JPS6220689B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6220689B2 JPS6220689B2 JP55041691A JP4169180A JPS6220689B2 JP S6220689 B2 JPS6220689 B2 JP S6220689B2 JP 55041691 A JP55041691 A JP 55041691A JP 4169180 A JP4169180 A JP 4169180A JP S6220689 B2 JPS6220689 B2 JP S6220689B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoresist film
- pattern
- positive photoresist
- film
- diffraction grating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はフオトレジスト膜からなるパターンの
形成方法に関し、詳しくは光、レーザー光、電子
線、Ｘ線など（以下「ビーム」という。）でフオ
トレジスト膜を露光して得られる微細パターンの
形成方法に関するものである。
形成方法に関し、詳しくは光、レーザー光、電子
線、Ｘ線など（以下「ビーム」という。）でフオ
トレジスト膜を露光して得られる微細パターンの
形成方法に関するものである。
一般に、回折格子の製造或いはLSI、超LSIな
どの高密度微細集積回路素子の製造などにおいて
は、基材（又は素材）上に被覆したフオトレジス
ト膜にビームを照射して、フオトレジスト膜を
種々の目的に応じた微細形状のパターンに露光
し、現像後に化学的エツチング処理して基材上に
フオトレジスト膜からなるパターンを形成してい
た。
どの高密度微細集積回路素子の製造などにおいて
は、基材（又は素材）上に被覆したフオトレジス
ト膜にビームを照射して、フオトレジスト膜を
種々の目的に応じた微細形状のパターンに露光
し、現像後に化学的エツチング処理して基材上に
フオトレジスト膜からなるパターンを形成してい
た。
ところで、このフオトレジスト膜からなるパタ
ーンが微細になればなる程、パターンのエツジ部
のほんの僅かなダレ、歪などいわゆるエツジラフ
ネスが非常に重要な問題になつてくる。例えば、
上述した回折格子や集積回路素子など最終製品の
性能は、フオトレジスト膜のパターンのエツジラ
フネスが改善されるかどうかにかかつているとい
つても過言ではない。
ーンが微細になればなる程、パターンのエツジ部
のほんの僅かなダレ、歪などいわゆるエツジラフ
ネスが非常に重要な問題になつてくる。例えば、
上述した回折格子や集積回路素子など最終製品の
性能は、フオトレジスト膜のパターンのエツジラ
フネスが改善されるかどうかにかかつているとい
つても過言ではない。
ビーム露光において、フオトレジスト膜のパタ
ーンのエツジラフネスが生じる原因は種々考えら
れる。例えば、ビーム源の振動或いはビーム経路
に存在する気中の微細の浮遊物などによつて、ビ
ームにゆらぎが生じ、このゆらいだビームによつ
てフオトレジスト膜が露光されるため、パターン
のエツジ部に露光むらが生じる。その結果、化学
的エツチング処理しても特にパターンのエッジの
谷部にレジストが残存し、エツジラフネスが生じ
るものと考えられる。
ーンのエツジラフネスが生じる原因は種々考えら
れる。例えば、ビーム源の振動或いはビーム経路
に存在する気中の微細の浮遊物などによつて、ビ
ームにゆらぎが生じ、このゆらいだビームによつ
てフオトレジスト膜が露光されるため、パターン
のエツジ部に露光むらが生じる。その結果、化学
的エツチング処理しても特にパターンのエッジの
谷部にレジストが残存し、エツジラフネスが生じ
るものと考えられる。
本発明者等は上記に鑑み、フオトレジスト膜か
らなるパターンのエツジラフネスを改善すべく鋭
意研究を重ねた結果、ポジ型フオトレジスト膜を
二重塗布することによつてエツジラフネスが改善
されることを見出した。
らなるパターンのエツジラフネスを改善すべく鋭
意研究を重ねた結果、ポジ型フオトレジスト膜を
二重塗布することによつてエツジラフネスが改善
されることを見出した。
本発明はこの知見に基づくものであつて、基材
