JPS62128574A - 光導電素子 - Google Patents
光導電素子Info
- Publication number
- JPS62128574A JPS62128574A JP60269715A JP26971585A JPS62128574A JP S62128574 A JPS62128574 A JP S62128574A JP 60269715 A JP60269715 A JP 60269715A JP 26971585 A JP26971585 A JP 26971585A JP S62128574 A JPS62128574 A JP S62128574A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- doping
- film
- pbo
- region
- wavelength light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は撮像管などの光電変換素子詳しくは高解滓度を
有する光導電膜を備えた光導電素子に関するものである
。
有する光導電膜を備えた光導電素子に関するものである
。
従来の技術
従来、酸化鉛（以下ｐｂｏと略称する）を主体とした光
導電膜は第３図に示す様に透明電極膜（以下ネサ膜と略
称する）１１を塗布したガラス基板１０を所定の温度に
保ち白金ボートにセットした所定量のｐｂｏ粉末を水素
化合物ガスと酸素（以下０□と略称する）との混合雰囲
気中にて所定のボート温度で真空蒸着していた０この段
階においてネサ膜１１とＰｂＯ膜との接合部分にＮ型領
域１２を形成し、この接合部分以外のｐｂｏでは工型領
域１３が形成されている。ｐｂｏ ６真空蒸着した後、
長波長光吸収領域１４を設ける為に硫化水素又はセレン
化水素（以下、それぞれＨ２Ｓ ＋ Ｈ２Ｓ５ と略称
する。）ガスを導入し元学的禁制帯幅企池の・領域に比
べて狭くする。最終工程としてＰ型頭域１５を設ける為
に酸素イオンを膜裏面に注入して同図Ｂのバンド図に示
す様なＰＩＮ構造としていた（例えば、特公昭４２−１
２０９８号公報）。
導電膜は第３図に示す様に透明電極膜（以下ネサ膜と略
称する）１１を塗布したガラス基板１０を所定の温度に
保ち白金ボートにセットした所定量のｐｂｏ粉末を水素
化合物ガスと酸素（以下０□と略称する）との混合雰囲
気中にて所定のボート温度で真空蒸着していた０この段
階においてネサ膜１１とＰｂＯ膜との接合部分にＮ型領
域１２を形成し、この接合部分以外のｐｂｏでは工型領
域１３が形成されている。ｐｂｏ ６真空蒸着した後、
長波長光吸収領域１４を設ける為に硫化水素又はセレン
化水素（以下、それぞれＨ２Ｓ ＋ Ｈ２Ｓ５ と略称
する。）ガスを導入し元学的禁制帯幅企池の・領域に比
べて狭くする。最終工程としてＰ型頭域１５を設ける為
に酸素イオンを膜裏面に注入して同図Ｂのバンド図に示
す様なＰＩＮ構造としていた（例えば、特公昭４２−１
２０９８号公報）。
発明が解決しようとする問題点
この場合、長波長光の吸収領域がＰｂＯ膜の裏面にて設
けられておりネサ膜側から入射してきた光は膜内におい
て散乱される。しかし、この膜内の光散乱は光吸収領域
が膜厚方向においてネサ膜から遠い程大きなものとなり
、赤色光の様な長波長光において顕著となる。この様な
光導電膜をイメージセンナとして利用する場合、一般に
赤色入射光の方が青色光照射時に比べて解ｆ象度が低い
という問題が生じる。この理由として青色光は赤色光に
較べてＩｌｌ内への侵入距離が短かい為、膜内の光散乱
の度合が比較的小さい状態で吸収されてしまうのに対し
