JPS62166529A - 薄膜の形成方法 - Google Patents
薄膜の形成方法Info
- Publication number
- JPS62166529A JPS62166529A JP61010410A JP1041086A JPS62166529A JP S62166529 A JPS62166529 A JP S62166529A JP 61010410 A JP61010410 A JP 61010410A JP 1041086 A JP1041086 A JP 1041086A JP S62166529 A JPS62166529 A JP S62166529A
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- JP
- Japan
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- solution
- silicon oxide
- heat
- oxygen gas
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- Granted
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- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の製造に用いられる薄膜の形成方
法に関し、特に溶液塗布熱処理による薄膜の形成方法に
関する。
法に関し、特に溶液塗布熱処理による薄膜の形成方法に
関する。
〔従来の技術〕 ゛
半導体高集積回路装置に於いては、層間絶縁膜として平
坦化された酸化膜が用いられている。この平坦化酸化膜
の成膜方法の一つとして溶液塗布を用いる方法がある。
坦化された酸化膜が用いられている。この平坦化酸化膜
の成膜方法の一つとして溶液塗布を用いる方法がある。
従来の方法は、酸化ケイ素含有溶液を基板上に塗布し、
前熱処理(200°C)した後、酸素雰囲気中で炉周囲
からの加熱、すなわち、塗布膜表面からの加熱による熱
処理(600〜900°C)を行っていた。
前熱処理(200°C)した後、酸素雰囲気中で炉周囲
からの加熱、すなわち、塗布膜表面からの加熱による熱
処理(600〜900°C)を行っていた。
上述した従来の方法は、形成されたシリコン酸化膜の膜
中にわずかながら有機物が残ったシ、あるいは充分な酸
化が行なわれないという欠点がある。このため、形成さ
れた膜の電気的絶縁性が悪い。
中にわずかながら有機物が残ったシ、あるいは充分な酸
化が行なわれないという欠点がある。このため、形成さ
れた膜の電気的絶縁性が悪い。
本発明の薄膜の形成方法は、酸化ケイ素含有溶液を基板
に塗布し、前熱処理後、酸素雰囲気中、かつ低圧水銀灯
で発せられる1850mの紫外光照射下で該基板下から
の加熱により熱処理する工程を有している。
に塗布し、前熱処理後、酸素雰囲気中、かつ低圧水銀灯
で発せられる1850mの紫外光照射下で該基板下から
の加熱により熱処理する工程を有している。
次に1本発明について図面を参照して説明する。
第1図は、本発明の一実施例に用いた紫外光照射/熱処
理装置の断面図である。
理装置の断面図である。
本装置は、ヒーター1を内蔵したサセプター2と、紫外
光照射のための低圧水銀灯3と、酸素ガスを導入する酸
素ガス導入口4及び、酸素ガスを排気する排気口5とか
ら構成されている。
光照射のための低圧水銀灯3と、酸素ガスを導入する酸
素ガス導入口4及び、酸素ガスを排気する排気口5とか
ら構成されている。
前熱処理後の酸化ケイ素含有溶液6をもつ基板7はサセ
プタ2上に設置される。
プタ2上に設置される。
本装置の特徴は酸化ケイ素含有溶液6が基板7を通して
加熱され、かつ、酸素雰囲気中で紫外光が照射されるこ
とにある。
加熱され、かつ、酸素雰囲気中で紫外光が照射されるこ
とにある。
本実施例に於いて、用いられた酸化ケイ素含有溶液は、
10%のケイ素成分、2%のホウ素成分、1%のリン成
分を含むアルコラードを主成分とするものである。この
溶液をシリコン基板に毎分3000回転で回転塗布し、
窒素中、200’Cの前処理を行なった後、上記の紫外
光照射/熱処理装置で熱処理を行ない、膜形成した。
10%のケイ素成分、2%のホウ素成分、1%のリン成
分を含むアルコラードを主成分とするものである。この
溶液をシリコン基板に毎分3000回転で回転塗布し、
窒素中、200’Cの前処理を行なった後、上記の紫外
光照射/熱処理装置で熱処理を行ない、膜形成した。
この熱処理条件として、酸素ガス流量毎分2011低圧
水銀灯から発せられる波長18511m光の強度10
(m w / c m2)、サセプタ温度6000Cが
とられた。
水銀灯から発せられる波長18511m光の強度10
(m w / c m2)、サセプタ温度6000Cが
とられた。
ここで、本発明の方法で形成されたシリコン酸化膜の特
性を評価したところ、従来の方法で形成したシリコン酸
化膜のもOK比べ、例えば、もれ電流は、図2に示す様
に一桁以上小さいものである等、格段忙優れたものであ
った。
性を評価したところ、従来の方法で形成したシリコン酸
化膜のもOK比べ、例えば、もれ電流は、図2に示す様
に一桁以上小さいものである等、格段忙優れたものであ
った。
以上説明したように本発明は、酸化ケイ素含有溶液を基
板に塗布、前熱処理後、酸素雰囲気中かつ紫外光照射下
で基板下からの加熱による熱処理するため、 (1)酸化ケイ素含有溶液に含まれている有機成分の分
解気化を促進する効果。
板に塗布、前熱処理後、酸素雰囲気中かつ紫外光照射下
で基板下からの加熱による熱処理するため、 (1)酸化ケイ素含有溶液に含まれている有機成分の分
解気化を促進する効果。
(2)酸素の紫外光照射で形成されるO ファイカルに
よる酸化促進の効果。
よる酸化促進の効果。
がある。
その結果、電気的絶縁性の優れたシリコン酸化膜を、溶
液塗布法によって形成することが出来る効果がある。
液塗布法によって形成することが出来る効果がある。
第1図は、本発明の実施例に用いた紫外光照射/熱処理
装置の断面図、第2図は本発明の一実施例により形成し
た膜のI−V特性を示すグラフである。
装置の断面図、第2図は本発明の一実施例により形成し
