JPS6214350A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

光磁気記録媒体

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JPS6214350A
JPS6214350A JP60152215A JP15221585A JPS6214350A JP S6214350 A JPS6214350 A JP S6214350A JP 60152215 A JP60152215 A JP 60152215A JP 15221585 A JP15221585 A JP 15221585A JP S6214350 A JPS6214350 A JP S6214350A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明はレーザ光を用いて情報の記録・再生・消去を行
なう光磁気記録に係り、特に再生時の信号と雑音の比Ｃ
／Ｎを向上するのに好適な磁気光学効果大の光磁気記録
媒体に関する。
〔発明の背景〕
最近、書き換え可能な光記録方式である光磁気記録の記
録材料として、比較的大きなカー回転角が得られる希土
頼−鉄族系非晶質膜が注目を浴びている。これらの非晶
質膜の中でも、特にＴｂ元累を主体としたＴｂ基のＴｂ
−Ｇｄ−ｐｅ、Ｔｂ−Ｆｅ　−Ｃｏ　、　Ｔ　ｂ　−Ｇ
　ｄ　−Ｆ　ｅ　−Ｃｏ非晶質膜で比較的大きなカー回
転角が得られており、この合金系での実用化に向けての
研究開発が活発化している（例えば１％開昭５６−１２
６９０７号、特開昭５８−７３７４６号を参照）。しか
し、高速中高密度を図るためには、小さい記録ドメイン
で十分な再生信号を得る必要があることから、書き込み
感度に比例するキュリ一温度を考慮すると、上記膜自体
のカー回転角は不十分となり、またＴｂ基合金膜では、
Ｔｂ元素が高価なため膜自体のコストが高くなるという
問題点がある。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、低コストで磁気光学効果が十分に大き
く、高い再生信号が得られ、実用に好適な非晶質光磁気
記録媒体を提供することにある。
〔発明の概要〕
本発明者等は希土類−鉄族系非晶質膜において、Ｔｂよ
シも安価なＲ＝Ｌａ、　Ｃｅ、　　ｐｒ、　Ｎｄ１５ｍ
、Ｇｄ、Ｉ（Ｏ，Ｅｒ、Ｙｂ等の元素を基としたＲ、−
Ｆｅ−Ｃｏ三元系で垂直磁化膜が得られ、しかもカー回
転角がＣｏ量と共に増大することを見い出した。しかし
これら三元系では一般に保磁力Ｈｃが約０．３ｋＯ，以
下と低いため、熱磁気を利用した記録ビットが安定に形
成されにくい場合が生じる。そこで本発明者等はとれら
三元系に、さらに４す電子の軌導角運動ｉＬがゼロでな
い磁気異方性を有する他の希土類元素を添加することに
より、保磁力を増大させて、垂直磁化膜で高θｋを示す
光磁気記録膜を得°ること金考え、本発明に至った。
本発明の光磁気記録媒体は、実質的にはＩｔがＬａ、　
Ｃｅ、　　Ｐ　ｒ、　ＮＪ　　ＳｍＩ　Ｇｄｇ　Ｈｏｔ
Ｅｒ、Ｙｂから選ばれた少なくとも一種以上の元素、Ｍ
が’ｒｂ、Ｄｙから選ばれた少なくとも一種以上の元素
からなり、一般式が（Ｒ＋−Ｍよ）。
（Ｆ　ｅｌ−ｙｃ　ＯＦ）　Ｉｏｏ−ａ　　で表わされ
る少なくとも三元系合金組成からなる。
ここで本発明の合金膜では、垂直磁化膜を得るために、
全希土類元素濃度ａは１０原子パーセント以上、４０原
子パーセント以下にする必要がち見よシ残留磁化の大き
い角型特性の良い垂直磁化膜を得るには、ａは２０原子
パ一セント以上、３０原子パーセント以下にする方が好
ましい。また特に軌導角運動址りの大きい’ｒｂ、Ｄｙ
を添加すると保磁力はさらに大きく増大し、角型特性の
良好な垂直磁化膜が得られるが、キュリ一温度も著しく
低下し、カー回転角も減少するのでＸ−０，５よりも少
なくする必要がある。一般に、従来材のＴ　ｂ　−Ｆ　
ｅ　−Ｃｏ膜と同様、Ｆ’ｅｅＣＯで置換すると、Ｃｏ
量と共にカー回転角θには増大し、ｙ＝０．３〜０．５
附近で極大値を示す。このようにＦｅｆ：Ｃｏで置換し
ても、あるいはＣＯをｐ６で置換してもカー回転角θに
は上昇する傾向を示すことから、より大きなカー回転角
を得るには、上記組成式でＣＯ置換量ｙは０＜ｙ＜１に
する必要がある。一般に、Ｆｅ元素濃度に富んだ組成側
では主にキュリ一温度Ｔｃ’ｆｆ利用した書き込み（キ
ュリ一点書き込み）が、またＣＯ元素濃度に富んだ組成
