JPS6220385A - 半導体レ−ザ光出力調整装置 - Google Patents
半導体レ−ザ光出力調整装置Info
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- JPS6220385A JPS6220385A JP60159696A JP15969685A JPS6220385A JP S6220385 A JPS6220385 A JP S6220385A JP 60159696 A JP60159696 A JP 60159696A JP 15969685 A JP15969685 A JP 15969685A JP S6220385 A JPS6220385 A JP S6220385A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体レーザ素子を駆動させる駆動回路など
において、半導体レーザ素子の光出力を調整する装置に
関ｑるｂのである。
において、半導体レーザ素子の光出力を調整する装置に
関ｑるｂのである。
（従来技物）
従来から、たとえば、ビデオｆイスクやレーザプリンタ
等に用いられ−（いる半導体レーザ素子を駆動さｌ！る
回路は、一般に例えば特開昭５７−９２８８４号公報に
示されるようｂものがある。この駆動回路において、レ
ーデダイオードからのレーザ光は）Ａｌ−ダイＡ−ドに
与えられ、イのフォ１−ダイオードの出力は抵抗を介【
ノて演算増幅器の反転入力に与えられる。そして、前記
演算増幅器は、その非反転入力端子に抵抗を介し−（接
続され（−いる非反転入力側のｉｉＪ変抵抗抵抗整′Ｃ
″設定される基準電Ｌ［ど、その反転入力端子に抵抗を
介して接続されている反転入力側の可変抵抗の調整で設
定される前記フォＩ〜ダイオードの出力電圧どを比較増
幅している。
等に用いられ−（いる半導体レーザ素子を駆動さｌ！る
回路は、一般に例えば特開昭５７−９２８８４号公報に
示されるようｂものがある。この駆動回路において、レ
ーデダイオードからのレーザ光は）Ａｌ−ダイＡ−ドに
与えられ、イのフォ１−ダイオードの出力は抵抗を介【
ノて演算増幅器の反転入力に与えられる。そして、前記
演算増幅器は、その非反転入力端子に抵抗を介し−（接
続され（−いる非反転入力側のｉｉＪ変抵抗抵抗整′Ｃ
″設定される基準電Ｌ［ど、その反転入力端子に抵抗を
介して接続されている反転入力側の可変抵抗の調整で設
定される前記フォＩ〜ダイオードの出力電圧どを比較増
幅している。
ところで、前記反転入力側の可変抵抗は、演算増幅器の
艮転入力端子に与えられるフォトダイオ−ドからの出力
電圧を調整している。すなわち、レーザダイオードは動
作特性により光出力が異なり、それによってフォトダイ
オードを流れる電流が変化し、演算増幅器の反転入力端
子に与えられる電圧も変化する。したがって、前記反転
入力側の可変抵抗でもって、演算増幅器の反転入力端子
に与えられる電圧が所定レベルに調整され、また、前記
非反転入力側の可変抵抗でもって、演算増幅器の増幅度
を決定づる基準電圧が調整され、かかる演算増幅器の出
力によりレーザダイオードの光出力が決定されている。
艮転入力端子に与えられるフォトダイオ−ドからの出力
電圧を調整している。すなわち、レーザダイオードは動
作特性により光出力が異なり、それによってフォトダイ
オードを流れる電流が変化し、演算増幅器の反転入力端
子に与えられる電圧も変化する。したがって、前記反転
入力側の可変抵抗でもって、演算増幅器の反転入力端子
に与えられる電圧が所定レベルに調整され、また、前記
非反転入力側の可変抵抗でもって、演算増幅器の増幅度
を決定づる基準電圧が調整され、かかる演算増幅器の出
力によりレーザダイオードの光出力が決定されている。
