JPS6217874B2 - - Google Patents
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- JPS6217874B2 JPS6217874B2 JP56015467A JP1546781A JPS6217874B2 JP S6217874 B2 JPS6217874 B2 JP S6217874B2 JP 56015467 A JP56015467 A JP 56015467A JP 1546781 A JP1546781 A JP 1546781A JP S6217874 B2 JPS6217874 B2 JP S6217874B2
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- Japan
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- resin
- metal
- metal coating
- lead
- die pad
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W70/40—Leadframes
- H10W70/456—Materials
- H10W70/457—Materials of metallic layers on leadframes
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07551—Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
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- H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はリードフレームに半導体素子を載置
し、これを樹脂封止した半導体装置に関するもの
である。
し、これを樹脂封止した半導体装置に関するもの
である。
従来のこのような半導体装置に於ては、銅、鉄
或いはこれらの合金よりなるリードフレームで、
ダイパツト部と外部導出リードの一部、即ちダイ
パツド部に近接し金属細線の接続される部分のみ
に、例えば金或いは銀の如き貴金属が選択的にめ
つきされたリードフレームが広く用いられてい
る。このようなリードフレームに半導体素子を載
置し、金属細線による配線を施した後、半導体素
子周辺と金属配線部とを樹脂で封止した半導体装
置では、リードフレームが樹脂表面と接する境界
部附近に於て、樹脂はリードフレームの素材金属
と直接接触する構造を有している。また、樹脂を
封止した後外部導出リードの樹脂より外部に導出
された部位に、主に良好な半田付け性を得ること
と、酸化腐食を防止することを目的に、例えば
錫、鉛、或いはこれらの合金よりなる外装金属被
膜が形成されている。
或いはこれらの合金よりなるリードフレームで、
ダイパツト部と外部導出リードの一部、即ちダイ
パツド部に近接し金属細線の接続される部分のみ
に、例えば金或いは銀の如き貴金属が選択的にめ
つきされたリードフレームが広く用いられてい
る。このようなリードフレームに半導体素子を載
置し、金属細線による配線を施した後、半導体素
子周辺と金属配線部とを樹脂で封止した半導体装
置では、リードフレームが樹脂表面と接する境界
部附近に於て、樹脂はリードフレームの素材金属
と直接接触する構造を有している。また、樹脂を
封止した後外部導出リードの樹脂より外部に導出
された部位に、主に良好な半田付け性を得ること
と、酸化腐食を防止することを目的に、例えば
錫、鉛、或いはこれらの合金よりなる外装金属被
膜が形成されている。
このような従来の半導体装置に於いては、樹脂
封入の際に樹脂の境界部より、リード表面に漏出
した樹脂薄膜の付着した部分（いわゆる樹脂バ
リ）には、外装金属被膜は被覆されず、またこの
樹脂薄膜が脱落すると、リードフレームの素材金
属が露出し、この露出部で素材金属の酸化腐食が
進行し、リードの断線等を生じ易いという欠点を
有している。
封入の際に樹脂の境界部より、リード表面に漏出
した樹脂薄膜の付着した部分（いわゆる樹脂バ
リ）には、外装金属被膜は被覆されず、またこの
樹脂薄膜が脱落すると、リードフレームの素材金
属が露出し、この露出部で素材金属の酸化腐食が
進行し、リードの断線等を生じ易いという欠点を
有している。
本発明の目的は耐酸化性の優れた機械的に強い
リードを有する信頼度の優れた半導体装置を提供
することにある。
リードを有する信頼度の優れた半導体装置を提供
することにある。
即ち、本発明の半導体装置によれば、樹脂封入
の際に付着する樹脂薄膜の外装金属被膜の被覆さ
れなくなるリード部分には予め、酸化耐食性の優
れた、例えばニツケル銀、アルミニウムあるいは
これらの合金の金属被膜が形成された半導体装置
を得る。
の際に付着する樹脂薄膜の外装金属被膜の被覆さ
れなくなるリード部分には予め、酸化耐食性の優
れた、例えばニツケル銀、アルミニウムあるいは
これらの合金の金属被膜が形成された半導体装置
を得る。
このような半導体装置によればリードの素材金
属の露出を防止でき、酸化腐食の進行し難い信頼