の一面に被覆したポジ型フオトレジスト膜を露光
した後、この露光したポジ型フオトレジスト膜上
に更にポジ型フオトレジスト膜を被覆して所望の
パターンを露光し、基材表面に至るまで被覆をエ
ツチング処理して基材表面にこれらのポジ型フオ
トレジスト膜からなるパターンを形成することを
特徴とする。
の一面に被覆したポジ型フオトレジスト膜を露光
した後、この露光したポジ型フオトレジスト膜上
に更にポジ型フオトレジスト膜を被覆して所望の
パターンを露光し、基材表面に至るまで被覆をエ
ツチング処理して基材表面にこれらのポジ型フオ
トレジスト膜からなるパターンを形成することを
特徴とする。
以下、ホログラフイツク法によりフオトレジス
ト膜からなる回折格子パターンを形成する場合を
例にとつて本発明を詳しく説明する。第１図に示
す如く、SiO2の板１とその上に被覆したAu薄膜
２とからなる基材３上に第１のポジ型フオトレジ
スト膜AZ 1350 ４を被覆して紫外線露光した
（工程Ａ）。この露光したポジ型フオトレジスト膜
上に第２のポジ型フオトレジスト膜AZ 1350 ５
を被覆して、He−Cdレーザー（λ＝325nm）を
用いホログラフイツク露光を行つた（工程Ｂ）。
現像後、Au薄膜表面２に至るまでポジ型フオト
レジスト膜４，５を化学的にエツチング処理し、
Au薄膜表面２にポジ型フオトレジスト膜からな
る回折格子パターン６（周期370nm）を形成した
（工程Ｃ）。第１層に被覆したポジ型フオトレジス
ト膜４があらかじめ紫外線露光してあるため、こ
の上に第２のポジ型フオトレジスト膜５を塗布す
ると、第２の膜は第１の既に露光した膜に拡散し
ていく（このことは、合成膜の厚みが第１と第２
の膜厚の和よりも薄いことから確認される）。こ
の合成膜は単独のポジ型フオトレジスト膜とは異
なり、光のゆらぎが原因となつて生じる回折格子
パターンの谷部の残存レジストがなくなり、エツ
ジラフネスが極めて改善された。このことはその
後の工程Ｄで、ポジ型フオトレジスト膜からなる
回折格子６を遮蔽マスクとしてArイオンエツチ
ング（加速電圧500V、電流密度0.4mA／cm2、ガ
ス圧0.8×10-4Torrの条件）してSiO2板１上に形
成したAu薄膜の回折格子パターンの断面形状か
ら明らかに判ることである。すなわち、第２図Ａ
は本発明の二重塗布法により得られたAu回折格
子パターンの顕微鏡写真であつて、第２図Ｂに示
すように一重塗布して得られたAu回折格子パタ
ーンの顕微鏡写真に見られるようなパターンのエ
ツジラフネスが全くなく、周期性に優れたAu回
折格子が得られていることを示す。
ト膜からなる回折格子パターンを形成する場合を
例にとつて本発明を詳しく説明する。第１図に示
す如く、SiO2の板１とその上に被覆したAu薄膜
２とからなる基材３上に第１のポジ型フオトレジ
スト膜AZ 1350 ４を被覆して紫外線露光した
（工程Ａ）。この露光したポジ型フオトレジスト膜
上に第２のポジ型フオトレジスト膜AZ 1350 ５
を被覆して、He−Cdレーザー（λ＝325nm）を
用いホログラフイツク露光を行つた（工程Ｂ）。
現像後、Au薄膜表面２に至るまでポジ型フオト
レジスト膜４，５を化学的にエツチング処理し、
Au薄膜表面２にポジ型フオトレジスト膜からな
る回折格子パターン６（周期370nm）を形成した
（工程Ｃ）。第１層に被覆したポジ型フオトレジス
ト膜４があらかじめ紫外線露光してあるため、こ
の上に第２のポジ型フオトレジスト膜５を塗布す
ると、第２の膜は第１の既に露光した膜に拡散し
ていく（このことは、合成膜の厚みが第１と第２
の膜厚の和よりも薄いことから確認される）。こ
の合成膜は単独のポジ型フオトレジスト膜とは異
なり、光のゆらぎが原因となつて生じる回折格子
パターンの谷部の残存レジストがなくなり、エツ
ジラフネスが極めて改善された。このことはその
後の工程Ｄで、ポジ型フオトレジスト膜からなる
回折格子６を遮蔽マスクとしてArイオンエツチ
ング（加速電圧500V、電流密度0.4mA／cm2、ガ
ス圧0.8×10-4Torrの条件）してSiO2板１上に形
成したAu薄膜の回折格子パターンの断面形状か
ら明らかに判ることである。すなわち、第２図Ａ
は本発明の二重塗布法により得られたAu回折格
子パターンの顕微鏡写真であつて、第２図Ｂに示
すように一重塗布して得られたAu回折格子パタ
ーンの顕微鏡写真に見られるようなパターンのエ