た膜のI−V特性を示すグラフである。
Claims (3)
- (1)酸化ケイ素含有溶液を基板上に塗布し、酸素雰囲
気中で、かつ紫外光照射下で熱処理することを特徴とす
る薄膜の形成方法。 - (2)前記紫外光として低圧水銀灯の波長185nm光
を用いることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の
薄膜の形成方法。 - (3)前記熱処理が、基板が置かれるサセプターからの
加熱であることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
の薄膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61010410A JPH0831453B2 (ja) | 1986-01-20 | 1986-01-20 | 薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61010410A JPH0831453B2 (ja) | 1986-01-20 | 1986-01-20 | 薄膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62166529A true JPS62166529A (ja) | 1987-07-23 |
| JPH0831453B2 JPH0831453B2 (ja) | 1996-03-27 |
Family
ID=11749373
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61010410A Expired - Fee Related JPH0831453B2 (ja) | 1986-01-20 | 1986-01-20 | 薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0831453B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6450428A (en) * | 1987-08-20 | 1989-02-27 | Tokyo Noukou Univ | Oxide thin film having high permittivity and formation thereof |
| JPS6457626A (en) * | 1987-08-28 | 1989-03-03 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| JPH01216544A (ja) * | 1988-02-24 | 1989-08-30 | Sharp Corp | 半導体素子のパッシベーション膜形成方法 |
| JPH01290772A (ja) * | 1988-05-17 | 1989-11-22 | Koujiyundo Kagaku Kenkyusho:Kk | シリコン酸化膜の改質方法 |
| JPH0472623A (ja) * | 1990-07-12 | 1992-03-06 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法およびその製造装置 |
| US5433812A (en) * | 1993-01-19 | 1995-07-18 | International Business Machines Corporation | Apparatus for enhanced inductive coupling to plasmas with reduced sputter contamination |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4996673A (ja) * | 1973-01-16 | 1974-09-12 | ||
| JPS49107176A (ja) * | 1973-02-13 | 1974-10-11 |
-
1986
- 1986-01-20 JP JP61010410A patent/JPH0831453B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4996673A (ja) * | 1973-01-16 | 1974-09-12 | ||
| JPS49107176A (ja) * | 1973-02-13 | 1974-10-11 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPS6457626A (en) * | 1987-08-28 | 1989-03-03 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| JPH01216544A (ja) * | 1988-02-24 | 1989-08-30 | Sharp Corp | 半導体素子のパッシベーション膜形成方法 |
| JPH01290772A (ja) * | 1988-05-17 | 1989-11-22 | Koujiyundo Kagaku Kenkyusho:Kk | シリコン酸化膜の改質方法 |
| JPH0472623A (ja) * | 1990-07-12 | 1992-03-06 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法およびその製造装置 |
| US5433812A (en) * | 1993-01-19 | 1995-07-18 | International Business Machines Corporation | Apparatus for enhanced inductive coupling to plasmas with reduced sputter contamination |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0831453B2 (ja) | 1996-03-27 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |