JPS62162252A - 光記録読み取り方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ポリジアセチレン誘導体化合物を含有する光
記録媒体の光記録読み取り方法に関し、特に光書き込み
手段として８００〜９００ｎｍの赤外線レーザーを、光
記録読み取り手段として　５５０〜７５０ｎｍの可視光
を用いた光記録読み取り方法に関する。

〔従来の技術〕

最近、オフィスオートメーションの中心的な存在として
光ティスフが注目を集めている。光ディスフは一枚のデ
ィスク中に大量の文書、文献等を記録保存できるため、
オフィスにおける文書等の整理、管理が効率よ〈実施で
きる。この光デイスク用の記録媒体としては、各種のも
のが検討されているが、価格、製造の容易さから有機材
料を用しまたものが注目されている。

このような記録媒体用の有機材料として、ジアセチレン
誘導体化合物が知られており、該化合物の熱変色性に着
目し、レーザー記録媒体として用いる記録技術が特開昭
５６−１４７８０７号に開示されている。しかし、この
明細書中には、どのようなレーザーを用いたか、あるい
は用いるべきかの記載がなく、単にレーザーを用いて記
録を実施したとの記載に留まっている。

本発明者らは、種々のレーザーを用いてこのジアセチレ
ン誘導体化合物のレーザー記録につき検討した結果、ア
ルゴンレーザー等の大型かつ高出力のレーザーを用いれ
ば熱変色記録が可能なものの、小型で比較的低出力の半
導体レーザー（波長８００〜９００ｎｍ）を使用した場
合にはレーザー記録が実施できないどとを確認した。し
かし、光ディスク等の実用的な記録媒体としては、小型
で低出力の半導体レーザーにより光書き込みが可能でか
つ読み取りについても発光ダイオードや小型レーザーで
実施可能なことが要請される。

一方、特開昭５９−８４２／１８号および同８４２４９
号には、熱安定性のよい特定構造のジエン化合物の塩を
含有する有機被膜が開示され、これらの有機被膜が半導
体レーザーの輻射波長領域の輻射線を吸収し発熱するの
で、レーザーエネルギーによりピットを形成するいわゆ
るヒートモード記録が実施できることを開示している。

しかし、記録媒体の表面に物理的なピットを形成して記
録を実施する場合には、初期の記録媒体表面が十分に平
滑であると同時に記録後においても記録媒体の表面に傷
を付けないよう十分な注意が必要となるとともに、特に
、高密度、高感度で高速の光書き込みを実施し、かつそ
の書き込まれた記録を積度良く読み取ることは比較的困
難であった。

〔発明が解決しようとする問題点〕

本発明はかかる従来技術の問題点を解決するためになさ
れたものであり、本発明の目的は小型軽量な半導体レー
ザーにより光書き込みが可能で、かつ小型軽量な可視光
発光体の光照射により読み取りが可能な光記録読み取り
方法を提供することにある。

本発明の他の目的は、高密度、高感度で高速記録が可能
で、かつ高速、高精度な読み取りが可能な光記録読み取
り方法を提供することにある。

本発明の更に他の目的は、安定性に優れ、高品質な光記
録画像を得ることのできる光記録読み取り方法を提供す
ることにある。

〔問題点を解決するための手段〕

すなわち、本発明の光記録読み取り方法は、ポリジアセ
チレン誘導体化合物と、下記一般式（１）または（２）
で表わされる化合物の一種以上とを含有してなる記録層
を有する光記録媒体に、　８００〜’ｌＯＱｎｍの赤外
線を記録情報に応じて照射し、記録層の照射部を変色さ
せる工程と、該記録層の変色部に５５０〜７５０ｎｗの
可視光を照射して記録情報を読み取る工程とを有するこ
とを特徴とする。

