JPS62136080A - 相補型高速半導体装置 - Google Patents
相補型高速半導体装置Info
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- JPS62136080A JPS62136080A JP27606085A JP27606085A JPS62136080A JP S62136080 A JPS62136080 A JP S62136080A JP 27606085 A JP27606085 A JP 27606085A JP 27606085 A JP27606085 A JP 27606085A JP S62136080 A JPS62136080 A JP S62136080A
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- JP
- Japan
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- layer
- channel transistor
- type
- conductivity type
- gaas
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本発明は、相補型高速半導体装置に於いて、一導電型チ
ャネル・トランジスタを形成する為に積層された半導体
層の上に該半導体層中の一導電型化合物半導体キャリヤ
供給層及び一導電型化合物半導体コンタクト層を空乏化
するのに充分な不純物濃度及び厚さを有する反対導電型
化合物半導体層を形成することに依り、一導電型チャネ
ル・トランジスタを形成する為の諸手導体層とその上の
反対導電型チャネル・トランジスタ部分とを容易且つ確
実に分離し、高周波特性などのデバイス特性を向上させ
るものである。
ャネル・トランジスタを形成する為に積層された半導体
層の上に該半導体層中の一導電型化合物半導体キャリヤ
供給層及び一導電型化合物半導体コンタクト層を空乏化
するのに充分な不純物濃度及び厚さを有する反対導電型
化合物半導体層を形成することに依り、一導電型チャネ
ル・トランジスタを形成する為の諸手導体層とその上の
反対導電型チャネル・トランジスタ部分とを容易且つ確
実に分離し、高周波特性などのデバイス特性を向上させ
るものである。
本発明は、高周波特性などのデバイス特性を改善した相
補型高速半導体装置に関する。
補型高速半導体装置に関する。
近年、相補型半導体装置に於いては、その低消費電力性
、高速性の面で著しい技術的進展が見られ、また、シリ
コン系のみならず、化合物半導体系のものも実現され、
特に、化合物半導体系のものでは、高キャリヤ移動度ト
ランジスタと呼ばれている素子を用いた相補型高速半導
体装置が有望視されている。因に、高キャリヤ移動度ト
ランジスタに於いて、電子をキャリヤとするものは高電
子移動度トランジスタ（ｈｉｇｈ ｅｌｅｃｔｒｏｎ
ｍｏｂｉｌｉｔｙ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＨＥ
ＭＴ）として知られ、また、その関係で、正孔をキャリ
ヤとするものもｐチャネルＨＥＭＴと呼ばれるようにな
っている。尚、以下、この種の相補型高速半導体装置を
ＨＥＭＴ系相補型半導体装置と呼ぶことにする。
、高速性の面で著しい技術的進展が見られ、また、シリ
コン系のみならず、化合物半導体系のものも実現され、
特に、化合物半導体系のものでは、高キャリヤ移動度ト
ランジスタと呼ばれている素子を用いた相補型高速半導
体装置が有望視されている。因に、高キャリヤ移動度ト
ランジスタに於いて、電子をキャリヤとするものは高電
子移動度トランジスタ（ｈｉｇｈ ｅｌｅｃｔｒｏｎ
ｍｏｂｉｌｉｔｙ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＨＥ
ＭＴ）として知られ、また、その関係で、正孔をキャリ