赤色光は侵入距離が長いので膜内で光散乱の影響を強く
受けるため、赤色光による光学［象がボケた状態で嘆に
吸収される事が第一に挙げられる。
けられておりネサ膜側から入射してきた光は膜内におい
て散乱される。しかし、この膜内の光散乱は光吸収領域
が膜厚方向においてネサ膜から遠い程大きなものとなり
、赤色光の様な長波長光において顕著となる。この様な
光導電膜をイメージセンナとして利用する場合、一般に
赤色入射光の方が青色光照射時に比べて解ｆ象度が低い
という問題が生じる。この理由として青色光は赤色光に
較べてＩｌｌ内への侵入距離が短かい為、膜内の光散乱
の度合が比較的小さい状態で吸収されてしまうのに対し
赤色光は侵入距離が長いので膜内で光散乱の影響を強く
受けるため、赤色光による光学［象がボケた状態で嘆に
吸収される事が第一に挙げられる。
この開−は膜厚を薄くすると解決されるという事は容易
に推察されうるが、薄くした事により赤色光感度が不足
するだけでなく容量性残１象の劣化をもたらす。
に推察されうるが、薄くした事により赤色光感度が不足
するだけでなく容量性残１象の劣化をもたらす。
本発明はかかる点を鑑み、他の特性を劣化させる事な（
ＰｂＯ膜内の長波長光散乱を軽減して解像度の高い光導
電膜を備えた光導電素子と提供するものである。
ＰｂＯ膜内の長波長光散乱を軽減して解像度の高い光導
電膜を備えた光導電素子と提供するものである。
問題点を解決するための手段
本発明は上記問題点を解決する手段として従来の製造方
法に加えネサ膿近傍のＰｂＯ膜に長波長光吸収領域を設
ける為に従来の方法で薄いＰｂＯの第一層を蒸着し、次
にＨ２Ｓ又はＨ，Ｓｅ等の水素化合物ガスドープを行な
うかもしくは光学的禁制帯幅の狭い材料〔例えば硫化鉛
又はテルル化鉛（以下それぞれＰｂＳ、 ＰｂＴｅ
と略称する。）〕？蒸着して長波長光吸収領域を設ける
。次（で従来の製造方法に基づき再びｐｂｏの第二層全
蒸着してＰＩＮ構造とする。
法に加えネサ膿近傍のＰｂＯ膜に長波長光吸収領域を設
ける為に従来の方法で薄いＰｂＯの第一層を蒸着し、次
にＨ２Ｓ又はＨ，Ｓｅ等の水素化合物ガスドープを行な
うかもしくは光学的禁制帯幅の狭い材料〔例えば硫化鉛
又はテルル化鉛（以下それぞれＰｂＳ、 ＰｂＴｅ
と略称する。）〕？蒸着して長波長光吸収領域を設ける
。次（で従来の製造方法に基づき再びｐｂｏの第二層全
蒸着してＰＩＮ構造とする。
作用
本発明は上記した構成によりネサ膜近（労に設けた長波
長光吸収領域により可視光域において膜内侵入距離が長
い成分の入射光を膜の入射元側で吸収して膜内光散乱？
軽減し、同散乱による解１象度限界を向上させる効果を
有する。
長光吸収領域により可視光域において膜内侵入距離が長
い成分の入射光を膜の入射元側で吸収して膜内光散乱？
軽減し、同散乱による解１象度限界を向上させる効果を
有する。
実施例
以下に本発明の詳細な説明する。
（実施例１）
第１図は本発明の一実梅例における光導電素子の光導電
膜の構成図で、同図（Ａ）は膜構造の断面図を示し、同
図（Ｂ）にはそのバンド図を示す。第１図（Ａ）におい
て１はガラス基板、２はネサ膜である。
膜の構成図で、同図（Ａ）は膜構造の断面図を示し、同
図（Ｂ）にはそのバンド図を示す。第１図（Ａ）におい
て１はガラス基板、２はネサ膜である。
（以下、ネサ膜を塗布したガラス基板をターゲットと略
称する。）先ずターゲラ） ｉ ＰｂＯ粉末を白金ボー
トにセットした真空容器にセットする。同容器内部を真
空にしてガス出しを行なった後、ターゲットを所定の温
度に保つ。真空度が〜１ｏ−７Ｔｏｒｒ 台になると０
