JPS6220539B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はフオトマスクの白点欠陥（欠落欠陥）
修正装置に関するものである フオトマスクに発生する欠陥のうち黒点欠陥
（残留欠陥）についてはレーザによる修正（特公
昭52―9508）で大巾な工程短縮が実現できてい
る。一方欠落欠陥、即ち正常なパターンの一部が
欠落する様な欠陥についてはリフトオフ法が用い
られている。このリフトオフ法は (1) 欠落欠陥を有するフオトマスク全面にポジ型
レジストを塗布する工程、 (2) 部分露光法を用いて欠落欠陥部のみに露光を
行う工程、 (3) 現像処理により欠落欠陥部に窓をあける工
程、 (4) 真空蒸着技術により欠落欠陥部とその周辺あ
るいはフオトマスク全面に金属膜を形成する工
程、 (5) レジスト除去を行い、同時にレジスト上に形
成されている金属膜も除去する工程、 とからなつており、非常に多くの工程および時間
を要する欠点があつた。

また、レーザによる部分蒸着を用いた方法も提
案されているが、精度、膜強度、膜の均一性など
実用上の問題点が多い。

これら欠点をなくし、少ない工程、時間で、し
かも精度よく均一な膜を形成する欠落欠陥修正方
法として、欠落欠陥を有するフオトマスク全面あ
るいは欠落欠陥部とその周辺部のみに金属錯体を
塗布し、欠落欠陥部のみにレーザを照射すること
により金属を析出させて欠陥を修正する方法が提
案されている。本発明はこの金属錯体を利用した
欠落欠陥修正方法の改良に関するものである。

即ち本発明の目的は上記した従来技術の欠点を
なくしフオトマスク欠陥の修正を高品質に行うた
めの装置を提供するにある。

ところで塗布された金属錯塩にレーザ光を照射
して金属を析出させて欠陥（正常パターンの一部
が欠落した欠陥）を修正する場合、レーザ照射領
域の大きさ（即ち欠陥の大きさ）により、最適な
レーザ照射パワー密度が異なる。

そこで本発明はレーザ照射領域の大きさを検出
し、その大きさに最適な条件に設定できる機構を
備えることにより、高品質な欠陥修正を行うもの
である。

以下本発明を図に従つて詳細に説明する。ま
ず、金属錯体にレーザを照射して金属、金属酸化
物あるいはそれらの混合物を析出させ、欠陥を修
正する工程を第１図に示す。

(a) ガラス基板１上にクロム、酸化クロムあるい
はそれらの多層で形成されたマスクパターン２
に生じた欠落欠陥３を覆う様に金属錯体を塗布
乾燥し、金属錯体膜４を形成する。

(b) 少なくとも欠落欠陥部を含む領域の金属錯体
膜４にレーザ光５を照射し、レーザ光５の照射
された領域に金属、金属酸化物あるいはその混
合物の析出膜６を析出させる。

(c) レーザ照射後、未析出部の金属錯体を除去す
る。その後必要に応じて洗浄、熱処理等を行
う。

ここで用いる金属錯体材料としては有機溶媒に
硝酸銀、カルボン酸および添加剤を加えた溶液が
用いられる。この時溶液中でカルボン酸銀塩が溶
解した状態で形成される。銀塩の中でもカルボン
酸銀塩が好ましく用いられるのは有機溶媒によく
溶解し、有機溶媒を蒸発させても良好な膜を形成
するためである。カルボン酸としては各種のもの
が使用可能であるが、カルボン酸基を２つもつジ
カルボン酸、その中でもシトラコン酸が特に成膜
性にすぐれている。また有機溶媒としてアルコー
ル系、セロソルブ系、カルビトール系、グリコー
ル系の有機溶媒の他ジメチルスルホキシド、ジメ
チルアセトアミド、ジメチルホルムアミド等が使
用可能であるが、メチルセロソルブ、アセトニト
リル、アセチルアセトン、およびジメチルスルホ
キシドの混合液が最適である。

さらに析出された金属膜または金属酸化物膜あ
るいはその混合物膜と基板の密着性を向上させる
にはチタンアルコレートを添加することで目的を
達せられるがチタンテトラブチラートが最適であ
る。前記溶液を塗布液として塗布乾燥し0.1〜１
μｍの錯体膜を形成し、所定部分にレーザを照射
する。レーザ照射により金属膜または金属酸化物
膜あるいは混合物膜を析出させた後、メチルセロ
ソルブまたはアセトニトリルあるいは両者の混合
液で洗浄することにより析出した部分以外の錯体
膜を完全に除去することができる。その後紫外線
炉で30秒〜５分間ベーキングすることにより析出
膜強度および基板への接着強度を向上することが
できる。