このように従来回路では、１個の演算増幅器に対して２
個の可変抵抗により、レーザダイオードの光出力を調整
している。したがって、レーザダイオードの特性のばら
つきがあった場合、前記反転入力側の可変抵抗を調整し
、それに伴って演算増幅器の動作特性も変わるので前記
非反転入力側の可変抵抗も調整しな（）ればならないと
いった問題を有している。さらには、１個の演算増幅器
で比較増幅しているので、その増幅率を大きくすれば回
路の異常発振動作等が発生するので、可変抵抗による出
力電印の調整範囲が狭くなり、光出力調整のｆ＋業が困
勤であるという問題を有し′Ｃいた。
個の可変抵抗により、レーザダイオードの光出力を調整
している。したがって、レーザダイオードの特性のばら
つきがあった場合、前記反転入力側の可変抵抗を調整し
、それに伴って演算増幅器の動作特性も変わるので前記
非反転入力側の可変抵抗も調整しな（）ればならないと
いった問題を有している。さらには、１個の演算増幅器
で比較増幅しているので、その増幅率を大きくすれば回
路の異常発振動作等が発生するので、可変抵抗による出
力電印の調整範囲が狭くなり、光出力調整のｆ＋業が困
勤であるという問題を有し′Ｃいた。
（発明の目的）
本発明は上記従来の問題点に鑑みてなされたもので、゛
１コ導体レー１１素子の動作特性のばらつきがあっても
、半導体レーザ素子の光出力を簡単に調整することがで
きる半導体レーザ光出力調整装「イを提供することを目
的とする。
１コ導体レー１１素子の動作特性のばらつきがあっても
、半導体レーザ素子の光出力を簡単に調整することがで
きる半導体レーザ光出力調整装「イを提供することを目
的とする。
（発明の構成）
本発明は、半導体レーザ素子からのシー１１光を受光す
る受光素子に流れる電流の大きさに対応した第１出力電
圧と、所定の第１基準電圧とを比較増幅し、第２出力電
圧を導出する第１増幅回路と、」二記第１増幅回路の増
幅度を可変させ、上記半導体レーザ素子特性のばらつき
にＪ：り生じる上記第２出力電圧の変化を所定レベルに
調整する第１可変抵抗と、−に記第２出力電圧と所定の
第２の基準電圧とを比較増幅し、上記半導体レーザ素子
からの光出力を決定するレーザ光出力電圧を導出する第
２増幅回路と、上記第２増幅回路の増幅度を可変さけ、
上記半導体レーザ素子の光出力を調１ リ−る第２可変
抵抗とを有するものである。
る受光素子に流れる電流の大きさに対応した第１出力電
圧と、所定の第１基準電圧とを比較増幅し、第２出力電
圧を導出する第１増幅回路と、」二記第１増幅回路の増
幅度を可変させ、上記半導体レーザ素子特性のばらつき
にＪ：り生じる上記第２出力電圧の変化を所定レベルに
調整する第１可変抵抗と、−に記第２出力電圧と所定の
第２の基準電圧とを比較増幅し、上記半導体レーザ素子
からの光出力を決定するレーザ光出力電圧を導出する第
２増幅回路と、上記第２増幅回路の増幅度を可変さけ、
上記半導体レーザ素子の光出力を調１ リ−る第２可変
抵抗とを有するものである。
この構成により、半導体レーザ素子特性のばらつきによ
るその光出力の変動は第１可変抵抗で調整することがで
き、半導体レーザ素子の光出力は第２可変抵抗で調整す
ることができる。
るその光出力の変動は第１可変抵抗で調整することがで
き、半導体レーザ素子の光出力は第２可変抵抗で調整す
ることができる。
（実施例）
第１図は、本発明の一実施例による半導体レーＩｆ先出
力調整装置の全体構成を示すブロック図である。第１図
において、半導体レープ素子であるレーザダイオードＬ
Ｄは、トランジスタＴＲの能動状態において変調回路Ａ
からの変調信号に応答して、レーザ光を受光素子である
フォトダイオードＰＤに与える。増幅回路Ｂは、後述す
るような増幅動作を行なって、抵抗Ｒ１間の電圧を所定
レベルに増幅する。サンプルホールド回路Ｃは、１ノン
プリング信号発生回路Ｆからのサンプリング信号に応答
して増幅回路Ｂからの出力をサンプルホールドする。比
較増幅器りは、所定の基準電圧と＝ ５− り−ンブル小−ルド回路Ｃからの出力とのレベル比較を
行（７い、増幅する。演算増幅器Ｇは、比較増幅器りか
らの出力を増幅し、ｉ〜シランスタ丁１でを能動化させ
、レーずダイオードｌ Ｄを駆動する。
力調整装置の全体構成を示すブロック図である。第１図
において、半導体レープ素子であるレーザダイオードＬ
Ｄは、トランジスタＴＲの能動状態において変調回路Ａ
からの変調信号に応答して、レーザ光を受光素子である
フォトダイオードＰＤに与える。増幅回路Ｂは、後述す
るような増幅動作を行なって、抵抗Ｒ１間の電圧を所定
レベルに増幅する。サンプルホールド回路Ｃは、１ノン
プリング信号発生回路Ｆからのサンプリング信号に応答
して増幅回路Ｂからの出力をサンプルホールドする。比
較増幅器りは、所定の基準電圧と＝ ５− り−ンブル小−ルド回路Ｃからの出力とのレベル比較を
行（７い、増幅する。演算増幅器Ｇは、比較増幅器りか
らの出力を増幅し、ｉ〜シランスタ丁１でを能動化させ
、レーずダイオードｌ Ｄを駆動する。
第２図は、本発明の特徴である第１図で示す増幅回路Ｂ
の電気回路図である。
の電気回路図である。
第２図において、レーザダイオード１０は、前述したＪ
：つな動作によりレーザ光を出力する。）１１−ダイオ
ードＰＤは、レーザダイオードＩ−Ｄからのレート１光
を受光し、抵抗Ｒ１にモニタ電流１１を流す。したがっ
て、フォトダイオードＰＤのアノードと抵抗Ｒ１の接続
点には、抵抗Ｒ１の抵抗値とモニタ電流■１とにより決
定される第１出力電圧Ｖ１が発生し、その第１出力電圧
Ｖ１は第１増幅回路である第１演算増幅器１の非反転入
力端子に与えられる。第１演篩増幅器１０反転入力端子
には、第１可変抵抗ＶＲ１と抵抗Ｒ２とにより設定され
る第１基準電圧Ｅ１が与えられている。
：つな動作によりレーザ光を出力する。）１１−ダイオ
ードＰＤは、レーザダイオードＩ−Ｄからのレート１光
を受光し、抵抗Ｒ１にモニタ電流１１を流す。したがっ
て、フォトダイオードＰＤのアノードと抵抗Ｒ１の接続
点には、抵抗Ｒ１の抵抗値とモニタ電流■１とにより決
定される第１出力電圧Ｖ１が発生し、その第１出力電圧
Ｖ１は第１増幅回路である第１演算増幅器１の非反転入
力端子に与えられる。第１演篩増幅器１０反転入力端子
には、第１可変抵抗ＶＲ１と抵抗Ｒ２とにより設定され
る第１基準電圧Ｅ１が与えられている。
第１ ｊＴＪ変抵抗ＶＲ１は、レーザダイオードｌ−Ｄ
の動作特性のばらつきで・、モニタ電流■１が変化しで
も、第１演粋増幅器１の出力である第２出力電圧ｖ２が
多め定めたレベルになるように第１基準電ル「１を調整
りるためのものである。したがって、第１演１ｌｔｉ幅
器１は、第１可変抵抗ＶＲＩの調整により設定された第
１基準電ｆｆ Ｆ １と、非反転入力端子に与λられる
第１出力電汁Ｖ１とをレベル比較し増幅して第２出力電
圧Ｖ２を導出する。
の動作特性のばらつきで・、モニタ電流■１が変化しで
も、第１演粋増幅器１の出力である第２出力電圧ｖ２が
多め定めたレベルになるように第１基準電ル「１を調整
りるためのものである。したがって、第１演１ｌｔｉ幅
器１は、第１可変抵抗ＶＲＩの調整により設定された第
１基準電ｆｆ Ｆ １と、非反転入力端子に与λられる
第１出力電汁Ｖ１とをレベル比較し増幅して第２出力電
圧Ｖ２を導出する。
第２増幅回路である第２演紳増幅器２は、ぞの非反転入
力端子に与えられｌこ第２出力電１［Ｖ２と、第２可変
抵抗ＶＲ２ど抵抗Ｒ３どにより設定される第２基準電汁
１２とをレベル比較し増幅し−（、レーザダイオードＬ
