JPS62193723U - - Google Patents

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JPS62193723U
JPS62193723U JP1986081967U JP8196786U JPS62193723U JP S62193723 U JPS62193723 U JP S62193723U JP 1986081967 U JP1986081967 U JP 1986081967U JP 8196786 U JP8196786 U JP 8196786U JP S62193723 U JPS62193723 U JP S62193723U
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JP
Japan
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wafer
steam chamber
processing apparatus
heating section
wafer processing
Prior art date
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JP1986081967U
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Description

【図面の簡単な説明】
第１図は本考案に係るウエハ処理装置の全体を
示す平面図、第２図はその側面を概念的に示した
図、第３図は第１図の要部を拡大して示す―
線断面図である。 図において、２は熱処理プレート（加熱部）、
１０，Ｒは蒸気室、１１，１３は導管、１４は有
機化合物液体、１５はタンクである。なお、各図
中、同一符号は同一又は相当部分を示す。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 半導体ウエハを加熱後このウエハにフオト
    レジスト塗布を施す手段を備えたウエハ処理装置
    において、上記ウエハを加熱する加熱部とこの加
    熱部に対して昇降制御可能な有機化合物の蒸気を
    封塞する下面の開口した蒸気室とを設けるととも
    に、この蒸気室の下降端において上記加熱部とで
    画成する蒸気室内を減圧後上記蒸気を導入して上
    記ウエハに上記有機化合物を被着形成させる上記
    被着手段を設けたことを特徴とするウエハ処理装
    置。 (2) 上記被着手段は、上記蒸気室減圧手段と上
    記蒸気給送手段とを備えたことを特徴とする実用
    新案登録請求の範囲第１項記載のウエハ処理装置
    。
JP1986081967U 1986-05-30 1986-05-30 Pending JPS62193723U (ja)

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JP1986081967U JPS62193723U (ja) 1986-05-30 1986-05-30

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JPS62193723U true JPS62193723U (ja) 1987-12-09

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ID=30934192

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JP1986081967U Pending JPS62193723U (ja) 1986-05-30 1986-05-30

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