側では主にキュリ一温度が高くなりすぎるため補償温度
Ｔ、。１．金利用した書き込み（補償点書き込み）が用
いられている。従ってキュリ一点書き込みを行なう組成
としてはＯ＜　ｙ　＜　０．３がより好ましく、）ｌ　
＝　０．３以上ではＴｃが高くなシすぎて、半導体レー
ザで書き込むことが出来なくなる問題が生じる恐れがあ
る。一方補償点を利用して書き込みを行なう組成として
は０．５　＜　Ｙ　＜　１がより好ましい。
以上の合金組成を有した薄膜に、記録感度、耐食性、寿
命の向上をさらに改善するために、Ａｔ。
Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｐｔ等ｔＶ＝移金属、Ｂ。
Ｃｙｓｔ等の非金編元素等の不純物元素を１０原子パー
セント以下添加しても有効である。
〔発明の実施例〕
以下、本発明を実施例を用いて説明する。
本発明の非晶質合金膜は直径１１０１ＤＩのｐｅあるい
は００円板上に５Ｘ５ｍ’の希土類元素あるいは添加元
素を、面積比で所定の組成になるように配置した複合タ
ーゲットを用いて、マグネトロンスパッタ法で、あるい
は基板に一２０Ｖ〜−１５０Ｖの負のバイアス電圧をか
けたバイアス・スパッタ法でスパッタすることによシ、
また所定組成の合金金真空アーク溶解で作製し、これら
の母合金を用いて蒸着することにより作製した。
本発明の一実施例を第１図によシ説明する。第１図（ａ
）はＧ　ｄ　ｓｓ　（Ｆ　ｅｏ、９ｃ　００．１　）１
１２非晶質膜（ターゲツト面積比）のカーヒステリシス
ループを、第１図（ｂ）は（Ｇｄｏ、ａＴ　ｂｏ、ｚ）
ｓａ　（Ｐ　ｅｏ、ｅＣＯ（１，１）Ｉｎ非晶質膜（タ
ーゲツト面積比）のそれを示す。図から明らかなように
、軌導角運動量りの大きいＴｂ又はＤｙｆ、添加すると
保磁力が増大し、角型特性の良い光磁気材料に好適な膜
が得られることがわかる。これらの結果は、本発明の他
合金系でも同様であった。
第２図に、半導体レーザ波長（λ＝８２２ｎｍ）測定し
た時の（Ｇｄｏ、５Ｔｂｏ、ｘ）ｚ４（Ｐｅｔ−ｘｃｏ
ｘ）ｙｓ（曲４１１）、（Ｇ　ｄｏ、ａＤ　）’ｏ、ｓ
　）２２　（Ｆ　ｅｌ−ｘｃ　０Ｘ）７８（曲線２）、
（Ｌ　ａｏ、ｓＴ　ｂＯ，４）雪ｓ　（Ｆ　ｅｌ　−ｘ
ｃ　Ｏ１１）？１（曲線３）、（Ｓ　ｍｏ、ｙＴ　ｂｏ
、ｓ　）ｅｌ　（Ｆ　ｅｘ−ｘｃ　ｏｘ）Ｔ。
（曲線４）、Ｑ（ＯＯ，８’Ｉ”　ｂｏ、４　）１４　
（Ｐ　ｅｌ−ｘｃ　ｏｘ’）ｔａ（曲線５）、（Ｎ　ｄ
ｏ、ｙＴ　ｂｏ、ｓ　）鵞ａ　（Ｐ　ｅｓ−ｘｃ　ＯＸ
）７４（曲線６　）　１（Ｇｄｏ、５ｓＨｏｏ、４ｓ）
ｔｓ　（Ｐｅｔ−ｘｃｏｚ）ｙｓ（曲線７）非晶質膜の
カー回転角のＣＯ濃度依存性を示す。図からＦｅをＣＯ
で置換することによシ、三元系よシもさらに大きなθｋ
が得られることがわかる。
〔発明の効果〕
以上の説明から明らかなように、低価格の希土類元素を
基とした合金系で、保磁力が大で、高いカー回転角を有
した光磁気記録材料に好適な膜が得られることが分った
。
【図面の簡単な説明】
第１図は（ａ）Ｇｄｓｓ　（Ｆ　ｅｏ、ｅ　ＣＯｏ、＋
　）６！非晶質膜と（ｂ）　（Ｇｄ０．８ＴｂＯ，ｔ）
ａｌｌ　（Ｆｅｏ、＊Ｃｏｏ、ｔ）ａｔ非晶質膜のカー
ヒステリシスループ金示す線図、第２図は種々の希土類
元素Ｒを基とし九Ｒ−Ｆｅ−Ｃｏ系非晶質膜でのカー回
転角θにのＣＯ濃度依存性を示す線図である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、組成式が（Ｒ＿１＿−＿ｘＭ＿ｘ）＿ａ（Ｆｅ＿１
    ＿−＿ｙＣｏ＿ｙ）＿１＿０＿０＿−＿ａで示され、Ｒ
    がＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｈｏ、Ｅｒ、
    Ｙｂからなる元素群から選ばれた少なくとも一種の元素
    、ＭがＴｂ、Ｄｙからなる元素群から選ばれた少なくと
    も一種の元素からなり、１０≦ａ≦４０、０≦ｘ＜０．
    ５、０＜ｙ＜１を満足し、優位的に非晶質であることを
    特徴とする光磁気記録媒体。 ２、特許請求の範囲第１項において、Ｒが少なくとも二
    種の元素からなることを特徴とする光磁気記録媒体。 ３、特許請求の範囲第１項において、ｘが０＜ｘ＜０．
    ５を満足することを特徴とする光磁気記録媒体。 ４、特許請求の範囲第３項において、ＲがＧｄからなる
    ことを特徴とする光磁気記録媒体。
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