ここでレーザ照射は第２図に示す様にレーザ発
振器（図示せず）より発振されたレーザ光５を任
意の寸法に変化できる可変スリツト７により矩形
に成形され対物レンズ８により、可変スリツト７
の実像が結ぶ位置に置かれた欠陥９を有するフオ
トマスク１０上に対物レンズ８の倍率の逆数の大
きさでレーザ光が矩形に集光される。

第２図に示した光学系により、前記錯体膜を約
0.2μｍの厚さに形成した試料に照射領域の大き
さと照射部におけるパワー密度を変えて析出させ
た結果を第３図に示す。図中において実線の上の
領域はパワー密度が高すぎて、析出した膜がレー
ザにより損傷を受け、破線の下側の領域はパワー
密度が低すぎて洗浄により析出膜が脱落する恐れ
の大きい領域である。即ち、実線と破線で囲まれ
た領域が適正な条件範囲であり、一点鎖線で示し
た条件が最適であつた。ここで横軸は照射領域の
寸法（正方形に照射した場合の一辺の長さ）、縦
軸は照射部のレーザパワー密度である。照射領域
の寸法（Ｓ）が２μｍ〜30μｍの範囲においては
レーザパワー密度（Ｐ）の間に Ｓ×Ｐ＝一定 の関係を満す条件が最適であつた。

第３図に示したのは正方形の領域に照射した場
合の結果であるが、照射領域が長方形の場合には
照射領域の面積の平方根を寸法（Ｓ）とした場合
のパワー密度が最適であつた。ただし照射領域の
短辺と長辺が１：５以上の長方形の場合には数ケ
所に分割して順に照射した方が良好であつた。

第３図は有機溶媒に硝酸銀、カルボン酸および
添加剤を加えた溶液を厚さ0.2μｍの膜に形成し
て用いた場合の結果であり、適正パワー密度は錯
体の組成および膜厚により変化する。

また金属錯体溶液として有機溶媒に硝酸銀、カ
ルボン酸および添加剤を加えた溶液について説明
して来たが本方法はそれに限定されるものではな
く狭義の意味での金属錯体、即ち１つあるいはそ
れ以上の金属を中心原子としてそれに他の原子ま
たは原子団、つまり配位子が結合して１つの原子
集団を作つている時の原子集団以外に、通常の溶
液反応で生成する金属塩を含む概念のものにも適
用できる。

以上述べて来た修正方法を実施するための修正
装置の一例を示す。

第４図に示される実施例の欠陥修正装置はAr
レーザ発振器１１、レーザ光５の光路を曲げるた
めのミラー１２、シヤツタ１３、ズーム光学系１
４とその駆動装置３１、レーザ光を対物レンズ８
の方向へ曲げるダイクロイツクミラー１５、対物
レンズ８に向うレーザ光５の光路上に配置された
矩形開口スリツト７とその駆動装置１６およびス
リツト位置を検出するための検出装置１７、ハー
フミラー１８、対物レンズ８、フオトマスク１０
のマスクパターン２の観察および位置合せを行う
照明光源１９とハーフミラー２０と観察光学系２
１とレーザカツトフイルタ２２、スリツト照明光
源２３と干渉フイルタ２４、フオトマスク１０の
パターン２と矩形開口スリツト７の投影像を観察
し表示するハーフミラー２５とレーザカツトフイ
ルタ２６と撮像装置２７とモニタTV２８、フオ
トマスク１０を載置するＸ―Ｙテーブル２９とそ
の駆動装置３０、Ｘ―Ｙテーブル２９の駆動装置
３０とシヤツタ１３の制御をし、かつ矩形開口ス
リツト７の駆動装置１６を制御してその時の矩形
開口の寸法を検出する検出装置１７からの信号に
よりレーザ照射領域の寸法を判定し、ズーム光学
系１４の駆動装置を制御して最適パワー密度が得
られるビーム径に制御する制御装置３２を備えて
構成されている。