Ｄからのレーザ光に応答したレーザ光出力電圧■３を導
出する。第２演粋増幅器２の出力端子とイの艮転入力端
子とに接続されでいる第２可変抵抗ＶＲ２は、その反転
入力端子にｈえられる第２基準電圧［２のレベルを調整
することにより、第２演篩増幅器２の増幅器を変化させ
、その出力端子から導出されるレーザ光出力電圧Ｖ３の
レベルを調整り−るものである。
力端子に与えられｌこ第２出力電１［Ｖ２と、第２可変
抵抗ＶＲ２ど抵抗Ｒ３どにより設定される第２基準電汁
１２とをレベル比較し増幅し−（、レーザダイオードＬ
Ｄからのレーザ光に応答したレーザ光出力電圧■３を導
出する。第２演粋増幅器２の出力端子とイの艮転入力端
子とに接続されでいる第２可変抵抗ＶＲ２は、その反転
入力端子にｈえられる第２基準電圧［２のレベルを調整
することにより、第２演篩増幅器２の増幅器を変化させ
、その出力端子から導出されるレーザ光出力電圧Ｖ３の
レベルを調整り−るものである。
ここぐ、増幅回路Ｂの増幅動作を関係ｌ（を用いｒ説明
りる。
りる。
第１演紳増幅器１においで、イの非反転入力端子にりλ
られる電圧−をｖｌ、イの出力端子に与えられる電圧を
Ｖ２、抵抗Ｒ２の抵抗値をＣ２、第１ ’ｉｉＪ変抵抗
ＶＲ１７）ＩＩＫ抗＋ｉＩ＠Ｖｒ１．！＝Ｔると、Ｖｌ
−Ｃ２／ （Ｃ２＋Ｖｒ１ ） ・Ｖ２＝ｉｌ）どなる
。
られる電圧−をｖｌ、イの出力端子に与えられる電圧を
Ｖ２、抵抗Ｒ２の抵抗値をＣ２、第１ ’ｉｉＪ変抵抗
ＶＲ１７）ＩＩＫ抗＋ｉＩ＠Ｖｒ１．！＝Ｔると、Ｖｌ
−Ｃ２／ （Ｃ２＋Ｖｒ１ ） ・Ｖ２＝ｉｌ）どなる
。
第２演ｎ増幅器２において、その非反転入力端子に与え
られる電圧をｖ２、ぞの出力端子に導出する電圧を■３
、抵抗Ｒ３の抵抗値をＣ３、第２可変抵抗ｖ［＜２の抵
抗値をＶｒ２どすると、Ｖ２＝ｐ３．／ （Ｃ３＋Ｖｒ
２） ・Ｖ３・１２）と４べろ。
られる電圧をｖ２、ぞの出力端子に導出する電圧を■３
、抵抗Ｒ３の抵抗値をＣ３、第２可変抵抗ｖ［＜２の抵
抗値をＶｒ２どすると、Ｖ２＝ｐ３．／ （Ｃ３＋Ｖｒ
２） ・Ｖ３・１２）と４べろ。
また、第１式の電１ｌ−Ｖ１は、次の第３式により求め
られる。
られる。
Ｖ１＝ｒ１−１１ ・＝（３）ただ
ｉノ、ｒｌは抵抗Ｒ１の抵抗値であり、１１は抵抗［（
１を流れる電流である。
ｉノ、ｒｌは抵抗Ｒ１の抵抗値であり、１１は抵抗［（
１を流れる電流である。
成るレーザダイオード１−１）の光出力がＰ Ｏで、そ
の時フォｌ〜ダイオードＰ Ｄおよび抵抗］＜１を流れ
るモニター電流が１０とするど、 ＰＯ−αＩ Ｏ・・・（４） ただし、αはレーデダイオード１． Ｄの動作特性によ
り定まる比例定数である。
の時フォｌ〜ダイオードＰ Ｄおよび抵抗］＜１を流れ
るモニター電流が１０とするど、 ＰＯ−αＩ Ｏ・・・（４） ただし、αはレーデダイオード１． Ｄの動作特性によ
り定まる比例定数である。
（）たがって、イ■意のレーデダイオード］−１）の光
出力は、前記第１式〜第４式より、 Ｐ−α１ｌ −ＰＯ／１Ｏ−Ｖ１／ｒｌ ＝ＰＯ／１Ｏ−Ｖ３／ｒ１− Ｃ２／ （Ｃ２＋Ｖｒ
１ ） ・Ｃ３／ （Ｃ３＋Ｖｒ２）−（５）となる。
出力は、前記第１式〜第４式より、 Ｐ−α１ｌ −ＰＯ／１Ｏ−Ｖ１／ｒｌ ＝ＰＯ／１Ｏ−Ｖ３／ｒ１− Ｃ２／ （Ｃ２＋Ｖｒ
１ ） ・Ｃ３／ （Ｃ３＋Ｖｒ２）−（５）となる。
コ（７）第５式にお＆ＮＴ、ＰＯ／Ｉ Ｏ−Ｖ３／ｒ１
− Ｃ２／ （Ｃ２＋Ｖｒｌ ）は、レーザダイオード
Ｌ Ｄの動作特性のばらつきによるモニタ電流ＩＯを第
１可変抵抗ＶＲ１で調整されるもので、Ｃ３／ （Ｃ３
＋Ｖｒ２）は、レーザダイオードＬＤの光出力を第２可
変抵抗Ｖ Ｒ２により調整されるものぐある。
− Ｃ２／ （Ｃ２＋Ｖｒｌ ）は、レーザダイオード
Ｌ Ｄの動作特性のばらつきによるモニタ電流ＩＯを第
１可変抵抗ＶＲ１で調整されるもので、Ｃ３／ （Ｃ３
＋Ｖｒ２）は、レーザダイオードＬＤの光出力を第２可
変抵抗Ｖ Ｒ２により調整されるものぐある。
次に、具体的４にレーザダイオードｌ−Ｄの光出力調整
操作について説明する。
操作について説明する。
たとえば、レーザダイオードＩＤの最大光出力を５ｎｎ
Ｗとし、抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３の抵抗値をＩ ＫΩ、第
１可変抵抗ＶＲＩ、ＶＲ２の抵抗値を３０にΩとする。
Ｗとし、抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３の抵抗値をＩ ＫΩ、第
１可変抵抗ＶＲＩ、ＶＲ２の抵抗値を３０にΩとする。
また、第２演粋増幅器２の出力電圧Ｖ３を第１図に示す
比較増幅器りに！ｊえられる基準電圧とほぼ等しくなる
ように３■と設定する。また、成るレーザダイオード［
−１〕の光出力、すなわち第４式で示したＰ Ｏを３ｍ
Ｗとする。
比較増幅器りに！ｊえられる基準電圧とほぼ等しくなる
ように３■と設定する。また、成るレーザダイオード［
−１〕の光出力、すなわち第４式で示したＰ Ｏを３ｍ
Ｗとする。
したがっＣ１任意のレーザダイオードＬ Ｏの駆動状態
におＧ−Ｊる光出力は、第５式によりＰ＝３／ｌ０−３
／１１／（１＋Ｖｒ１）−１／（１＋Ｖｒ２）
・・・（６）たとλば、レーザダイオード［Ｄの使
用最大出力を４ｍＷに設定する場合、第６式の右辺の第
１項へ・第３項の値が数値４であればよい。すなわち、
９／１０ （１＋Ｖｒ１）＝４ ・ｍとなる。こ
の第７式の関係により、レーザダイオード１−１１の動
作時↑１のばらつきによってモニタ電流■０が変化して
も第１可変抵抗ＶＲＩの抵抗値Ｖｒ１を調整することで
レーザダイオードＬ Ｄの最大出力を一定に保つことが
できる。たとえば、１０＝０．１，０．３．１．０のと
きＶｒｌ＝２１．５．６．５．１．２５となるように第
１可変抵抗ＶＲ１を調整すればよい。また、このように
第１可変抵抗■Ｒ１が調整されるとき、レーザダイオー
ドＩＤの光出力は第２可変抵抗ＶＲ２でたとえばえ４ｍ
Ｗから０．１３ｍＷまで調整することができる。
におＧ−Ｊる光出力は、第５式によりＰ＝３／ｌ０−３
／１１／（１＋Ｖｒ１）−１／（１＋Ｖｒ２）
・・・（６）たとλば、レーザダイオード［Ｄの使
用最大出力を４ｍＷに設定する場合、第６式の右辺の第
１項へ・第３項の値が数値４であればよい。すなわち、
９／１０ （１＋Ｖｒ１）＝４ ・ｍとなる。こ
の第７式の関係により、レーザダイオード１−１１の動
作時↑１のばらつきによってモニタ電流■０が変化して
も第１可変抵抗ＶＲＩの抵抗値Ｖｒ１を調整することで
レーザダイオードＬ Ｄの最大出力を一定に保つことが
できる。たとえば、１０＝０．１，０．３．１．０のと
きＶｒｌ＝２１．５．６．５．１．２５となるように第
１可変抵抗ＶＲ１を調整すればよい。また、このように
第１可変抵抗■Ｒ１が調整されるとき、レーザダイオー
ドＩＤの光出力は第２可変抵抗ＶＲ２でたとえばえ４ｍ
Ｗから０．１３ｍＷまで調整することができる。
以上述べたように、第１可変抵抗ＶＲ１でレーザダイオ
ードＬＤの動作特性のばらつきによるレーザダイオード
ｌ−Ｄの光出力の変動を調整することができ、第２可変
抵抗ＶＲ２でレーデダイオードＬＤの光出力を調整する
ことができる。
ードＬＤの動作特性のばらつきによるレーザダイオード
ｌ−Ｄの光出力の変動を調整することができ、第２可変
抵抗ＶＲ２でレーデダイオードＬＤの光出力を調整する
ことができる。
なお、第１演算増幅器１および第２演算増幅器２の動作
に必要な抵抗Ｒ２、第１可変抵抗ＶＲ１および抵抗Ｒ３
