JPS62202076A - 蒸着膜形成方法 - Google Patents
蒸着膜形成方法Info
- Publication number
- JPS62202076A JPS62202076A JP4580186A JP4580186A JPS62202076A JP S62202076 A JPS62202076 A JP S62202076A JP 4580186 A JP4580186 A JP 4580186A JP 4580186 A JP4580186 A JP 4580186A JP S62202076 A JPS62202076 A JP S62202076A
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- Japan
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- film
- constituents
- evaporation
- forming
- gas
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、蒸着膜形成方法の改良に関する。本発明の蒸
着膜形成方法は、真空蒸着を含むすべてのＰＶＤ方法に
適用できる。
着膜形成方法は、真空蒸着を含むすべてのＰＶＤ方法に
適用できる。
［従来の技術］
従来、蒸着膜の形成方法としては、ＰＶＤがその代表と
してよく知られている。このＰＶＤ法は、真空ａｌｌ法
をはじめイオンブレーティング法など、主として物理的
変化を利用して成膜する方法をすべて含んでおり、ＰＶ
Ｄ法の実施に用いられる装置は、一般的に、被成膜体で
ある基板、蒸着源および膜構成成分の蒸発方向を案内す
る案内ガス流源を基本的構成としている。 ′［
発明が解決しようとする問題点］ 蒸着膜形成において、基板上に均一なＩｌ＊厚および所
望の膜厚分布を得ることは、成膜の品質を左右する重要
問題である。しかしながら、従来のＰＶＤ法においては
、種々の試みはなされているものの、膜厚および膜厚分
布を確実に管理できる方法はなかった。
してよく知られている。このＰＶＤ法は、真空ａｌｌ法
をはじめイオンブレーティング法など、主として物理的
変化を利用して成膜する方法をすべて含んでおり、ＰＶ
Ｄ法の実施に用いられる装置は、一般的に、被成膜体で
ある基板、蒸着源および膜構成成分の蒸発方向を案内す
る案内ガス流源を基本的構成としている。 ′［
発明が解決しようとする問題点］ 蒸着膜形成において、基板上に均一なＩｌ＊厚および所
望の膜厚分布を得ることは、成膜の品質を左右する重要
問題である。しかしながら、従来のＰＶＤ法においては
、種々の試みはなされているものの、膜厚および膜厚分
布を確実に管理できる方法はなかった。
本発明は、均一な膜厚および所望の膜厚分布が確実に得
られる蒸着膜形成方法を提供することを目的とするもの
である。
られる蒸着膜形成方法を提供することを目的とするもの
である。
［発明の構成］
（問題点を解決するための手段）
本発明の蒸着膜形成方法は、減圧下で形成すべき膜の膜
構成成分を蒸発させ、該膜構成成分を被成膜体に衝突付
着させることにより該層構成成分を含む膜を該被成膜体
表面に形成させる蒸着膜形成方法において、 該膜構成成分の蒸発方向に交わる方向に案内ガスを送り
、該案内ガス流により該膜構成成分の蒸発方向を制御し
、該被成膜体表面に付着する膜の厚さ分布を管理するよ
うにしたことを特徴とするものである。
構成成分を蒸発させ、該膜構成成分を被成膜体に衝突付
着させることにより該層構成成分を含む膜を該被成膜体
表面に形成させる蒸着膜形成方法において、 該膜構成成分の蒸発方向に交わる方向に案内ガスを送り
、該案内ガス流により該膜構成成分の蒸発方向を制御し
、該被成膜体表面に付着する膜の厚さ分布を管理するよ
うにしたことを特徴とするものである。
本発明の蒸着膜形成方法は膜構成成分の蒸発方向を案内
するために成膜装置内へ・導入される案内ガスの流れを
積極的に利用することにより均一な膜厚あるいは所望の
膜厚分布が（９られるようにするものである。ずなわら
、ガスの吹き出ｌノロを蒸発する膜構成成分（例えば蒸
発粒子）の流れに交わる方向へ向け、かつその方向を基
板上の膜厚が薄くなる部分へ膜構成成分が偏倚する如く
定めたものである。
するために成膜装置内へ・導入される案内ガスの流れを
積極的に利用することにより均一な膜厚あるいは所望の
膜厚分布が（９られるようにするものである。ずなわら
、ガスの吹き出ｌノロを蒸発する膜構成成分（例えば蒸
発粒子）の流れに交わる方向へ向け、かつその方向を基
板上の膜厚が薄くなる部分へ膜構成成分が偏倚する如く
定めたものである。
（発明の構成の詳細な説明）
ここで膜構成成分とは、例えば単体金属である金、銀、