ヤとするものもｐチャネルＨＥＭＴと呼ばれるようにな
っている。尚、以下、この種の相補型高速半導体装置を
ＨＥＭＴ系相補型半導体装置と呼ぶことにする。
前記ＨＥＭＴ系相補型半導体装置に於いては、ｎチャネ
ル・トランジスタとしては、アン・ドープ化合物半導体
活性層上にｎ型化合物半導体電子供給層を形成し、前記
活性層に生成される２次元電子ガス層をチャネルとして
利用するように、また、ｐチャネル・トランジスタとし
ては、アン・ドープ化合物半導体活性層上にｐ型化合物
半導体正孔供給層を形成し、前記活性層に生成される２
次元正孔ガス層をチャネルとして利用するようにしてい
る。
ル・トランジスタとしては、アン・ドープ化合物半導体
活性層上にｎ型化合物半導体電子供給層を形成し、前記
活性層に生成される２次元電子ガス層をチャネルとして
利用するように、また、ｐチャネル・トランジスタとし
ては、アン・ドープ化合物半導体活性層上にｐ型化合物
半導体正孔供給層を形成し、前記活性層に生成される２
次元正孔ガス層をチャネルとして利用するようにしてい
る。
第３図は従来のＨＥＭＴ系相補型半導体装置に用いられ
ているエピタキシャル成長半導体層の構成を説明する為
の要部切断側面図を表している。
ているエピタキシャル成長半導体層の構成を説明する為
の要部切断側面図を表している。
図に於いて、
１は半絶縁性ＧａＡｓ基板、
２はアン・ドープＧａＡｓ活性層、
３はｎ型Ａｌ、Ｇａ、−、Ａｓ電子供給層、４はｎ型Ａ
ｌＧａＡｓグレーデツド層、５はｎ＋型ＧａＡｓコンタ
クト層、 ６はアン・ドープＡＺ、Ｇａ、−、Ａｓエツチング停止
兼分離層、 ７はアン・ドープＧａＡｓ活性層、 ８はｐ型Ａ ＡＸＧ ａ Ｉ−Ｘ Ａ Ｓ正孔供給層、
９はｐ＋型ＧａＡｓコンタクト層、 Ｑ、、はｎチャネル・トランジスタ部分、Ｑｐはｐチャ
ネル・トランジスタ部分 をそれぞれ表し、これ等に関する主なデータを例示する
と次の通りである。
ｌＧａＡｓグレーデツド層、５はｎ＋型ＧａＡｓコンタ
クト層、 ６はアン・ドープＡＺ、Ｇａ、−、Ａｓエツチング停止
兼分離層、 ７はアン・ドープＧａＡｓ活性層、 ８はｐ型Ａ ＡＸＧ ａ Ｉ−Ｘ Ａ Ｓ正孔供給層、
９はｐ＋型ＧａＡｓコンタクト層、 Ｑ、、はｎチャネル・トランジスタ部分、Ｑｐはｐチャ
ネル・トランジスタ部分 をそれぞれ表し、これ等に関する主なデータを例示する
と次の通りである。
■ 活性層２について
厚さ：６０００ （人〕
■ 電子供給層３について
厚さ：２００（人〕
不純物：シリコン
不純物濃度： １． ５ Ｘ １０１８ （ｃｌｌｌ−
’）ｙ値：０． ｌ＜ｙ＜Ｑ、 ４ ■ グレーデツド層４について 厚さ：３００（人〕 不純物：シリコン 不純物濃度： １． ５ Ｘ １０１８ （ｃｍ−３
）■ コンタクト層５について 厚さ：５００ （人〕 不純物：シリコン 不純物濃度： ２ｘ ｌ Ｑ１０（ｃ＋ｎ−”）■ エ
ツチング停止兼分離層６について厚さ：５０ 〔人〕 ２値：Ｑ、３＜ｚ≦１ ■ 活性層７について 厚さ：１０００（人〕 ■ 正孔供給層８について 厚さ：３５０（人〕 不純物：ベリリウム 不純物濃度： ２ Ｘ １０Ｉ８（ａｍ−’）Ｘ値：Ｑ
、３＜ｘ＜Ｑ、 ６ ■ コンタクト層９について 厚さ：５００（人〕 不純物：ベリリウム 不純物濃度： ４ Ｘ Ｉ Ｑ ” （ａｍ−３）この
ウェハを用いてＨＥＭＴ系相補型半導体装置を形成する
には、ｎチャネル・トランジスタ部分Ｑ７上に存在する
ｐチャネル・トランジスタ部分Ｑ、を除去し、それぞれ
のトランジスタに対応する電極などを形成して完成する
。
’）ｙ値：０． ｌ＜ｙ＜Ｑ、 ４ ■ グレーデツド層４について 厚さ：３００（人〕 不純物：シリコン 不純物濃度： １． ５ Ｘ １０１８ （ｃｍ−３
）■ コンタクト層５について 厚さ：５００ （人〕 不純物：シリコン 不純物濃度： ２ｘ ｌ Ｑ１０（ｃ＋ｎ−”）■ エ
ツチング停止兼分離層６について厚さ：５０ 〔人〕 ２値：Ｑ、３＜ｚ≦１ ■ 活性層７について 厚さ：１０００（人〕 ■ 正孔供給層８について 厚さ：３５０（人〕 不純物：ベリリウム 不純物濃度： ２ Ｘ １０Ｉ８（ａｍ−’）Ｘ値：Ｑ
、３＜ｘ＜Ｑ、 ６ ■ コンタクト層９について 厚さ：５００（人〕 不純物：ベリリウム 不純物濃度： ４ Ｘ Ｉ Ｑ ” （ａｍ−３）この
ウェハを用いてＨＥＭＴ系相補型半導体装置を形成する
には、ｎチャネル・トランジスタ部分Ｑ７上に存在する
ｐチャネル・トランジスタ部分Ｑ、を除去し、それぞれ
のトランジスタに対応する電極などを形成して完成する
。
図示例ではｎチャネル・トランジスタ部分がｐチャネル
・トランジスタ部分の下側に存在しているが、この上下
関係が逆になった構成のものもある。
・トランジスタ部分の下側に存在しているが、この上下
関係が逆になった構成のものもある。
第３図に関して説明したウェハを用いてＨＥＭＴ系相補
型半導体装置を製造した場合、そのｐチャネル・トラン
ジスタの下にはｎチャネル・トランジスタを形成する為
の諸手導体層が存在する構造になっていて、同一ゲート
の下にｐチャネルとｎチャネルとが存在することになり
、両者の干渉に依るデバイス特性への影響を把握且つ制
御することは甚だ困難である。尚、ｎチャネル・トラン
ジスタ部分Ｑ。とｐチャネル・トランジスタ部分Ｑ、と
の間にはエツチング停止兼分離層６が存在しているが、
前記干渉に対しては然程有効に作用することはできない
。
型半導体装置を製造した場合、そのｐチャネル・トラン
ジスタの下にはｎチャネル・トランジスタを形成する為
の諸手導体層が存在する構造になっていて、同一ゲート
の下にｐチャネルとｎチャネルとが存在することになり
、両者の干渉に依るデバイス特性への影響を把握且つ制
御することは甚だ困難である。尚、ｎチャネル・トラン
ジスタ部分Ｑ。とｐチャネル・トランジスタ部分Ｑ、と
の間にはエツチング停止兼分離層６が存在しているが、
前記干渉に対しては然程有効に作用することはできない
。
本発明は、極めて簡単な構成で、ｎチャネル・トランジ
スタとｐチャネル・トランジスタとの分離を画然と行う
ことを可能とし、この種の相補型半導体装置のデバイス
特性を向上させる。
スタとｐチャネル・トランジスタとの分離を画然と行う
ことを可能とし、この種の相補型半導体装置のデバイス
特性を向上させる。
本発明に依るＨＥＭＴ系相補型半導体装置に於いては、
一導電型チャネル・トランジスタ（例えばｎチャネル・
トランジスタ部分Ｑｌｌ）を構成する為の一導電型化合
物半導体キャリヤ供給Ｎ（例えばｎ型Ａｊ！、Ｇａ、−
ｙＡｓ電子供給層１３）及び一導電型化合物半導体コン
タクト層（例えばｎ＋型ＧａＡｓコンタクト層１４）を
空乏化させるのに必要な反対導電型不純物濃度及び厚さ
を有し且つ該化合物半導体コンタクト層の上方に形成さ
れた反対導電型化合物半導体層（例えばｐ＋型ＧａＡｓ
層１５）と、該反対導電型化合物半導体層の上方に形成
され反対導電型チャネル・トランジスタ（例えばｐチャ
ネル・トランジスタ部分Ｑｐ）を構成する為のアン・ド
ープ化合物半導体活性層（例えばアン・ドープＧａＡｓ
活性層１７）及び反対導電型化合物半導体キャリヤ供給
層（例えばｐ型Ａｊ！ＸＧａ、−ｘ Ａｓ正札供給層１
８）及び反対導電型化合物半導体コンタクト層（例えば
ｐ＋型ＧａＡＳコンタクト層１９）と備えてなる構成に
なっている。
一導電型チャネル・トランジスタ（例えばｎチャネル・
トランジスタ部分Ｑｌｌ）を構成する為の一導電型化合
物半導体キャリヤ供給Ｎ（例えばｎ型Ａｊ！、Ｇａ、−
ｙＡｓ電子供給層１３）及び一導電型化合物半導体コン
タクト層（例えばｎ＋型ＧａＡｓコンタクト層１４）を
空乏化させるのに必要な反対導電型不純物濃度及び厚さ
を有し且つ該化合物半導体コンタクト層の上方に形成さ
れた反対導電型化合物半導体層（例えばｐ＋型ＧａＡｓ
層１５）と、該反対導電型化合物半導体層の上方に形成
され反対導電型チャネル・トランジスタ（例えばｐチャ
