JPS6212778B2 - - Google Patents
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- JPS6212778B2 JPS6212778B2 JP12353080A JP12353080A JPS6212778B2 JP S6212778 B2 JPS6212778 B2 JP S6212778B2 JP 12353080 A JP12353080 A JP 12353080A JP 12353080 A JP12353080 A JP 12353080A JP S6212778 B2 JPS6212778 B2 JP S6212778B2
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- JP
- Japan
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- reaction
- naphthoquinone
- butadiene
- thaq
- tetrahydroanthraquinone
- Prior art date
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、１・４−ナフトキノンと１・３−ブ
タジエンとのデイールス・アルダー反応によつて
得られる１・４・4a・9a−テトラヒドロアントラ
キノンを製造する方法に関する。
タジエンとのデイールス・アルダー反応によつて
得られる１・４・4a・9a−テトラヒドロアントラ
キノンを製造する方法に関する。
１・４・4a・9a−テトラヒドロアントラキノン
（以下THAQと略す）は、１−アミノアントラキ
ノン、２−アミノアントラキノンなどのアントラ
キノン誘導体、ベンズアンスロン及びアントロン
の原料として重要であるばかりでなく、最近では
アルカリパルプの蒸解助剤としても注目されるよ
うになつている。
（以下THAQと略す）は、１−アミノアントラキ
ノン、２−アミノアントラキノンなどのアントラ
キノン誘導体、ベンズアンスロン及びアントロン
の原料として重要であるばかりでなく、最近では
アルカリパルプの蒸解助剤としても注目されるよ
うになつている。
TEAQは、一般的にはナフタレンの酸化によ
つて得られた１・４−ナフトキノン（以下NQと
略す）と１・３−ブタジエン（以下BDと略す）
とのデイールス・アルダー反応によつて製造され
るが、通常この反応は有機溶媒中で行なわれる。
その反応液からTHAQを分離するには、該反応
液を冷却せしめて晶出したTHAQの結晶を過
等で分離するのが簡便である。しかしながら、本
発明者等が工業用品位のNQを用いて得たデイー
ルス・アルダー反応液を冷却し、晶出して得られ
たスラリーを過したところ、その過は著しく
困難を極めかつ取得した生成物には不純物が多く
含まれTHAQの純度が低かつた。
つて得られた１・４−ナフトキノン（以下NQと
略す）と１・３−ブタジエン（以下BDと略す）
とのデイールス・アルダー反応によつて製造され
るが、通常この反応は有機溶媒中で行なわれる。
その反応液からTHAQを分離するには、該反応
液を冷却せしめて晶出したTHAQの結晶を過
等で分離するのが簡便である。しかしながら、本
発明者等が工業用品位のNQを用いて得たデイー
ルス・アルダー反応液を冷却し、晶出して得られ
たスラリーを過したところ、その過は著しく
困難を極めかつ取得した生成物には不純物が多く
含まれTHAQの純度が低かつた。
本発明者等は上記欠点を除去するため鋭意研究
した結果、デイールス・アルダー反応に有利に使
用される不活性な有機溶媒例えばキシレンなどの
芳香族炭化水素溶媒を用いてNQとBDとをデイー
ルス・アルダー反応せしめ、得られた反応混合物
を冷却・晶出した場合にTHAQの比較的大きな
結晶の他に微細な結晶がわずかであるが生成し、
晶出したTHAQを含むスラリーの過、洗浄を
困難にし、そのために過ケーキ中の不純物含有
量を増大していることがわかつた。
した結果、デイールス・アルダー反応に有利に使
用される不活性な有機溶媒例えばキシレンなどの
芳香族炭化水素溶媒を用いてNQとBDとをデイー
ルス・アルダー反応せしめ、得られた反応混合物
を冷却・晶出した場合にTHAQの比較的大きな
結晶の他に微細な結晶がわずかであるが生成し、
晶出したTHAQを含むスラリーの過、洗浄を
困難にし、そのために過ケーキ中の不純物含有
量を増大していることがわかつた。
本発明者等は、さらに上記過を阻害している
微細結晶の成因を探求した結果、それが１・４−
ジヒドロアントラヒドロキノン（以下DHAHQと
略す）と１・４−ジヒドロアントラキノン（以下
DHAQと略す）とのキンヒドロンであることを
つきとめた。このキンヒドロンは、THAQが異
性化たDHAHQとこのDHAHQがデイールス・ア
ルダー反応中にNQ等の酸化剤によりさらに酸化
されて生ずるDHAQとによつて生成することか
ら、このキンヒドロンの生成を抑えるためには、
NQ中に存在する異性化反応を触媒となる酸成
分、すなわちフタル酸、安息香酸を除去しなけれ
ばならない。そこで、原料NQを水等で洗浄し酸
を除去した後、BDとデイールス・アルダー反応
を行ない、得られた反応液からTHAQを晶出さ
せ、過したところ、その過速度は従来より可
成り改善されたが未だ十分ではなかつた。
微細結晶の成因を探求した結果、それが１・４−
ジヒドロアントラヒドロキノン（以下DHAHQと
略す）と１・４−ジヒドロアントラキノン（以下
DHAQと略す）とのキンヒドロンであることを
つきとめた。このキンヒドロンは、THAQが異
性化たDHAHQとこのDHAHQがデイールス・ア
ルダー反応中にNQ等の酸化剤によりさらに酸化
されて生ずるDHAQとによつて生成することか
ら、このキンヒドロンの生成を抑えるためには、
NQ中に存在する異性化反応を触媒となる酸成
分、すなわちフタル酸、安息香酸を除去しなけれ
ばならない。そこで、原料NQを水等で洗浄し酸
を除去した後、BDとデイールス・アルダー反応
を行ない、得られた反応液からTHAQを晶出さ
せ、過したところ、その過速度は従来より可
成り改善されたが未だ十分ではなかつた。
しかして、次に、反応液の処理工程における
DHAHQの挙動を分析追跡したところ、上記反応
液から過剰のBDを除去する工程においても相当
量のDHAHQが生成することが見出された。さら
に、われわれは工業用品位のNQ中には酸成分と
してフタル酸、安息香酸の他にキノン系の酸性成
分及び無水フタル酸（後の工程で水和されてフタ
ル酸となる）が含まれていることを見出し、更に
原料NQ中の無水フタル酸を含む上記酸成分を0.1
重量％（対NQ）以下に減少するようにNQを処理
したのち、該NQを用いてデイールス・アルダー
反応せしめ、次いで反応液からの脱BDを120℃以
下の温度にて実施したところ、該処理液中の
DHAHQの含有量を対THAQ当り0.2％以下に抑
えることが可能となり、得られた反応液を冷却・
晶出したところ、結晶の過性が著しく改善さ
れ、過ケーキの含油率が大巾に低下し、さらに
は溶媒洗浄が極めて容易となることを見出し本発
明を完成した。
DHAHQの挙動を分析追跡したところ、上記反応
液から過剰のBDを除去する工程においても相当
量のDHAHQが生成することが見出された。さら
に、われわれは工業用品位のNQ中には酸成分と
してフタル酸、安息香酸の他にキノン系の酸性成
分及び無水フタル酸（後の工程で水和されてフタ
ル酸となる）が含まれていることを見出し、更に
原料NQ中の無水フタル酸を含む上記酸成分を0.1
重量％（対NQ）以下に減少するようにNQを処理
したのち、該NQを用いてデイールス・アルダー
反応せしめ、次いで反応液からの脱BDを120℃以
下の温度にて実施したところ、該処理液中の
DHAHQの含有量を対THAQ当り0.2％以下に抑
えることが可能となり、得られた反応液を冷却・
晶出したところ、結晶の過性が著しく改善さ
れ、過ケーキの含油率が大巾に低下し、さらに
は溶媒洗浄が極めて容易となることを見出し本発
明を完成した。
本発明は、NQとBDとを不活性な有機溶媒中で
デイールス・アルダー反応せしめて得られる反応
液からTHAQを分離する方法において、NQをそ
の中に存在する無水フタル酸、フタル酸及び安息
香酸等の酸分の含有量を0.1重量％（対NQ）以下