銅、ニッケル、クロム等あるいはこれらの合金その他、
酸化物、窒化物等からなる蒸着材を構成する成分のこと
で、蒸着源の加熱により溶融、蒸発して基板上に膜を構
成する蒸発粒子をいう。
銅、ニッケル、クロム等あるいはこれらの合金その他、
酸化物、窒化物等からなる蒸着材を構成する成分のこと
で、蒸着源の加熱により溶融、蒸発して基板上に膜を構
成する蒸発粒子をいう。
被成膜体とは、その表面に上記膜構成成分が付着し所望
の金属等の膜が形成される基板のことである。
の金属等の膜が形成される基板のことである。
案内ガス流とは、成膜装置内に導入されるガス吹き出し
口から吹き出されるガス流のことで、蒸発粒子の流れを
案内あるいは変化させる機能をもつ。
口から吹き出されるガス流のことで、蒸発粒子の流れを
案内あるいは変化させる機能をもつ。
反応性ガスとは、蒸発粒子と反応して膜を形成する物質
となりうるガスのことであり、使用される蒸着材に応じ
て適宜選択される。
となりうるガスのことであり、使用される蒸着材に応じ
て適宜選択される。
不活性ガスとは、蒸発粒子と反応しないガスのことであ
る なお成膜の際、被成膜体である基板は一方向に駆動され
、この駆動方向と交差する位置に蒸着源及び案内ガス導
入装置が方向づけられるようになっている。
る なお成膜の際、被成膜体である基板は一方向に駆動され
、この駆動方向と交差する位置に蒸着源及び案内ガス導
入装置が方向づけられるようになっている。
成喚時における基板１の進行方向と蒸着源るつぼ２およ
び３の位置関係を第１図に、基板１の進行方向に直角な
方向（Ａ−Ａ断面）の膜厚分布を第２図に示す。
び３の位置関係を第１図に、基板１の進行方向に直角な
方向（Ａ−Ａ断面）の膜厚分布を第２図に示す。
第１図において矢印で示した基板１の進行方向に直角な
方向に２個の蒸着源るつぼ２および３を設置した。この
際基板１は一定速度で移動させた。
方向に２個の蒸着源るつぼ２および３を設置した。この
際基板１は一定速度で移動させた。
その結果、第２図に示す膜厚分布が得られた。すなわち
、基板１の中央部が端部に比べて膜厚が薄くなることが
確認された。ちなみに、中央部と端部の膜厚偏差は基板
として３Ｑｃｍ幅のガラスを用いた場合で平均値ｄｏか
ら±１０％であった。
、基板１の中央部が端部に比べて膜厚が薄くなることが
確認された。ちなみに、中央部と端部の膜厚偏差は基板
として３Ｑｃｍ幅のガラスを用いた場合で平均値ｄｏか
ら±１０％であった。
第１図及び第２図における実験結果に基づき、ガス導入
管４および５を各蒸着源２および３の近傍に位置させ、
その吹き出（ノロ６および７を膜厚が薄くなる基板１の
各端部方向へ向けて第３図に示すように配置した。この
状態では、蒸着源からの膜構成成分の蒸発方向と交わる
方向に案内ガス流が吹き出し口６および７から流出する
ことにな゛る。こうして、成膜を行った結果、蒸着源２
８よび３から蒸発した膜構成成分である蒸発粒子の流れ
が、従来方法に比べて基板１の両端部に偏より、第４図
に示すようにほぼ均一な膜厚分布が得られた。膜厚偏差
は平均値の±３％以内となった。
管４および５を各蒸着源２および３の近傍に位置させ、
その吹き出（ノロ６および７を膜厚が薄くなる基板１の
各端部方向へ向けて第３図に示すように配置した。この
状態では、蒸着源からの膜構成成分の蒸発方向と交わる
方向に案内ガス流が吹き出し口６および７から流出する
ことにな゛る。こうして、成膜を行った結果、蒸着源２
８よび３から蒸発した膜構成成分である蒸発粒子の流れ
が、従来方法に比べて基板１の両端部に偏より、第４図
に示すようにほぼ均一な膜厚分布が得られた。膜厚偏差
は平均値の±３％以内となった。
なお、本実施例においては、２個のｉｓ源を用いたがＷ
＆着源の数はこれに限定されない。また本発明は均一な
膜厚を得る場合のみならず所望の膜厚分布を得るために
も利用できるものである。すなわち、膜厚を厚くしたい
部分に向けてガス導入管の吹き出し口を向けることによ
り達成可能である。
＆着源の数はこれに限定されない。また本発明は均一な
膜厚を得る場合のみならず所望の膜厚分布を得るために
も利用できるものである。すなわち、膜厚を厚くしたい
部分に向けてガス導入管の吹き出し口を向けることによ
り達成可能である。
また、導入する案内ガスは膜構成成分と反応して膜形成
物質となる反応性ガスに限らず、この膜構成成分と反応
しない不活性ガスを用いてもよい。
物質となる反応性ガスに限らず、この膜構成成分と反応
しない不活性ガスを用いてもよい。
上述したように本発明の適用範囲は、極めて広く真空蒸
着を含むすべてのＰＶＤ方法に適用できるものである。
着を含むすべてのＰＶＤ方法に適用できるものである。
［発明の効果］
本発明は、案内ガス流を蒸着源からの膜構成成分の蒸発
方向に交わる方向に位置ずけるという簡単な手段により
