JPS62193158A - 半導体パツケ−ジ - Google Patents
半導体パツケ−ジInfo
- Publication number
- JPS62193158A JPS62193158A JP61033747A JP3374786A JPS62193158A JP S62193158 A JPS62193158 A JP S62193158A JP 61033747 A JP61033747 A JP 61033747A JP 3374786 A JP3374786 A JP 3374786A JP S62193158 A JPS62193158 A JP S62193158A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- desiccant
- base
- semiconductor chip
- semiconductor package
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W76/00—Containers; Fillings or auxiliary members therefor; Seals
- H10W76/40—Fillings or auxiliary members in containers, e.g. centering rings
- H10W76/42—Fillings
- H10W76/48—Fillings including materials for absorbing or reacting with moisture or other undesired substances
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/734—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
半導体パッケージであって、乾燥剤が焼成して取付けら
れたセラミック小片を金属キャップの内面またはベース
上等に接合することにより金属キャンプを使用した半導
体パンケージの内部（半導体チップの封止空間内）に焼
成された乾燥剤を設けることを可能とする。
れたセラミック小片を金属キャップの内面またはベース
上等に接合することにより金属キャンプを使用した半導
体パンケージの内部（半導体チップの封止空間内）に焼
成された乾燥剤を設けることを可能とする。
本発明は半導体パッケージに関し、特に、半導体チップ
の封止を金属キャップにより行う半導体パッケージに関
する。
の封止を金属キャップにより行う半導体パッケージに関
する。
従来の半導体パッケージは、例えば第５図に示されるよ
うに、セラミックスから成るベース１２上に半導体チッ
プ■３が載置され、該半導体チ・７プ１３を封止するた
めにベース１２の上部にガラス等の接合材１５を使用し
てキャップ１４が固着されたものである。
うに、セラミックスから成るベース１２上に半導体チッ
プ■３が載置され、該半導体チ・７プ１３を封止するた
めにベース１２の上部にガラス等の接合材１５を使用し
てキャップ１４が固着されたものである。
ところで、半導体素子、特に高度に集積化された半導体
チップは極度に水分を嫌うため、半導体パッケージ１１
のようにベース１２とキャンプ１４によって半導体チッ
プ１３を封止するものにあっては、半導体チップの封止
空間１１ａの内部を乾燥させておかなければならない。
チップは極度に水分を嫌うため、半導体パッケージ１１
のようにベース１２とキャンプ１４によって半導体チッ
プ１３を封止するものにあっては、半導体チップの封止
空間１１ａの内部を乾燥させておかなければならない。
しかし、封止空間１１ａ内の水分を半導体パッケージ１
１の製造工程において完全に取除くことは困難である。
１の製造工程において完全に取除くことは困難である。
そのため、従来の半導体パッケージ１１には、そのセラ
ミックスから成るキャップ１４の内面にＴ−アルミナ等
の乾燥剤１７が焼成して取付けられ、半導体チップの封
止空間１１ａ内に乾燥剤を設けるようになされている。
ミックスから成るキャップ１４の内面にＴ−アルミナ等
の乾燥剤１７が焼成して取付けられ、半導体チップの封
止空間１１ａ内に乾燥剤を設けるようになされている。
この乾燥剤１７の取付けは、成形されたセラミック・キ
ャップ１４の内面にγ−アルミナ等の乾燥剤の溶液を滴
し、セラミック・キャップ１４全体を酸化雰囲気中で焼
成して乾燥剤１７を取付けるようになされている。
