JPS62128155A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS62128155A JPS62128155A JP60268509A JP26850985A JPS62128155A JP S62128155 A JPS62128155 A JP S62128155A JP 60268509 A JP60268509 A JP 60268509A JP 26850985 A JP26850985 A JP 26850985A JP S62128155 A JPS62128155 A JP S62128155A
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- JP
- Japan
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- melting point
- glass layer
- low melting
- point glass
- lead frame
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W76/00—Containers; Fillings or auxiliary members therefor; Seals
- H10W76/60—Seals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
サーディソプパソケージのセラミックキャップが融着さ
れる領域に、チップの搭載以前に溶融順歴を持つ既溶融
ガラス層を形成しておき、封止に際し該既溶融ガラス層
を再溶融してパッケージとキャップの融着を行うことに
より、封止に際してのリードとセラミックベースとの相
対位置の動きを減少させる。
れる領域に、チップの搭載以前に溶融順歴を持つ既溶融
ガラス層を形成しておき、封止に際し該既溶融ガラス層
を再溶融してパッケージとキャップの融着を行うことに
より、封止に際してのリードとセラミックベースとの相
対位置の動きを減少させる。
本発明は半導体装置の製造方法に係り、特にサーディツ
プ型パッケージを用いる半導体装置の組立方法の改良に
関する。
プ型パッケージを用いる半導体装置の組立方法の改良に
関する。
半導体集積回路装置（ＩＣ）においては、フラットパッ
ケージ封入のものに近い信頼性を維持しながら大幅なコ
ストダウンが可能な、一般にサーディツプ型と呼ばれる
セラミックパッケージが用いられる。
ケージ封入のものに近い信頼性を維持しながら大幅なコ
ストダウンが可能な、一般にサーディツプ型と呼ばれる
セラミックパッケージが用いられる。
このサーディツプ型パッケージというのは、低融点ガラ
スを用いてチップの搭載がなされるセラミックベース上
にリードが固着され、且つ低融点ガラスを用いてセラミ
ックキャップの封着が行われる構造のパンケージである
が、このサーディンプ型パッケージで構成される半導体
ＩＣにおいては、キャップ封着に際してリードが動き、
ボンディング・ワイヤのショウトや断線が発生するとい
う問題があり、これを防止する組立方法が要望されてい
る。
スを用いてチップの搭載がなされるセラミックベース上
にリードが固着され、且つ低融点ガラスを用いてセラミ
ックキャップの封着が行われる構造のパンケージである
が、このサーディンプ型パッケージで構成される半導体
ＩＣにおいては、キャップ封着に際してリードが動き、
ボンディング・ワイヤのショウトや断線が発生するとい
う問題があり、これを防止する組立方法が要望されてい
る。
第４図は従来の１４ピンのサーディンプ型パッケージ即
ちリードフレーム付けを完了したパッケージ部（１１１
とセラミックキャップ（ｂｌの要部を示す斜視模式図で
ある。
ちリードフレーム付けを完了したパッケージ部（１１１
とセラミックキャップ（ｂｌの要部を示す斜視模式図で
ある。
同図において、ｌはセラミックベース、２は低融点ガラ
ス即ち既溶融低融点ガラス層、３はリードフレーム、４
はインナーリード、５はアウターリード、６は位置決め
孔、７はチップ搭載溝、８はチップステージ、９はセラ
ミックキャップ、１１０は低融点ガラス塗布層即ち未溶
融低融点ガラス層を示す。
ス即ち既溶融低融点ガラス層、３はリードフレーム、４
はインナーリード、５はアウターリード、６は位置決め
孔、７はチップ搭載溝、８はチップステージ、９はセラ
ミックキャップ、１１０は低融点ガラス塗布層即ち未溶
融低融点ガラス層を示す。
かかるサーディンプ型パッケージに搭載される半導体Ｉ
Ｃは、第４図と同符号を用いてその人−Ａ矢視断面を示
す工程断面図、第５図（ａｌ〜（ｅｌを参照して以下に
説明する方法によって組立られていた。
Ｃは、第４図と同符号を用いてその人−Ａ矢視断面を示
す工程断面図、第５図（ａｌ〜（ｅｌを参照して以下に
説明する方法によって組立られていた。
第５図（ａｌ参照
即ち、セラミックベース１の上面に粉末状ガラスの集合
体である未溶融低融点ガラス層１０２を塗布或いは印刷
により形成した後、図示しない所定の治具によって支持
された該セラミックベース１上にコの字形に折り曲げら
れたリードフレーム３が位置合わせされた状態で図示の
向きに搭載される。
体である未溶融低融点ガラス層１０２を塗布或いは印刷
により形成した後、図示しない所定の治具によって支持
された該セラミックベース１上にコの字形に折り曲げら
れたリードフレーム３が位置合わせされた状態で図示の
向きに搭載される。
第５図（ｂ）参照
次いで炉中で上記低融点ガラス層１０２が溶融され、セ
ラミックベース１とリードフレーム３とが熔融固化され
た既溶融低融点ガラス層２を介し、インナーリード４部
において固着される。
ラミックベース１とリードフレーム３とが熔融固化され
た既溶融低融点ガラス層２を介し、インナーリード４部
において固着される。
第５図（Ｃ１参照
次いでチップステージ８上にＩＣチップ１１を金シリコ
ン合金１２等によりろう付けした後、チップ１１の図示
しないボンディング・パッドとインナーリード４の先端
部とをワイヤボンディングする。
ン合金１２等によりろう付けした後、チップ１１の図示
しないボンディング・パッドとインナーリード４の先端
部とをワイヤボンディングする。
ここで１３はボンディング・ワイヤを示す。
第５図（ｄｌ参照
次いで上記チップ搭載の完了したパッケージ上に、封着
部に未溶融低融点ガラス層１１０を塗布又は印刷で形成
したセラミックキャップ９を図示の向きに被せる。
部に未溶融低融点ガラス層１１０を塗布又は印刷で形成
したセラミックキャップ９を図示の向きに被せる。
第５図（ｅｌ参照
そして炉中において上記低融点ガラス層１１０を）容融
させ、溶融された低融点ガラス層１１０即ち既溶融低融
点ガラス層１０を介しインナーリード４配設領域におい
て該パッケージ上にセラミックキャップ９を封着する方
法である。
させ、溶融された低融点ガラス層１１０即ち既溶融低融
点ガラス層１０を介しインナーリード４配設領域におい
て該パッケージ上にセラミックキャップ９を封着する方
法である。
しかし上記従来の組立方法によれば、キャップ封着に際
して、その温度で同じく溶融状態にある低融点ガラス層
２で固定されているベース１或いはインナーリード４が
、キャップ９に被着されている低融点ガラス層１１０の
溶融固化時の流れによって押し流されて動き、チ・７プ
１１の図示しないボンディング・パッドとインナ−リー
ド４先端部との相対位置がずれて、ボンディング・ワイ
ヤ１３の断線やショート不良を発生し、該ｒｃの製造歩
留りや信頼性を低下させるという問題があった。
して、その温度で同じく溶融状態にある低融点ガラス層
２で固定されているベース１或いはインナーリード４が
、キャップ９に被着されている低融点ガラス層１１０の
溶融固化時の流れによって押し流されて動き、チ・７プ