度の高い半導体装置を供給することが可能であ
る。
属の露出を防止でき、酸化腐食の進行し難い信頼
度の高い半導体装置を供給することが可能であ
る。
次に本発明説明の為に従来の半導体装置ならび
に、本発明の半導体装置の一実施例につさ図面を
参照してより詳細に説明する。
に、本発明の半導体装置の一実施例につさ図面を
参照してより詳細に説明する。
第１図は従来の半導体装置を示す縦断面図、第
２Ａ図は本発明の半導体装置の一実施例を示す縦
断面図、第２Ｂ図は第２Ａ図の実施例の樹脂を除
いた上面図である。第１図に於いて、例えば銅、
鉄、或いはこれらの合金よりなるリードフレーム
１００はダイパツド部１０１ならびに、外部導出
リード１０２のダイパツド部１０１に近接する先
端部１０３には、例えば金、銀の如き貴金属１０
４がめつきされている。半導体素子１０５は、ダ
イパツド部１０１に固着され、半導体素子１０５
の電極（図示せず）と外部導出リード１０２は金
属細線１０６により、リード先端１０３で接続さ
れている。
２Ａ図は本発明の半導体装置の一実施例を示す縦
断面図、第２Ｂ図は第２Ａ図の実施例の樹脂を除
いた上面図である。第１図に於いて、例えば銅、
鉄、或いはこれらの合金よりなるリードフレーム
１００はダイパツド部１０１ならびに、外部導出
リード１０２のダイパツド部１０１に近接する先
端部１０３には、例えば金、銀の如き貴金属１０
４がめつきされている。半導体素子１０５は、ダ
イパツド部１０１に固着され、半導体素子１０５
の電極（図示せず）と外部導出リード１０２は金
属細線１０６により、リード先端１０３で接続さ
れている。
半導体素子１０５、金属細線１０６、ならびに
リードフレーム１００のこれら装着部は樹脂１０
７により封止され、外部導出リード１０２の樹脂
１０７より外部に導出された部位には、例えば
錫、鉛或いはこれらの合金よりなる外装金属被膜
１０８が形成されている。
リードフレーム１００のこれら装着部は樹脂１０
７により封止され、外部導出リード１０２の樹脂
１０７より外部に導出された部位には、例えば
錫、鉛或いはこれらの合金よりなる外装金属被膜
１０８が形成されている。
このような従来の半導体装置に於いては、樹脂
１０６を封入する際、樹脂１０７の境界部より、
外部導出リード１０２の表面に漏出した樹脂薄膜
１０９の付着した部分には、外装金属被膜１０８
は被覆されず、また、この樹脂薄膜１０９が脱落
すると、リードフレーム１００の素材金属が露出
する為、前述の如き欠点を有している。
１０６を封入する際、樹脂１０７の境界部より、
外部導出リード１０２の表面に漏出した樹脂薄膜
１０９の付着した部分には、外装金属被膜１０８
は被覆されず、また、この樹脂薄膜１０９が脱落
すると、リードフレーム１００の素材金属が露出
する為、前述の如き欠点を有している。
本発明は従来の半導体装置のかかる欠点を解消
するものである。即ち、第２Ａ図、第２Ｂ図に於
いて、例えば、銅、鉄、或いはこれらの合金より
なるリードフレーム２００のダイパツド部２０
１、ならびに外部導出リード２０２のダイパツド
部２０１に近接する先端部２０３には、例えば
金、銀の如き貴金属２０４がめつきされ、後に樹
脂２０７で封止される境界部に例えばニツケル、
銀、アルミニウム、或いは、これらの合金等より
なる金属被膜２１０が形成されている。半導体素
子２０５はダイパツド部２０１に固着され、半導
体素子２０５の電極（図示せず）と外部導出リー
ド２０２は金属細線２０６によりリード先端２０
３で接続されている。半導体素子２０５、金属細
線２０６ならびにリードフレーム２００のこれら
装着部は樹脂２０６により封止され外部導出リー
ド２０２の、前記金属被膜２１０を含み、樹脂２
０７より外部に導出された部位には上述の如き金
属被膜２０７が形成されている。
するものである。即ち、第２Ａ図、第２Ｂ図に於
いて、例えば、銅、鉄、或いはこれらの合金より
なるリードフレーム２００のダイパツド部２０
１、ならびに外部導出リード２０２のダイパツド
部２０１に近接する先端部２０３には、例えば
金、銀の如き貴金属２０４がめつきされ、後に樹
脂２０７で封止される境界部に例えばニツケル、
銀、アルミニウム、或いは、これらの合金等より
なる金属被膜２１０が形成されている。半導体素
子２０５はダイパツド部２０１に固着され、半導
体素子２０５の電極（図示せず）と外部導出リー
ド２０２は金属細線２０６によりリード先端２０
３で接続されている。半導体素子２０５、金属細
線２０６ならびにリードフレーム２００のこれら
装着部は樹脂２０６により封止され外部導出リー
ド２０２の、前記金属被膜２１０を含み、樹脂２
０７より外部に導出された部位には上述の如き金
属被膜２０７が形成されている。
このような本発明の半導体装置に於ては、樹脂
封止工程でリード２０２上に所定部位からはみ出
して被着する樹脂薄膜２０９により外装金属被膜
２０８の被覆されない部分には、酸化、耐食性の
優れた金属被膜２１０が形成されている為、不所
望にはみ出した樹脂薄膜２０９を除去してもリー
ドフレーム２００の素材金属は露出することがな
く、外部導出リード２０２の酸化腐食の進行によ
る断線等の生じ難い信頼度の高い半導体装置を提
供することができる。
封止工程でリード２０２上に所定部位からはみ出