一般式（１） 一般式（２） １（−” （式中、Ｒ１はアルキル基、置換基を存してもよいフェ
ニル基またはスチリル基を表わし、Ｒ２およびＲ６は、
隣接した二つの−にＨ＝ＣＨ−基と共役二重結合系を形
成する置換基を有してもよいアリーレン基を表わし、Ｒ
３およびＲ７は、置換基を有してもよいフェニル基また
はナフチル基を表わし、Ｒ４はアルコキシ基を表わし、
Ｒ５はアルキル基を表わし、Ａはアニオン残基を表わす
。） 本発明の方法に用いる光記録媒体に含有されるポリジア
セチレン誘導体化合物とは、下記一般式で表わされるジ
アセチレン誘導体化合物（以下、ＤＡ化合物と略称する
） Ｒ８−ＣＥＣ−Ｃミ（ニーＲ９ （式中、Ｒ８およびＲ９は、極性基；極性基で置換され
てもよい、アルキル基、シクロヘキシル基のような飽和
脂肪族化、水素基；極性基で置換されてもよい、ビニル
基、プロペニル基のようなオレフィン系炭化水素基；ま
たは極性基で置換されてもよい、フェニル基、ナフチル
基、アルキルフェニル基のような芳香族炭化水素基であ
り、ここでいう極性基としては、例えばカルボキシル基
またはその金属若しくはアミン塩、スルホン酸基または
その金属若しくはアミン塩、スルホアミド基、アミド基
、アミノ基、イミノ基、ヒドロキシ基、オキシアミノ基
、ジアゾニウム基、グアニジン基、ヒドラジン基、リン
酸基、ケイ酸基、４アルミン酸基、ニトリル基、チオア
ルコール基、ニトロ基およびハロゲン原子が挙げられる
。） を重合させて得られるものであり、通常、光記録媒体の
製造時には、ＤＡ化合物の形で光記録媒体中に合作され
、記録の実施に先立ち、紫外線を照射することにより重
合させ、記録に供される。

−方、本発明で用いる前記一般式（１）または（２）で
表わされる化合物（以下、ジエン化合物塩と略称する）
は、　７５０ｎｍ以上の波長域に吸収ピークを有し、こ
の波長の赤外光により発熱する化合物である。

このジエン化合物塩につきより具体的に説明すると、一
般式（１）および（２）中、Ｒ１はメチル、エチル、プ
ロピル、イソプロピル、ブチル、ヘキシル等のアルキル
基、置換基を有してもよいフェニル基またはスチリル基
を表わす。ここで置換基としてはメトキシ、エトキシ、
ブトキシ等のアルコキシ基、塩素、臭素、ヨウ素等のハ
ロゲン原子、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル
等のアルキル基、ニトロ基があげられる。Ｒ２およびＲ
６は、ｐ−フェニレン、１．４−ナフチレン等の隣接し
た二つの−ＣＨ＝　ＣＨ−基と兵役二重結合系を形成す
る置換基を有してもよいアリーレン基を表わす。ここで
置換基としては塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子、
メチル、エチル等のアルキル基、メトキシ、エトキシ等
のアルコキシ基があげられる。

Ｒ３およびＲ７は置換基を有してもよいフェニル基また
はナフチル基を表わす。置換基としてはジメチルアミノ
、ジエチルアミノ、ジプロピルアミノ、ジブチルアミノ
、ジフェニルアミノ、フェニルアミノ、フェニルベンジ
ルアミノ、フェニルエチルアミノ等の置換アミノ基、モ
ルホリノ、ピペリジニル、ピロリジノ等の環状アミノ基
、メトキシ、エトキシ、ブトキシ等のアルコキシ基があ
げられる。Ｒ４はメトキシ、エトキシ、ブトキシ等のア
ルコキシ基を表わす。Ｒ５はメチル、エチル、プロピル
、イソプロピル、ブチル、ヘキシル等のアルキル基を表
わす。Ａはアニオン残基で、例えばＢＦｐ、Ｃ１８、ｃ
ｐ３ｃ豚ＰＦ？　、　’ａ、Ｆ？１．　色（：１ＳＯＰ
、にｌｌ３Ｓ　５、Ｃ２Ｈ５５ＯＲＣ３Ｈ７ｓｏＰｃ４
Ｈ９ｓｏ？ｃ５Ｈ１，５ｏＰｅ　　　　　　　　　θ Ｃ６Ｈ１３５０３、Ｃ）Ｉ３ＣＨＣＩＳＯ３，ＣｌＣＨ
２ＣＨ２５Ｏ色”　０３５ＣＨ２５０’；’　、　ｅＯ
３ＳＣＨ２ｃｏ、、ｓ龜ｅ０３　ＳにＨ２ＣＨ２ＣＨ２
ＣＩ（２ＣＨ２ＣＨ２５Ｆ？ｓ　　、ｅ０３ＳＣＨ２（
：Ｒ２０（：Ｈ２ＣＨ２ＳＯ３、このジエン化合物の具
体例を以下に例示する。