ネル・トランジスタ部分Ｑｐ）を構成する為のアン・ド
ープ化合物半導体活性層（例えばアン・ドープＧａＡｓ
活性層１７）及び反対導電型化合物半導体キャリヤ供給
層（例えばｐ型Ａｊ！ＸＧａ、−ｘ Ａｓ正札供給層１
８）及び反対導電型化合物半導体コンタクト層（例えば
ｐ＋型ＧａＡＳコンタクト層１９）と備えてなる構成に
なっている。
前記手段に依り、前記反対導電型チャネル・トランジス
タは、その下に存在する一導電型チャネル・トランジス
タを構成する為の諸手導体層と完全に分離されるので、
高周波動作をさせた場合にも、両者の干渉に依る特性の
劣化は発生しない。
タは、その下に存在する一導電型チャネル・トランジス
タを構成する為の諸手導体層と完全に分離されるので、
高周波動作をさせた場合にも、両者の干渉に依る特性の
劣化は発生しない。
第１図は本発明一実施例に用いられるエピタキシャル成
長半導体層の構成を説明する為の要部切断側面図を表し
ている。
長半導体層の構成を説明する為の要部切断側面図を表し
ている。
図に於いて、
１１は半絶縁性ＧａＡｓ基板、
１２はアン・ドープＧａＡｓ活性層、
１３はｎ型Ａ ｌｙ Ｇ ａ ＋−ｙ Ａ Ｓ電子供給
層、１４はｎ＋型ＧａＡｓコンタクト層、 １５はｐ＋型ＧａＡｓ層、 １６はアン・ドープＡ１２ Ｇａ＋−ｓ Ａｓエツチン
グ停止層、 １７はアン・ドープＧａＡｓ活性層、 １８はｐ型Ａ １２ ｘ Ｇ ａ Ｉ −Ｘ Ａ ｓ正
孔供給層、１９はｐ＋型ＧａＡｓコンタクト層、 Ｑ７はｎチャネル・トランジスタ部分、Ｑ９はｐチャネ
！し・トランジスタ部分をそれぞれ表し、これ等に関す
る主なデータを例示すると次の通りである。
層、１４はｎ＋型ＧａＡｓコンタクト層、 １５はｐ＋型ＧａＡｓ層、 １６はアン・ドープＡ１２ Ｇａ＋−ｓ Ａｓエツチン
グ停止層、 １７はアン・ドープＧａＡｓ活性層、 １８はｐ型Ａ １２ ｘ Ｇ ａ Ｉ −Ｘ Ａ ｓ正
孔供給層、１９はｐ＋型ＧａＡｓコンタクト層、 Ｑ７はｎチャネル・トランジスタ部分、Ｑ９はｐチャネ
！し・トランジスタ部分をそれぞれ表し、これ等に関す
る主なデータを例示すると次の通りである。
■ 活性層１２について
厚さ：５ｏｏｏ （入〕
■ 電子供給層１３について
厚さ：３５０（人〕
不純物：シリコン
不純物濃度： １． ５ Ｘ １０１８ （（Ｊｌ−
’）ｙ値：Ｑ、ｌ＜ｙ＜Ｑ、４ ■ コンタクト層１４について 厚さ：５００（人〕 不純物：シリコン 不純物濃度： ２ Ｘ １０ ” （ｃｍ−’）■ ｐ
＋型ＧａＡｓ層１５について 厚さ：１００（人〕 不純物：ベリリウム 不純物濃度：ｌＸ１０１８（ロー３〕 ■ エツチング停止層１６について 厚さ：５０ 〔人〕 Ｚ値：０．３＜ｚ≦１ ■ 活性層１７について 厚さ：ｌ０００ 〔人〕 ■ 正札供給層Ｉ８について 厚さ：３５０ （人〕 不純物：ベリリウム 不純物濃度： ２ Ｘ １０ Ｉｅ（ｃｍ−３］Ｘ値：
Ｑ、 ３＜ｘ＜Ｑ、６ ■ コンタクト層１９について 厚さ：５００ （人〕 不純物：ベリリウム 不純物濃度： ４ Ｘ １０１Ｂ（ａｍ−”）本実施例
に於いて、ｐ＋型ＧａＡｓ層１５は、その下に在るｎ＋
型ＧａＡｓコンタクト層１４及びｎ型Ａ Ｉ！ 、 Ｇ
ａ ｌ−ｙ Ａ ｓ電子供給層１３を充分に空乏化さ
せるだけの不純物濃度及び厚さを備えている。
’）ｙ値：Ｑ、ｌ＜ｙ＜Ｑ、４ ■ コンタクト層１４について 厚さ：５００（人〕 不純物：シリコン 不純物濃度： ２ Ｘ １０ ” （ｃｍ−’）■ ｐ
＋型ＧａＡｓ層１５について 厚さ：１００（人〕 不純物：ベリリウム 不純物濃度：ｌＸ１０１８（ロー３〕 ■ エツチング停止層１６について 厚さ：５０ 〔人〕 Ｚ値：０．３＜ｚ≦１ ■ 活性層１７について 厚さ：ｌ０００ 〔人〕 ■ 正札供給層Ｉ８について 厚さ：３５０ （人〕 不純物：ベリリウム 不純物濃度： ２ Ｘ １０ Ｉｅ（ｃｍ−３］Ｘ値：
Ｑ、 ３＜ｘ＜Ｑ、６ ■ コンタクト層１９について 厚さ：５００ （人〕 不純物：ベリリウム 不純物濃度： ４ Ｘ １０１Ｂ（ａｍ−”）本実施例
に於いて、ｐ＋型ＧａＡｓ層１５は、その下に在るｎ＋
型ＧａＡｓコンタクト層１４及びｎ型Ａ Ｉ！ 、 Ｇ
ａ ｌ−ｙ Ａ ｓ電子供給層１３を充分に空乏化さ
せるだけの不純物濃度及び厚さを備えている。
このような構成にすると、コンタクト層１４及び電子供
給層１３は絶縁層と同様な状態になり、その上のｐチャ
ネル・トランジスタ部分Ｑ７とは無関係になってしまう
。
給層１３は絶縁層と同様な状態になり、その上のｐチャ
ネル・トランジスタ部分Ｑ７とは無関係になってしまう
。
従って、高周波動作をさせた場合にも、ｐチャネル・ト
ランジスタ部分Ｑ２に対し、ｎチャネルが悪影響を及ぼ
すことはない。
ランジスタ部分Ｑ２に対し、ｎチャネルが悪影響を及ぼ
すことはない。
前記実施例に於いては、ｐ＋型ＧａＡｓ層１５をエツチ
ング停止層１６の下に形成しであるが、これは上に形成
しても同効であり、また、ｐ＋型ＧａＡｓでなく、ｐ＋
型Ａ （ｌ Ｘ Ｇ ａ Ｉ−ｘ Ａ ｓに代替しても
良く、更にまた、ｎチャネル・トランジスタ部分Ｑ、、
及びｐチャネル・トランジスタ部分Ｑｐの位置関係を反
対にすることが可能であり、その場合には、ｐ型ＡＡｘ
Ｇａ、−、Ａｓ正孔供給層とｐ＋型ＧａＡｓコンタク
ト層とを空乏化することが必要となるから、ｐ１型Ｇａ
Ａｓ層１５の代わりにｎ＋型ＧａＡｓ層或いはｎ＋型Ａ
ｆｆＧａＡｓ層を用いなければならない。
ング停止層１６の下に形成しであるが、これは上に形成
しても同効であり、また、ｐ＋型ＧａＡｓでなく、ｐ＋
型Ａ （ｌ Ｘ Ｇ ａ Ｉ−ｘ Ａ ｓに代替しても
良く、更にまた、ｎチャネル・トランジスタ部分Ｑ、、
及びｐチャネル・トランジスタ部分Ｑｐの位置関係を反
対にすることが可能であり、その場合には、ｐ型ＡＡｘ
Ｇａ、−、Ａｓ正孔供給層とｐ＋型ＧａＡｓコンタク
ト層とを空乏化することが必要となるから、ｐ１型Ｇａ
Ａｓ層１５の代わりにｎ＋型ＧａＡｓ層或いはｎ＋型Ａ
ｆｆＧａＡｓ層を用いなければならない。
第２図（Ａ）及び（Ｂ）は本発明一実施例の要部切断側
面図及びその等価回路図を表し、第１図に於いて用いた
記号と同記号は同部分を表すか或いは同じ意味を持つも
のとする。
面図及びその等価回路図を表し、第１図に於いて用いた
記号と同記号は同部分を表すか或いは同じ意味を持つも
のとする。
図（Ａ）及び（Ｂ）に於いて、２１はｐチャネル・トラ
ンジスタ部分のソース電極、２２はｐチャネル・トラン
ジスタ部分のドレイン電極、２３はｐチャネル・トラン
ジスタ部分のゲート電極、３１はｎチャネル・トランジ
スタ部分のソース電極、３２はｎチャネル・トランジス
タ部分のドレイン電極、３３はｎチャネル・トランジス
タ部分のゲート電極、４１，４２．４２は素子量分Ｍ領
域、ｒ、は入力端、０７は出力端、Ｖｔ１Ｄは正側電源
レベル、ＶＳＳは接地側電源レベル、Ｃ，は２次元正孔
ガス層、Ｃ１は２次元電子ガス層をそれぞれ示している
。
ンジスタ部分のソース電極、２２はｐチャネル・トラン
ジスタ部分のドレイン電極、２３はｐチャネル・トラン
ジスタ部分のゲート電極、３１はｎチャネル・トランジ
スタ部分のソース電極、３２はｎチャネル・トランジス
タ部分のドレイン電極、３３はｎチャネル・トランジス
タ部分のゲート電極、４１，４２．４２は素子量分Ｍ領
域、ｒ、は入力端、０７は出力端、Ｖｔ１Ｄは正側電源
レベル、ＶＳＳは接地側電源レベル、Ｃ，は２次元正孔
ガス層、Ｃ１は２次元電子ガス層をそれぞれ示している
。
ここで、各電極に関する材料のデータを例示すると次の
通りである。
通りである。
■ ソース電極２１及びドレイン電極２２について
Ａ ｕ ／ Ｚ ｎ ／ Ａ ｕ
■ ゲート電極２３について
■ ソース電極３１及びドレイン電極３２について
Ａ ｕ −Ｑ ｅ ／ Ａ Ｌ！
■ ゲート電極３３について
第２図に関して説明した実施例に於いては、ｐチャネル
・トランジスタ部分に於けるｐ＋型ＧａＡｓ層１５がそ