、第２可変抵抗Ｖ Ｒ２の接続はＦ配実施例構成に限ら
れず、同様な動作を行なう種々の接続構成が適用できる
。
に必要な抵抗Ｒ２、第１可変抵抗ＶＲ１および抵抗Ｒ３
、第２可変抵抗Ｖ Ｒ２の接続はＦ配実施例構成に限ら
れず、同様な動作を行なう種々の接続構成が適用できる
。
（発明の効果）
以上のように本発明によれば、半導体レーデ素子からの
レーザ光を受光する受光素子に流れる電流の大ぎさに対
応した第１出力電圧と、所定の第１基準電圧とを比較増
幅し第２出力電圧を導出する第１増幅回路の増幅度を可
変さ仕る第１可変抵抗で、上記半導体レーザ素子特性の
ばらつきにより生じる一ト記第２出力電圧の変化を所定
レベルに調整することができ、−ト記第２出力電圧と所
定の第２Ｍ準電圧とを比較増幅し、上記半導体レーザ素
子からの光出力を決定するレーデ光出力電圧を導出Ｊる
第２増幅回路の増幅度を可変させる第２可変抵抗で上記
半導体レーず素子の光出力を調整することができる。
レーザ光を受光する受光素子に流れる電流の大ぎさに対
応した第１出力電圧と、所定の第１基準電圧とを比較増
幅し第２出力電圧を導出する第１増幅回路の増幅度を可
変さ仕る第１可変抵抗で、上記半導体レーザ素子特性の
ばらつきにより生じる一ト記第２出力電圧の変化を所定
レベルに調整することができ、−ト記第２出力電圧と所
定の第２Ｍ準電圧とを比較増幅し、上記半導体レーザ素
子からの光出力を決定するレーデ光出力電圧を導出Ｊる
第２増幅回路の増幅度を可変させる第２可変抵抗で上記
半導体レーず素子の光出力を調整することができる。
したがって、半導体レーザ素子特性のばらつきの調整と
、半導体レーザ素子の光出力の調整とを分担１ノで行な
うことができるので、使用時や製造時の調整作業が簡単
になる。また、同じ使用規格の半導体レープ索子に限ら
ず、他の使用規格の半導体レーザ素子であっても、前述
したような調整を行なえば同様に使用することができる
ので、半導体レーザ素子の使用範囲が広くなる。
、半導体レーザ素子の光出力の調整とを分担１ノで行な
うことができるので、使用時や製造時の調整作業が簡単
になる。また、同じ使用規格の半導体レープ索子に限ら
ず、他の使用規格の半導体レーザ素子であっても、前述
したような調整を行なえば同様に使用することができる
ので、半導体レーザ素子の使用範囲が広くなる。
また、半導体レーザ素子の光出力を、第１増幅回路と第
２増幅回路との２段で増幅し、第１可変抵抗と第２可変
抵抗とでそれぞれ増幅度調整を行なっているので、第１
、第２増幅回路の各増幅度が低い範囲で動作さけること
ができ、異常発振動作が生じにくくなり、回路動作が安
定する。
２増幅回路との２段で増幅し、第１可変抵抗と第２可変
抵抗とでそれぞれ増幅度調整を行なっているので、第１
、第２増幅回路の各増幅度が低い範囲で動作さけること
ができ、異常発振動作が生じにくくなり、回路動作が安
定する。
第１図は本発明の一実施例による′：１を導体レープ光
出力調整装置の全体構成を示すブロック図、第２図は第
１図に示す増幅回路Ｂの電気回路図である。 １・・・第１演算増幅器、２・・・第２演算増幅器、Ｌ
Ｄ・・・レーザダイオード、ＰＯ・・・フＡ１−ダイオ
ード、ＶＲＩ・・・第１可変抵抗、ＶＲ２・・・第２可
変抵抗。 特許出願人 三田工業株式会社代 埋 人
弁理士 小谷悦司同 弁理士
長１）正 向 弁理士 板谷庫夫 第 １ ｐ二 第 ２ ■−１〜−−］、。 図 ／、８
出力調整装置の全体構成を示すブロック図、第２図は第
１図に示す増幅回路Ｂの電気回路図である。 １・・・第１演算増幅器、２・・・第２演算増幅器、Ｌ
Ｄ・・・レーザダイオード、ＰＯ・・・フＡ１−ダイオ
ード、ＶＲＩ・・・第１可変抵抗、ＶＲ２・・・第２可
変抵抗。 特許出願人 三田工業株式会社代 埋 人
弁理士 小谷悦司同 弁理士
長１）正 向 弁理士 板谷庫夫 第 １ ｐ二 第 ２ ■−１〜−−］、。 図 ／、８
Claims (1)
- １、半導体レーザ素子からのレーザ光を受光する受光素
子に流れる電流の大きさに対応した第１出力電圧と、所
定の第１基準電圧とを比較増幅し、第２出力電圧を導出
する第１増幅回路と、上記第１増幅回路の増幅度を可変
させ、上記半導体レーザ素子特性のばらつきにより生じ
る上記第２出力電圧の変化を所定レベルに調整する第１
可変抵抗と、上記第２出力電圧と所定の第２の基準電圧
とを比較増幅し、上記半導体レーザ素子からの光出力を
決定するレーザ光出力電圧を導出する第２増幅回路と、
上記第２増幅回路の増幅度を可変させ、上記半導体レー
ザ素子の光出力を調整する第２可変抵抗とを有すること
を特徴とする半導体レーザ光出力調整装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60159696A JPH067608B2 (ja) | 1985-07-18 | 1985-07-18 | 半導体レ−ザ光出力調整装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60159696A JPH067608B2 (ja) | 1985-07-18 | 1985-07-18 | 半導体レ−ザ光出力調整装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6220385A true JPS6220385A (ja) | 1987-01-28 |
| JPH067608B2 JPH067608B2 (ja) | 1994-01-26 |
Family
ID=15699316
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60159696A Expired - Lifetime JPH067608B2 (ja) | 1985-07-18 | 1985-07-18 | 半導体レ−ザ光出力調整装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH067608B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02246027A (ja) * | 1989-03-17 | 1990-10-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ駆動回路 |
| CN117895325A (zh) * | 2024-01-05 | 2024-04-16 | 瀚湄信息科技(上海)有限公司 | 一种半导体激光器恒功率驱动电路 |
-
1985
- 1985-07-18 JP JP60159696A patent/JPH067608B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02246027A (ja) * | 1989-03-17 | 1990-10-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ駆動回路 |
| CN117895325A (zh) * | 2024-01-05 | 2024-04-16 | 瀚湄信息科技(上海)有限公司 | 一种半导体激光器恒功率驱动电路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH067608B2 (ja) | 1994-01-26 |
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