そして前記Arレーザ発振器１１から発振され
たレーザ光５はダイクロイツクミラー１５により
光路を曲げられ、Ｘ―Ｙ両方向の巾を独立に設定
できる矩形開口スリツト７に達し、任意の大きさ
の矩形に成形される。

前記矩形開口スリツト７により任意の矩形に成
形されたレーザ光５はハーフミラー２５，１８を
透過し、対物レンズ８により集光されて欠落欠陥
を有するフオトマスク１０に照射される。ここで
フオトマスク１０および矩形開口スリツト７は、
矩形開口スリツト７の像が対物レンズ８により対
物レンズ８の倍率の逆数の大きさ、即ち対物レン
ズ８の倍率をＭ倍とすると１／Ｍに縮小されて投
影される位置関係に置かれる。

フオトマスク１０のパターン２の観察および位
置合せは照明光源１９からの光をハーフミラー２
０，１８で結合することにより観察光学系２１に
より行うことができる。また観察光学系２１には
作業者の安全のためレーザ光カツトフイルタ２２
が配置されている。

さらに、スリツト照明光源２３の光は干渉フイ
ルタ２４により特定の波長のみ透過し、ダイクロ
イツクミラー１５を透過し、矩形開口スリツト７
の投影像として対物レンズ８によりフオトマスク
１０上に結像される。ここでダイクロイツクミラ
ー１５はレーザ光５の波長のみ反射し、スリツト
照明光の特定波長を透過する特定を有する。そし
てこのスリツト照明光による矩形開口スリツト７
の像も観察光学系２１により観察することができ
る。

さらにまた、ハーフミラー２５、レーザカツト
フイルタ２６、および撮像装置２７によりフオト
マスク１０のパターン２や矩形開口スリツト７の
投影像をモニタTV２８により観察することもで
きる。

欠落欠陥３３を有するフオトマスク１０の上に
は金属錯体溶液が塗布され、乾燥により金属錯体
膜４が形成されている。欠落欠陥部３３が矩形ス
リツト７の投影像と一致する様にＸ―Ｙテーブル
２９で調整できる様になつている。また、Ｘ―Ｙ
テーブル２９は手動および駆動装置３０により駆
動できる。

観察光学系２１あるいはモニタTV２８により
観察しながら矩形開口スリツトの巾を調整し、投
影像を欠落欠陥部３３の大きさに一致させる。こ
の時スリツト位置検出装置１７によりＸ―Ｙ両方
向のスリツト巾を検出し、その巾における最適パ
ワー密度を制御装置３２を算出しズーム光学系１
４の駆動装置３１を駆動して最適パワー密度が得
られるビーム径にする。

全ての設定が終了するとシヤツタ１３を開いて
レーザ光５を欠落欠陥部３３に照射する。この
時、レーザ光５はスリツト照明光による矩形開口
スリツト７の投影像と全く同一の領域に照射され
る。

ここでレーザ光５をON，OFFするためにシヤ
ツタ１３を使用しているが、電気光学あるいは音
響光学効果による変調器によつても同様の動作が
行なえるし、さらにArレーザ光発振器１１の電
源を制御することにより行なうこともできる。

前記制御装置３２は、つぎの機能を持つ。すな
わち、欠陥検査装置で検出された位置情報を磁気
媒体などから読み取り、Ｘ―Ｙテーブル２９の駆
動装置３０を駆動して欠落欠陥位置を再現する機
能と、スリツト位置検出装置１７からの信号を受
けとり矩形開口スリツト７の寸法（すなわちフオ
トマスク１０上に投影された矩形形状のＭ倍：Ｍ
は対物レンズの倍率）を算出しその寸法から最適
なパワー密度を算出する機能と、その最適パワー
密度を得るのに必要なビーム径を算出して、ズー
ム光学系１４の駆動装置３１を駆動して所定のビ
ーム径に調整する機能と、適正な条件でシヤツタ
１３あるいは変調器、電源を制御することにより
レーザ光５をON，OFFする機能とを有する。ま
た欠落欠陥部３３の大きさがあらかじめわかつて
いる場合には、矩形開口スリツト７の巾を変化さ
せるための駆動装置２７を駆動してスリツト巾を
設定することも可能である。

ここでレーザ光５をON，OFFする適正な条件
とは例えば照射されたレーザ光５のフオトマスク
１０を透過する光量を検出し、その透過光量の変
化から金属等の析出状態を判定して得られる条件
を含むものである。