ャップ１４の内面にγ−アルミナ等の乾燥剤の溶液を滴
し、セラミック・キャップ１４全体を酸化雰囲気中で焼
成して乾燥剤１７を取付けるようになされている。
この第５図に示されるようなセラミックスからなるベー
ス１２とキャンプ１４とをガラス等の接合材１５により
固着した半導体パッケージ１１は、そのガラス等の接合
材１５の部分が温度、衝撃等に対して弱いため、高信頼
性の半導体パッケージにはセラミック・キャンプ１４の
代わりに金属キャップを使用し、ベースの上部に金合金
等のロー材を用いて金属キャップを接合するものがある
。
ス１２とキャンプ１４とをガラス等の接合材１５により
固着した半導体パッケージ１１は、そのガラス等の接合
材１５の部分が温度、衝撃等に対して弱いため、高信頼
性の半導体パッケージにはセラミック・キャンプ１４の
代わりに金属キャップを使用し、ベースの上部に金合金
等のロー材を用いて金属キャップを接合するものがある
。
このような高信軌性の半導体パフケージは、一般に半導
体チップを載置するベース上には金メッキ層等が設けら
れているが、この金メッキ層には幾分かの水分が含まれ
ている。
体チップを載置するベース上には金メッキ層等が設けら
れているが、この金メッキ層には幾分かの水分が含まれ
ている。
しかし、このような金属キャップにより半導体チップの
封止を行う半導体パッケージは、金属キャップにＴ−ア
ルミナ等の乾燥剤を焼成して取付けることができないた
め、一般に封止空間内に乾燥剤が取付けられていないの
が現状である。
封止を行う半導体パッケージは、金属キャップにＴ−ア
ルミナ等の乾燥剤を焼成して取付けることができないた
め、一般に封止空間内に乾燥剤が取付けられていないの
が現状である。
上述したように、従来の金属キャップにより半導体チッ
プの封止を行う半導体パッケージは、半導体チップの封
止空間内に乾燥剤か取付けられていないため、超低湿度
雰囲気下で半導体チップの封止作業を行ったとしても半
導体チップの封止空間を常に乾燥させておくことができ
なかった。
プの封止を行う半導体パッケージは、半導体チップの封
止空間内に乾燥剤か取付けられていないため、超低湿度
雰囲気下で半導体チップの封止作業を行ったとしても半
導体チップの封止空間を常に乾燥させておくことができ
なかった。
本発明は、上述した従来形における問題点に鑑み、乾燥
剤が焼成して取付けられたセラミック小片を金属キャッ
プの内面またはベース上等に接合することにより、金属
キャップを使用した半導体パッケージの内部に焼成され
た乾燥剤を設け、半導体チップの封止空間を常に乾燥さ
せておくことを目的とする。
剤が焼成して取付けられたセラミック小片を金属キャッ
プの内面またはベース上等に接合することにより、金属
キャップを使用した半導体パッケージの内部に焼成され
た乾燥剤を設け、半導体チップの封止空間を常に乾燥さ
せておくことを目的とする。
本発明によれば、半導体チップが載置されたベースと、
該ベースの上部に固着され前記半導体チップを封止する
金属キャップと、該金属キャップと前記ベースで形成さ
れた半導体チップの封止空間内に設けられたセラミック
小片と、該セラミック小片に焼成して取付けられた乾燥
剤と、を具備する半導体パッケージが提供される。
該ベースの上部に固着され前記半導体チップを封止する
金属キャップと、該金属キャップと前記ベースで形成さ
れた半導体チップの封止空間内に設けられたセラミック
小片と、該セラミック小片に焼成して取付けられた乾燥
剤と、を具備する半導体パッケージが提供される。
本発明に係る半導体パッケージによれば、金属キャップ
により半導体チップの封止を行う半導体パンケージでも
、該半導体パッケージ内部に設けられた乾燥剤により、
ベースに設けられた金メッキ層等から放出される水分を
十分に吸収することが可能になる。
により半導体チップの封止を行う半導体パンケージでも
、該半導体パッケージ内部に設けられた乾燥剤により、
ベースに設けられた金メッキ層等から放出される水分を
十分に吸収することが可能になる。
以下、図面を参照して本発明に係る半導体パッケージの
実施例を説明する。
実施例を説明する。
第１図は本発明の半導体パッケージの一実施例を示す断
面図、第２図は第１図の要部拡大図であり、ｌは半導体
パッケージ、２はベース、３は半導体チップ、４は金属
キャップである。
面図、第２図は第１図の要部拡大図であり、ｌは半導体
パッケージ、２はベース、３は半導体チップ、４は金属
キャップである。
半導体チップ１は半導体チップ３を封止するもので、セ
