JPS62190859A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS62190859A JPS62190859A JP61034672A JP3467286A JPS62190859A JP S62190859 A JPS62190859 A JP S62190859A JP 61034672 A JP61034672 A JP 61034672A JP 3467286 A JP3467286 A JP 3467286A JP S62190859 A JPS62190859 A JP S62190859A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- electrode
- diode
- layer
- type
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 17
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 abstract description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
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- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D89/00—Aspects of integrated devices not covered by groups H10D84/00 - H10D88/00
- H10D89/60—Integrated devices comprising arrangements for electrical or thermal protection, e.g. protection circuits against electrostatic discharge [ESD]
- H10D89/601—Integrated devices comprising arrangements for electrical or thermal protection, e.g. protection circuits against electrostatic discharge [ESD] for devices having insulated gate electrodes, e.g. for IGFETs or IGBTs
- H10D89/611—Integrated devices comprising arrangements for electrical or thermal protection, e.g. protection circuits against electrostatic discharge [ESD] for devices having insulated gate electrodes, e.g. for IGFETs or IGBTs using diodes as protective elements
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はダイオード構造により過電圧入力を吸収して入
力回路を保護するＭＯ８型半導体装置に関するものであ
る。
力回路を保護するＭＯ８型半導体装置に関するものであ
る。
従来の技術
従来の過電圧入力に対する保護ダイオードの場合、ダイ
オードを通じて流れ込んだ電流はダイオードを構成する
基板を通じて電源に吸収されていた。
オードを通じて流れ込んだ電流はダイオードを構成する
基板を通じて電源に吸収されていた。
発明が解決しようとする問題点
このような従来の方式では、保護用ダイオードの周辺に
他の回路部分があると、ダイオードに流れ込んだ電流が
基板を通じて電源に流れ込む時に、ダイオード周辺の回
路部分の電位を変動させ、誤動作を生じさせてしまうこ
とがあった。
他の回路部分があると、ダイオードに流れ込んだ電流が
基板を通じて電源に流れ込む時に、ダイオード周辺の回
路部分の電位を変動させ、誤動作を生じさせてしまうこ
とがあった。
問題点を解決するための手段
本発明は、上記問題点を解決するため、過電圧入力保護
用ダイオードの周辺に、ダイオードを構成する拡散層と
同じ導電形の拡散層を設け、その拡散層を基板電位と逆
の電圧レベルの電圧源に接続した半導体装置である。
用ダイオードの周辺に、ダイオードを構成する拡散層と
同じ導電形の拡散層を設け、その拡散層を基板電位と逆
の電圧レベルの電圧源に接続した半導体装置である。
作用
本発明によると、過電圧入力はダイオードおよびその周
辺の拡散層を通じて基板電位と逆の電圧源に流出し、し
たがって、その電流は周辺の回路に影響を及ぼす前に効
率よく吸収し、電源端子によって除去されるものである
。
辺の拡散層を通じて基板電位と逆の電圧源に流出し、し
たがって、その電流は周辺の回路に影響を及ぼす前に効
率よく吸収し、電源端子によって除去されるものである
。
実施例
第１図は本発明の過電圧保護用半導体装置の一実施例の
平面パターン図であり、第２図はその構造断面図である
。１は入力保護ダイオードの拡散層、２は新たに設けた
電流吸収用の拡散層、３゜４は電極、６は絶縁膜、６は
半導体基板である。
平面パターン図であり、第２図はその構造断面図である
。１は入力保護ダイオードの拡散層、２は新たに設けた
電流吸収用の拡散層、３゜４は電極、６は絶縁膜、６は
半導体基板である。
そして、周辺の拡散層２は電極４を通じて、電源ライン
とは逆レベルに接続されている。
とは逆レベルに接続されている。
半導体基板６がＮ型半導体の場合を例にとると。
拡散層１及び２はＰ型である。基板６は高い電位（以下
ＶＤＤという）に接続され、電極４は低い電位（以下ｖ
ＳＳという）に接続されている。
ＶＤＤという）に接続され、電極４は低い電位（以下ｖ
ＳＳという）に接続されている。
入力端子からの電極３にＶＤＤより高い電圧が加わシ、
保護ダイオードが順方向バイアスとなって基板６に電流
が流れ込む。この時に発生する寄生ＰＮＰ ）ランジス
タの作用によシ、拡散層２に電流が流れ込みｖＳＳに吸
収される。
保護ダイオードが順方向バイアスとなって基板６に電流
が流れ込む。この時に発生する寄生ＰＮＰ ）ランジス
タの作用によシ、拡散層２に電流が流れ込みｖＳＳに吸
収される。
同様に半導体基板６がＰ型半導体の場合は拡散層１と２
はＨ型となシ、保護ダイオードが順方向にバイアスされ
た時に発生する寄生？１ＰＮ）ランジスタの作用により
、拡散層２に流れ込んだ電流は電源に吸収される。
はＨ型となシ、保護ダイオードが順方向にバイアスされ
た時に発生する寄生？１ＰＮ）ランジスタの作用により
、拡散層２に流れ込んだ電流は電源に吸収される。
発明の効果
以上のように本発明によれば、簡単な構成により、入力
保護ダイオードに流れ込む過電圧入力の電流を、基板を
通して電源に吸収すると同時に。
保護ダイオードに流れ込む過電圧入力の電流を、基板を
通して電源に吸収すると同時に。
寄生トランジスタのコレクタを通して電源に吸収するこ
とができ、周辺回路部分への影響が低減され、実用的に
きわめて有効である。
とができ、周辺回路部分への影響が低減され、実用的に
きわめて有効である。
第１図は本発明の一実施例における平面パターン図、第
２図はその構造断面図である。 １・・・・・・入力保護ダイオード拡散層、２・・・・
・・新たに設けた拡散層、３・・・・・・入力端子から
の電極、４・・・・・・寄生トランジスタコレクタ部電
極、６・・・・・・絶縁膜、６・・・・・・半導体基板
。
２図はその構造断面図である。 １・・・・・・入力保護ダイオード拡散層、２・・・・
・・新たに設けた拡散層、３・・・・・・入力端子から
の電極、４・・・・・・寄生トランジスタコレクタ部電
極、６・・・・・・絶縁膜、６・・・・・・半導体基板
。
Claims (1)
- 電流を流し込むための拡散によるダイオードを有し、前
記ダイオードの周辺に、前記ダイオードの拡散と同導電
形で基板電位と逆の電位源に接続された拡散層を設けた
ことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61034672A JPS62190859A (ja) | 1986-02-18 | 1986-02-18 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61034672A JPS62190859A (ja) | 1986-02-18 | 1986-02-18 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62190859A true JPS62190859A (ja) | 1987-08-21 |
Family
ID=12420915
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61034672A Pending JPS62190859A (ja) | 1986-02-18 | 1986-02-18 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62190859A (ja) |
-
1986
- 1986-02-18 JP JP61034672A patent/JPS62190859A/ja active Pending
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