の下に在るｎ＋型ＧａＡｓコンタクト層１４及びｎ型Ａ
ｌ、Ｇａｌ−、Ａｓ電子供給層１３を空乏化するので、
それ等がｐチャネル・トランジスタ部分の動作に悪影響
を与えることはない。
・トランジスタ部分に於けるｐ＋型ＧａＡｓ層１５がそ
の下に在るｎ＋型ＧａＡｓコンタクト層１４及びｎ型Ａ
ｌ、Ｇａｌ−、Ａｓ電子供給層１３を空乏化するので、
それ等がｐチャネル・トランジスタ部分の動作に悪影響
を与えることはない。
本発明に依るＨＥＭＴ系相補型高速半導体装置では、一
導電型チャネル・トランジスタを形成する為に積層され
た半導体層の上にその半導体層中の一導電型化合物半導
体キャリヤ供給層及び一導電型化合物半導体コンタクト
層を空乏化するのに充分な不純物濃度及び厚さを有する
反対導電型化合物半導体層を形成した構成を備えている
。
導電型チャネル・トランジスタを形成する為に積層され
た半導体層の上にその半導体層中の一導電型化合物半導
体キャリヤ供給層及び一導電型化合物半導体コンタクト
層を空乏化するのに充分な不純物濃度及び厚さを有する
反対導電型化合物半導体層を形成した構成を備えている
。
この構成に依れば、前記一導電型チャネル・トランジス
タを形成する為の諸手導体層とその上の反対導電型チャ
ネル・トランジスタ部分とを容易且つ確実に分離し、高
周波特性などデバイス特性を向上させることができる。
タを形成する為の諸手導体層とその上の反対導電型チャ
ネル・トランジスタ部分とを容易且つ確実に分離し、高
周波特性などデバイス特性を向上させることができる。
第１図は本発明一実施例に用いられるエピタキシャル成
長半導体層の構成を説明する為の要部切断側面図、第２
図（Ａ）及び（Ｂ）は本発明一実施例の要部切断側面図
及び等価回路図、第３図は従来例に於けるエピタキシャ
ル成長半導体層の構成を説明する為の要部切断側面図を
それぞれ表している。 図に於いて、１１は基板、１２は活性層、１３は電子供
給層、１４はコンタクト層、１５はｐ＋型ＧａＡｓ層、
１６はエツチング停止層、１７は活性層、１８は正孔供
給層、１９はコンタクト層、２１はソース電極、２２は
ドレイン電極、２３はゲート電極、３１はソース電極、
３２はドレイン電極、３３はゲート電極、４１乃至４３
は素子量分ＢＳＭ域、工、は入力端、０．は出力端、■
。。は正側電源レヘル、Ｖ ５ Ｓは接地側電源レベル
、Ｃｐは２次元正孔ガス層、Ｃ，、は２次元電子ガス層
をそれぞれ示している。 第１図 従来例に於けるエピタキシャル成長化合物半導体層の構
成を表わす要部切断側面図 第３図
長半導体層の構成を説明する為の要部切断側面図、第２
図（Ａ）及び（Ｂ）は本発明一実施例の要部切断側面図
及び等価回路図、第３図は従来例に於けるエピタキシャ
ル成長半導体層の構成を説明する為の要部切断側面図を
それぞれ表している。 図に於いて、１１は基板、１２は活性層、１３は電子供
給層、１４はコンタクト層、１５はｐ＋型ＧａＡｓ層、
１６はエツチング停止層、１７は活性層、１８は正孔供
給層、１９はコンタクト層、２１はソース電極、２２は
ドレイン電極、２３はゲート電極、３１はソース電極、
３２はドレイン電極、３３はゲート電極、４１乃至４３
は素子量分ＢＳＭ域、工、は入力端、０．は出力端、■
。。は正側電源レヘル、Ｖ ５ Ｓは接地側電源レベル
、Ｃｐは２次元正孔ガス層、Ｃ，、は２次元電子ガス層
をそれぞれ示している。 第１図 従来例に於けるエピタキシャル成長化合物半導体層の構
成を表わす要部切断側面図 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一導電型チャネル・トランジスタを構成する為の一導電
型化合物半導体キャリヤ供給層及び一導電型化合物半導
体コンタクト層を空乏化させるのに必要な反対導電型キ
ャリヤ濃度及び厚さを有し且つ該化合物半導体コンタク
ト層の上方に形成された反対導電型化合物半導体層と、 該反対導電型化合物半導体層の上方に形成され反対導電