１１の図示しないボンディング・パッドとインナ−リー
ド４先端部との相対位置がずれて、ボンディング・ワイ
ヤ１３の断線やショート不良を発生し、該ｒｃの製造歩
留りや信頼性を低下させるという問題があった。
上記問題点は、低融点ガラス封止型セラミックパッケー
ジを用いる半導体装置の製造方法において、第１図に示
すように、 セラミックベース（１）とリードフレーム（３）が低融
点ガラス（２）によって固着されている該ベース（１）
の該リードフレーム固着部（４）を含むキャップ封着領
域上に、該ベース（１）に半導体チップを搭載する以前
に、該リードフレーム（３）の固着部（４）を埋め込む
既溶融低融点ガラス層（１４）を形成する工程と、セラ
ミックキャップ（９）を該キャツブ（９）の一面に形成
した低融点ガラス層（１０）によって該既溶融低融点ガ
ラス層（１４）上に溶着する工程とを含む本発明による
半導体装置の製造方法によって解決される。
ジを用いる半導体装置の製造方法において、第１図に示
すように、 セラミックベース（１）とリードフレーム（３）が低融
点ガラス（２）によって固着されている該ベース（１）
の該リードフレーム固着部（４）を含むキャップ封着領
域上に、該ベース（１）に半導体チップを搭載する以前
に、該リードフレーム（３）の固着部（４）を埋め込む
既溶融低融点ガラス層（１４）を形成する工程と、セラ
ミックキャップ（９）を該キャツブ（９）の一面に形成
した低融点ガラス層（１０）によって該既溶融低融点ガ
ラス層（１４）上に溶着する工程とを含む本発明による
半導体装置の製造方法によって解決される。
即ち本発明は、チップ組立が行われる前に、リードが溶
着されたセラミックベースのキャップ封着領域上に、粉
末ガラスの集合体である未溶融の低融点ガラス層を形成
し、該未溶融低融点ガラス層を溶融して該リード融着領
域上を溶融履歴を持つ既溶融低融点ガラス層で深く埋め
込んでおくことによって、キャップ封着時キャップ側に
被着されている低融点ガラス層から及ぼされる溶融応力
を該既溶融低融点ガラス層によって吸収して、ベースと
リードの相対位置変動量を減少せしめるものである。
着されたセラミックベースのキャップ封着領域上に、粉
末ガラスの集合体である未溶融の低融点ガラス層を形成
し、該未溶融低融点ガラス層を溶融して該リード融着領
域上を溶融履歴を持つ既溶融低融点ガラス層で深く埋め
込んでおくことによって、キャップ封着時キャップ側に
被着されている低融点ガラス層から及ぼされる溶融応力
を該既溶融低融点ガラス層によって吸収して、ベースと
リードの相対位置変動量を減少せしめるものである。
以下本発明を、図示実施例により具体的に説明する。
第１図（ａｌ〜（ｅｌは本発明の方法の第１の実施例の
工程断面図、第２図（ａ）〜（ｂ）は同第２の実施例の
工程断面図、第３図（ａｌ〜（ｂｌは同第３の実施例の
工程断面図である。
工程断面図、第２図（ａ）〜（ｂ）は同第２の実施例の
工程断面図、第３図（ａｌ〜（ｂｌは同第３の実施例の
工程断面図である。
全図を通じ同一対象物は、第４図、第５図と同一符合で
示す。
示す。
第１図（ａｌ参照
本発明に係るサーディンプ型半導体ＩＣの製造方法の第
１の実施例においては、先ず従来の方法に従ってセラミ
ックベース１の上面に粉末状低融点ガラスの集合体層即
ち未溶融低融点ガラス層（図示せず）を例えば１．５ｍ
ｍ程度の厚さに塗布或いは印刷方法により形成し、その
上にリードフレーム３を搭載し、４５０〜５００°Ｃ程
度に昇温された不活性ガス雰囲気炉を通して上記低融点
ガラスを溶融し、セラミックベースｌとリードフレーム
３が該リードフレーム３の内部リード４部において低融
点ガラスの既溶融層２を介し固着される。
１の実施例においては、先ず従来の方法に従ってセラミ
ックベース１の上面に粉末状低融点ガラスの集合体層即
ち未溶融低融点ガラス層（図示せず）を例えば１．５ｍ
ｍ程度の厚さに塗布或いは印刷方法により形成し、その
上にリードフレーム３を搭載し、４５０〜５００°Ｃ程