基板上に均一な膜厚あるいは所望の膜厚分布が確実に得
られる。また成膜効率が従来方法に比べて向上するため
成膜のための所要時間の短縮が可能である。さらに、反
応性ガスを使用する場合、反応用ガス導入管の吹き出し
口が膜構成成分の蒸発方向の近傍に設置されるためガス
と膜構成成分との反応が促進され反応効率が改善される
。このため反応性ガスの導入量を減少させることができ
、結果的に真空槽内・をより減圧下に保持できる。この
減圧下により膜構成成分の蒸発粒子と他の粒子（反応性
ガスの分子など）との衝突散乱確率も低くなり、この而
からも成膜時間の更なる短縮化が可能である。
方向に交わる方向に位置ずけるという簡単な手段により
基板上に均一な膜厚あるいは所望の膜厚分布が確実に得
られる。また成膜効率が従来方法に比べて向上するため
成膜のための所要時間の短縮が可能である。さらに、反
応性ガスを使用する場合、反応用ガス導入管の吹き出し
口が膜構成成分の蒸発方向の近傍に設置されるためガス
と膜構成成分との反応が促進され反応効率が改善される
。このため反応性ガスの導入量を減少させることができ
、結果的に真空槽内・をより減圧下に保持できる。この
減圧下により膜構成成分の蒸発粒子と他の粒子（反応性
ガスの分子など）との衝突散乱確率も低くなり、この而
からも成膜時間の更なる短縮化が可能である。
第１図は本発明を適用する前の基板及び蒸着源の位置関
係を示す概略説明用斜視図であり、第２図は第１図の基
板を成ＩＩＩ後Ａ−へ断面で切断して測定した膜厚分布
を示すグラフである。第３図は本発明の実施例の概略説
明用正面図であり第４図は、同実施例により得られた基
板Ａ−Ａ断面における膜厚分布を示す。 １・・・基板 ２．３・・・蒸着源るつぼ４．
５・・・ガス導入管 ６．７・・・案内ガス吹き出し口 特許出願人 トヨタ自動車株式会社 同 株式会社日本自動車部品総合研究所 代理人 弁理士 大川 宏 同 弁理士 丸山明夫
係を示す概略説明用斜視図であり、第２図は第１図の基
板を成ＩＩＩ後Ａ−へ断面で切断して測定した膜厚分布
を示すグラフである。第３図は本発明の実施例の概略説
明用正面図であり第４図は、同実施例により得られた基
板Ａ−Ａ断面における膜厚分布を示す。 １・・・基板 ２．３・・・蒸着源るつぼ４．
５・・・ガス導入管 ６．７・・・案内ガス吹き出し口 特許出願人 トヨタ自動車株式会社 同 株式会社日本自動車部品総合研究所 代理人 弁理士 大川 宏 同 弁理士 丸山明夫
Claims (3)
- （１）減圧下で形成すべき膜の膜構成成分を蒸発させ、
該膜構成成分を被成膜体に衝突付着させることにより該
膜構成成分を含む膜を該被成膜体表面に形成させる蒸着
膜形成方法において、 該膜構成成分の蒸発方向に交わる方向に案内ガスを送り
、該案内ガス流により該膜構成成分の蒸発方向を制御し
、該被成膜体表面に付着する膜の厚さ分布を管理するよ
うにしたことを特徴とする蒸着膜形成方法。 - （２）案内ガスは膜構成成分と反応して膜形成物質とな
る反応ガスまたは該膜構成成分と反応しない不活性ガス
である特許請求の範囲第１項記載の蒸着膜形成方法。 - （３）被成膜体は成膜時に一方向に駆動され、該被成膜
体に対して膜構成成分の蒸発位置および案内ガス導入位
置を結ぶ方向は被成膜体の駆動方向と交差する方向にあ
る特許請求の範囲第１項記載の蒸着膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4580186A JPS62202076A (ja) | 1986-03-03 | 1986-03-03 | 蒸着膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4580186A JPS62202076A (ja) | 1986-03-03 | 1986-03-03 | 蒸着膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62202076A true JPS62202076A (ja) | 1987-09-05 |
Family
ID=12729371
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4580186A Pending JPS62202076A (ja) | 1986-03-03 | 1986-03-03 | 蒸着膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62202076A (ja) |
-
1986
- 1986-03-03 JP JP4580186A patent/JPS62202076A/ja active Pending
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