゜カスと水素化合物ガスとを所定の分圧比で導入し０２
と水素化合物ガスのガス雰囲気に保った後に白金ボート
’に室温から昇温する○白金ボート温度が所定の温度に
達するとシャッター？開いて蒸着を開始する。膜厚にし
て１〜２μｍ程度蒸着した後に白金ボート温度を室温ま
で下げ、同時にガス導入を中止し、ターゲット温度も室
温に戻して再び高真空状態にする。この状態においてＰ
ｂＯの第一層３〜６（３はネサ膜との接合部であるＮ型
領域、４は工型領域、６は後述するＳ、ドープ領域）が
ターゲット上に形成されている０次にＨ２ＳやＨ２Ｓ５
等の水素化合物ガスを真空度にして１０−５Ｔｏｒｒ台
まで導入し、１２σ間放置する（以下Ｓ１ドープ〔〜１
ｏ−５Ｔｏｒｒ×１２σ′〕と略称する）０この際、Ｐ
ｂＯの第一層の裏面部５はＳｌ ドープにより高濃度の
Ｓが含有されており、同部分の光学的禁制帯幅はＳ、ド
ープ無しで蒸着した従来膜に較べて狭くなっている。こ
の領域５が長波長光吸収領域である。
称する。）先ずターゲラ） ｉ ＰｂＯ粉末を白金ボー
トにセットした真空容器にセットする。同容器内部を真
空にしてガス出しを行なった後、ターゲットを所定の温
度に保つ。真空度が〜１ｏ−７Ｔｏｒｒ 台になると０
゜カスと水素化合物ガスとを所定の分圧比で導入し０２
と水素化合物ガスのガス雰囲気に保った後に白金ボート
’に室温から昇温する○白金ボート温度が所定の温度に
達するとシャッター？開いて蒸着を開始する。膜厚にし
て１〜２μｍ程度蒸着した後に白金ボート温度を室温ま
で下げ、同時にガス導入を中止し、ターゲット温度も室
温に戻して再び高真空状態にする。この状態においてＰ
ｂＯの第一層３〜６（３はネサ膜との接合部であるＮ型
領域、４は工型領域、６は後述するＳ、ドープ領域）が
ターゲット上に形成されている０次にＨ２ＳやＨ２Ｓ５
等の水素化合物ガスを真空度にして１０−５Ｔｏｒｒ台
まで導入し、１２σ間放置する（以下Ｓ１ドープ〔〜１
ｏ−５Ｔｏｒｒ×１２σ′〕と略称する）０この際、Ｐ
ｂＯの第一層の裏面部５はＳｌ ドープにより高濃度の
Ｓが含有されており、同部分の光学的禁制帯幅はＳ、ド
ープ無しで蒸着した従来膜に較べて狭くなっている。こ
の領域５が長波長光吸収領域である。
Ｓｌ ドープを行なった後、Ｈ２Ｓ ’？Ｐ Ｈ２Ｓ
ｅ等の水素化合物ガスの導入全中止して再び前述した工
程と同様にｐｂｏの第二層目６〜８（６はＩ型領域、７
は後述するＳ２ドープ領域、８は後述する０２放電によ
るＰ型領域）ｆｔ形成する。次に０２及び水素化合物ガ
スの導入全土めて再び高真空にし、ターゲット温度も室
温に戻す。
ｅ等の水素化合物ガスの導入全中止して再び前述した工
程と同様にｐｂｏの第二層目６〜８（６はＩ型領域、７
は後述するＳ２ドープ領域、８は後述する０２放電によ
るＰ型領域）ｆｔ形成する。次に０２及び水素化合物ガ
スの導入全土めて再び高真空にし、ターゲット温度も室
温に戻す。
次にＳ、ドープと同じ要領でＨ２ＳやＨ２Ｓ５等の水素
化合物ガスをドーピングする。これｋｓ２ ドープと呼
ぶ事にする。Ｓ２ドープは通常工程で行なうドーピング
であり、〜１Ｏ−５Ｔｏｒｒ台、４分３０秒放置の条件
で行なう。（Ｓ２ドープ〔〜１ｄ−５Ｔｏｒｒ Ｘ ４
’ ３０“〕と略称する。）このＳ２ドープと行なった
領域７は膜内電界分布のバランスを保ち、かつＳｌ
ドープ領域６で吸収しきれなかった長波長光成分全吸収
する役目を担うが、Ｓｌ ドープだけでも解１象度向
上には有効である。
化合物ガスをドーピングする。これｋｓ２ ドープと呼
ぶ事にする。Ｓ２ドープは通常工程で行なうドーピング
であり、〜１Ｏ−５Ｔｏｒｒ台、４分３０秒放置の条件