度に昇温された不活性ガス雰囲気炉を通して上記低融点
ガラスを溶融し、セラミックベースｌとリードフレーム
３が該リードフレーム３の内部リード４部において低融
点ガラスの既溶融層２を介し固着される。
（従来の第５図ｆａ）〜ｆｂ）と同一工程）第１図（ｂ
ｌ参照 次いで上記リードフレーム３のインナーリード４上を含
むセラミックベース１のキャップ封着領域上に、厚さ１
．５ｍ１程度の未溶融低融点ガラス層１１４を塗布或い
は印刷法により形成する。
ｌ参照 次いで上記リードフレーム３のインナーリード４上を含
むセラミックベース１のキャップ封着領域上に、厚さ１
．５ｍ１程度の未溶融低融点ガラス層１１４を塗布或い
は印刷法により形成する。
第１図（Ｃ１参照
次いで４５０〜５００℃程度に昇温された不活性ガス雰
囲気炉を通し上記未溶融低融点ガラス層１１４を一度溶
融し、前記リードフレーム３のインナーリード４上を含
むセラミックベース１のキャップ封着領域上に溶融履歴
を持った厚い既溶融低融点ガラス層１４を形成する。
囲気炉を通し上記未溶融低融点ガラス層１１４を一度溶
融し、前記リードフレーム３のインナーリード４上を含
むセラミックベース１のキャップ封着領域上に溶融履歴
を持った厚い既溶融低融点ガラス層１４を形成する。
この工程によりベース■とリードフレーム３を固着して
いる低融点ガラス層２は再度溶融し、前記ベース１とリ
ードフレーム３の固着工程において該固着部に生じてい
た内部応力により内部り一ド４とベースｌの相対位置は
若干変化する。そして該内部リード４は内部応力が除去
され安定した位置においてベース１上に固着される。
いる低融点ガラス層２は再度溶融し、前記ベース１とリ
ードフレーム３の固着工程において該固着部に生じてい
た内部応力により内部り一ド４とベースｌの相対位置は
若干変化する。そして該内部リード４は内部応力が除去
され安定した位置においてベース１上に固着される。
第１図Ｆｄｌ参照
次いで従来同様にチップ搭載溝７のチップステージ８上
にＩＣチップ１１を金シリコン合金等のろう材１２によ
り固着した後、該■Ｃチップ１１の図示しないボンディ
ング・バンドとインナーリード４の先端部とをワイヤボ
ンディングする。（１３はボンディング・ワイヤ） 次いで上記チップ搭載の完了したリード付きベース上に
、封着部に未溶融低融点ガラス層１１０を０．５＋＋ｎ
程度の厚さに塗布或いは印刷法で形成したセラミックキ
ャップ９を図示の向きに被せる。
にＩＣチップ１１を金シリコン合金等のろう材１２によ
り固着した後、該■Ｃチップ１１の図示しないボンディ
ング・バンドとインナーリード４の先端部とをワイヤボ
ンディングする。（１３はボンディング・ワイヤ） 次いで上記チップ搭載の完了したリード付きベース上に
、封着部に未溶融低融点ガラス層１１０を０．５＋＋ｎ
程度の厚さに塗布或いは印刷法で形成したセラミックキ
ャップ９を図示の向きに被せる。
第１図ｔｅｌ参照
そして４５０〜５００℃程度に昇温された不活性ガス雰
囲気炉を通し、上記低融点ガラス層１１０を溶融し、且
つ前記ベースｌ上の既溶融低融点ガラス層１４を再溶融
せしめて、前記チップ搭載の完了したパッケージの封着
領域に予め形成されていた既溶融低融点ガラス層１４上
に、上記低融点ガラス層１１０が溶融された低融点ガラ
ス層１０を介してセラミックキャップ９を溶着する。
囲気炉を通し、上記低融点ガラス層１１０を溶融し、且
つ前記ベースｌ上の既溶融低融点ガラス層１４を再溶融
せしめて、前記チップ搭載の完了したパッケージの封着
領域に予め形成されていた既溶融低融点ガラス層１４上
に、上記低融点ガラス層１１０が溶融された低融点ガラ
ス層１０を介してセラミックキャップ９を溶着する。
該実施例においてはリードフレーム３の内部す−ド４が
厚い既溶融低融点ガラス層１４によって埋め込まれた状
態でベースｌ上に固着されているので、このキャップ封
着に際しキャップ９に被着された低融点ガラス層１１０
