JPH0831453B2 - 薄膜の形成方法 - Google Patents

薄膜の形成方法

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JPH0831453B2
JPH0831453B2 JP61010410A JP1041086A JPH0831453B2 JP H0831453 B2 JPH0831453 B2 JP H0831453B2 JP 61010410 A JP61010410 A JP 61010410A JP 1041086 A JP1041086 A JP 1041086A JP H0831453 B2 JPH0831453 B2 JP H0831453B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置の製造に用いられる薄膜の形成
方法に関し、特に溶液塗布熱処理による薄膜の形成方法
に関する。
〔従来の技術〕
半導体高集積回路装置に於いては、層間絶縁膜として
平坦化された酸化膜が用いられている。この平坦化酸化
膜の成膜方法の一つとして溶液塗布を用いる方法があ
る。従来の方法は、酸化ケイ素含有溶液を基板上に塗布
し、前熱処理（200℃）した後、酸素雰囲気中で炉周囲
からの加熱、すなわち、塗布膜表面からの加熱による熱
処理（600〜900℃）を行っていた。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上述した従来の方法は、形成されたシリコン酸化膜の
膜中にわずかながら有機物が残ったり、あるいは充分な
酸化が行なわれないという欠点がある。このため、形成
された膜の電気的絶縁性が悪い。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明の薄膜形成方法は、酸化ケイ素含有溶液が塗布
された半導体基板をサセプター上に載置して酸素雰囲気
中で熱処理し、前記半導体基板上にシリコン酸化膜を形
成する薄膜の形成方法において、前記熱処理は前記サセ
プターを加熱しながら紫外光を照射することによって行
われることを特徴とする。
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は、本発明の一実施例に用いた紫外光照射／熱
処理装置の断面図である。
本装置は、ヒーター１を内蔵したサセプター２と、紫
外光照射のための低圧水銀灯３と、酸素ガスを導入する
酸素ガス導入口４及び、酸素ガスを排気する排気口５と
から構成されている。
前熱処理後の酸化ケイ素含有溶液６をもつ基板７はサ
セプタ２上に設置される。
本装置の特徴は酸化ケイ素含有溶液６が基板７を通し
て加熱され、かつ、酸素雰囲気中で紫外光が照射される
ことにある。
本実施例に於いて、用いられた酸化ケイ素含有溶液
は、10％のケイ素成分、２％のホウ素成分、１％のリン
成分を含むアルコラートを主成分とするものである。こ
の溶液をシリコン基板に毎分3000回転で回転塗布し、窒
素中、200℃の前処理を行なった後、上記の紫外光照射
／熱処理装置で熱処理を行ない、膜形成した。
この熱処理条件として、酸素ガス流量毎分20、低圧
水銀灯から発せられる波長185nm光の強度10〔mw/c
m2〕、サセプタ温度600℃がとられた。
ここで、本発明の方法で形成されたシリコン酸化膜の
特性を評価したところ、従来の方法で形成したシリコン
酸化膜のものに比べ、例えば、もれ電流は、図２に示す
様に一桁以上小さいものである等、格段に優れたもので
あった。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、酸化ケイ素含有溶液を
基板に塗布、前熱処理後、酸化雰囲気中かつ紫外光照射
下で基板下からの加熱による熱処理するため、 （１） 酸化ケイ素含有溶液に含まれている有機成分の
分解気化を促進する効果。
（２） 酸素の紫外光照射で形成される０＊ラディカル
による酸化促進の効果。
がある。
その結果、電気的絶縁性の優れたシリコン酸化膜を、
溶液塗布法によって形成することが出来る効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明の実施例に用いた紫外光照射／熱処理
装置の断面図、第２図は本発明の一実施例により形成し
た膜のＩ−Ｖ特性を示すグラフである。 １……ヒーター、２……サセプタ、３……低圧水銀灯、
４……酸素ガス導入口、５……排気口、６……酸化ケイ
素含有溶液、７……基板。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】酸化ケイ素含有溶液が塗布された半導体基
    板をサセプタ上に載置して酸素雰囲気中で熱処理し、前
    記半導体基板上にシリコン酸化膜を形成する薄膜の形成
    方法において、前記熱処理は前記サセプタを加熱しなが
    ら紫外光を照射することによって行われることを特徴と
    する薄膜の形成方法。
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