JPS62200542A - 光学ヘツド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的１ 〔産業上の利用分野〕 本発明は、情報記憶媒体に対し集束光を用いて情報の記
録、再生または消去を行なう情報記録再生装置に用いら
れる光学ヘッドに関する。

〔従来の技術〕

従来、カー効果あるいはファラデー効果のような光磁気
効果を利用して情報配憶媒体から光学的に情報を記録再
生する装置が知られている。このような装置には、たと
えば第３図あるいは第４図に示すような光学系を有する
光学ヘッドが採用されている。

すなわち、第３図に示す光学系においては、半導体レー
ザー１から発せられたレーザー光しは、コリメートレン
ズ２、プリズム３、ビームスプリッタ４、およびミラー
５を順次介して対物レンズ６に導かれ、この対物レンズ
６によって情報記憶媒体７上に集束される。

情報記憶媒体７で反射したレーザー光しは、対物レンズ
６を透過した後、ミラー５およびビームスプリッタ４で
順次反射される。この反射されたレーザー光りはビーム
スプリッタ８で２系統に分離され、その一方のレーザー
光りは、１、−’　２　′ａ長板９および凸レンズ１０
を順次透過した後、偏光ビームスプリッタ１１によって
ｐ成分とＳ成分に分離され、それぞれ第１および第２の
光検出器１２．１３に照射される。そして、第１および
第２の光検出器１２．１３の出力信号の差を用いて情報
記憶媒体７の情報の読取りが行われ、また、第１または
第２の光検出器１２．１３の出力信号を用いてトラック
ずれ検出が行われる。ビームスプリッタ８で分離された
他方のレーザー光しは凸レンズ１４およびシリンドリカ
ルレンズ１５を順次透過して第３の光検出器１６に照射
される。そして、非点収差法により焦点ぼ【プ検出が行
われる。

また、第４図に示す光学系においては、半導体レーザー
２１から発せられたレーザー光りは、コリメートレンズ
２２およびビームスプリッタ２３を順次透過して対物レ
ンズ２４に導かれ、この対物レンズ２４によって情報記
憶媒体２５上に集束される。

情報記憶媒体２５で反射したレーザー光しは対物レンズ
２４を透過した後、ビームスプリッタ２３で反射され、
１／２波長板２６、凸レンズ２７および凹レンズ２８を
順次介して偏光ビームスプリッタ２９に導かれる。この
レーザー光りは偏光ビームスプリッタ２９でｐ成分およ
びＳ成分に分離され、ｐ成分のレーザー光しはシリンド
リカルレンズ３０を介して光検出器３１に照射され、こ
れにより非点収差法による焦点ぼけ検出が行われる。ま
た、分離されたＳ成分のレーザー光しは光検出器３２に
照射され、こ机によりトラッキング検出が行われる。ま
た、光検出器３１．３２の出力信号差により情報記憶媒
体２５の情報の読取りが行われるようになっている。

なお、第３図、第４図中１７．３３は磁石狂買である。

〔発明が解決しようとする問題点〕

前記第３図、第４図に示される光学系は、図から明らか
なように光学部品点数が多く、大型で、かつｍｆｆ１が
重くなるため、高速アクセスに不向きであり、しかも、
コストが高いという問題があつた。

本発明は前記事情にもとづいてなされたもので、その目
的とするところは、光学部品点数を減少して小型軽量化
を図ることができ、以て、高速アクセスが可能となるば
かりか、低コスト化が図れるようにした光学ヘッドを提
供することにある。

［発明のｌｌ成］ 〔問題点を解決するための手段〕 本発明は、前記問題点を解決するために、光源から発せ
られた光を対物レンズによって情報記！！媒体上に集光
させ、この情報記憶媒体から戻された光をハーフミラ−
によって光源から情報記憶媒体に向う光から分離し、偏
光ビームスプリッタによってこの分離した光の一部を反
射するとともに他部を透過させ、この偏光ビームスプリ
ッタを透過した光を光反射部材によって反射し、再び前
記偏光ビームスプリッタを透過させ、この光反射部材で
反射した光および前記偏光ビームスプリッタで反射した
光を光検出器によって検出する構成とし、しかも、光源
と光検出器とを近接位置に配置したことを特徴とするも
のである。

〔作用〕

光源から情報記憶媒体への光路上に配置される光学部品
を、情報記ｍ媒体から光検出器への光路上に配置される
光学部品に兼用する。

（実施例） 以下、本発明の一実施例を第１図および第２図を参照し
ながら説明する。

図中４１はマウント台であり、このマウント台４］には
レーザー光［を発光する半導体レーザー４２と、焦点ぼ
け検出用セル４３ａ、４３ｂ、トラックずれ検出用セル
４３Ｇ、４３ｄＪ５よび情報読取り用セル４３ｅを有し
た光検出器４３がマウントされている。