で行なう。（Ｓ２ドープ〔〜１ｄ−５Ｔｏｒｒ Ｘ ４
’ ３０“〕と略称する。）このＳ２ドープと行なった
領域７は膜内電界分布のバランスを保ち、かつＳｌ
ドープ領域６で吸収しきれなかった長波長光成分全吸収
する役目を担うが、Ｓｌ ドープだけでも解１象度向
上には有効である。
Ｓ２ ドープ終了後、最終工程である０２イオンの注
入を行なう。真空容器？再び高真空に保ち、ターゲット
温度も室温のま１で０□ガスを導入し酸素雰囲気に保つ
。膜厚方向に高圧のＤＣバイアス金印加してイオン化し
た０２イオン２ ｐｂｏ膜裏面に注入する。注入された
領域７は酸素過剰のｐｂ。
入を行なう。真空容器？再び高真空に保ち、ターゲット
温度も室温のま１で０□ガスを導入し酸素雰囲気に保つ
。膜厚方向に高圧のＤＣバイアス金印加してイオン化し
た０２イオン２ ｐｂｏ膜裏面に注入する。注入された
領域７は酸素過剰のｐｂ。
領域であるのでＰ型になっている。
この様にしてネサ膜との接合領域３に形成されたＮ型、
第二層６に形成された１型、そして０２放電領域７によ
り形成されたＰ型によりＰＩＮ構造を有する光電変換素
子は長波長光吸収領域であるＳ、ドープ細繊６を設ける
事により高い変調度と有する。全膜厚は約１０μｍであ
る。（以下Ｓ１とＳ２のドープを施した膜をＳダブルド
−１膜と略称する。） 第３図には比較の為、従来の方法で形成された光導電膜
の構成図を示す。同図（ム）は膜構造の断面図を示し、
同図（Ｂ）にはそのバンド図を示す。同図において第１
図と異なる点は長波長光吸収領域６を前面に設けていな
い事である。） 第２図にはＳダブルドーグ膜の２次イオン質量分析（以
下ＳＩＭＳ分析と略称する）の結果金示す。同図はｐｂ
ｏ及びＳの含有量の膜厚方向の分布を与えるもので縦軸
に含有量に相当する信号強度、横軸に膜裏面から測定し
た深さを示す。ｒ及びｐｂｃｒ共に激減している所がネ
サ膜との接合部であり、膜厚？意味する０同図よりＳ、
及びＳ２ドープのピークが明らかに認められる。
第二層６に形成された１型、そして０２放電領域７によ
り形成されたＰ型によりＰＩＮ構造を有する光電変換素
子は長波長光吸収領域であるＳ、ドープ細繊６を設ける
事により高い変調度と有する。全膜厚は約１０μｍであ
る。（以下Ｓ１とＳ２のドープを施した膜をＳダブルド
−１膜と略称する。） 第３図には比較の為、従来の方法で形成された光導電膜
の構成図を示す。同図（ム）は膜構造の断面図を示し、
同図（Ｂ）にはそのバンド図を示す。同図において第１
図と異なる点は長波長光吸収領域６を前面に設けていな
い事である。） 第２図にはＳダブルドーグ膜の２次イオン質量分析（以
下ＳＩＭＳ分析と略称する）の結果金示す。同図はｐｂ
ｏ及びＳの含有量の膜厚方向の分布を与えるもので縦軸
に含有量に相当する信号強度、横軸に膜裏面から測定し
た深さを示す。ｒ及びｐｂｃｒ共に激減している所がネ
サ膜との接合部であり、膜厚？意味する０同図よりＳ、
及びＳ２ドープのピークが明らかに認められる。
第４図には従来膜のＳＩＭＳ分析結果を示す。
Ｓダブルドープ膜で認められた様なＳ、ドープのピーク
はなくＳ２ドープのピークだけが認められる。
はなくＳ２ドープのピークだけが認められる。
この様にして形成された光導電膜を始吋の撮像管ターゲ
ットとして用いた場合の変調度を従来膜の場合と比較し
たのが次に示す第１表である。
ットとして用いた場合の変調度を従来膜の場合と比較し
たのが次に示す第１表である。
（以 下 余 白 ）
第１表
暗電流値からも判る様にＳダブルドープ膜は良好な阻止
特性を示していた。同表から変調度は赤色光で３２チが
４膜％、緑色光で４１％が５０チと大きく向上したのが