ツジラフネスが全くなく、周期性に優れたAu回
折格子が得られていることを示す。
以上詳述したように、本発明は二重塗布法によ
りポジ型フオトレジスト膜から成るパターンを形
成することを特徴とするものであつて、用いるポ
ジ型フオトレジスト膜及び露光ビームの種類は上
記実施例に限定されるものではない。
りポジ型フオトレジスト膜から成るパターンを形
成することを特徴とするものであつて、用いるポ
ジ型フオトレジスト膜及び露光ビームの種類は上
記実施例に限定されるものではない。
第１図は本発明の一実施例による回折格子パタ
ーンの形成過程を示す図、第２図Ａ及びＢは本発
明の実施例で得られた回折格子パターンの電子顕
微鏡写真をそれぞれ示す。 図中の符号：１……SiO2板、２……Au薄膜、
３……基材、４……第１のポジ型フオトレジスト
膜、５……第２のポジ型フオトレジスト膜。
ーンの形成過程を示す図、第２図Ａ及びＢは本発
明の実施例で得られた回折格子パターンの電子顕
微鏡写真をそれぞれ示す。 図中の符号：１……SiO2板、２……Au薄膜、
３……基材、４……第１のポジ型フオトレジスト
膜、５……第２のポジ型フオトレジスト膜。
Claims (1)
- １ 基材の一面に被覆したポジ型フオトレジスト
膜を露光した後、この露光したポジ型フオトレジ
スト膜上に更にポジ型フオトレジスト膜を被覆し
て所望のパターンを露光し、基材表面に至るまで
被覆をエツチング処理して基材表面にこれらのポ
ジ型フオトレジスト膜から成るパターンを形成す
ることを特徴とするパターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4169180A JPS56137634A (en) | 1980-03-29 | 1980-03-29 | Pattern forming |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4169180A JPS56137634A (en) | 1980-03-29 | 1980-03-29 | Pattern forming |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56137634A JPS56137634A (en) | 1981-10-27 |
| JPS6220689B2 true JPS6220689B2 (ja) | 1987-05-08 |
Family
ID=12615442
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4169180A Granted JPS56137634A (en) | 1980-03-29 | 1980-03-29 | Pattern forming |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56137634A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2742683B2 (ja) * | 1986-08-08 | 1998-04-22 | 東洋通信機株式会社 | 透過型回折格子の製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5259580A (en) * | 1975-11-11 | 1977-05-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Photo etching method |
| JPS5389673A (en) * | 1977-01-19 | 1978-08-07 | Oki Electric Ind Co Ltd | Fine pattern forming method of semiconductor device |
-
1980
- 1980-03-29 JP JP4169180A patent/JPS56137634A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56137634A (en) | 1981-10-27 |
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