JPS6213112A - 混成集積回路 - Google Patents
混成集積回路Info
- Publication number
- JPS6213112A JPS6213112A JP60152662A JP15266285A JPS6213112A JP S6213112 A JPS6213112 A JP S6213112A JP 60152662 A JP60152662 A JP 60152662A JP 15266285 A JP15266285 A JP 15266285A JP S6213112 A JPS6213112 A JP S6213112A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stage
- hybrid integrated
- integrated circuit
- shield plate
- transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Microwave Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はＵＨＦ帯の信号増幅が可能な電力増幅器を集積
化した混成集積回路に関するものである。
化した混成集積回路に関するものである。
従来の技術
近年、混成集積回路化の技術が著しく進歩し、ＵＨＦ帯
の信号を処理できる高周波回路に訃ける電力増幅器が混
成集積回路化されるに至っている。
の信号を処理できる高周波回路に訃ける電力増幅器が混
成集積回路化されるに至っている。
従来の混成集積回路による多段増幅器の二段までの回路
図を第２図ｄに、またこの回路を集積化した混成集積回
路を第２図すに示す。以下に簡単２− 。
図を第２図ｄに、またこの回路を集積化した混成集積回
路を第２図すに示す。以下に簡単２− 。
に回路の動作を説明する。
まず、信号入力端子１より入力された高周波信号は、結
合コンデンサ２を通って特性インピーダンスが５ｏΩの
マイクロストリップ線３により初段のトランジスタ４の
ベースに伝播される。初段トランジスタ４には初段用の
電源供給端子６から供給された直流電圧により抵抗８と
８１でバイアスがかけられている。また、初段トランジ
スタ４のエミッタは接地板６により接地されている。初
段トランジスタ４で増幅され、そのコレクタ側に取り出
された高周波信号は、マイクロストリップ線３１、次段
への結合コンデンサ２１およびマイクロストリップ線３
２を通り次段のトランジスタ４１のベースに入力される
。
合コンデンサ２を通って特性インピーダンスが５ｏΩの
マイクロストリップ線３により初段のトランジスタ４の
ベースに伝播される。初段トランジスタ４には初段用の
電源供給端子６から供給された直流電圧により抵抗８と
８１でバイアスがかけられている。また、初段トランジ
スタ４のエミッタは接地板６により接地されている。初
段トランジスタ４で増幅され、そのコレクタ側に取り出
された高周波信号は、マイクロストリップ線３１、次段
への結合コンデンサ２１およびマイクロストリップ線３
２を通り次段のトランジスタ４１のベースに入力される
。
同様にして二段目のトランジスタ４１のコレクタ側から
増幅して取り出された高周波信号は、マイクロストリッ
プ線３３、結合コンデンサ２２およびマイクロストリッ
プ線３４を通過して三段目のトランジスタ（図示せず）
のベースに入力される。なお６１は二段目用の電源供給
端子、６１゜６２．６３．６４は接地板、７．７１ 、
７２．７３゜７４は特性インピーダンスに合わせる整合
用コンデンサ、８２は二段目のトランジスタのバイアス
抵抗および９，９１，９２．９３は高周波カット用のコ
ンデンサである。このようにして形成された多段式の増
幅器の混成集積回路は樹脂ケースで封止される。
増幅して取り出された高周波信号は、マイクロストリッ
プ線３３、結合コンデンサ２２およびマイクロストリッ
プ線３４を通過して三段目のトランジスタ（図示せず）
のベースに入力される。なお６１は二段目用の電源供給
端子、６１゜６２．６３．６４は接地板、７．７１ 、
７２．７３゜７４は特性インピーダンスに合わせる整合
用コンデンサ、８２は二段目のトランジスタのバイアス
抵抗および９，９１，９２．９３は高周波カット用のコ
ンデンサである。このようにして形成された多段式の増
幅器の混成集積回路は樹脂ケースで封止される。
発明が解決しようとする問題点
ところで、高周波信号を伝播するマイクロストリップ線
には、高周波信号の一部を空間に放射したり、また逆に
空間より結合したりする性質がある。したがって、従来
の構成ではトランジスタのコレクタ側に生じた増幅信号
の一部がマイクロストリップ線を伝播中に空間へ放出さ
れ、この信号が同一トランジスタのベース側に位置する
マイクロストップ線にまわり込み、結合して寄生発振が
起こりやすくなる不都合があった。
には、高周波信号の一部を空間に放射したり、また逆に
空間より結合したりする性質がある。したがって、従来
の構成ではトランジスタのコレクタ側に生じた増幅信号
の一部がマイクロストリップ線を伝播中に空間へ放出さ
れ、この信号が同一トランジスタのベース側に位置する
マイクロストップ線にまわり込み、結合して寄生発振が
起こりやすくなる不都合があった。
問題点を解決するだめの手段
本発明の混成集積回路は、マイクロストリップ線を使っ
た高周波増幅回路を構成するトランジスタのベースの外
部端子とコレクタの外部端子の間に金属遮蔽板を設け、
とれを一体的に封止した構造となっている。
た高周波増幅回路を構成するトランジスタのベースの外
部端子とコレクタの外部端子の間に金属遮蔽板を設け、
とれを一体的に封止した構造となっている。
作 用
この構造によれば、トランジスタのコレクタ側のマイク
ロストリップ線を伝播する高周波信号が、一部空間に放
射されても、同一トランジスタのベース側とは、銅等で
形成された金属遮蔽板により遮断される。
ロストリップ線を伝播する高周波信号が、一部空間に放