判る。
特性を示していた。同表から変調度は赤色光で３２チが
４膜％、緑色光で４１％が５０チと大きく向上したのが
判る。
又、他の緒特性は従来膜の場合と比改して支障はなく安
定性も優れている事は言うまでもない。
定性も優れている事は言うまでもない。
（実施例２）
次に、他の実施例としてＳｌ ドープの所要時間以外
えた場合の実施例を示す。この場合、Ｓ１ドープの所要
時間以外の項目については総て先の実施例の場合と同様
である。
えた場合の実施例を示す。この場合、Ｓ１ドープの所要
時間以外の項目については総て先の実施例の場合と同様
である。
この実施例２ではＳ、ドープの所要時間’ｊｚ ６０’
及び９０′にして形成した膜を％吋撮（象管ターゲット
として用いた場合の結果を第２表に示す。同表より先の
実施例１と同様、良好な阻止特性を有した高変調度膜が
得られている事が判る。
及び９０′にして形成した膜を％吋撮（象管ターゲット
として用いた場合の結果を第２表に示す。同表より先の
実施例１と同様、良好な阻止特性を有した高変調度膜が
得られている事が判る。
（以 下 余 白 ）
（実施例３）
実施例３ではＳ、ドープの所要時間だけでなくＨ２Ｓ又
はＨ２Ｓ５等の水素化合物ガス圧を変えた場合について
示す。次に示す第３表では８１ドープが〔Ｑ・３１×１
Ｃ５ＴＯｒｒ×３Ｑ″〕、〔０，１７×１０ ”’ＴＭ
ｒ’ ”○′〕及び〔○、ｓ １ｘ １０’ＴｏｒｒＸ
６Ｑ′〕の３条件で形成した試料についての結果と従来
膜の場合と比較して示しである。
はＨ２Ｓ５等の水素化合物ガス圧を変えた場合について
示す。次に示す第３表では８１ドープが〔Ｑ・３１×１
Ｃ５ＴＯｒｒ×３Ｑ″〕、〔０，１７×１０ ”’ＴＭ
ｒ’ ”○′〕及び〔○、ｓ １ｘ １０’ＴｏｒｒＸ
６Ｑ′〕の３条件で形成した試料についての結果と従来
膜の場合と比較して示しである。
本実施例においても実施例２と同様Ｓ、ドープ工程の他
は総て実施例１と同様である。同表より良好な阻止特性
を有した高変調匿膜が得られている事が判る。
は総て実施例１と同様である。同表より良好な阻止特性
を有した高変調匿膜が得られている事が判る。
尚、これらの実施例においてＨ２ＳやＨ２Ｓｅ等の水素
化合物ガスのドープの代りに別に設けたボートからＰｂ
Ｓ 、 ＰｂＴｅやＰｂ５ｅ 等光学的禁制帯幅が狭い
材料を蒸着しても同様の効果が得られることは言うまで
もない。
化合物ガスのドープの代りに別に設けたボートからＰｂ
Ｓ 、 ＰｂＴｅやＰｂ５ｅ 等光学的禁制帯幅が狭い
材料を蒸着しても同様の効果が得られることは言うまで
もない。
発明の効果
以上、本発明はＰｂＯ光導電極を高解鐵度イメージセン
サ−として応用する際に問題とされる長波長光の膜内光
散乱に起因する解１象度限界を向上させる手段として長
波長光吸収領域を従来法による膜裏面だけでなく膜の前
方部分に新たに形成する事により解像度の向上を実現さ
せうる方法を提供するものであり来たるべき高品位時代
に対応しうる極めて有効な方法である。
サ−として応用する際に問題とされる長波長光の膜内光
散乱に起因する解１象度限界を向上させる手段として長
波長光吸収領域を従来法による膜裏面だけでなく膜の前
方部分に新たに形成する事により解像度の向上を実現さ
せうる方法を提供するものであり来たるべき高品位時代
に対応しうる極めて有効な方法である。
第１図（Ａ）は本発明の一実施例における光導電素子の
Ｓダブルドープを施したＰｂＯ膜の構成図、第１図（Ｂ
）はそのバンド図、第２図は本実施例におけるＳダブル
ドープ膜のＳＩＭＳ分析結果を示す特性図、第３図（Ａ
）は従来の光導電素子におけるＳ２ドープだけが怖され
たＰｂＯ嘆の構成図、第３図（Ｂ）はそのバンド図、第
４図は従来例におけるＳ２ドープ膜のｆｓ工Ｍｓ分析結
果を示す特性図である。 １・・・・・・ガラス基板、２・・・・・・透明電極、
３・・・・・・ＰｂＯ第一層接合部（Ｎ型）、４・・・
・・・ＰｂＯ第一層（１型）、５・・・・・・ＰｂＯ第
一層（Ｓ、ドープ部）、６・・・・・・ｐｂｏ第二層（
Ｉ型）、７・・・・・・ｐｂｏ第二層（Ｓ２ド一プ部）
、８・・・・・・ｐｂｏ第二層１０２放電部（Ｐ型）０ 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名Ｉ−
“１“う、２ＪＪ￥ ２−・値１１電き ３−−− ＰｂＯ’ｌ’−”葎ｅＭ （Ｎ Ｗ ）ｃ−
ｐｂｂ １Ａ＝４ （ｒ ｔ＋ ７−−・・（５，ドー７°舒ン ８−−− ・・ＤｔＷｉｔ舒（Ｐ’１Ｊｑ−−−フ
ェルＳイ３女 ！−−−＼打先 （ハ） 第２図 Ｄ Ｅ Ｐ Ｔ Ｈ＜ｎｍ− ノＯ−−η゛う２３＝５１【 ｆ３−−−ｐｂＱ〆エシ ｆ４“−−Ｉ・１″Ｓ、＞−ブｉｌｌフ＠４図 ＤＥＰＴＨＰＲＯＦｒＬＥ ＤＥＰＴＨ（ｎｍ＋
Ｓダブルドープを施したＰｂＯ膜の構成図、第１図（Ｂ
）はそのバンド図、第２図は本実施例におけるＳダブル
ドープ膜のＳＩＭＳ分析結果を示す特性図、第３図（Ａ
）は従来の光導電素子におけるＳ２ドープだけが怖され
たＰｂＯ嘆の構成図、第３図（Ｂ）はそのバンド図、第
４図は従来例におけるＳ２ドープ膜のｆｓ工Ｍｓ分析結
果を示す特性図である。 １・・・・・・ガラス基板、２・・・・・・透明電極、
３・・・・・・ＰｂＯ第一層接合部（Ｎ型）、４・・・
・・・ＰｂＯ第一層（１型）、５・・・・・・ＰｂＯ第
一層（Ｓ、ドープ部）、６・・・・・・ｐｂｏ第二層（
Ｉ型）、７・・・・・・ｐｂｏ第二層（Ｓ２ド一プ部）
、８・・・・・・ｐｂｏ第二層１０２放電部（Ｐ型）０ 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名Ｉ−
“１“う、２ＪＪ￥ ２−・値１１電き ３−−− ＰｂＯ’ｌ’−”葎ｅＭ （Ｎ Ｗ ）ｃ−
ｐｂｂ １Ａ＝４ （ｒ ｔ＋ ７−−・・（５，ドー７°舒ン ８−−− ・・ＤｔＷｉｔ舒（Ｐ’１Ｊｑ−−−フ
ェルＳイ３女 ！−−−＼打先 （ハ） 第２図 Ｄ Ｅ Ｐ Ｔ Ｈ＜ｎｍ− ノＯ−−η゛う２３＝５１【 ｆ３−−−ｐｂＱ〆エシ ｆ４“−−Ｉ・１″Ｓ、＞−ブｉｌｌフ＠４図 ＤＥＰＴＨＰＲＯＦｒＬＥ ＤＥＰＴＨ（ｎｍ＋
Claims (1)
- 酸化鉛を主体とし長波長光吸収領域を光入射側表面近傍
に設けた光導電体薄膜を有してなる光導電素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60269715A JPS62128574A (ja) | 1985-11-29 | 1985-11-29 | 光導電素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60269715A JPS62128574A (ja) | 1985-11-29 | 1985-11-29 | 光導電素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62128574A true JPS62128574A (ja) | 1987-06-10 |
| JPH0556873B2 JPH0556873B2 (ja) | 1993-08-20 |
Family
ID=17476158
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60269715A Granted JPS62128574A (ja) | 1985-11-29 | 1985-11-29 | 光導電素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62128574A (ja) |
-
1985
- 1985-11-29 JP JP60269715A patent/JPS62128574A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0556873B2 (ja) | 1993-08-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE3318852C2 (de) | Photodetektor und Verfahren zu seiner Herstellung | |
| JPS62128574A (ja) | 光導電素子 | |
| JP6662874B2 (ja) | 薄膜太陽電池のための層構造及びその製造方法 | |
| DE2644001C2 (de) | Photoelektrische Anordnung | |
| FR2881881A1 (fr) | Dispositif photovoltaique solide a configuration interpenetree comprenant de nouveaux absorbeurs ou materiaux semi-conducteurs | |
| JPH0480497B2 (ja) | ||
| Raoult et al. | Toward a highly efficient large surface Perovskite Silicon 4-Terminal tandem module | |
| McGibbon et al. | Photocurrents in simple polymer systems. II | |
| JPH08262476A (ja) | 光書込み型液晶素子 | |
| JPS645740B2 (ja) | ||
| JPS6334580B2 (ja) | ||
| JPS58142582A (ja) | 非晶質水素化シリコン光導電膜 | |
| JPH0129297B2 (ja) | ||
| JPS5934675A (ja) | 受光素子 | |
| JPS5918685A (ja) | 光電変換素子の製造方法 | |
| JP2744616B2 (ja) | 赤外線ビジコンのターゲット及びその製造方法 | |
| Sharma et al. | Study of anomalous photovoltaic effect in vacuum‐deposited wedge‐shaped CdTe films | |
| FR2551562A1 (ja) | ||
| JPS6319738A (ja) | 撮像管タ−ゲツト | |
| JP3006749B2 (ja) | 空間光変調素子 | |
| JPH05225905A (ja) | 非晶質セレンを主体とする光導電膜形成方法 | |
| JPS6350912B2 (ja) | ||
| JPH01192177A (ja) | 受光素子の製造方法 | |
| JPS59132538A (ja) | 撮像管タ−ゲツトの形成方法 | |
| JPS63456A (ja) | 太陽電池用透明導岩膜の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |