JPS62145876A - 化合物半導体装置の保護ダイオ−ド - Google Patents
化合物半導体装置の保護ダイオ−ドInfo
- Publication number
- JPS62145876A JPS62145876A JP28832585A JP28832585A JPS62145876A JP S62145876 A JPS62145876 A JP S62145876A JP 28832585 A JP28832585 A JP 28832585A JP 28832585 A JP28832585 A JP 28832585A JP S62145876 A JPS62145876 A JP S62145876A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diffusion region
- region
- compound semiconductor
- semiconductor device
- type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は、化合物半導体装置の耐サージ性を高めるため
に、化合物半導体装置と一部に形成する保護ダイオード
に関するものである。
に、化合物半導体装置と一部に形成する保護ダイオード
に関するものである。
（ロ）従来の技術
化合物半導体装置、例えばガリウムーヒ素電界効果トラ
ンジスタ（以下ＧａＡｓＭ Ｅ Ｓ Ｆ Ｅ Ｔという
。）は低雑音、高利得など優れた特性をもつマイクロ波
帯増幅素子として実用化が盛んにすすめられている。し
かしながら、ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴはゲートがショット
キ接合のためゲート・ソース間、ゲート・ドレイン間に
サージエネルギが加わった場合に、ショットキ接合が破
壊されやすい。従って最近ではＧａＡｓを用いてＧａＡ
ｓＭＥＳＦＥＴと保護ダイオードをモノリシック集積化
するなどの対策がなされている（例えば信学技報５ＳＤ
８２−１３２．７５頁乃至７９頁が詳しい、）。
ンジスタ（以下ＧａＡｓＭ Ｅ Ｓ Ｆ Ｅ Ｔという
。）は低雑音、高利得など優れた特性をもつマイクロ波
帯増幅素子として実用化が盛んにすすめられている。し
かしながら、ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴはゲートがショット
キ接合のためゲート・ソース間、ゲート・ドレイン間に
サージエネルギが加わった場合に、ショットキ接合が破
壊されやすい。従って最近ではＧａＡｓを用いてＧａＡ
ｓＭＥＳＦＥＴと保護ダイオードをモノリシック集積化
するなどの対策がなされている（例えば信学技報５ＳＤ
８２−１３２．７５頁乃至７９頁が詳しい、）。
ところで前述した保護ダイオードとしては一般に第３図
に示す如く、ＧａＡｓ基板（３２）にイオン注入等で形
成されたＮ型の拡散領域（３３）と、前記Ｎ型の拡散領
域（３３）の一部と接合するように形成きれたＰ＋型の
拡散領域（３４〉とにより構成され、ＧａＡｓＭＥｓＦ
ＥＴのゲート・ソース間に接続された形でモノリシック
集積化されていた。
に示す如く、ＧａＡｓ基板（３２）にイオン注入等で形
成されたＮ型の拡散領域（３３）と、前記Ｎ型の拡散領
域（３３）の一部と接合するように形成きれたＰ＋型の
拡散領域（３４〉とにより構成され、ＧａＡｓＭＥｓＦ
ＥＴのゲート・ソース間に接続された形でモノリシック
集積化されていた。
（ハ）発明が解決しようとする問題点
衛士の如き構成の保護ダイオード（３１）に於いて、Ｐ
”Ｎ接合のうちＰ＋の拡散領域（３４）の底面の一部と
Ｎ型の拡散領域（３３）で形成されている部分の面積が
大きいために寄生容量が増加し雑音指数（ＮＦ）を大巾
に劣化させる原因となっていた。
”Ｎ接合のうちＰ＋の拡散領域（３４）の底面の一部と
Ｎ型の拡散領域（３３）で形成されている部分の面積が
大きいために寄生容量が増加し雑音指数（ＮＦ）を大巾
に劣化させる原因となっていた。
（ニ）問題点を解決するための手段
本発明は上述した問題点に鑑みてなされ、化合物半導体
基板（２）に形成される化合物半導体装置の保護ダイオ
ード（１）に於いて、前記半導体基板（２）に形成され
る一導電型の第１の拡散領域（３）と、該第１の拡散領
域（３）の一部にイオン注入により形成される逆導電型
の第２の拡散領域（４）とを備え、該第２の拡散領域（
４）の深さと不純物濃度を前記第１の拡散領域（３）よ
り深く、濃くイオン注入することにより該第２の拡散領
域（４）は前記第１の拡散領域（３）を突抜けることで
解決するものである。
基板（２）に形成される化合物半導体装置の保護ダイオ
ード（１）に於いて、前記半導体基板（２）に形成され
る一導電型の第１の拡散領域（３）と、該第１の拡散領
域（３）の一部にイオン注入により形成される逆導電型
の第２の拡散領域（４）とを備え、該第２の拡散領域（
４）の深さと不純物濃度を前記第１の拡散領域（３）よ
り深く、濃くイオン注入することにより該第２の拡散領
域（４）は前記第１の拡散領域（３）を突抜けることで
解決するものである。
（＊）作用
前記第１の拡散領域（３）の一部に第１の拡散領域（３
）より深く濃くイオン注入し突抜けるように形成すると
、従来例（第３図）で示したＰｌの拡散領域（３４）の
底面の一部とＮ型の拡散領域（３３）で形成される容量
は全く発生せず、第１図に示す縦の接合部（５）のみで
容量は発生するので容量値を非常に小さくすることがで
きる。
）より深く濃くイオン注入し突抜けるように形成すると
、従来例（第３図）で示したＰｌの拡散領域（３４）の
底面の一部とＮ型の拡散領域（３３）で形成される容量
は全く発生せず、第１図に示す縦の接合部（５）のみで
容量は発生するので容量値を非常に小さくすることがで
きる。
（へ）実施例
以下に本発明の実施例を図面を参照しながら説明する。
第１図は本発明による保護ダイオード（１）の一実施例
であり、第２図に示した如＜ＧａＡｓデュアルゲートＭ
ＥＳＦＥＴのゲート１ （Ｇ、）に接続された保護ダイ
オード（２１）の断面図を示すものである。
であり、第２図に示した如＜ＧａＡｓデュアルゲートＭ
ＥＳＦＥＴのゲート１ （Ｇ、）に接続された保護ダイ
オード（２１）の断面図を示すものである。
第１図に示す如く、少なくとも化合物半導体基板（２）
例えば半絶縁性ＧａＡｓ基板に形成される一導電型（Ｎ
型）の第１の拡散領域（３）がある。
例えば半絶縁性ＧａＡｓ基板に形成される一導電型（Ｎ
型）の第１の拡散領域（３）がある。
ここではＧａＡｓ基板（２）上に例えばＣＶＤ法等を用
いてシリコン酸化膜（６）を約５０００人被覆し、Ｎ型
の第１の拡散領域（３）に対応するシリコン酸化膜（６
）を開口し、シリコンイオン（Ｓｉ” ）をドーズ量５
Ｘ１０ ”Ｃｍ””、加速電圧１００ＫｅＶの条件でイ
オン注入しＮ型の第１の拡散領域（３）を形成する。
いてシリコン酸化膜（６）を約５０００人被覆し、Ｎ型
の第１の拡散領域（３）に対応するシリコン酸化膜（６
）を開口し、シリコンイオン（Ｓｉ” ）をドーズ量５
Ｘ１０ ”Ｃｍ””、加速電圧１００ＫｅＶの条件でイ
オン注入しＮ型の第１の拡散領域（３）を形成する。
次に前記第１の拡散領域（３）のほぼ中央にイオン注入
により形成される逆導電型の第２の拡散領域（４）があ
り、該第２の拡散領域（４）は前記第１の拡散領域（３
）を突抜ける。
により形成される逆導電型の第２の拡散領域（４）があ
り、該第２の拡散領域（４）は前記第１の拡散領域（３
）を突抜ける。
従って前記第２の拡散領域（４）で２分割されたＮ型の
第１の拡散領域（３）（３）とＰ型の第２の拡散領域（
４） とで第２図におけるゲート１（Ｇｌ）に接続され
た２つのダイオードがＮＰＮ型で形成きれゲート１（Ｇ
ｌ）の保護ダイオード（１）として構成される。
第１の拡散領域（３）（３）とＰ型の第２の拡散領域（
４） とで第２図におけるゲート１（Ｇｌ）に接続され
た２つのダイオードがＮＰＮ型で形成きれゲート１（Ｇ
ｌ）の保護ダイオード（１）として構成される。
本発明の特徴とするところは、前記第１の拡散領域（３
）の一部にイオン注入により形成される逆導電型の第２
の拡散領域（４）であり、該第２の拡散領域（４）の深
さと不純物濃度を第１の拡散領域（３）より深く、濃く
イオン注入し、前記第２の拡散領域（４）は前記第１の
拡散領域（３）を突抜けることにある。
）の一部にイオン注入により形成される逆導電型の第２
の拡散領域（４）であり、該第２の拡散領域（４）の深
さと不純物濃度を第１の拡散領域（３）より深く、濃く
イオン注入し、前記第２の拡散領域（４）は前記第１の
拡散領域（３）を突抜けることにある。
つまりここでは前記ＧａＡｓ基板（２）上に同様にシリ
コン酸化膜（６）を被覆し直し、前記Ｐ型の第２の拡散
領域（４）に対応する領域のシリコン酸化膜を除去し、
開口部に亜鉛イ“オン（Ｚ、”）をドーズ量Ｉ Ｘ １