本発明に用いる光記録媒体は、前記ポリジアセチレン誘
導体化合物と首記ジエン化合物塩とを含有してなるが、
該光記録媒体の具体的な構成としては、以下に示すよう
な態様がある。但し、ポリジアセチレン誘導体化合物に
ついては、ここでは重合前のＤＡ化合物の形で表記する
。

（１）光記録媒体を構成する記録層か、ＤＡ化合物とジ
エン化合物塩とを混合して含有してなるもの（一層混合
系）。

（２）光記録媒体を構成する記録層が、ＤＡ化合物を含
有する層と、ジエン化合物塩を含有する輻射線吸収層と
の二層からなるもの（二層分離系）。

（３）光記録媒体を構成する記録層が、［ｌＡ化合物を
含有する層と、ジエン化合物塩を含有する輻射線吸収層
との交互多重積層構造からなるもの（多重積層系）。

なお、二層分離系および多重積層系においては、ＤＡ化
合物を含有する層と、ジエン化合物塩を含有する輻射線
吸収層の積層順序はいずれが記録層の表面側に位置して
もよく、また、必要に応じてこのように構成される記録
層の上に各種の保護層を設けてもよい。

本発明に用いる光記録媒体の基板としては、ガラス、ア
クリル樹脂等のプラスチック板、ポリエステル等のプラ
スチックフィルム、紙、金属等の各種の支持材料が使用
できるが、基板側から輻射線を照射して記録を実施する
場合には、特定波長の記録用輻射線を透過するものを用
いる。

基板上に記録層を形成するには、代表的にはＤＡ化合物
の微粉末および／またはジエン化合物塩を適当な揮発性
溶媒に分散もしくは溶解して塗布液を作成し、この塗布
液あるいはこれら塗布液を基板上に塗布する方法が採用
できる。塗布液には、基板との間あるいは各層間の密着
性を向上させるために、適宜天然若しくは合成高分子か
らなる各種のバインダーを添加してもよい。また、記録
層の安定性、品質向上を計るために各種の添加剤を加え
てもよい。

好適なバインターとしては、広範な樹脂から選択するこ
とができる。具体的には、ニトロセルロース、リン酸セ
ルロース、硫酸セルロース、酢酸セルロース、プロピオ
ン酸セルロース、酪酸セルロース、ミリスチン酸セルロ
ース、バルミチン酸セルロース、酢酸プロピオン酸セル
ロース、酢酸酪酸セルロースなどのセルロースエステル
類；メチルセルロース、エチルセルロース、プロピルセ
ルロース、ブチルセルロースなどのセルロースエーテル
類；ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、
ポリビニルブチラール、ポリビニルアセタール、ポリビ
ニルアルコール、ポリビニルピロリドンなどのビニル樹
脂類；スチレン−ブタジェンコポリマー、スチレン−ア
クリロニトリルコポリマー、スチレン−ブタジェン−ア
クリロニトリルコポリマー、塩化ビニル−酢酸ビニルコ
ポリマーなどの共重合樹脂類：ポリメチルメタクリレー
ト、ポリメチルアクリレート、ポリアクリル酸、ポリメ
タクリル酸、ポリアクリルアミド、ポリアクリロニトリ
ルなどのアクリル樹脂類：ポリエチレンテレフタレート
などのポリエステル類；ポリ（４，４’−イソプロピリ
デンジフェニレンーコ−１，４−シクロヘキシレンジメ
チレンカーボネート）、ポリ（エチレンジオキシ−３，
３′−フェニレンチオカーボネート）、ポリ（４，４’
−イソブロピリデンジフェニレンカーボネートーコーテ
レフタレート）、ポリ（４，４’−イソプロピリデンジ
フェニレンカーボネート）、ポリ（４，４’−５ｅｅ　
−ブチリデンジフェニレンカーボネート）、ポリ（４，
４′−イソプロピリデンジフェニレンカーボネート−ブ
ロック−オキシエチレン）などのボリアリレート樹脂類
：ボリアミド類；ポリイミド類；エポキシ樹脂類；フェ
ノール樹脂類；およびポリエチレン、ポリプロピレン、
塩素化ポリエチレンなどのポリオレフィン類などを用い
ることができる。