半導体レーザー（光源）４２から発光された発散性のレ
ーザー光しは１９光レンズ兼用コリメートレンズ４４を
通過することにより略平行光に変換された後、ハーフミ
ラ−４５に導かれる。このハーフミラ−４５は、プリズ
ム４６．４７を接合し、その接合面にハーフミラ−面４
５ａを形成するとともに一方のプリズム４６の一面に楕
円補正屈折面４５ｂを形成した構成となっている。そし
て、導かれたレーザー光りは楕円補正屈折面４５ｂから
入射される。この楕円補正屈折面４５ｔ）は光軸に対し
て傾いており、このため、レーザー光しの入射時に屈折
が生じ、屈折した方向でレーザー光りのスポットサイズ
が変化されることによりレーザー光りの楕円補正が行わ
れる。

プリズム４６に入射したレーザー光りはハーフミラ−而
４５ａを透過した後、対物レンズ４８に導かれ、この対
物レンズ４８によって光磁気ディスク（情報記憶媒体）
４９上に集光される。

この光磁気ディスク４９は、たとえば、アモルファス…
性合金で作られた記録層を有し、同心円周状に、あるい
はスパイラル状にトラッキングガイドがその面上に凹ま
たは凸形状で形成されている。ざらに、トラッキングガ
イドには、トラックアドレスおよびセクターアドレス等
の予喝情報すなわちブラフｔ−マット信号が予め凹ある
いは凸形状のプリピットとじて形成されている。この光
磁気ディスクの記録層は、情報が記録されていない状態
では、そのすべての磁区の方向が一定方向に揃えられ、
記録時には、磁界を与えて急加熱するとその領域の磁区
の磁化方向が反転される。

半導体レーザー４２は、図示しない駆動回路によって駆
動され、再生時には、この半導体レーザー４２からは一
定の光強度を有するレーザー光りが発生され、記録時に
は、記録すべき情報に応じて光強度変調されたレーザー
光りが発生され、消去時には、再生時よりも大きな一定
の光強度を有するレーザー光りが発生される。

記録時には、磁石装置５０から発生された静磁界が光磁
気ディスク４９に与えられ、記録用のレーザー光りで光
磁気ディスク４９のトラッキングガイドをトレースする
と、特定のｖＡｉｌが急加熱され、磁化方向が反転され
て情報が配録される。また、再生時には、再生用のレー
ザー光りでトラッキングガイドをトレースし、反転磁化
された磁化領域にレーザー光りを集光させると、そのレ
ーザー光りの陽光面がわずかに回転される。消去時には
、磁石装置５０から発生された静磁界が光磁気ディスク
４９に与えられ、消去用のレーザー光りをｔｎ化方向が
反転された特定の領域に照射すると、この領域は緩やか
に加熱され、磁化方向が他の領域と同一となるように再
び反転される。

光磁気ディスク４つから反Ｏｊされたレーザー光しは、
対物レンズ４８を透過した後、ハーフミラ−４５に戻さ
れる。このハーフミラ−４５で反射されたレーザー光り
は、Ｓ波成分の比率を大きくするために１７７２波長板
５１を透過して（陽光面が略４５度回転される。この陽
光面が回転されたｐ波成分およびＳ波成分を含むレーザ
ー光Ｌ　＋、ｔ　ｆＱ光ビームスプリッタ５２に入射さ
れる。この偏光ビームスブリック５２はプリズム５３の
一面に偏光ビームスブリット面５２ａ、１（！！の一面
に光屈折面５２ｂをそれぞれ形成した構成となっている
。そして、入射されたレーザー光しは、偏光ビームスプ
リト面５２ａに導かれ、Ｓ波成分が偏光ビームスブリッ
ト面５２ａで反射され、ｐ波成分が陽光ビームスブリッ
ト面５２ａを透過する。

偏光ビームスブリット面５２ａで反射したＳ波成分のレ
ーザー光りは、光屈折面５２ｂおよび投光レンズ兼用コ
リメートレンズ４４を経て情報読取り用レーザー光１ａ
として光検出器４３の情報読取り用セル４３ｅ上に導か
れる。一方、偏光ビームスブリット面５２ａを透過した
レーザー光りは、偏光ビームスプリッタ５２の偏光ビー
ムスブリット而５２ａに重合して設けられた光分割部材
５４に導かれる。