ラミックス等から成るベース２の上に載置された半導体
チップ３を該ベース２の上部に金合金等のろう材５で固
着された金属キャンプ４により封止するものである。
ラミックス等から成るベース２の上に載置された半導体
チップ３を該ベース２の上部に金合金等のろう材５で固
着された金属キャンプ４により封止するものである。
半導体チップ３が載置されるベース２上には金メッキ層
２１が設けられ、また、ベース２の上部の金属キャップ
４との固着位置には、ろう附は用金属層２２が設けられ
ている。
２１が設けられ、また、ベース２の上部の金属キャップ
４との固着位置には、ろう附は用金属層２２が設けられ
ている。
金属キャップ４の裏面には金メッキ層４１が形成されて
おり、該金メッキ層４１と前記ベース２の上部のろう附
は用金属層２２とをＡｕ−３ｎ。
おり、該金メッキ層４１と前記ベース２の上部のろう附
は用金属層２２とをＡｕ−３ｎ。
または半田等のろう材５で接合することにより、金属キ
ャップ４はベース２の上部に固着されている。
ャップ４はベース２の上部に固着されている。
第２図に示されるように、セラミック小片６の上端には
γ−アルミナ等の乾燥剤７が焼成して取付けられ、また
セラミック小片６の下端には金属層８が形成されており
、該金属Ｎ８と前記金属キャップの金メッキ層４１とを
ろう材９で接合することにより乾燥剤７が焼成して取付
けられたセラミック小片６を金属キャップ４の裏面に接
合するようになされている。
γ−アルミナ等の乾燥剤７が焼成して取付けられ、また
セラミック小片６の下端には金属層８が形成されており
、該金属Ｎ８と前記金属キャップの金メッキ層４１とを
ろう材９で接合することにより乾燥剤７が焼成して取付
けられたセラミック小片６を金属キャップ４の裏面に接
合するようになされている。
このようにして金属キャップ４を使用した半導体パッケ
ージｌの内部（半導体チップの封止空間ｌａ）に焼成さ
れた乾燥剤７を設けることができる。
ージｌの内部（半導体チップの封止空間ｌａ）に焼成さ
れた乾燥剤７を設けることができる。
ここで、本実施例に使用する乾燥剤が焼成して取付けら
れたセラミック小片の製造方法について述べると、まず
、板状に形成されたセラミック板の裏面を酸化物ソルダ
ー法等により酸化雰囲気中でメタライジングする。その
後Ｔ−アルミナ等の乾燥剤の溶液をほぼ一定の厚さで前
記セラミック板の表面に塗布し、該乾燥剤をセラミック
板の表面に焼成して取付ける。そして、裏面がメタライ
ジングされ、表面に乾燥剤が焼成して取付けられたセラ
ミック板を所定の大きさに細かく裁断する。
れたセラミック小片の製造方法について述べると、まず
、板状に形成されたセラミック板の裏面を酸化物ソルダ
ー法等により酸化雰囲気中でメタライジングする。その
後Ｔ−アルミナ等の乾燥剤の溶液をほぼ一定の厚さで前
記セラミック板の表面に塗布し、該乾燥剤をセラミック
板の表面に焼成して取付ける。そして、裏面がメタライ
ジングされ、表面に乾燥剤が焼成して取付けられたセラ
ミック板を所定の大きさに細かく裁断する。
このようにして、得られた乾燥剤７が焼成して取付けら
れたセラミック小片６は、前述したようにろう材９によ
り金属キャップ４の裏面に接合されることになる。
れたセラミック小片６は、前述したようにろう材９によ
り金属キャップ４の裏面に接合されることになる。
第３図は本発明の半導体パッケージの他の実施例を示す
断面図、第４図は第３図の要部拡大図である。
断面図、第４図は第３図の要部拡大図である。
この実施例は、乾燥剤７が焼成して取付けられたセラミ
ック小片６がベース２上に接合されたものであり、第３
図および第４図中、第１図および第２図と同じ参照符号
は同じ部材を示すものであるため説明を省略する。
ック小片６がベース２上に接合されたものであり、第３
図および第４図中、第１図および第２図と同じ参照符号
は同じ部材を示すものであるため説明を省略する。
この半導体パッケージ１′は、ベース２上に載置された
半導体チップ３の側部のベース２上に、前記乾燥剤７が
焼成して取付けられたセラミック小片６を接合するもの
で、第４図に示されるように該セラミック小片６は半導
体チップの封止空間１１ａ内のベース２の金メツキ層２
１上に合成樹脂からなる高耐熱接着材１０によって接合
されている。
半導体チップ３の側部のベース２上に、前記乾燥剤７が
焼成して取付けられたセラミック小片６を接合するもの
で、第４図に示されるように該セラミック小片６は半導
体チップの封止空間１１ａ内のベース２の金メツキ層２
１上に合成樹脂からなる高耐熱接着材１０によって接合