塗布のために用いる溶媒は、使用するバインダーの種類
や、ＤＡ化合物およびジエン化合物塩をバインダー中に
含有させるに際して分散状態とするかあるいは非晶質状
態とするかによって適宜選択されるが、ジエン化合物塩
の好適な溶媒とじてはメタノール、エタノール、イソプ
ロパツール等のアルコール類；アセトン、メチルエチル
ケトン、シクロヘキサノン等のケトン類；アセトニトリ
ル等の脂肪族ニトリル類：クロロホルム、塩化メチレン
、ジクロルエチレン、四塩化炭素、トリクロルエチレン
等の脂肪族ハロゲン化炭化水素類；等が挙げられ、塩化
メチレン、アセトニトリルが特に好適である。

ＤＡ化合物の好適な分散媒としては、長鎖のノルマル炭
化水素、四塩化炭素等の脂肪族ハロゲン化炭化水素類が
挙げられる。

しかし、ＤＡ化合物は、結晶性が強い化合物なので、一
旦溶媒に溶解し、この溶液を基板上に塗布しても乾燥過
程で再結晶化が進行し、ダレインが得られる。したがフ
て、分散液だけでなくＤＡ化合物の溶液を使用してもよ
い。この場合の溶媒としては、ジエン化合物塩の溶媒と
して挙げたものと同様なものが使用できる。

このような塗布液の基板への塗工は、スピナー回転塗布
法、浸漬コーティング法、スプレーコーティング法、ビ
ードコーティング法、ワイヤーハーコー　ティング法、
ブレードコーチインク法、ローラーコーティング法、カ
ーテンコーティング法等の手法が用いられる。

記録層が一層混合系の場合は、その膜厚としては、　５
００人〜２−程度が適しており、特に１０００〜５００
０人の範囲が好ましい。記録層内のＤＡ化合物とジエン
化合物塩との配合割合は、　１／１５〜１５／１程度が
好ましく、最適には１１５〜１ｏ／１である。

また、二層分離系の場合は、各層の膜厚としては、各々
　１００人〜１１１１１１程度が適しており、特に２０
０〜５０００人の範囲が好ましい。

多重積層系の場合は、各りへ化合物層の膜厚の総和およ
び各ジエン化合物塩層の膜厚の総和が、各々　１００人
〜ＩＪＬＩＩ＋程度が適しており、特に２００〜５００
０への範囲が好ましい。

本発明の光記録読み取り方法においては、記録、再生に
供される上記のように構成された記録媒体は、記録の実
施に先立ち、先ず記録層中のＤＡ化合物を重合させる。

すなわち、Ｄへ化合物は、初期にはほぼ無色透明である
が、記録層全体に紫外線を照射すると重合し、ポリジア
セチレン誘導体化合物へと変化する。この重合は紫外線
の照射等によって起り、単に熱エネルギーを加えるだけ
では生じない。この重合の結果、記録層は６２０〜６６
０ｎｍに最大吸収波長を有するようになり、青色乃至暗
色へと変化する。この重合に基づく色相の変化は不可逆
変化であり、一度青色乃至暗色へ変化した記録層は無色
透明膜へとは戻らない。このようにして、記録層中のＤ
へ化合物が重合しポリジアセチレン誘導体化合物へと変
化し、青色乃至暗色化した記録層を有する光記録媒体が
、本発明の方法に使用される。

この青色乃至暗色へ変化したポリジアセチレン誘導体化
合物は、約５０℃以上に加熱すると今度は約５４０ｎｍ
に最大吸収波長を有するようになり、赤色へと変化する
。この変化も不可逆変化である。

本発明の光記録読み取り方法は、このようなポリジアセ
チレン誘導体化合物の変色特性を利用して光書き込みお
よび光記録読み取りを実施するものであり、以下、この
本発明の光記録読み取り方法につき詳述する。

