電体膜３，５、EL層４、上部
電極６を形成した状態を拡大した場合の断面図は
第２図のようになる。図で６は上部電極で下部電
極２との間に前述した誘電体膜３，５およびEL
層４が形成されているものとする。つまり下部電
極が所定のパターンに線状に形成されているの
で、その上に形成される誘電体膜３，５および
EL層４はその下部電極２に沿つた形で形成され、
該下部電極のエツジ部分Ａ上に形成される上記誘
電体膜３，５およびEL層の厚さは、それ以外の
部分に形成されるものより薄く形成されるように
なる。
このような局部的に薄い誘電体膜を有するEL
表示パネルの上部電極と下部電極間に電圧を印加
してパネルを動作させた場合、前記局部的に薄い
誘電体膜が形成されている箇所に電界が集中し、
この部分で絶縁破壊を生じてパネルが劣化するお
それが生ずる。またこのような問題はEL表示パ
ネルの電極に限らず、外部電極形ガス放電表示パ
ネルのように多層膜構成を有する他の表示パネル
の電極基板においても同様に発生する問題であ
る。
表示パネルの上部電極と下部電極間に電圧を印加
してパネルを動作させた場合、前記局部的に薄い
誘電体膜が形成されている箇所に電界が集中し、
この部分で絶縁破壊を生じてパネルが劣化するお
それが生ずる。またこのような問題はEL表示パ
ネルの電極に限らず、外部電極形ガス放電表示パ
ネルのように多層膜構成を有する他の表示パネル
の電極基板においても同様に発生する問題であ
る。
(4) 発明の目的
本発明は上述した欠点を除去し、前述した電極
上に誘電体層が局部的に薄く形成されないように
し、その部分で電界の集中をなくした高信頼度の
表示パネル用電極基板を得ることを目的とするも
のである。
上に誘電体層が局部的に薄く形成されないように
し、その部分で電界の集中をなくした高信頼度の
表示パネル用電極基板を得ることを目的とするも
のである。
(5) 発明の構成
かかる目的を達成するための本発明による電極
基板の製造方法は、絶縁基板上に電極となるべき
導電体層を形成したのち、該導電体層上に所定パ
ターンのホトレジスト膜を形成後、該パターニン
グせるホトレジスト膜をマスクとして導電体層を
エツチングして所定パターンの電極を形成し、そ
の後前記ホトレジスト膜面を含む基板上面に絶縁
膜を被着形成し、次いで前記ホトレジスト膜を除
去することにより当該レジスト膜上の絶縁膜も除
去してパターニングされた電極の間に絶縁膜を埋
設せしめるようにしたことを特徴とするものであ
る。
基板の製造方法は、絶縁基板上に電極となるべき
導電体層を形成したのち、該導電体層上に所定パ
ターンのホトレジスト膜を形成後、該パターニン
グせるホトレジスト膜をマスクとして導電体層を
エツチングして所定パターンの電極を形成し、そ
の後前記ホトレジスト膜面を含む基板上面に絶縁
膜を被着形成し、次いで前記ホトレジスト膜を除
去することにより当該レジスト膜上の絶縁膜も除
去してパターニングされた電極の間に絶縁膜を埋
設せしめるようにしたことを特徴とするものであ
る。
(6) 発明の実施例
以下図面を用いて本発明の一実施例につき詳細
に説明する。第３図より第７図までは本発明を
EL表示パネルに適用した場合の製造方法の工程
を示す断面図で第８図は本発明の方法によつて形
成したEL表示パネルの断面図である。
に説明する。第３図より第７図までは本発明を
EL表示パネルに適用した場合の製造方法の工程
を示す断面図で第８図は本発明の方法によつて形
成したEL表示パネルの断面図である。
まず第３図に示すようにガラス基板のような透
明な絶縁基板１１上にITOよりなる透明な導電体
層１２を蒸着によつて形成する。
明な絶縁基板１１上にITOよりなる透明な導電体
層１２を蒸着によつて形成する。
その後該導電体層１２上にホトレジスト膜を塗
布したのち、ホトリソグラフイ法により該ホトレ
ジスト膜を所定のパターンに形成する。第４図の
１３はこのようにして形成したホトレジスト膜を
示す。
布したのち、ホトリソグラフイ法により該ホトレ
ジスト膜を所定のパターンに形成する。第４図の
１３はこのようにして形成したホトレジスト膜を
示す。