射されても、同一トランジスタのベース側とは、銅等で
形成された金属遮蔽板により遮断される。
実施例
本発明の混成集積回路化された高周波増幅器の実施例を
第１図に示す。回路および混成集積回路の素子配置は従
来例と同一であるので回路説明は省略する。
第１図に示す。回路および混成集積回路の素子配置は従
来例と同一であるので回路説明は省略する。
初段のトランジスタの出力側（コレクタ側）ニ配設した
マイクロストリップ線３１と３２と、入力側（ベース側
）に配設したマイクロストリップ線３の間に位置するｌ
・ランジスタを横切る関係を成立させて、銅等でできた
金属遮蔽板１ｏを設置する。この金属遮蔽板１ｏは、出
方側に配設した６ ・・−。
マイクロストリップ線３１と３２と、入力側（ベース側
）に配設したマイクロストリップ線３の間に位置するｌ
・ランジスタを横切る関係を成立させて、銅等でできた
金属遮蔽板１ｏを設置する。この金属遮蔽板１ｏは、出
方側に配設した６ ・・−。
マイクロストリップ線３１と３２から漏洩した電磁波が
入力側のマイクロストリップ線３にまわり込むことを阻
止する。同様にして、二段目のトランジスタ４１の出力
側のマイクロストリップ線３３と３４と入力側のマイク
ロストリップ線３１と３２の間にも金属遮蔽板１０１を
設置する。
入力側のマイクロストリップ線３にまわり込むことを阻
止する。同様にして、二段目のトランジスタ４１の出力
側のマイクロストリップ線３３と３４と入力側のマイク
ロストリップ線３１と３２の間にも金属遮蔽板１０１を
設置する。
以下、同様にして各段のトランジスタの出方側と入力側
との間に金属遮蔽板を設置する。このようにして形成さ
れた組立構体全体を最後に樹脂封止する。
との間に金属遮蔽板を設置する。このようにして形成さ
れた組立構体全体を最後に樹脂封止する。
なお、金属遮蔽板は接地板以外のマイクロストリップ線
等の金属配線部には接触しないようにする。
等の金属配線部には接触しないようにする。
発明の効果
本発明の混成集積回路によれば、マイクロストリップ線
路から空間に高周波信号が放射されたとしても金属遮蔽
板によりシールドされる。したがってトランジスタの出
力側からその人力側への電磁波のまわり込み現象が阻止
され、寄生発振を防止する効果が得られる。
路から空間に高周波信号が放射されたとしても金属遮蔽
板によりシールドされる。したがってトランジスタの出
力側からその人力側への電磁波のまわり込み現象が阻止
され、寄生発振を防止する効果が得られる。
ｌ −７
第１図は本発明の一実施例による混成集積回路の構成図
、第２図ａは高周波増幅器の等価回路の齢媒回、第２図
すは第２図ａで示す高周波増幅器を混成集積回路化した
従来の混成集積回路の構成図である。 ３．３１，３２．３３−１．〜イ５ ｏ ｙ、 ） Ｉ
Ｊ 、 ７’ １線、４・・・・・・初段トラ
ンジスタ、４１・・・・・次段トランジスタ、１ｏ・・
・・・初段の金属遮蔽板、１０１・・・・・・次段の金
属遮蔽板。
、第２図ａは高周波増幅器の等価回路の齢媒回、第２図
すは第２図ａで示す高周波増幅器を混成集積回路化した
従来の混成集積回路の構成図である。 ３．３１，３２．３３−１．〜イ５ ｏ ｙ、 ） Ｉ
Ｊ 、 ７’ １線、４・・・・・・初段トラ
ンジスタ、４１・・・・・次段トランジスタ、１ｏ・・
・・・初段の金属遮蔽板、１０１・・・・・・次段の金
属遮蔽板。
Claims (1)
- マイクロストリップ線を使った高周波増幅回路を構成す
るトランジスタのベースの外部端子とコレクタの外部端
子の間に金属遮蔽板を設け、これを一体的に封止したこ
とを特徴とする混成集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60152662A JPS6213112A (ja) | 1985-07-11 | 1985-07-11 | 混成集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60152662A JPS6213112A (ja) | 1985-07-11 | 1985-07-11 | 混成集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6213112A true JPS6213112A (ja) | 1987-01-21 |
Family
ID=15545341
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60152662A Pending JPS6213112A (ja) | 1985-07-11 | 1985-07-11 | 混成集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6213112A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01265606A (ja) * | 1988-04-15 | 1989-10-23 | Matsushita Electric Works Ltd | 高周波用増幅器 |
| JPH0529151U (ja) * | 1991-09-26 | 1993-04-16 | カシオ計算機株式会社 | チツプ電子部品 |
-
1985
- 1985-07-11 JP JP60152662A patent/JPS6213112A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01265606A (ja) * | 1988-04-15 | 1989-10-23 | Matsushita Electric Works Ltd | 高周波用増幅器 |
| JPH0529151U (ja) * | 1991-09-26 | 1993-04-16 | カシオ計算機株式会社 | チツプ電子部品 |
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