が溶融する際のガラスの流れに作用されて、ベース１と
インナーリード４の相対位置が大きく変化せしめられる
ことが殆どなくなる。
厚い既溶融低融点ガラス層１４によって埋め込まれた状
態でベースｌ上に固着されているので、このキャップ封
着に際しキャップ９に被着された低融点ガラス層１１０
が溶融する際のガラスの流れに作用されて、ベース１と
インナーリード４の相対位置が大きく変化せしめられる
ことが殆どなくなる。
また、前述したようにベース１とリードフレーム３の固
着に際しての内部応力も予め除去されているので、この
点でもベース１とインナーリード４の相対位置が大きく
変動することはない。
着に際しての内部応力も予め除去されているので、この
点でもベース１とインナーリード４の相対位置が大きく
変動することはない。
従ってＩＣチップ１１のワイヤポンディングを行った後
にチップ１１とインナーリード４との相対位置が大きく
変化することがなくなり、ポンディング・ワイヤ１３の
断線やショートは防止される。
にチップ１１とインナーリード４との相対位置が大きく
変化することがなくなり、ポンディング・ワイヤ１３の
断線やショートは防止される。
第２、第３の実施例は、上記第１の実施例に対してリー
ド付きベースの形成方法、即ちベース１のキャップ封着
領域上に形成する既溶融低融点ガラス層１４の形成方法
が異なり、該既溶融低融点ガラス層１４がベース１とリ
ードフレーム３との溶着と同時に行われる。
ド付きベースの形成方法、即ちベース１のキャップ封着
領域上に形成する既溶融低融点ガラス層１４の形成方法
が異なり、該既溶融低融点ガラス層１４がベース１とリ
ードフレーム３との溶着と同時に行われる。
即ち第２の実施例においては第２図（ａｌに示すように
、リードフレーム３のインナーリード４上のキャップ封
着領域上に、厚さ１．５ｉ＋ｍ程度の未溶融低融点ガラ
ス層１１４を形成し、該リードフレーム３を、チップ搭
載孔７部を除く上面に厚さ１．５ｆｌ程度の未溶融低融
点ガラス層１０２が形成されたセラミックベース１上に
図示の向きに載せる。
、リードフレーム３のインナーリード４上のキャップ封
着領域上に、厚さ１．５ｉ＋ｍ程度の未溶融低融点ガラ
ス層１１４を形成し、該リードフレーム３を、チップ搭
載孔７部を除く上面に厚さ１．５ｆｌ程度の未溶融低融
点ガラス層１０２が形成されたセラミックベース１上に
図示の向きに載せる。
そして、前述同様の不活性雰囲気炉を通して上記未溶融
低融点ガラスＮ１０２及び１１４を熔融せしめ、第２図
（ｂ）に示すように、リードフレーム３がインナーリー
ド４部で既溶融低融点ガラス層２によってセラミックベ
ース１上に固定され、且つインナーリード４のキャップ
封着領域上に厚い既溶融低融点ガラスＮ１４を有するリ
ード付きベースが形成される。
低融点ガラスＮ１０２及び１１４を熔融せしめ、第２図
（ｂ）に示すように、リードフレーム３がインナーリー
ド４部で既溶融低融点ガラス層２によってセラミックベ
ース１上に固定され、且つインナーリード４のキャップ
封着領域上に厚い既溶融低融点ガラスＮ１４を有するリ
ード付きベースが形成される。
また第３の実施例においては第３図（ａ）に示すように
、リードフレーム３のインナーリード４の下面に厚さ１
．５鶴程度の未溶融低融点ガラス層１０２を形成し、イ
ンナ−リード４上面のキャップ封着領域上に厚さ１．５
部程度の未溶融低融点ガラス層１１４を形成した後、該
リードフレーム３を図示の方向にセラミックベース１上
に搭載する。
、リードフレーム３のインナーリード４の下面に厚さ１
．５鶴程度の未溶融低融点ガラス層１０２を形成し、イ
ンナ−リード４上面のキャップ封着領域上に厚さ１．５
部程度の未溶融低融点ガラス層１１４を形成した後、該
リードフレーム３を図示の方向にセラミックベース１上
に搭載する。
そして前述同様の不活性雰囲気炉を通して上記未溶融低
融点ガラス層１０２及び１１４を溶融せしめ、第３図（
ｂｌに示すように、リードフレーム３がインナーリード