次に前記第４図に示される欠陥修正装置を使用
してフオトマスク１０の欠落欠陥３３を修正する
方法の一態様を説明する。欠落欠陥部３３を有す
るフオトマスク１０の全面あるいは欠落欠陥３３
とその周辺部に銀錯体溶液等の金属錯体溶液を塗
布、乾燥し、金属錯体膜４を形成した後、Ｘ―Ｙ
テーブル２９上に載置し、欠陥検査装置からの位
置情報をもとに制御装置３２によりテーブル駆動
装置３０を駆動して少なくとも観察光学系２１あ
るいは撮像装置２７の視野内に欠落欠陥部が入る
様にする。ついでスリツト照明光源２３による矩
形開口スリツト７の投影像を観察しながらＸ―Ｙ
テーブル２９による精位置決めおよびスリツト駆
動装置１６を駆動してスリツト巾の設定を行う。
この時、矩形開口スリツト７の投影像が正常パタ
ーンからはみ出ない様に、かつ欠落欠陥部３３を
十分に覆うように調整する。ここで、スリツト位
置検出装置１７により、例えば光軸（光学系の中
心）を原点としたスリツト先端位置までの距離に
相当する信号を制御装置３２へ送り、Ｘ方向の２
信号、Ｙ方向の２信号から矩形開口の寸法を算出
する。ついで制御装置３２においてこの寸法にお
ける最適パワー密度を近似式おるいはメモリ部に
記憶してあるテーブルから判定して決定する。即
ち第３図に示した例では最適パワー密度Ｐとスリ
ツト寸法（投影面上での寸法）Ｓの間でＰ×Ｓ＝
一定の関係があることから、10μｍ口におけるパ
ワー密度が4000W／cm²となる様に設定しておけ
ば、スリツト寸法が20μｍ口（10μｍ口の２倍）
の場合にはパワー密度は2000W／cm²、即ちズーム
駆動装置３１を駆動してビーム径を√２に広げれ
ば良い。（パワー密度はビーム径の２乗に反比例
する）全ての設定が完了した後、自動的にあるい
は作業者の指示によりシヤツタ１３を開いてAr
レーザ発振器１１から発振されたレーザ光５を欠
落欠陥部３３に照射する。次に一定時間、あるい
は金属等の析出状態をモニタしながら照射した後
適正条件でシヤツタ１３へ信号を送りレーザ光５
の照射を停止させる。

以上により前記金属錯体膜４にレーザ光５を照
射し、金属膜を析出させることにより、フオトマ
スク１０の欠落欠陥３３が修正される。

これで一個の欠落欠陥３３の修正が終了し、必
要に応じて観察した後、作業者からの修正完了の
信号が出されると、次の欠陥位置へＸ―Ｙテーブ
ル２９を駆動する。全ての欠落欠陥部３３に金属
膜を析出させた後、フオトマスク１０は洗浄によ
り、金属が析出した部分以外の金属錯体膜４を除
去し、必要に応じて熱処理を加えた後、修正作業
は終了する。

第５図にフオトマスク欠落欠陥修正装置の別な
一例を示す。この第５図に示される修正装置は第
４図に示される修正装置と比較して次の点が異な
る。即ちダイクロイツクミラー３４の裏側に所定
の大きさを有するアパーチヤ板３５と光量検出器
３６を備えている点である。ダイクロイツクミラ
ー３４はレーザ光５の大部分は反射、一部分例え
ば１％を透過し、干渉フイルタ２４で特定の波長
に選択されたスリツト照明用光源２３からの光を
透過する特性を有する。ダイクロイツクミラー３
４を透過したレーザ光の一部分５′は一定の面積
を有するアパーチヤを有する板３５によりビーム
の中心部のみが通過した光検出器３６に受光され
る。ここでダイクロイツクミラー３４のレーザ光
５に対する透過率とアパーチヤ３５の面積が既知
であればスリツト７面上におけるパワー密度即ち
フオトマスク１０上におけるパワー密度が算出で
きる。このことから、矩形開口スリツト７のスリ
ツト寸法を検出し、制御装置３２においてその寸
法における最適パワー密度を近似式あるいはメモ
リに記憶してあるテーブルより決定した後、光量
検出器３６からの信号と比較しながら、ズーム駆
動装置３１によりズーム光学系１４を駆動してビ
ーム径を変化させ、光量検出器３６からの信号と
最適パワー密度が一致するかあるいは一定の誤差
内（例えば±５％）に入つた時にズーム駆動装置
３１を停止させれば良い。以上により、フオトマ
スク１０上におけるレーザ光５の照射パワー密度
は最適値に設定することができる。

次に、第４図および第５図に示した修正装置に
使用するズーム光学１について説明する。第６図
に示すのはズーム光学系１４の一例で凹レンズ３
８、凸レンズ３９、凹レンズ４０、および凸レン
ズ４１から構成されており、アフオーカル・ズー
ム系（平行光を入射した場合平行光として出力す
る）を構成している。

第６図Ａに示す様に凸レンズ３９と凹レンズ４
０が合さつている場合、入射するレーザ光５は最
大ビーム径で出力する。これに対してＢに示す様
に凸レンズ３９と凹レンズ４０がそれぞれ凹レン
ズ３８と凸レンズ４１と合さつている場合には最
小ビーム径で出力する。凸レンズ３９および凹レ
ンズ４０が第６図ＡとＢに示した位置の間を連続
的に変化させることにより、出力するビーム径は
連続的に変化する。当然、各レンズの焦点距離を
選択することによりビーム径を縮小することもで
きる。

上記アフオーカル・ズーム系の他、例えばカメ
ラ用ズームレンズと固定焦点距離の集光レンズを
組合せることにより全く同一の機能を得ることが
できる。

また第４図および第５図に示した修正装置にお
いて、パワー密度を変化させる手段として、ズー
ム光学系１４を用いた場合について説明して来た
が第７図に示す様に円形透明基板４２上にクロ
ム、アルミニウム、ニクロム、クロメル等の金属
を周方向に厚さを変えて蒸着等により形成した薄
膜により透過率を連続的に変化させるフイルタあ
るいは第８図に示す様に透明平板４４，４４′を
光軸に垂直な面４５に対して面対称となる様に設
置し、レーザ光５の入射角が連続的に変化する様
（ただし光軸に垂直な面４５に対して面対称な関
係を保つたまま）に矢印で示した方向に回転させ
ることにより、透過率を連続的に変化させるフイ
ルタを使用することにより、目的に達せられる。
ズーム光学系１４と第７図あるいは第８図に示し
たフイルタを併用することにより、同様の機能が
得られることも明らかである。第７図および第８
図に示したフイルタを使用する場合、レーザ光５
が照射される最大面積まで十分に均一なビームの
パワー分布が得られる様あらかじめビーム径を拡
大する等の手段を構じておく必要がある。

本発明を実施するためのレーザとしては連続発
振のレーザ光が好ましく、実施例ではArレーザ
発振器を用いた場合について説明して来たが、近
赤外、可視、紫外の波長を持つレーザであれば良
い。この中にはYAGレーザの基本波、第２高調
波および第３高調波、Krレーザ、He―Cdレー
ザ、連続発振レーザ励起DYeレーザおよびArレ
ーザが含まれるが可視の短波長側から近紫外の領
域が望ましい。