０ ”ｃｍ−”、加速電圧３６０ＫｅＶの条件で注入す
る。
コン酸化膜（６）を被覆し直し、前記Ｐ型の第２の拡散
領域（４）に対応する領域のシリコン酸化膜を除去し、
開口部に亜鉛イ“オン（Ｚ、”）をドーズ量Ｉ Ｘ １
０ ”ｃｍ−”、加速電圧３６０ＫｅＶの条件で注入す
る。
従って前記第１の拡散領域（３）の略中夫にイオン注入
により突抜けるように形成す・・ると、従来例（第３図
）で示したＰ型の拡散領域（３４）の底面の一部とＮ型
の拡散領域（３３）で形成される如き容量は全く発生し
ない。そのため第１図に示す縦の接合部のみで容量は発
生するので容量値を非常に小さくできる。
により突抜けるように形成す・・ると、従来例（第３図
）で示したＰ型の拡散領域（３４）の底面の一部とＮ型
の拡散領域（３３）で形成される如き容量は全く発生し
ない。そのため第１図に示す縦の接合部のみで容量は発
生するので容量値を非常に小さくできる。
またイオン注入で形成するためＰ型の第２の拡散領域（
４）の幅を非常に小さくできるためソース電極とゲート
１電極間に生じるシリーズ抵抗を小さくできる。
４）の幅を非常に小さくできるためソース電極とゲート
１電極間に生じるシリーズ抵抗を小さくできる。
以上はＮＰＮ型のダイオードで説明したが、第４図に示
す如＜ＰＮ型のダイオード（４１〉等でも良い。
す如＜ＰＮ型のダイオード（４１〉等でも良い。
（ト）発明の効果
本発明は以上の説明からも明らかな如く、前記第１の拡
散領域（３）の一部にイオン注入により形成される逆導
電型の第２の拡散領域（４）が前記第１の拡散領域（３
）を突抜けると、容量値を非常に小きくできるため雑音
指数（ＮＦ）を大幅に向上させることができる。
散領域（３）の一部にイオン注入により形成される逆導
電型の第２の拡散領域（４）が前記第１の拡散領域（３
）を突抜けると、容量値を非常に小きくできるため雑音
指数（ＮＦ）を大幅に向上させることができる。
またソース電極とゲート１電極間に生じるシリーズ抵抗
を小さくできるため、ブレーク・ダウン時の電流を急激
に流すことができる。
を小さくできるため、ブレーク・ダウン時の電流を急激
に流すことができる。
第１図及び第４図は本発明の実施例であり化合物半導体
装置の保護ダイオードを示す断面図、第２図はデュアル
・ゲートＭＥＳＦＥＴに保護ダイオードを設けた時の接
続図、第３図は従来の保護ダイオードの断面図である。 （１）は化合物半導体装置の保護ダイオード、（２）は
基板、（３）は第１の拡散領域、（４〉は第２の拡散領
域、（５）は接合部、（６）はシリコン酸化膜である。 第１図 第２図
装置の保護ダイオードを示す断面図、第２図はデュアル
・ゲートＭＥＳＦＥＴに保護ダイオードを設けた時の接
続図、第３図は従来の保護ダイオードの断面図である。 （１）は化合物半導体装置の保護ダイオード、（２）は
基板、（３）は第１の拡散領域、（４〉は第２の拡散領
域、（５）は接合部、（６）はシリコン酸化膜である。 第１図 第２図
Claims (1)
- （１）化合物半導体基板に形成される化合物半導体装置
の保護ダイオードに於いて、前記半導体基板に形成され
る一導電型の第１の拡散領域と、該第１の拡散領域の一
部にイオン注入により形成される逆導電型の第２の拡散
領域とを備え、該第２の拡散領域の深さと不純物濃度を
前記第１の拡散領域より深く、濃くイオン注入すること
により、前記第２の拡散領域は前記第１の拡散領域を突
抜けることを特徴とした化合物半導体装置の保護ダイオ
ード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60288325A JPH0740571B2 (ja) | 1985-12-20 | 1985-12-20 | 化合物半導体装置の保護ダイオ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60288325A JPH0740571B2 (ja) | 1985-12-20 | 1985-12-20 | 化合物半導体装置の保護ダイオ−ド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62145876A true JPS62145876A (ja) | 1987-06-29 |
| JPH0740571B2 JPH0740571B2 (ja) | 1995-05-01 |
Family
ID=17728718