に処理せしめたのち、該NQとBDとをデイール
ス・アルダー反応せしめる工程、得られた反応液
を120℃以下で過剰のBDを除去する工程、得られ
た脱BD反応液を冷却し晶出したTHAQの結晶を
分離する工程からなることを特徴とするTHAQ
の製造法に存する。
デイールス・アルダー反応せしめて得られる反応
液からTHAQを分離する方法において、NQをそ
の中に存在する無水フタル酸、フタル酸及び安息
香酸等の酸分の含有量を0.1重量％（対NQ）以下
に処理せしめたのち、該NQとBDとをデイール
ス・アルダー反応せしめる工程、得られた反応液
を120℃以下で過剰のBDを除去する工程、得られ
た脱BD反応液を冷却し晶出したTHAQの結晶を
分離する工程からなることを特徴とするTHAQ
の製造法に存する。
本発明の方法においては、用いられるNQは、
その製造法としては数多く知られているが、一般
的にはナフタレンの酸化反応例えば接触気相酸化
反応又は液相の酸化剤を用いた接触酸化反応によ
つて製造される。通常は、ナフタレンの接触気相
酸化反応によつて生成したNQと無水フタル酸を
含有する反応生成ガスから公知の分離方法でNQ
を分離することによつて製造される。公知の分離
法としては、一般的にはナフタレンの接触気相酸
化反応生成ガスを水洗捕集し、得られたNQ及び
フタル酸の水性スラリーからNQを有機溶媒を用
いて抽出する方法が有利である。又、その他の方
法として該水性スラリーを過し、得られたNQ
とフタル酸の過ケーキからNQを抽出する方法
も採り得る。
その製造法としては数多く知られているが、一般
的にはナフタレンの酸化反応例えば接触気相酸化
反応又は液相の酸化剤を用いた接触酸化反応によ
つて製造される。通常は、ナフタレンの接触気相
酸化反応によつて生成したNQと無水フタル酸を
含有する反応生成ガスから公知の分離方法でNQ
を分離することによつて製造される。公知の分離
法としては、一般的にはナフタレンの接触気相酸
化反応生成ガスを水洗捕集し、得られたNQ及び
フタル酸の水性スラリーからNQを有機溶媒を用
いて抽出する方法が有利である。又、その他の方
法として該水性スラリーを過し、得られたNQ
とフタル酸の過ケーキからNQを抽出する方法
も採り得る。
しかして、得られるNQの溶液中にはフタル
酸、安息香酸、無水フタル酸及びNQなどの重縮
合により生成する酸成分が一般的に１〜５％含ま
れるので、この酸成分をデイールス・アルダー反
応に先だち0.1％以下に処理する必要がある。こ
のNQ溶液から酸成分を除去するための処理方法
としては、一般的には溶液当り0.1〜0.3倍量好ま
しくは約0.2倍量の温水を用い、強撹拌下例えば
ミキサー・セトラー方式で洗浄温度60〜90℃、洗
浄時間又は平均滞留時間５分以上好ましくは10〜
30分で２回洗浄する方法が工業的に有利である。
第２図の如く、１回洗浄では酸成分の除去が不充
分である。
酸、安息香酸、無水フタル酸及びNQなどの重縮
合により生成する酸成分が一般的に１〜５％含ま
れるので、この酸成分をデイールス・アルダー反
応に先だち0.1％以下に処理する必要がある。こ
のNQ溶液から酸成分を除去するための処理方法
としては、一般的には溶液当り0.1〜0.3倍量好ま
しくは約0.2倍量の温水を用い、強撹拌下例えば
ミキサー・セトラー方式で洗浄温度60〜90℃、洗
浄時間又は平均滞留時間５分以上好ましくは10〜
30分で２回洗浄する方法が工業的に有利である。
第２図の如く、１回洗浄では酸成分の除去が不充
分である。
さらに必要ならば炭酸水素ナトリウム水溶液等
の弱塩基性水溶液を用いてNQ溶液を洗浄するこ
ともさらに有利である。
の弱塩基性水溶液を用いてNQ溶液を洗浄するこ
ともさらに有利である。
本発明の方法において、上記処理後のNQとBD
とのデイールス・アルダー反応は、一般には不活
性有機溶媒の20〜40％のNQ濃度、NQに対して
2.0〜2.5モル倍のBD、反応温度110〜120℃及び
反応時間2.0〜3.5時間の反応条件下で公知の方法
に従つて行なわれる。
とのデイールス・アルダー反応は、一般には不活
性有機溶媒の20〜40％のNQ濃度、NQに対して
2.0〜2.5モル倍のBD、反応温度110〜120℃及び
反応時間2.0〜3.5時間の反応条件下で公知の方法
に従つて行なわれる。
上記反応終了後、反応液中に存在する過剰の
BDを除去換言すればストリツピングするために
は、加熱し撹拌下に不活性ガス例えば水蒸気又は
窒素を反応液中に導入してBDを気化し、気化ガ
スを冷却・液化してBDを回収する。
BDを除去換言すればストリツピングするために
は、加熱し撹拌下に不活性ガス例えば水蒸気又は
窒素を反応液中に導入してBDを気化し、気化ガ
スを冷却・液化してBDを回収する。
該脱BD工程において、第１図で示されるよう
に温度100℃以上で実施する場合、THAQから
DHAHQに異性化する速度が急速に増大し、とく
に120℃以上ではこの傾向が著しい。該異性化速
度は酸の量に比例する。従つて本発明の方法では
NQ中の酸の量を0.1％以下に限定する必要があ
る。本発明の方法において、ストリツピング工程
の処理温度は120℃以下、好ましくは110℃以下よ
り選択される。このストリツピング工程の処理時
間は、加熱温度及び不活性ガスの量により限定さ
れるが、通常はデイールス・アルダー反応後の放
圧及びストリツピングの時間は通常約0.5〜1.0時
間で実施される。本発明の方法において使用され
る不活性ガスとしては、窒素又は水蒸気が有利に
用いられる。又本工程は、常圧、加圧又は減圧下
のいずれでも適宜選択しうる。
に温度100℃以上で実施する場合、THAQから
DHAHQに異性化する速度が急速に増大し、とく
に120℃以上ではこの傾向が著しい。該異性化速
度は酸の量に比例する。従つて本発明の方法では
NQ中の酸の量を0.1％以下に限定する必要があ
る。本発明の方法において、ストリツピング工程
の処理温度は120℃以下、好ましくは110℃以下よ
り選択される。このストリツピング工程の処理時
間は、加熱温度及び不活性ガスの量により限定さ
れるが、通常はデイールス・アルダー反応後の放
圧及びストリツピングの時間は通常約0.5〜1.0時
間で実施される。本発明の方法において使用され
る不活性ガスとしては、窒素又は水蒸気が有利に
用いられる。又本工程は、常圧、加圧又は減圧下
のいずれでも適宜選択しうる。
本発明の方法に用いられる有機溶媒としては、
NQとBD及び生成するTHAQに対して不活性であ
り、NQ及びTHAQに対する溶解度が大きく、常
圧又は減圧下に90℃以下の温度で留出できる溶媒
が好ましい。
NQとBD及び生成するTHAQに対して不活性であ
り、NQ及びTHAQに対する溶解度が大きく、常
圧又は減圧下に90℃以下の温度で留出できる溶媒
が好ましい。
一般には、ベンゼン、トルエン及びキシレンな
どの芳香族炭化水素並びにクロルベンゼン、ジク
ロルベンゼン、トリクロルベンゼン及びアニソー
ルなどの芳香族炭化水素誘導体が挙げられ、好ま
しくは芳香族炭化水素が有利に使用される。
どの芳香族炭化水素並びにクロルベンゼン、ジク
ロルベンゼン、トリクロルベンゼン及びアニソー
ルなどの芳香族炭化水素誘導体が挙げられ、好ま
しくは芳香族炭化水素が有利に使用される。
有機溶媒の使用量は、NQ及びTHAQの溶解度
を考慮し適宜に決定される。
を考慮し適宜に決定される。
本発明の方法において脱BDした後の反応液
は、必要ならば90℃以下の温度にて濃縮し、55〜
65重量％のTHAQ濃度に調節し、ついで10℃以
上、好ましくは30〜50℃まで冷却し晶出する。10
℃以下では得られるTHAQの純度が低下する。
晶出したTHAQの結晶は過、遠心分離機等の
公知の分離手段で分離し、ケーキ量に対して約
0.1〜0.3倍量の溶媒で洗浄し、乾燥してTHAQ結
晶を得る。
は、必要ならば90℃以下の温度にて濃縮し、55〜
65重量％のTHAQ濃度に調節し、ついで10℃以
上、好ましくは30〜50℃まで冷却し晶出する。10
℃以下では得られるTHAQの純度が低下する。
晶出したTHAQの結晶は過、遠心分離機等の
公知の分離手段で分離し、ケーキ量に対して約
0.1〜0.3倍量の溶媒で洗浄し、乾燥してTHAQ結
晶を得る。
本発明の方法において１回の工程でTHAQと
して回収される量は晶出前の反応液中のTHAQ
量の約40％程度となる。従つて該晶出結晶を分離
した後の液の一部を次の反応液に循環すること
により有利に回収率を上げるプロセスが採られる
が、この場合THAQの品位を考慮し液の系外
除去量が決定される。
して回収される量は晶出前の反応液中のTHAQ
量の約40％程度となる。従つて該晶出結晶を分離
した後の液の一部を次の反応液に循環すること
により有利に回収率を上げるプロセスが採られる
が、この場合THAQの品位を考慮し液の系外
除去量が決定される。
本発明の方法で得られるTHAQはアントラキ
ノン系の染料中間体として極めて重要であり、又
近年パルプ蒸解助剤としての新需要が開発され、
高純度（通常98％以上）のTHAQの製造法の確
立が求められている。本発明の方法は、工業的有
利に高純度THAQを製造するプロセスを提供す
るものとして重要な意義がある。
ノン系の染料中間体として極めて重要であり、又
近年パルプ蒸解助剤としての新需要が開発され、
高純度（通常98％以上）のTHAQの製造法の確
立が求められている。本発明の方法は、工業的有
利に高純度THAQを製造するプロセスを提供す
るものとして重要な意義がある。
以下、本発明の方法を実施例により具体的に説
明する。実施例の中で使用される「部」及び
「％」は特にことわりがない限り重量部及び重量
％を表わす。
明する。実施例の中で使用される「部」及び
「％」は特にことわりがない限り重量部及び重量
％を表わす。
実施例 １
ナフタレンの接触気相酸化反応生成ガスを水洗
捕集し、得られたナフトキノンを含む水性スラリ
ーにオルソキシレンを加え、加熱して約90℃で
NQを抽出して得たNQの20％溶液を、0.2部の温
水を使用し80℃強撹拌下に15分間混合し、同温度
に10分間静置し水相を分離した後、あらたに0.2
部の温水を使用し同様の洗浄操作を行なつた。得
られたNQ溶液には、NQに対して0.02％の無水フ
タル酸、0.01％のフタル酸及び0.03％の安息香酸
が含有されていた。
捕集し、得られたナフトキノンを含む水性スラリ
ーにオルソキシレンを加え、加熱して約90℃で
NQを抽出して得たNQの20％溶液を、0.2部の温
水を使用し80℃強撹拌下に15分間混合し、同温度
に10分間静置し水相を分離した後、あらたに0.2
部の温水を使用し同様の洗浄操作を行なつた。得
られたNQ溶液には、NQに対して0.02％の無水フ
タル酸、0.01％のフタル酸及び0.03％の安息香酸
が含有されていた。
該NQ溶液を減圧下にNQ濃度40％に濃縮し、該
濃縮液100部、BD33部をオートクレーブに仕込
み、反応温度120℃で2.5時間デイールス・アルダ
ー反応を行なつた。反応終了後、過剰のBDを放
圧した後、液温110℃に保ち撹拌下に窒素ガスを
吹き込み、30分間ブタジエンをストリツピングし
た。得られた反応液にはTHAQ51.7部及び
DHAQ1.8部が含まれていた。
濃縮液100部、BD33部をオートクレーブに仕込
み、反応温度120℃で2.5時間デイールス・アルダ
ー反応を行なつた。反応終了後、過剰のBDを放
圧した後、液温110℃に保ち撹拌下に窒素ガスを
吹き込み、30分間ブタジエンをストリツピングし
た。得られた反応液にはTHAQ51.7部及び
DHAQ1.8部が含まれていた。
該反応液を減圧下にヒドロアントラキノン
（THAQ＋DHAQ＋DHAHQ）濃度60％まで濃縮
し、次いで80℃から45℃まで約１時間で冷却し、
THAQを晶出させた。晶出した結晶をヌツチエ
を用いて別し、次いでヌツチエ上で４部のオル
ソキシレンを使用して過ケーキを洗浄し、含油
率22％の湿潤ケーキを得た。
（THAQ＋DHAQ＋DHAHQ）濃度60％まで濃縮
し、次いで80℃から45℃まで約１時間で冷却し、
THAQを晶出させた。晶出した結晶をヌツチエ
を用いて別し、次いでヌツチエ上で４部のオル
ソキシレンを使用して過ケーキを洗浄し、含油
率22％の湿潤ケーキを得た。
該ケーキを減圧乾燥してTHAQ22.0部を得た。
該結晶を高速液体クロマトグラフイーにより分析
した結果、THAQ94％、DHAQ4％、AQ0.5％、
不純物1.5％であつた。
該結晶を高速液体クロマトグラフイーにより分析
した結果、THAQ94％、DHAQ4％、AQ0.5％、
不純物1.5％であつた。
実施例 ２
実施例１においてオルソキシレンの代りにモノ
クロルベンゼンを用いた以外は、同様の方法によ
り反応洗浄し調製して得たデイールス・アルダー
反応液を用い減圧下にヒドロアントラキノン濃度
60％まで濃縮し、次いで45℃まで冷却し晶出した
結晶をヌツチエを用いて別した。後実施例１と
同様に処理して含油率20％の湿潤ケーキを得た。
該ケーキを減圧乾燥して結晶22.2部を得た。該結
晶の高速液体クロマトグラフイーの分析結果は
THAQ94％、DHAQ4％、AQ0.5％、不純物1.5％
であつた。
クロルベンゼンを用いた以外は、同様の方法によ
り反応洗浄し調製して得たデイールス・アルダー
反応液を用い減圧下にヒドロアントラキノン濃度
60％まで濃縮し、次いで45℃まで冷却し晶出した
結晶をヌツチエを用いて別した。後実施例１と
同様に処理して含油率20％の湿潤ケーキを得た。
該ケーキを減圧乾燥して結晶22.2部を得た。該結
晶の高速液体クロマトグラフイーの分析結果は
THAQ94％、DHAQ4％、AQ0.5％、不純物1.5％
であつた。
比較例 １
実施例１と同様にして得たNQ溶液を0.3部の温
水を使用して洗浄した。得られたNQ溶液はNQに
対して0.12％のフタル酸、0.15％の無水フタル酸
及び0.03％の安息香酸が含有されていた。該NQ
溶液を用い実施例１に従つてデイールス・アルダ
ー反応を行ない、反応終了後過剰のBDを125℃で
30分間でストリツピングし、THAQ49.3部、
DHAQ3.7部、DHAH0.5部を含有する反応液を得
た。
水を使用して洗浄した。得られたNQ溶液はNQに
対して0.12％のフタル酸、0.15％の無水フタル酸
及び0.03％の安息香酸が含有されていた。該NQ
溶液を用い実施例１に従つてデイールス・アルダ
ー反応を行ない、反応終了後過剰のBDを125℃で
30分間でストリツピングし、THAQ49.3部、
DHAQ3.7部、DHAH0.5部を含有する反応液を得
た。
該反応液を減圧下にヒドロアントラキノン濃度
60％まで濃縮し、次いで45℃まで冷却して晶出さ
せた。該結晶をヌツチエで過したが、実施例１
の場合に比べ極度に過は困難であり約10倍の
過時間を要した。又得られた過ケーキを４部の
オルソキシレンで洗浄し、含油率45％のケーキを
得た。該ケーキを乾燥し、22.4部の黒紫色の結晶
を得た。該結晶を分析した結果、THAQ85％、
DHAQ11％、AQ1％、不純物３％であつた。
60％まで濃縮し、次いで45℃まで冷却して晶出さ
せた。該結晶をヌツチエで過したが、実施例１
の場合に比べ極度に過は困難であり約10倍の
過時間を要した。又得られた過ケーキを４部の
オルソキシレンで洗浄し、含油率45％のケーキを
得た。該ケーキを乾燥し、22.4部の黒紫色の結晶
を得た。該結晶を分析した結果、THAQ85％、
DHAQ11％、AQ1％、不純物３％であつた。
第１図は、THAQ中の酸の含量が、THAQが
異性化してDHAHQを生成する速度に及ぼす影響
並びに第２図は、NQ溶液を温水洗浄する場合に
おける洗浄時間が酸（フタル酸及び無水フタル
酸）の除去に及ぼす影響及び二段洗浄による酸の
除去効果をそれぞれ表わすグラフである。但し、
第２図中の記号について、１は１段目の洗浄、２
は引続いて新しい温水で２段目の洗浄を行つたこ
とを示し、Ａ及びＢは洗浄温度80℃及び90℃であ
ることを示している。
異性化してDHAHQを生成する速度に及ぼす影響
並びに第２図は、NQ溶液を温水洗浄する場合に
おける洗浄時間が酸（フタル酸及び無水フタル
酸）の除去に及ぼす影響及び二段洗浄による酸の
除去効果をそれぞれ表わすグラフである。但し、
第２図中の記号について、１は１段目の洗浄、２
は引続いて新しい温水で２段目の洗浄を行つたこ
とを示し、Ａ及びＢは洗浄温度80℃及び90℃であ
ることを示している。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ １・４−ナフトキノンと１・３−ブタジエン
とを不活性な有機溶媒中でデイールス・アルダー
反応せしめて得られる反応液から１・４・4a・9a
−テトラヒドロアントラキノンを分離する方法に
おいて、１・４−ナフトキノンをその中に存在す
る無水フタル酸、フタル酸及び安息香酸等の酸分
の含有量を0.1重量％（対１・４−ナフトキノ
ン）以下に処理せしめたのち、該１・４−ナフト
キノンと１・３−ブタジエンとをデイールス・ア
ルダー反応せしめる工程、得られた反応液を120
℃以下で１・３−ブタジエンを除去する工程、得
られた脱ブタジエン反応液を冷却し晶出した１・
４・4a・9a−テトラヒドロアントラキノンの結晶
を分離する工程からなることを特徴とする１・
４・4a・9a−テトラヒドロアントラキノンの製造
法。 ２ ナフタレンの酸化により得られるナフトキノ
ンを原料として使用する特許請求の範囲第１項記
載の方法。 ３ 酸化反応が接触気相酸化反応である特許請求
の範囲第２項記載の方法。 ４ 有機溶媒が芳香族炭化水素及びその誘導体で
ある特許請求の範囲第１項記載の方法。 ５ １・４・4a・9a−テトラヒドロアントラキノ
ンを分離した液の一部を所定濃度に濃縮し、次
の１・３−ブタジエンを除去した反応液に循環す
る特許請求の範囲第１項記載の方法。 ６ １・４−ナフトキノン中に存在する酸分の含
有量を0.1重量％以下に処理せしめる方法が、
１・４−ナフトキノンの有機溶媒溶液を60〜90℃
で温水と強撹拌下に接触せしめ、５分間以上洗浄
した後静置分離する工程を２回以上行なうことか
らなる特許請求の範囲第１項記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12353080A JPS5748936A (en) | 1980-09-08 | 1980-09-08 | Preparation of 1,4,4a,9a-tetrahydroanthraquinone |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12353080A JPS5748936A (en) | 1980-09-08 | 1980-09-08 | Preparation of 1,4,4a,9a-tetrahydroanthraquinone |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7630586A Division JPS6289640A (ja) | 1986-04-02 | 1986-04-02 | １，４，４ａ，９ａ―テトラヒドロアントラキノンの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5748936A JPS5748936A (en) | 1982-03-20 |
| JPS6212778B2 true JPS6212778B2 (ja) | 1987-03-20 |
Family
ID=14862885
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12353080A Granted JPS5748936A (en) | 1980-09-08 | 1980-09-08 | Preparation of 1,4,4a,9a-tetrahydroanthraquinone |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5748936A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5950766A (ja) * | 1982-09-17 | 1984-03-23 | Masayo Saitou | 永久磁石自力回転原動機 |
| JPS5953435A (ja) * | 1982-09-22 | 1984-03-28 | Kawasaki Kasei Chem Ltd | １，４−ジヒドロアントラヒドロキノン又はアントラキノンの製造方法 |
-
1980
- 1980-09-08 JP JP12353080A patent/JPS5748936A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5748936A (en) | 1982-03-20 |
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