光分割部材５４は、光反射平面５４ａとこれに対してわ
ずかに傾きを持ったシリンドリカル反射面５４ｂとを有
した構成となっている。そして、ｐ波成分のレーザー光
しはこの先反乍平面５４ａとシリンドリカル反射面５４
ｂとによって、対物レンズ４８の光磁気ディスク４９に
対する焦点ぼけを検出する焦点ぼけ検出用レーザー光Ｌ
ｂと、光磁気ディスク４つ上に集光するレーザー光しの
トラッキングガイドに対するずれを検出するトラックず
れ検出用レーザー光ＬＣとに分割され、再び偏光ビーム
スブリツ１−面５２ａを透過した後、光屈折面５２ｂお
よび投光レンズ兼用コリメートレンズ４４を経て光検出
器４３の焦点ぼけ検出用セル４３ａ、４３ｂ、トラック
ずれ検出用セル４３ｃ、４３ｄ上にそれぞれ導かれる。

光反射平面５４ａで反射したレーザー光Ｌａは対物レン
ズ４８が光磁気ディスク４９に対して合焦時（以下、こ
の状態の時を合焦時と称す。）には焦点ぼけ検出用セル
の境部分に集光され、また焦点ぼけ山に応じてセル４３
ａ、４３ｂ上で移動し、これにより所謂ナイフエッチ法
（特開昭５６−１４６５４６＠、９頁〜１１頁参照）に
よる焦点ぼけ検出が行われる。一方、シリンドリカル反
射面５４ｂで反射したレーザー光ＬＣはシリンドリカル
反射面５４ｂの作用により一方向へ引き伸ばされた状態
でトラックずれ検出用セル４３ｃ、４３ｄが、この引き
伸ばされた方向では合焦時光磁気ディスク４９に対する
ファーフィールドパターンが形成されるため、トラック
ずれ検出用セル４３Ｃ１４３ｄを用いて集光したレーザ
ー光りのトラッキングガイドからの反射光の回折パター
ンを用いてトラックずれ検出を行なう所謂ブツシュ・プ
ル法によるトラックずれ検出が行われる。なお、トラッ
クずれ検出用セル４３ｃ、４３ｄの出力信号と焦点ぼけ
検出用セル４３ａ、４３ｂの出力信号との合成信号と、
情報読取り用セル４３ｅの出力信号との比較信号により
情報の読取りが行われる。

以上の構成によれば、半導体レーザー４２の近傍に光検
出器４３を配置したので、１個の投光レンズ兼用コリメ
ートレンズ４４によって半導体レーザー４２から発光さ
れたレーザー光りを平行化するとともに光検出器４３に
レーザー光しを投光することができる。すなわち、半導
体レーザー４２から光磁気ディスク４９への光路上に配
置されるコリメートレンズを、光磁気ディスク４９から
光検出器４３への光路上に配置される投光レンズに兼用
することができる。したがって、光学部品点数を減少し
て小型軽量化を図ることができるので、高速アクセスが
可能となるばかりか、低コスト化が図れる。

［発明の効果］ 以上説明したように本発明によれば、光源から情報記憶
媒体への光路上に配置される光学部品を、情報記！！媒
体から光検出器への光路上に配置される光学部品に兼用
することができるので、光学部品点数を減少して小型軽
量化を図ることができ、以て、高速アクセスが可能とな
るばかりか、低コスト化が図れる等の優れた効果を奏す
る。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は本発明の一実施例を示すもので、
第１図は全体を概略的に示す構成図、第２図は光検出器
および半導体レーザーを示す正面図、第３図および第４
図はそれぞれ異なる従来例を示す構成図である。 ４２・・・光源（半導体レーザー）、４３・・・光検出
器、４５・・・ハーフミラ−１４８・・・対物レンズ、
４９・・・情報に！、４ａ媒体（光磁気ディスク）、５
２・・・偏光と−ムスプリツタ、５４・・・光反射部材
。 出願人代理人　弁理士　鈴　江　武　彦′ＡＳ　３　図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 光源と、この光源から発せられた光を情報記憶媒体上に
   集光させる対物レンズと、この対物レンズにより集光さ
   れ情報記憶媒体を介して戻された光を前記光源から情報
   記憶媒体に向う光から分離するハーフミラーと、このハ
   ーフミラーにより分離された光の一部を反射し、他部を
   透過させる偏光ビームスプリッタと、この偏光ビームス
   プリッタを透過した光を反射し前記偏光ビームスプリッ
   タへ導く光反射部材と、この光反射部材で反射した光お
   よび前記偏光ビームスプリッタで反射した光を検出する
   光検出器とを具備し、しかも、前記光源と前記光検出器
   とを近接位置に配置したことを特徴とする光学ヘッド。