JPS6220706B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6220706B2 JPS6220706B2 JP56107905A JP10790581A JPS6220706B2 JP S6220706 B2 JPS6220706 B2 JP S6220706B2 JP 56107905 A JP56107905 A JP 56107905A JP 10790581 A JP10790581 A JP 10790581A JP S6220706 B2 JPS6220706 B2 JP S6220706B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- strip
- notch
- common connection
- connection strip
- Prior art date
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- Expired
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
- H10W74/111—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition the semiconductor body being completely enclosed
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/40—Leadframes
- H10W70/481—Leadframes for devices being provided for in groups H10D8/00 - H10D48/00
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/0198—Manufacture or treatment batch processes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
- H10W74/111—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition the semiconductor body being completely enclosed
- H10W74/121—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition the semiconductor body being completely enclosed by multiple encapsulations, e.g. by a thin protective coating and a thick encapsulation
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、比較的大きな電力を取り扱うことの
できる樹脂封止形半導体装置を製造するために用
いるリードフレームに関する。
できる樹脂封止形半導体装置を製造するために用
いるリードフレームに関する。
近年、半導体装置の樹脂封止化が進み、たとえ
ばかなり大きな電力を取り扱うことのできるトラ
ンジスタも樹脂封止構造とされるに至つている
が、この樹脂封止形電力用半導体装置では、これ
を組みたてるために用いるリードフレームの基板
支持部が放熱板を兼ね、半導体基板の接着される
面とは反対側の面が成型樹脂により覆われること
なく露出する構造となつている。このような構造
を有する樹脂封止形電力用半導体装置は各種の機
器にとりつける際して露出する基板支持部を放熱
板へ熱的に結合されるが、このとき放熱板と基板
支持部との間を絶縁板等を介在させるなどして電
気的に絶縁させる必要があつた。このため取り付
け作業が煩雑となり、組立作業能率の面で問題が
あつた。
ばかなり大きな電力を取り扱うことのできるトラ
ンジスタも樹脂封止構造とされるに至つている
が、この樹脂封止形電力用半導体装置では、これ
を組みたてるために用いるリードフレームの基板
支持部が放熱板を兼ね、半導体基板の接着される
面とは反対側の面が成型樹脂により覆われること
なく露出する構造となつている。このような構造
を有する樹脂封止形電力用半導体装置は各種の機
器にとりつける際して露出する基板支持部を放熱
板へ熱的に結合されるが、このとき放熱板と基板
支持部との間を絶縁板等を介在させるなどして電
気的に絶縁させる必要があつた。このため取り付
け作業が煩雑となり、組立作業能率の面で問題が
あつた。
このような不都合を排除するために、基板支持
体の半導体基板が接着される側とは反対側の面上
を成型樹脂で薄く被覆した絶縁構造の樹脂封止形
半導体装置の実用化が進められている。
体の半導体基板が接着される側とは反対側の面上
を成型樹脂で薄く被覆した絶縁構造の樹脂封止形
半導体装置の実用化が進められている。
第１図はかかる樹脂封止形半導体装置の組み立
てに際して用いられるリードフレームとして、出
願人が特願昭56−32229号で提案したリードフレ
ームの平面図であり、図中１はトランジスタ素子
の接着される基板支持部、２は放熱板への取り付
けを可能にするためのねじ止め用貫通孔、３，
４，５は外部リード部、６は移送ピツチの決定な
らびに樹脂封止時の位置決めをなす孔７が穿設さ
れた共通接続細条であり、さらに基板支持体１の
外部リード３に繋る辺とは反対側の辺から２本の
細条８，９が延び、これらが第２の共通接続細条
１０に繋つた構造となつている。なお、第２の共
通接続細条１０には樹脂封止工程で金型の一部と
嵌合し、位置規正のための孔１１が形成されてい
る。第２図は、このような形状のリードフレーム
を用いて形成したトランジスタ組立構体を樹脂で
封止成型する状態を示す図であり、上下の金型１
２と１３の間に形成される空所内へ樹脂１４を注
入して成型がなされる。
てに際して用いられるリードフレームとして、出