以上説明したように本発明装置によれば従来の
リフトオフ法に比較して少ない工程でかつ1/10の
時間で欠落欠陥部を修正でき、しかも欠落欠陥部
に析出された金属膜、金属酸化物膜またはその混
合物膜と基板の接着強度が大きくかつ遮光性の十
分な修正を高精度に行うことができ、従つて半導
体装置の生産歩留を大巾に向上できる効果があ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施の工程を示す図、第２図
は本発明を実施するための光学系の説明図、第３
図は本発明により欠落欠陥を修正する場合のレー
ザ光照射領の寸法と最適パワー密度の関係を示す
図、第４図は第１の発明である欠落欠陥修正装置
を示す系統図、第５図は第２の発明である欠落欠
陥修正装置を示す系統図、第６図は本発明を実施
するためのパワー密度調整手段としてのズーム光
学系の一例を示す図、第７図および第８図は同じ
くパワー密度調整手段としての透過率連続可変フ
イルタを説明する図である。 ５……レーザ光、７……矩形開口スリツト、８
……対物レンズ、１０……フオトマスク、１１…
…Arレーザ発振器、１３……シヤツタ、１４…
…ズーム光学系、１５……ダイクロイツクミラ
ー、２９……Ｘ―Ｙテーブル、１７……スリツト
位置検出装置、３２……制御装置、３６……光量
検出装置。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ レーザ光を発生する手段と該手段より発生し
   たレーザ光を任意の大きさの矩形に成形するため
   の矩形開口スリツトと該矩形開口スリツトで矩形
   に成形されたレーザ光を前記矩形開口スリツトの
   縮小像として集光結像するための対物レンズと、
   欠落欠陥を有するフオトマスクを載置するＸ―Ｙ
   テーブルと、前記矩形開口スリツトの寸法を検出
   する手段と、前記矩形開口スリツトの縮小像とし
   て集光結像されるレーザ光のパワー密度を任意に
   変化させる手段と、前記レーザ光をON，OFFさ
   せる手段と、欠陥位置の情報により矩形開口スリ
   ツトの縮小像と欠落欠陥位置が一致する様にＸ―
   Ｙテーブルの位置を制御する機能と前記矩形開口
   スリツトの寸法を検出する手段からの情報により
   スリツトの寸法を判定し、その寸法における最適
   パワー密度を算出する機能と算出された最適パワ
   ー密度が得られる様に前記レーザ光のパワー密度
   を変化させる手段を制御する機能とレーザ光を
   ON，OFFさせる手段を制御する機能とを有する
   制御装置とを備えたことを特徴とするフオトマス
   クの欠落欠陥修正装置。 ２ レーザ光を発生する手段と該手段より発生し
   たレーザ光を任意の矩形に成形するための矩形開
   口スリツトと、該矩形開口スリツトで矩形に成形
   されたレーザ光を前記矩形開口スリツトの縮小像
   として集光結像するための対物レンズと、欠落欠
   陥を有するフオトマスクを載置するＸ―Ｙテーブ
   ルと、前記矩形開口スリツトの寸法を検出する手
   段と、前記矩形開口スリツトの縮小像として集光
   結像されるレーザ光のパワー密度を任意に変化さ
   せる手段と、前記変化されたレーザ光のパワー密
   度を検出する手段と、前記レーザ光をON，OFF
   させる手段と、欠陥位置の情報により矩形開口ス
   リツトの縮小像と欠落欠陥位置が一致する様にＸ
   ―Ｙテーブルの位置を制御する機能と前記矩形開
   口スリツトの寸法を検出する手段からの情報によ
   りスリツトの寸法を判定しその寸法における最適
   パワー密度を算出する機能と、前記パワー密度を
   検出する手段からの情報と算出された最適パワー
   密度とを比較して両者が一致するかあるいは一定
   誤差範囲内に納まる様に前記レーザ光のパワー密
   度を変化させる手段を制御する機能とレーザ光を
   ON，OFFする手段を制御する機能とを有する制
   御装置とを備えたことを特徴とするフオトマスク
   の欠落欠陥修正装置。 ３ 前記制御装置は前記矩形開口スリツトの寸法
   と最適パワー密度の関係を近似式として記憶し、
   前記矩形開口スリツトの寸法を検出する手段から
   の情報により判定したスリツトの寸法における最
   適パワー密度を前記近似式から算出する機能を有
   することを特徴とする特許請求範囲第３項または
   第４項記載のフオトマスクの欠落欠陥修正装置。 ４ 前記制御装置は前記矩形開口スリツトの寸法
   と最適パワー密度の関係をテーブル（表）として
   記憶し、前記矩形開口スリツトの寸法を検出する
   手段からの情報により判定したスリツトの寸法に
   おける最適パワー密度を前記テーブルを参照して
   決定する機能を有することを特徴とする特許請求
   範囲第３項および第４項記載のフオトマスクの欠
   落欠陥修正装置。 ５ 前記レーザ光のパワー密度を変化させる手段
   としてズーム光学系を備えたことを特徴とする特
   許請求範囲第３項または第４項記載のフオトマス
   クの欠落欠陥修正装置。 ６ 前記レーザ光のパワー密度を変化させる手段
   として透過率連続可変フイルタを備えたことを特
   徴とする特許請求の範囲第３項または第４項記載
   のフオトマスクの欠落欠陥修正装置。 ７ 前記レーザ光を発生する手段として連続発振
   Arレーザ発振器を備えたことを特徴とする特許
   請求の範囲第３項または第４項記載のフオトマス
   クの欠落欠陥修正装置。