４部で既溶融低融点ガラス層２によってセラミックベー
スｌ上に固定され、且つインナーリード４のキャップ封
着領域上に厚い既溶融低融点ガラス層１４を有するリー
ド付きベースを形成する。
融点ガラス層１０２及び１１４を溶融せしめ、第３図（
ｂｌに示すように、リードフレーム３がインナーリード
４部で既溶融低融点ガラス層２によってセラミックベー
スｌ上に固定され、且つインナーリード４のキャップ封
着領域上に厚い既溶融低融点ガラス層１４を有するリー
ド付きベースを形成する。
なお以上の実施例においては、インナーリード４上に該
インナーリード４を埋め込む状態に形成する既溶融低融
点ガラス層１４が、塗布或いは印刷によって形成した未
溶融低融点ガラス層１１４を溶融して形成されたが、こ
の既溶融低融点ガラス層１４はリードフレームとセラミ
ックベースの固着が終わった後、インナーリード４の上
部を含むベース１上に未溶融低融点ガラスを焼結して形
成したガラス枠を搭載し、これを溶融することによって
形成してもよい。
インナーリード４を埋め込む状態に形成する既溶融低融
点ガラス層１４が、塗布或いは印刷によって形成した未
溶融低融点ガラス層１１４を溶融して形成されたが、こ
の既溶融低融点ガラス層１４はリードフレームとセラミ
ックベースの固着が終わった後、インナーリード４の上
部を含むベース１上に未溶融低融点ガラスを焼結して形
成したガラス枠を搭載し、これを溶融することによって
形成してもよい。
以上説明のように本発明によれば、サーディツプ構造の
パッケージを用いる半導体装置の封止を行うに際して、
該パッケージ内に搭載された半導体チップと該パッケー
ジのインナーリードとの相対位置が大きく変動すること
がなくなるので、該半導体チップとインナーリードとを
接続するポンディング・ワイヤの断線やショートが防止
され、該サーディツプ構造のパッケージを用いる半導体
装置の製造歩留り及び信頼性が向上する。
パッケージを用いる半導体装置の封止を行うに際して、
該パッケージ内に搭載された半導体チップと該パッケー
ジのインナーリードとの相対位置が大きく変動すること
がなくなるので、該半導体チップとインナーリードとを
接続するポンディング・ワイヤの断線やショートが防止
され、該サーディツプ構造のパッケージを用いる半導体
装置の製造歩留り及び信頼性が向上する。
第１図（ａｌ〜（Ｃ）は本発明の方法の第１の実施例の
工程断面図、 第２図（ａ）〜（ｂ）は同第２の実施例の工程断面図、
第３図（ａ）〜（ｂ）は同第３の実施例の工程断面図、
第４図は従来のサーディツプパッケージの要部斜視図、 第５図ｆａ）〜（ｅｌは従来の組立方法の工程断面図で
ある。 図において、 １はセラミックベース、 ２は低融点ガラス溶融層、 ３はリードフレーム、 ４はインナーリード、 ５はアウターリード、 ６は位置決め孔、 ７はチップ搭載溝、 ８はチップステージ・ ９はセラミックキャップ、 １０、１４は既溶融低融点ガラス層、 １１は半導体チップ、 １２はろう材、 １３はボンディング・ワイヤ、 １０２、１１０．１１４は未溶融低融点ガラス層、を示
す。
工程断面図、 第２図（ａ）〜（ｂ）は同第２の実施例の工程断面図、
第３図（ａ）〜（ｂ）は同第３の実施例の工程断面図、
第４図は従来のサーディツプパッケージの要部斜視図、 第５図ｆａ）〜（ｅｌは従来の組立方法の工程断面図で
ある。 図において、 １はセラミックベース、 ２は低融点ガラス溶融層、 ３はリードフレーム、 ４はインナーリード、 ５はアウターリード、 ６は位置決め孔、 ７はチップ搭載溝、 ８はチップステージ・ ９はセラミックキャップ、 １０、１４は既溶融低融点ガラス層、 １１は半導体チップ、 １２はろう材、 １３はボンディング・ワイヤ、 １０２、１１０．１１４は未溶融低融点ガラス層、を示
す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 低融点ガラス封止型セラミックパッケージを用いる半導
体装置の製造方法において、 セラミックベース（１）とリードフレーム（３）が低融
点ガラス（２）によって固着されている該ベース（１）
の該リードフレーム固着部（４）を含むキャップ封着領
域上に、 該ベース（１）に半導体チップを搭載する以前に、該リ
ードフレーム（３）の固着部（４）を埋め込む既溶融低
融点ガラス層（１４）を形成する工程と、セラミックキ
ャップ（９）を該キャップ（９）の一面に形成した低融
点ガラス層（１０）によって該既溶融低融点ガラス層（
１４）上に溶着する工程とを含むことを特徴とする半導
体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60268509A JPS62128155A (ja) | 1985-11-29 | 1985-11-29 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60268509A JPS62128155A (ja) | 1985-11-29 | 1985-11-29 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62128155A true JPS62128155A (ja) | 1987-06-10 |
Family
ID=17459492
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60268509A Pending JPS62128155A (ja) | 1985-11-29 | 1985-11-29 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62128155A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS515275A (en) * | 1974-07-02 | 1976-01-16 | Tsukishima Kikai Co | Ryudonetsubaitaino junkanryoseigyohoho |
| JPS5446477A (en) * | 1977-09-19 | 1979-04-12 | Nec Corp | Glass-sealed semiconductor device |
| JPS58107655A (ja) * | 1981-12-21 | 1983-06-27 | Nec Corp | ガラス封止型ｉｃ容器 |
| JPS60182748A (ja) * | 1984-02-29 | 1985-09-18 | Fujitsu Ltd | 半導体装置のパツケ−ジおよびその組立方法 |
-
1985
- 1985-11-29 JP JP60268509A patent/JPS62128155A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS515275A (en) * | 1974-07-02 | 1976-01-16 | Tsukishima Kikai Co | Ryudonetsubaitaino junkanryoseigyohoho |
| JPS5446477A (en) * | 1977-09-19 | 1979-04-12 | Nec Corp | Glass-sealed semiconductor device |
| JPS58107655A (ja) * | 1981-12-21 | 1983-06-27 | Nec Corp | ガラス封止型ｉｃ容器 |
| JPS60182748A (ja) * | 1984-02-29 | 1985-09-18 | Fujitsu Ltd | 半導体装置のパツケ−ジおよびその組立方法 |
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