型チャネル・トランジスタを構成する為のアン・ドープ
化合物半導体活性層及び反対導電型化合物半導体キャリ
ヤ供給層及び反対導電型化合物半導体コンタクト層と を備えてなることを特徴とする相補型高速半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27606085A JPS62136080A (ja) | 1985-12-10 | 1985-12-10 | 相補型高速半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27606085A JPS62136080A (ja) | 1985-12-10 | 1985-12-10 | 相補型高速半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62136080A true JPS62136080A (ja) | 1987-06-19 |
Family
ID=17564234
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27606085A Pending JPS62136080A (ja) | 1985-12-10 | 1985-12-10 | 相補型高速半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62136080A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5060031A (en) * | 1990-09-18 | 1991-10-22 | Motorola, Inc | Complementary heterojunction field effect transistor with an anisotype N+ ga-channel devices |
| JPH04126964U (ja) * | 1991-05-14 | 1992-11-19 | 東陶機器株式会社 | 自動水栓におけるリード線のガイド支持構造 |
| US5298772A (en) * | 1992-02-28 | 1994-03-29 | Honeywell Inc. | Integrated heterostructure acoustic charge transport (HACT) and heterostructure insulated gate field effects transistor (HIGFET) devices |
-
1985
- 1985-12-10 JP JP27606085A patent/JPS62136080A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5060031A (en) * | 1990-09-18 | 1991-10-22 | Motorola, Inc | Complementary heterojunction field effect transistor with an anisotype N+ ga-channel devices |
| JPH04126964U (ja) * | 1991-05-14 | 1992-11-19 | 東陶機器株式会社 | 自動水栓におけるリード線のガイド支持構造 |
| US5298772A (en) * | 1992-02-28 | 1994-03-29 | Honeywell Inc. | Integrated heterostructure acoustic charge transport (HACT) and heterostructure insulated gate field effects transistor (HIGFET) devices |
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