その後第５図に示すように該パターニングした
ホトレジスト膜１３をマスクとして下部の導電体
層を所定のパターンに塩酸（Hcl）等を用いてエ
ツチングして形成する。第５図の１２Ａはこのよ
うにして形成された所定パターンの下部電極であ
る。
ホトレジスト膜１３をマスクとして下部の導電体
層を所定のパターンに塩酸（Hcl）等を用いてエ
ツチングして形成する。第５図の１２Ａはこのよ
うにして形成された所定パターンの下部電極であ
る。
その後第６図に示すように該基板上全面に二酸
化シリコン（SiO2）膜１４を蒸着によつて形成
し、前記パターニングして形成されている下部電
極１２Ａの間に埋設するようにする。次いでパタ
ーニングされて形成されているホトレジスト膜１
３をホトレジスト膜除去剤にて除去するとともに
いわゆるリフトオフ法によりその上のSiO2膜を
も除去する。この状態を第７図に示す。このよう
にすればパターニングされている線状の下部電極
１２Ａの間がSiO2の絶縁膜１４にて埋設された
形となり下部電極と基板との間に段差の部分がな
くなる。
化シリコン（SiO2）膜１４を蒸着によつて形成
し、前記パターニングして形成されている下部電
極１２Ａの間に埋設するようにする。次いでパタ
ーニングされて形成されているホトレジスト膜１
３をホトレジスト膜除去剤にて除去するとともに
いわゆるリフトオフ法によりその上のSiO2膜を
も除去する。この状態を第７図に示す。このよう
にすればパターニングされている線状の下部電極
１２Ａの間がSiO2の絶縁膜１４にて埋設された
形となり下部電極と基板との間に段差の部分がな
くなる。
以上のように下部電極面と基板面との間に段差
を生じないようにしてから、その上にY2O3より
なる第１の誘電層１５および（ZnS；Mn）より
なるEL層１６、Y2O3よりなる第２の誘電層１
７、およびAlよりなる上部電極層１８を順次蒸
着によつて形成したのち、該上部電極層１８を所
定のパターンに下部電極と直交するようにホトリ
ソグラフイ法を用いて形成する。
を生じないようにしてから、その上にY2O3より
なる第１の誘電層１５および（ZnS；Mn）より
なるEL層１６、Y2O3よりなる第２の誘電層１
７、およびAlよりなる上部電極層１８を順次蒸
着によつて形成したのち、該上部電極層１８を所
定のパターンに下部電極と直交するようにホトリ
ソグラフイ法を用いて形成する。
このようにすれば上部電極が平坦な状態で形成
され、従来の方法により形成したEL表示パネル
のような下部電極のエツジの部分で誘電体層が薄
く形成されて、その部分で絶縁破壊を生じるよう
な不都合を生じなくなる。
され、従来の方法により形成したEL表示パネル
のような下部電極のエツジの部分で誘電体層が薄
く形成されて、その部分で絶縁破壊を生じるよう
な不都合を生じなくなる。
なお以上の実施例においては交流電圧で駆動す
る薄膜EL表示パネルに例を用いて述べたが、絶
縁基板の上に下部電極が形成されその上にEL層
および上部電極が誘電体膜を設けないで直接形成
されているような直流電圧で駆動するEL表示パ
ネルに対しても本発明は有益であり、その他ガス
放電表示パネル等の電極基板にも適用できる。ま
た下部電極を埋設するのはSiO2の他にY2O3のよ
うな絶縁膜でもよいし、また下部電極の表面より
高く突出して埋設してもよい。
る薄膜EL表示パネルに例を用いて述べたが、絶
縁基板の上に下部電極が形成されその上にEL層
および上部電極が誘電体膜を設けないで直接形成
されているような直流電圧で駆動するEL表示パ
ネルに対しても本発明は有益であり、その他ガス
放電表示パネル等の電極基板にも適用できる。ま
た下部電極を埋設するのはSiO2の他にY2O3のよ
うな絶縁膜でもよいし、また下部電極の表面より
高く突出して埋設してもよい。
(7) 発明の効果
以上述べたように本発明の表示パネル用電極基
板の製造方法によれば電極上に積層される膜面に
段差を生じないので高信頼度の各種表示パネルが
得られる利点を生じる。
板の製造方法によれば電極上に積層される膜面に
段差を生じないので高信頼度の各種表示パネルが
得られる利点を生じる。
第１図は従来の方法で製造したEL表示パネル
の断面図、第２図は従来の方法で形成したEL表
示パネルの不具合を示す図、第３図より第７図ま
では本発明をEL表示パネルに適用した場合の製
造方法の一実施例の工程を示す図、第８図は本発
明の方法により形成したEL表示パネルの断面図
である。 図において、１，１１はガラス基板、１２は電
極用導電体層、２，１２Ａは下部電極、３，５，
１５，１７は誘電体層、４，１６はEL層、６，
１８は上部電極、１３はホトレジスト膜、１４は
SiO2層、Ａはエツジの部分を示す。
の断面図、第２図は従来の方法で形成したEL表
示パネルの不具合を示す図、第３図より第７図ま
では本発明をEL表示パネルに適用した場合の製
造方法の一実施例の工程を示す図、第８図は本発
明の方法により形成したEL表示パネルの断面図
である。 図において、１，１１はガラス基板、１２は電
極用導電体層、２，１２Ａは下部電極、３，５，
１５，１７は誘電体層、４，１６はEL層、６，
１８は上部電極、１３はホトレジスト膜、１４は
SiO2層、Ａはエツジの部分を示す。
Claims (1)
- １ 絶縁基板上に電極となるべき導電体層を形成
したのち、該導電体層上に所定パターンのホトレ
ジスト膜を形成後、該パターニングせるホトレジ
スト膜をマスクとして導電体層をエツチングして
所定パターンの電極を形成し、その後前記ホトレ
ジスト膜面を含む基板上面に絶縁膜を被着形成
し、次いで前記ホトレジスト膜を除去することに
より当該レジスト膜上の絶縁膜も除去してパター
ニングされた電極の間に絶縁膜を埋設せしめるよ
うにしたことを特徴とする表示パネル用電極基板
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56204076A JPS58102975A (ja) | 1981-12-16 | 1981-12-16 | 表示パネル用電極基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56204076A JPS58102975A (ja) | 1981-12-16 | 1981-12-16 | 表示パネル用電極基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58102975A JPS58102975A (ja) | 1983-06-18 |
| JPH0317192B2 true JPH0317192B2 (ja) | 1991-03-07 |
Family
ID=16484370
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56204076A Granted JPS58102975A (ja) | 1981-12-16 | 1981-12-16 | 表示パネル用電極基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58102975A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6353892A (ja) * | 1986-08-22 | 1988-03-08 | クラリオン株式会社 | 電場発光素子 |
| JP2764591B2 (ja) * | 1988-12-16 | 1998-06-11 | 株式会社小松製作所 | 薄膜ｅｌ素子とその製造方法 |
| EP0907304B1 (en) * | 1996-05-29 | 2002-11-06 | Idemitsu Kosan Company Limited | Organic el device |
-
1981
- 1981-12-16 JP JP56204076A patent/JPS58102975A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58102975A (ja) | 1983-06-18 |
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