して被着する樹脂薄膜２０９により外装金属被膜
２０８の被覆されない部分には、酸化、耐食性の
優れた金属被膜２１０が形成されている為、不所
望にはみ出した樹脂薄膜２０９を除去してもリー
ドフレーム２００の素材金属は露出することがな
く、外部導出リード２０２の酸化腐食の進行によ
る断線等の生じ難い信頼度の高い半導体装置を提
供することができる。
以上に一実施例を説明したが、金属被膜２１０
は耐酸化性が強く、リード素材との密着力の強い
ものであれば、ニツケルや銀やアルミニウムに限
られることはない。又、この金属被膜２１０は樹
脂表面近傍のリード全表面に被着すればより一層
効果的であることは明らかである。
は耐酸化性が強く、リード素材との密着力の強い
ものであれば、ニツケルや銀やアルミニウムに限
られることはない。又、この金属被膜２１０は樹
脂表面近傍のリード全表面に被着すればより一層
効果的であることは明らかである。
第１図は従来の半導体装置を示す縦断面図、第
２Ａ図は本発明の一実施例を示す縦断面図、第２
Ｂ図は、第２Ａ図の実施例の樹脂を除いた上面図
である。 １００，２００……リードフレーム、１０１，
２０１……ダイパツド部、１０２，２０２……外
部導出リード、１０３，２０３……外部導出リー
ド先端部、１０４，２０４……貴金属めつき、１
０５，２０５……半導体素子、１０６，２０６…
…金属細線、１０７，２０７……樹脂、１０８，
２０８……外装金属被膜、１０９，２０９……樹
脂薄膜、２１０……金属被膜。
２Ａ図は本発明の一実施例を示す縦断面図、第２
Ｂ図は、第２Ａ図の実施例の樹脂を除いた上面図
である。 １００，２００……リードフレーム、１０１，
２０１……ダイパツド部、１０２，２０２……外
部導出リード、１０３，２０３……外部導出リー
ド先端部、１０４，２０４……貴金属めつき、１
０５，２０５……半導体素子、１０６，２０６…
…金属細線、１０７，２０７……樹脂、１０８，
２０８……外装金属被膜、１０９，２０９……樹
脂薄膜、２１０……金属被膜。
Claims (1)
- １ ダイパツド部と、複数の外部導出リードと、
該ダイパツト部に固着された半導体素子と、該半
導体素子の複数電極と前記複数の外部導出リード
とをそれぞれ接続する金属細線と、前記複数の外
部導出リードのそれぞれにその途中において設け
られた耐酸化性の第１の金属被膜と、該第１の金
属被膜上を境界として、該半導体素子、該金属細
線、該ダイパツド部ならびにこれらの周辺の各外
部導出リード部分を含めて封止した樹脂と、半田
付性を良好にする第２の金属被膜であつて該樹脂
外において該第１の金属被膜の端部と接触し該樹
脂外にある各外部導出リード部分を被覆しかつ該
第１の金属被膜と異なる材料でなる第２の金属被
膜とを有し、該樹脂内にある各外部導出リード部
分は該第２の金属被膜で覆われていない半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56015467A JPS57128947A (en) | 1981-02-04 | 1981-02-04 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56015467A JPS57128947A (en) | 1981-02-04 | 1981-02-04 | Semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57128947A JPS57128947A (en) | 1982-08-10 |
| JPS6217874B2 true JPS6217874B2 (ja) | 1987-04-20 |
Family
ID=11889599
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56015467A Granted JPS57128947A (en) | 1981-02-04 | 1981-02-04 | Semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57128947A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59117166U (ja) * | 1983-01-27 | 1984-08-07 | 新電元工業株式会社 | 樹脂封止型半導体装置 |
| US10062639B2 (en) * | 2014-12-10 | 2018-08-28 | Stmicroelectronics Sdn Bhd | Integrated circuit device with plating on lead interconnection point and method of forming the device |
-
1981
- 1981-02-04 JP JP56015467A patent/JPS57128947A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57128947A (en) | 1982-08-10 |
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