JPS62193268A - ハイブリツド集積回路 - Google Patents
ハイブリツド集積回路Info
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- JPS62193268A JPS62193268A JP61035746A JP3574686A JPS62193268A JP S62193268 A JPS62193268 A JP S62193268A JP 61035746 A JP61035746 A JP 61035746A JP 3574686 A JP3574686 A JP 3574686A JP S62193268 A JPS62193268 A JP S62193268A
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- Japan
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- conductor layer
- layer
- semiconductor elements
- integrated circuit
- resin
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W76/00—Containers; Fillings or auxiliary members therefor; Seals
- H10W76/40—Fillings or auxiliary members in containers, e.g. centering rings
- H10W76/42—Fillings
- H10W76/47—Solid or gel fillings
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0284—Details of three-dimensional rigid printed circuit boards
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K1/02—Details
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- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
- H05K3/284—Applying non-metallic protective coatings for encapsulating mounted components
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/07551—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、複数の半導体素子を高密度実装したハイブリ
ッド集積回路に関するものである。
ッド集積回路に関するものである。
一般に、ハイブリッド集積回路では、パッケージ方法と
して、局部パッケージ法、浸漬法、或いは注型法等が行
われているが、SIPタイプ以外のハイブリッド集積回
路では、通常、局部パッケージ法または注型法が用いら
れている。上記の局部パンケージ法は、基板上の一部の
半導体素子にエポキシ等の樹脂をボッティングして被覆
するものであるが、外観が見苦しくなるという欠点を有
している。
して、局部パッケージ法、浸漬法、或いは注型法等が行
われているが、SIPタイプ以外のハイブリッド集積回
路では、通常、局部パッケージ法または注型法が用いら
れている。上記の局部パンケージ法は、基板上の一部の
半導体素子にエポキシ等の樹脂をボッティングして被覆
するものであるが、外観が見苦しくなるという欠点を有
している。
一方、注型法は第4図に示す工程にて行われるものであ
り、この方法にて形成された従来のハイブリッド集積回
路は、例えば第3図に示す構造を成している。即ち、平
板状の基板1上に導体層2が形成され、この導体層2上
に、半田層4にて接続されたチップ部品5、及びワイヤ
ー7・7によりボンディングされ、チップコートN8に
て封止された半導体ペアチップIC9が設けられており
、これら部材と、上記導体層2と導通するリード10・
10の一部とが樹脂層11にて封止され、さらに、その
上方からケース12を被せた構造を成している。従って
、前記した外観上の欠点は解消されるものであった。
り、この方法にて形成された従来のハイブリッド集積回
路は、例えば第3図に示す構造を成している。即ち、平
板状の基板1上に導体層2が形成され、この導体層2上
に、半田層4にて接続されたチップ部品5、及びワイヤ
ー7・7によりボンディングされ、チップコートN8に
て封止された半導体ペアチップIC9が設けられており
、これら部材と、上記導体層2と導通するリード10・
10の一部とが樹脂層11にて封止され、さらに、その
上方からケース12を被せた構造を成している。従って
、前記した外観上の欠点は解消されるものであった。
ところが、上記従来の構造では、樹脂を注入し、これを
加熱硬化させて樹脂層11を形成する際には、ケース1
2と基板lとが別体に設けられてぃることにより、放熱
性が悪く、従って、上記樹脂の硬化に時間がかかり、基
板1が移動し、ケース12に対して偏りが生じることが
ある。そればかりか、放熱性の悪さは集積回路自体の動
作にも悪影響を及ぼすことになる。また、ケース12の
寸法に対して設は得る半導体素子の数が少なく、実装密
度が低い。さらに、組立て工数が多く、組立に手間取る
等の欠点を有していた。
加熱硬化させて樹脂層11を形成する際には、ケース1
2と基板lとが別体に設けられてぃることにより、放熱
性が悪く、従って、上記樹脂の硬化に時間がかかり、基
板1が移動し、ケース12に対して偏りが生じることが
ある。そればかりか、放熱性の悪さは集積回路自体の動
作にも悪影響を及ぼすことになる。また、ケース12の
寸法に対して設は得る半導体素子の数が少なく、実装密
度が低い。さらに、組立て工数が多く、組立に手間取る
等の欠点を有していた。
本発明は上記従来の問題点を考慮して成されたものであ
って、放熱性の向上及び実装密度の向上を図ることがで
き、かつ組立て工数を低減することのできるハイブリッ
ド集積回路の提供を目的とするものである。
って、放熱性の向上及び実装密度の向上を図ることがで
き、かつ組立て工数を低減することのできるハイブリッ
ド集積回路の提供を目的とするものである。
本発明のハイブリッド集積回路は、上記の目的を達成す
るために、器状に形成された外郭を成す立体基板の内側
に導体層を形成し、この導体層上に複数の半導体素子を
設け、上記複数の半導体素子を封止する樹脂層を設け、
基板と外郭とを一体化することができるように構成した
ことを特徴とするものである。
るために、器状に形成された外郭を成す立体基板の内側
に導体層を形成し、この導体層上に複数の半導体素子を
設け、上記複数の半導体素子を封止する樹脂層を設け、
基板と外郭とを一体化することができるように構成した
ことを特徴とするものである。
本発明の一実施例を第1図及び第2図に基づいて以下に
説明する。
説明する。
本発明に係るハイブリッド集積回路は、第1図に示すよ
うに、底面方形の器状状を成す立体基板20の下面には
導体層21が形成されており、この導体層21の下面に
は、半導体素子であるチップ部品22・22及び半導体
ペアチップIC23が設けられている。チップ部品22
は半田層24・24にて導体層21と接続し固定されて
いる。
うに、底面方形の器状状を成す立体基板20の下面には
導体層21が形成されており、この導体層21の下面に
は、半導体素子であるチップ部品22・22及び半導体