第１図は、本発明の光記録読み取り方法を実施するのに
用いる光記録再生装置の一例を示す模式図である。この
光記録再生装置は、光記録媒体１を所定位置にセットす
るための不図示の光記録媒体載置手段と、光記録媒体へ
情報を書き込むための情報書き込み手段と、光記録媒体
に書き込まれた記録情報を読み取るための情報読み取り
手段から構成されている。情報書き込み手段は、８００
〜９００ｒ＋ｍの範囲内の波長の紫外線を放射する半導
体レーザー２、人力情報に応じて半導体レーザー２の発
振を制御する制御回路３および光学系（コリメートレン
ズ４、ダイクロイックミラー５、反射板６、波長板７お
よび対物レンズ８）から構成されている。半導体レーザ
ー２としては、出力波長８２０〜８４０ｒ＋ｍのＧａＡ
ｓの接合レーザー、例えばＨＬＰ−１５００（商品名、
日立製作新製、出力波長８３０ｎｍ、最大出力１０ｍＷ
）を使用するのが好適である。

一方、情報読み取り手段は、駆動回路９により制御され
、５５０〜７５０ｎｍの範囲の波長の可視光を放射する
半導体レーザーまたは発光ダイオードＩＯ１出力回路１
１に接続するフォトディテクター１２および光ピツクア
ップ光学系（光学系の大部分は、情報書き込み手段用の
光学系と共用しているが、独自のものとしてコリメート
レンズ１３、偏光ビームスプリッタ１４を有している）
から構成されている。

半導体レーザー１０としては、　６５０〜７５０ｎｍ範
囲の波長の可視光を放射するもの、例えばＧａＡｌＡｓ
のＰＮ接合レーザーを使用するのが好適であり、発光ダ
イオードＩＯとしては、　５５０〜７５０ｎｍ範囲の波
長の可視光を放射するもの、例えばＧａＡＩＰ　、　Ｇ
ａＰ、ＧａＡｌＡｓ等の接合ダイオードを使用するのが
好適である。

入力情報は、制御回路３を経て半導体レーザー２により
光信号に変換される。この光信号は光学系を経て、光記
録媒体載置手段上に載置され、同期回転している青色乃
至暗色の記録層を有する光記録媒体の所定の位置に結像
される。結像位置は光記録媒体が一層混合系の場合は記
録層であり、二層分離系の場合はジエン化合物塩を含有
する輻射線吸収層である。結像点（部位）に存在するポ
リアセチレン誘導体化合物はこの波長のレーザービーム
を吸収しないが、ジエン化合物塩はこのレーザービーム
を吸収し発熱する。このジエン化合物塩の発熱が隣接す
るポリアセチレン誘導体化合物に伝わり、ポリジアセチ
レン誘導体化合物が赤色へと変色する。かくして人力情
報に応じて記録層上の記録部位の色変化による光書き込
みか実施される。

一方、光記録読み取りは、５５０〜７５０ｎｍの範囲の
波長の可視光を放射する半導体レーザーまたは発光ダイ
オードｌＯから放射される低出力の連続発掘光を使用し
て実施する。この読み取り光は低出力である上、波長が
赤外域から外れているので、ジエン化合物塩を発熱させ
ない。したがって、この読み取り光によって読み取り中
に記録が実施されることはない。読み取り光は、光記録
媒体１の記録層表面に結像し、反射されるが、この読み
取り光の反射率は、記録部位（変色部位）とそうでない
箇所とでは異るので、この反射光を光ピツクアップ光学
系を通してフォトディテクター１２の受光面にあてるこ
とにより、電気信号に変換し、出力回路１１を介して記
録の再生読み取りが行われる。

光記録媒体としては、上述の例では円盤状のディスク（
光ディスク）が用いられたが、ポリジアセチレン誘導体
化合物およびジエン化合物塩を含有する記録層を支持す
る基板の種類により、光テープ、光カード等も使用でき
る。

〔発明の効果〕

本発明の光記録読み取り方法の効果を以下に列挙する。

（１）記録層が８００〜９００ｎｍの範囲内の波長の赤
外線を吸収するジエン化合物塩を含有しているので、８
００〜９００ｎｍの赤外線を放射する小型軽量の半導体
レーザーを用いて光書き込みが実施でき、また５５０〜
７５０ｎｍの範囲の波長の可視光を放射する小型軽量の
半導体レーザーや発光ダイオードにより読み取りが可能
である。

（２）光照射による記録層の色相の変化を利用した記録
、再生方法なので、高速、高密度、高感度な光書き込み
が実施でき、また高速、高精度な光読み取りが・実施で
きる。