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60288325A Expired - Lifetime JPH0740571B2 (ja) | 1985-12-20 | 1985-12-20 | 化合物半導体装置の保護ダイオ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0740571B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53145578A (en) * | 1977-05-25 | 1978-12-18 | Nec Corp | Diode varister |
| JPS5793579A (en) * | 1980-12-03 | 1982-06-10 | Toshiba Corp | Compound semiconductor device |
-
1985
- 1985-12-20 JP JP60288325A patent/JPH0740571B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53145578A (en) * | 1977-05-25 | 1978-12-18 | Nec Corp | Diode varister |
| JPS5793579A (en) * | 1980-12-03 | 1982-06-10 | Toshiba Corp | Compound semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0740571B2 (ja) | 1995-05-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR950006479B1 (ko) | 래터럴 트랜지스터 | |
| US5336926A (en) | Bipolar junction exhibiting suppressed kirk effect | |
| JPH0456163A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPS62145876A (ja) | 化合物半導体装置の保護ダイオ−ド | |
| JPH01132167A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0472771A (ja) | Ｍｏｓｆｅｔ | |
| JPH0682686B2 (ja) | 電界効果トランジスタ | |
| JPS62145877A (ja) | 化合物半導体装置の保護ダイオ−ド | |
| JPS62145875A (ja) | 化合物半導体装置の保護ダイオ−ド | |
| JPS62298184A (ja) | 半導体装置の保護ダイオ−ド | |
| JPS62299087A (ja) | 半導体装置の保護ダイオ−ド | |
| KR940001257B1 (ko) | 반도체 소자 제조방법 | |
| JPS62242370A (ja) | 半導体装置の保護ダイオ−ド | |
| JPH0695535B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS62145873A (ja) | 化合物半導体装置の保護ダイオ−ド | |
| JPS63128764A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS62120083A (ja) | 化合物半導体装置の保護ダイオ−ド | |
| JPS62193180A (ja) | 化合物半導体装置 | |
| JPH0648837Y2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6237974A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH01276769A (ja) | 絶縁ゲート型半導体装置 | |
| JPS63128765A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS62145874A (ja) | 化合物半導体装置の保護ダイオ−ド | |
| JPS62145878A (ja) | 化合物半導体装置 | |
| JPS6439071A (en) | Compound semiconductor device |