ペアチップIC23が設けられている。チップ部品22
は半田層24・24にて導体層21と接続し固定されて
いる。
また半導体ペアチップIC23はワイヤー25・25に
て導体層21にボンディングされ、チンブコート層26
にて封止されている。一方、立体基板20の下端部には
、立体基板20と導体層21とを挾持し、導体層21と
導通するようにリード27・27が設けられている。そ
して、立体基板20の内側に相当する部位にシリコン或
いはエポキシ等から成る樹脂層28が設けられ、上記チ
ップ部品22・22、半導体ペアチップIC23及びリ
ード27の導体層21側の部位が封止されている。
て導体層21にボンディングされ、チンブコート層26
にて封止されている。一方、立体基板20の下端部には
、立体基板20と導体層21とを挾持し、導体層21と
導通するようにリード27・27が設けられている。そ
して、立体基板20の内側に相当する部位にシリコン或
いはエポキシ等から成る樹脂層28が設けられ、上記チ
ップ部品22・22、半導体ペアチップIC23及びリ
ード27の導体層21側の部位が封止されている。
上記の構成において、本集積回路を製造するときには、
第2図に示す工程にて行われる。即ち、先ず立体基板2
0を受は入れしくSl)、次に導体層21を形成する(
S2)。立体基板20の形成法としては、グリーンシー
トによるもの、或いは平面基板を接着して組み立てる等
の方法があり、用途に応じて種々の形状を構成すること
ができる。
第2図に示す工程にて行われる。即ち、先ず立体基板2
0を受は入れしくSl)、次に導体層21を形成する(
S2)。立体基板20の形成法としては、グリーンシー
トによるもの、或いは平面基板を接着して組み立てる等
の方法があり、用途に応じて種々の形状を構成すること
ができる。
また、導体層21の形成方法には厚膜多層印刷法、エツ
チング法、及びグリーンシート積層法などがある。しか
る後、半導体素子の実装を行い(S3)、次に樹脂を注
入してから(S4)、上記の樹脂を加熱して硬化させ(
S5)、樹脂層28を形成する。上記の硬化工程(S5
)においては、全ての部材が一体に設けられていること
により、容易に行うことができ、かつ放熱性も良好とな
っている。
チング法、及びグリーンシート積層法などがある。しか
る後、半導体素子の実装を行い(S3)、次に樹脂を注
入してから(S4)、上記の樹脂を加熱して硬化させ(
S5)、樹脂層28を形成する。上記の硬化工程(S5
)においては、全ての部材が一体に設けられていること
により、容易に行うことができ、かつ放熱性も良好とな
っている。
本発明のハイブリッド集積回路は、以上のように、器状
に形成された外郭を成す立体基板の内側に導体層を形成
し、この導体層上に複数の半導体素子を設け、上記複数
の半導体素子を封止する樹脂層を設けた構成であるから
、導体層の面積を広くとることができ、高密度な回路の
設計が可能となる。また、外郭、即ちケースに対して基
板が偏るという不都合を解消でき、さらにはケース自体
に部品を実装するため、放熱性を向上することができる
等の効果を奏する。
に形成された外郭を成す立体基板の内側に導体層を形成
し、この導体層上に複数の半導体素子を設け、上記複数
の半導体素子を封止する樹脂層を設けた構成であるから
、導体層の面積を広くとることができ、高密度な回路の
設計が可能となる。また、外郭、即ちケースに対して基
板が偏るという不都合を解消でき、さらにはケース自体
に部品を実装するため、放熱性を向上することができる
等の効果を奏する。
第1図は本発明の一実施例を示す縦断面図、第2図は第
1図に示したハイブリッド集積回路の製造工程を示すフ
ローチャート、第3図は従来例を示す縦断面図、第4図
は第3図に示したハイブリッド集積回路の製造工程を示
すフローチャートである。 20は立体基板、21は導体層、22はチップ部品、2
3は半導体ペアチップtC128は樹脂層である。
1図に示したハイブリッド集積回路の製造工程を示すフ
ローチャート、第3図は従来例を示す縦断面図、第4図
は第3図に示したハイブリッド集積回路の製造工程を示
すフローチャートである。 20は立体基板、21は導体層、22はチップ部品、2
3は半導体ペアチップtC128は樹脂層である。
Claims (1)
- 1、器状に形成された外郭を成す立体基板の内側に導体
層を形成し、この導体層上に複数の半導体素子を設け、
上記複数の半導体素子を封止する樹脂層を設けたことを
特徴とするハイブリッド集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61035746A JPS62193268A (ja) | 1986-02-20 | 1986-02-20 | ハイブリツド集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61035746A JPS62193268A (ja) | 1986-02-20 | 1986-02-20 | ハイブリツド集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62193268A true JPS62193268A (ja) | 1987-08-25 |
Family
ID=12450380
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61035746A Pending JPS62193268A (ja) | 1986-02-20 | 1986-02-20 | ハイブリツド集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62193268A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01283203A (ja) * | 1988-03-26 | 1989-11-14 | Hoechst Ag | 害虫防除剤 |
| WO2005076603A1 (en) * | 2004-01-30 | 2005-08-18 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | A replaceable lamp header for positioning a lamp within a reflector assembly |
-
1986
- 1986-02-20 JP JP61035746A patent/JPS62193268A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01283203A (ja) * | 1988-03-26 | 1989-11-14 | Hoechst Ag | 害虫防除剤 |
| WO2005076603A1 (en) * | 2004-01-30 | 2005-08-18 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | A replaceable lamp header for positioning a lamp within a reflector assembly |
| US7387424B2 (en) | 2004-01-30 | 2008-06-17 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Replaceable lamp header for positioning a lamp within a reflector assembly |
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