されている。
このように、ろう材の代わりに高耐熱接着剤１０を使用
すれば、前記実施例における金属層８を不要とすること
ができる。しかし、前記実施例のように金属キャップ４
の裏面に乾燥剤７を焼成して取付けたセラミック小片６
を接合する場合、この高耐熱接着材１０を使用して接合
すると、該高耐熱接着剤１０の硬化時における縮みのた
めに金属キャップ４に反り等の変形が生じることになる
。
すれば、前記実施例における金属層８を不要とすること
ができる。しかし、前記実施例のように金属キャップ４
の裏面に乾燥剤７を焼成して取付けたセラミック小片６
を接合する場合、この高耐熱接着材１０を使用して接合
すると、該高耐熱接着剤１０の硬化時における縮みのた
めに金属キャップ４に反り等の変形が生じることになる
。
したがって、金属キャンプ４の裏面に高耐熱接着剤１０
を使用して前記セラミック小片６を接合するためには、
該金属キャンプ４を厚く形成する必要がある。
を使用して前記セラミック小片６を接合するためには、
該金属キャンプ４を厚く形成する必要がある。
この高耐熱接着剤１０を使用して前記乾燥剤７を焼成し
て取付けたセラミック小片６を接合すれば、金属層８を
不要とすることができるため半導体パッケージの価格を
低く抑えることができる。
て取付けたセラミック小片６を接合すれば、金属層８を
不要とすることができるため半導体パッケージの価格を
低く抑えることができる。
ここで、第３図および第４図に示されるように半導体チ
ップ３の側部のベース２上に乾燥剤７が焼成して取付け
られたセラミック小片６を接合するには、前記実施例と
同様に該セラミック小片６の低部に金属層８を形成し、
ろう材９を使用してベース２上に接合することができる
のはいうまでもない。
ップ３の側部のベース２上に乾燥剤７が焼成して取付け
られたセラミック小片６を接合するには、前記実施例と
同様に該セラミック小片６の低部に金属層８を形成し、
ろう材９を使用してベース２上に接合することができる
のはいうまでもない。
以上、詳述したように本発明に係る半導体パッケージは
、乾燥剤が焼成して取付けられたセラミック小片を金属
キャップの内面またはベース上等に接合することにより
、金属キャップを使用した半導体パッケージの内部に焼
成された乾燥剤を設け、半導体チップの封止空間を常に
乾燥させておくことができるものである。
、乾燥剤が焼成して取付けられたセラミック小片を金属
キャップの内面またはベース上等に接合することにより
、金属キャップを使用した半導体パッケージの内部に焼
成された乾燥剤を設け、半導体チップの封止空間を常に
乾燥させておくことができるものである。
第１図は本発明の半導体パンケージの一実施例を示す断
面図、 第２図は第１図の要部拡大図、 第３図は本発明の半導体パッケージの他の実施例を示す
断面図、 第４図は第３図の要部拡大図、 第５図は従来の半導体パンケージの一例を示す断面図で
ある。 １．１′・・・半導体パンケージ、 ｌａ、ｌａ’・・・半導体チップの封止空間、２・・・
ベース、 ３・・・半導体チップ、 ４・・・金属キャップ、 ５．９・・・ろう材、 ６・・・セラミック小片、 ７・・・乾燥剤、 ８・・・金属層、 １０・・・高耐熱接着剤。 ！ 第１図の要部拡大 第２図 １ｂ・・半導体チップの封止空間 １０ 高耐熱接着剤 第３図の要部拡大図 第４図 従来の半導体パッケージの 一例を示す断面図 １１・・・半導体ノ４ツケージ １２・・：ベース １３・・・半導体チップ １４・・・セラミック・キャップ １５・・・接合材 １７・・・乾燥剤
面図、 第２図は第１図の要部拡大図、 第３図は本発明の半導体パッケージの他の実施例を示す
断面図、 第４図は第３図の要部拡大図、 第５図は従来の半導体パンケージの一例を示す断面図で
ある。 １．１′・・・半導体パンケージ、 ｌａ、ｌａ’・・・半導体チップの封止空間、２・・・
ベース、 ３・・・半導体チップ、 ４・・・金属キャップ、 ５．９・・・ろう材、 ６・・・セラミック小片、 ７・・・乾燥剤、 ８・・・金属層、 １０・・・高耐熱接着剤。 ！ 第１図の要部拡大 第２図 １ｂ・・半導体チップの封止空間 １０ 高耐熱接着剤 第３図の要部拡大図 第４図 従来の半導体パッケージの 一例を示す断面図 １１・・・半導体ノ４ツケージ １２・・：ベース １３・・・半導体チップ １４・・・セラミック・キャップ １５・・・接合材 １７・・・乾燥剤
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体チップが載置されたベースと、 該ベースの上部に固着され前記半導体チップを封止する
金属キャップと、 該金属キャップと前記ベースで形成された半導体チップ
の封止空間内に設けられたセラミック小片と、 該セラミック小片に焼成して取付けられた乾燥剤と、 を具備する半導体パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61033747A JPS62193158A (ja) | 1986-02-20 | 1986-02-20 | 半導体パツケ−ジ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61033747A JPS62193158A (ja) | 1986-02-20 | 1986-02-20 | 半導体パツケ−ジ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62193158A true JPS62193158A (ja) | 1987-08-25 |
Family
ID=12395006
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61033747A Pending JPS62193158A (ja) | 1986-02-20 | 1986-02-20 | 半導体パツケ−ジ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62193158A (ja) |
-
1986
- 1986-02-20 JP JP61033747A patent/JPS62193158A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| GB1403111A (en) | Packages for semiconductor chip electronics circuits | |
| JP2972096B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPS6031102B2 (ja) | 集積回路パツケージおよびその製作方法 | |
| JPH03248541A (ja) | 半導体パッケージ | |
| JPS62142341A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH11307713A (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
| KR100237912B1 (ko) | 패키지 반도체, 그것을 이용한 반도체 장치 및 그 제조방법 | |
| JP2589520B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JPS59111350A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH03105950A (ja) | 半導体集積回路のパッケージ | |
| JPS6329555A (ja) | 封止電子装置 | |
| JPH08213499A (ja) | セラミック製パッケージ基体、セラミック製パッケージ及び前記パッケージ基体を用いた封着方法 | |
| JPH08316504A (ja) | 光学部品およびその製造方法 | |
| JPH06132446A (ja) | リードフレーム | |
| JPH08213496A (ja) | セラミック製パッケージ基体及び該基体を用いたセラミック製パッケージの封着方法 | |
| JPS5984557A (ja) | 多層チツプキヤリアパツケ−ジ | |
| JPH0770634B2 (ja) | セラミツクスパツケ−ジ及びその製造方法 | |
| JPH0287654A (ja) | 表面実装型半導体装置 | |
| JPS6151852A (ja) | プリント基板およびその製造方法 | |
| JPH0621237Y2 (ja) | セラミツクパツケ−ジ | |
| JPH04107931A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH01173747A (ja) | 樹脂封止形半導体装置 | |
| JPH08306744A (ja) | 電子部品 | |
| JPH06163729A (ja) | 半導体装置のシール構造 | |
| JPH02254744A (ja) | 半導体装置 |