〔実施例〕

以下、本発明を実施例に基づきより詳細に説明する。

実施例１ 一般式ｃ、２Ｈ２５−ｃ＝ｃ−ｃ＝ｃ−ｃ８Ｈ１６−ｃ
ｏｏｎで表わされるジアセチレン誘導体化合物の結晶微
粉末１重量部と前記の化合物ＡＩＩＬＩで表わされるジ
エン化合物塩１重量部とを塩化メチレン４重量部中に添
加し、十分撹拌したものを塗布液として準備した。

次にガラス製のディスク基板（厚さ１．５ｍｍ、直径２
００ｍｍ）をスピナー塗布機に装着し、前記塗布液をデ
ィスク基板の中央部に少量滴下した後、所定の回転数で
所定の時間スピナーを回転させ塗布し、常温で乾燥し、
基板上の乾燥後の塗膜の厚みが５００人、１０００人お
よび２０００人である光記録媒体をそれぞれ作成した。

これら光記録媒体に２５４ｎｍの紫外線を均一かつ十分
に照射し、記録層中のＤＡ化合物を重合させ、記録層を
青色膜にした。

これら光記録媒体を第１図に示した記録装置を用い、人
力情報にしたがい以下の記録条件により記録書き込みを
実施した。

半導体レーザー（ＨＬＰ−１５００、日立製作所製）レ
ーザー波長：　　８３０ｎｍ レーザービーム径：　１鱗 レーザー出カニ　　３ｍＷ、 １ビツトあたりのレーザービームの照射時間：００ｎｓ 青色の光記録媒体表面にレーザービームを照射すると照
射部は赤色に変色し、記録書き込みが行われた。記録の
読み取りには、波長６８０ｎｍ、出力１ｍＷの半導体レ
ーザーを読み取り光源として使用し、その反射光をフォ
トディテクター（ＰＮ接合ダイオード）で受光した。

記録書き込みの評価は次のようにして実施した。記録濃
度は、記録（赤色）部のオプティカルデンシティ−を測
定した。解像度および感度は、記録画像とレーザービー
ム径の対応を顕微鏡により観察して判定し、非常に良好
なものを◎、良好なものをＯ１記録ができないあるいは
対応の劣悪なものを×とした。また、記録読み取りは、
搬送波雑音比（Ｃ／Ｎ比）を測定して評価した。評価結
果を第１表に示した。

実施例２ 実施例１で作成した三種の光記録媒体に２５４ｎｍの紫
外線を均一かつ十分に照射し、記録層を青色膜にした後
、人力情報にしたがい、記録に用いるレーザーを変更し
、下記の記録条件により記録を実施し、実施例１と同様
な方法により記録の読み取りを実施した。

半導体レーザー（ＨＬＰ−７８０２、日立製作所製）レ
ーザー波長：　　８００ｎｍ レーザービーム径＝　１鱗 レーザー出カニ　　３ｍＷ。

１ビツトあたりのレーザービームの照射時間：００ｎｓ 記録の評価は、実施例１と同様な基準により実施し、そ
の評価結果を第１表に示した。

実施例３、比較例１．２ 記録に用いるレーザーをそれぞれ下記のものに変更した
ことを除いては実施例１と同様な条件で記録の書き込み
および読み取りを実施だ。記録の評価は、実施例１と同
様な基準により実施し、その評価結果を第１表に示した
。

実施例３：半導体レーザー（Ｇａ　−Ａｓレーザー（Ｗ
−へテロ構造）、試作品）レーザー波長：　８９０ｎｍ 比較例１：半導体レーザー（Ｇａ−Ａｓレーザー（Ｗ−
へテロ構造）、試作品）レーザー波長：　９５０ｎｍ 比較例２：キセノンガスレーザー、レーザー波長：　７
５２ｎｍ 実施例４ 実施例１で使用したと同じガラス製のディスク基板上に
、先ず化合物／ＬＩで表わされるジエン化合物塩１重量
部を塩化メチレン２重量部中に溶解して得た塗布液を用
いて実施例１と同様にして、乾燥後の厚みが１０００人
の塗膜を形成した。次いで実施例１で使用したジアセチ
レン誘導体化合物の結晶微粉末１重量部およびバインダ
ーとしてのニトロセルロース１重量部を塩化メチレン４
重量部中に分散、溶解させて得た塗布液を、ジエン化合
物塩の塗膜上に先と同様にして乾燥後の厚みが１０００
人の塗膜を形成し、二層分離構造の記録層を有する光記
録媒体を作成した。この光記録媒体の記録層を青色膜に
した後、実施例１と同様な条件で記録の書き込みおよび
読み取りを実施した。記録の評価は、実施例１と同様に
して行い、その結果を第１表に示した。

比較例３ ジエン化合物塩を使用せずに、ジアセチレン誘導体化合
物１重量部およびニトロセルロース　１重量部を塩化メ
チレン４重量部に溶解した溶液を塗布液とし使用し、実
施例１と同様の方法により記録媒体を作成した。この記
録媒体に対して、実施例１および比較例１．２の記録条
件により、それぞれ記録の書き込みおよび読み取りを実
施した。

その評価結果を第１表に示した。

第１表 比較例４ ジアセチレン誘導体化合物を使用せずに、ジエン化合物
塩１ｆｆｉｆｆｉ部とニトロセルロース１重量部とを塩
化メチレン４重量部に溶解した溶液を塗布液とし使用し
、実施例１と同様の方法により記録層の厚みが１０００
人の光記録媒体を作成した。

この光記録媒体に対して、紫外線照射を実施せずに直接
半導体レーザービームを入力情報にしたがい、実施例１
と同じ出力で光記録媒体表面の所定位置にレーザービー
ムの波長と照射時間を種々変更して記録層表面上に照射
（照射時間５００ｎｓ〜５μＳ／ビツト）し、ビットを
形成することによる記録の書き込み実施した。その結果
、この光記録媒体については、顕微鏡で観察した結果、
一つのピットを明瞭に形成するには４μｓ以上の照射時
間を要することが判明した。

実施例５ 一般弐Ｃ，２Ｈ２５−Ｃ＝Ｃ−Ｃ：Ｇ−Ｃ８Ｈ，６−Ｃ
０ＯＨで表わされるジアセチレン誘導体化合物に代え、
一般式Ｃ８Ｈ，７−ＣＥＣ−ＣＥＣ−Ｃ１Ｈ４−（：Ｏ
ＯＨで表わされるジアセチレン誘導体化合物を用いたこ
とを除いては実施例１と同様の方法により光記録媒体を
作成した。この記録媒体に対して実施例１と同じ条件で
記録、再生を実施した。その評価結果を第２表に示した
。

実施例６〜１０ 化合物Ａ１で表わされるジエン化合物塩に代え、化合物
／Ｌ３．８．１２．１５および２０で表わされるジエン
化合物塩をそれぞれ用いたことを除いては、実施例１と
同様の方法により光記録媒体を作成した。これらの光記
録媒体に対して実施例１と同じ条件で記録、再生を実施
した。その評価結果を第２表に示した。

第　　２　　表

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光記録読み取り方法に用いる記録装
置の一例を示す模式図である。 １：光記録媒体　　　２：半導体レーザー３：制御回路
　　　　４：コリメートレンズ５：ダイクロイックミラ
ー ６：反射板　　　　　７：波長板 ８：対物レンズ　　　９：駆動回路 ｌＯ二二環導体レーザーたは発光ダイオード１１：出力
回路　　　　１２：フォトディテクター１３：コリメー
トレンズ １４：偏光ビームスプリッタ−

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）ポリジアセチレン誘導体化合物と、下記一般式（１
   ）または（２）で表わされる化合物の一種以上とを含有
   してなる記録層を有する光記録媒体に、８００〜９００
   ｎｍの赤外線を記録情報に応じて照射し、記録層の照射
   部を変色させる工程と、該記録層の変色部に５５０〜７
   ５０ｎｍの可視光を照射して記録情報を読み取る工程と
   を有することを特徴とする光記録読み取り方法。 一般式（１） ▲数式、化学式、表等があります▼（１） 一般式（２） ▲数式、化学式、表等があります▼（２） （式中、Ｒ＾１はアルキル基、置換基を有してもよいフ
   ェニル基またはスチリル基を表わし、Ｒ＾２およびＲ＾
   ６は、隣接した二つの−ＣＨ＝ＣＨ−基と共役二重結合
   系を形成する置換基を有してもよいアリーレン基を表わ
   し、Ｒ＾３およびＲ＾７は、置換基を有してもよいフェ
   ニル基またはナフチル基を表わし、Ｒ＾４はアルコキシ
   基を表わし、Ｒ＾５はアルキル基を表わし、Ａはアニオ
   ン残基を表わす。）