願人が特願昭56−32229号で提案したリードフレ
ームの平面図であり、図中１はトランジスタ素子
の接着される基板支持部、２は放熱板への取り付
けを可能にするためのねじ止め用貫通孔、３，
４，５は外部リード部、６は移送ピツチの決定な
らびに樹脂封止時の位置決めをなす孔７が穿設さ
れた共通接続細条であり、さらに基板支持体１の
外部リード３に繋る辺とは反対側の辺から２本の
細条８，９が延び、これらが第２の共通接続細条
１０に繋つた構造となつている。なお、第２の共
通接続細条１０には樹脂封止工程で金型の一部と
嵌合し、位置規正のための孔１１が形成されてい
る。第２図は、このような形状のリードフレーム
を用いて形成したトランジスタ組立構体を樹脂で
封止成型する状態を示す図であり、上下の金型１
２と１３の間に形成される空所内へ樹脂１４を注
入して成型がなされる。
リードフレームは、外部リード部３〜５が一方
の側において上下の金型によつて挾持されるとと
もに、他方の側でも細条１０，１１ならびに第２
の共通接続細条８が上下の金型によつて挾持され
る。また第１の共通接続細条６に設けた孔７に金
型の突出部が嵌合（図示せず）するばかりでなく
第２の共通接続細条１０の孔１１にも金型の突出
部１５が嵌合する。なお１６はねじ止め用の孔を
形成するべく樹脂を部分的に排除する突起、１７
はトランジスタ素子である。
の側において上下の金型によつて挾持されるとと
もに、他方の側でも細条１０，１１ならびに第２
の共通接続細条８が上下の金型によつて挾持され
る。また第１の共通接続細条６に設けた孔７に金
型の突出部が嵌合（図示せず）するばかりでなく
第２の共通接続細条１０の孔１１にも金型の突出
部１５が嵌合する。なお１６はねじ止め用の孔を
形成するべく樹脂を部分的に排除する突起、１７
はトランジスタ素子である。
かゝるリードフレームによつて封止を行なえ
ば、トランジスタ素子１７の接着された基板支持
部１は、上下の金型１２，１３によつて挾持され
る外部リード３と細条１０，１１とにより支持さ
れて、金型空所内に浮いた状態で位置し、放熱板
を兼ねる基板支持体の一方の主面（半導体基板の
接着面とは反対の面）の直下にも薄い樹脂の層を
形成した構造の樹脂封止形半導体装置を製造する
ことができる。
ば、トランジスタ素子１７の接着された基板支持
部１は、上下の金型１２，１３によつて挾持され
る外部リード３と細条１０，１１とにより支持さ
れて、金型空所内に浮いた状態で位置し、放熱板
を兼ねる基板支持体の一方の主面（半導体基板の
接着面とは反対の面）の直下にも薄い樹脂の層を
形成した構造の樹脂封止形半導体装置を製造する
ことができる。
しかしながらかゝるリードフレームを用いて封
止成形する場合、第１の共通接続細条６、第２の
共通接続細条１０及び基板支持体１の形状及び厚
みの差等によつて、封止工程での加熱時に熱変形
を生ずる場合があり、各々の共通接続細条に形成
した位置規正用孔７および１１に対して封止金型
の位置規正ピンが嵌合しにくくなること、あるい
は金型で挾持する際にリードフレームの一部が押
しつぶされ、封止成型不良が発生しやすいことな
どの改良すべき余地が残されていた。特に第２の
共通接続細条１０は基板支持部１に対して機械的
に強固に接続されており、この第２の共通接続細
条１０において熱変形が生じた場合、この変形に
よる影響が基板支持部１へ及びやすい。
止成形する場合、第１の共通接続細条６、第２の
共通接続細条１０及び基板支持体１の形状及び厚
みの差等によつて、封止工程での加熱時に熱変形
を生ずる場合があり、各々の共通接続細条に形成
した位置規正用孔７および１１に対して封止金型
の位置規正ピンが嵌合しにくくなること、あるい
は金型で挾持する際にリードフレームの一部が押
しつぶされ、封止成型不良が発生しやすいことな
どの改良すべき余地が残されていた。特に第２の
共通接続細条１０は基板支持部１に対して機械的
に強固に接続されており、この第２の共通接続細
条１０において熱変形が生じた場合、この変形に
よる影響が基板支持部１へ及びやすい。
本発明は、かかるリードフレームにおける不都
合の発生を排除することのできる改良されたリー
ドフレームを提供するものであり、本発明のリー
ドフレームの特徴は第１図で示したリードフレー
ムの少くとも第２の共通接続細条に、熱変形の防
止と封止成形時の位置決め部として作用する切欠
部を等しいピツチで形成したところにある。
合の発生を排除することのできる改良されたリー
ドフレームを提供するものであり、本発明のリー
ドフレームの特徴は第１図で示したリードフレー
ムの少くとも第２の共通接続細条に、熱変形の防
止と封止成形時の位置決め部として作用する切欠
部を等しいピツチで形成したところにある。
以下に本発明のリードフレームの実施例を示す
第３図を参照して詳しく説明する。
第３図を参照して詳しく説明する。
第３図は本発明の実施例にかかるリードフレー
ムの平面形状を示す図である。その全体的な形状
は第１図で示したリードフレームと同じである。
第１図で示したリードフレームと異る点は、第２
の共通接続細条１０の基板支持部１と対向する側
の辺で、しかも細条８と９との間に位置する部分
に、たとえば、くさび形の切欠部１８が形成され
ている点である。このように切欠部１８が形成さ
れた本発明のリードフレームでは、第２の共通接
続細条１０の幅が切欠部の形成部分において局部
的に狭くなり、この部分で封止金型による加熱に
基く変形が緩和され、したがつて、基板支持体１
への変形の影響が少くなる。
ムの平面形状を示す図である。その全体的な形状
は第１図で示したリードフレームと同じである。
第１図で示したリードフレームと異る点は、第２
の共通接続細条１０の基板支持部１と対向する側
の辺で、しかも細条８と９との間に位置する部分
に、たとえば、くさび形の切欠部１８が形成され
ている点である。このように切欠部１８が形成さ
れた本発明のリードフレームでは、第２の共通接
続細条１０の幅が切欠部の形成部分において局部
的に狭くなり、この部分で封止金型による加熱に
基く変形が緩和され、したがつて、基板支持体１
への変形の影響が少くなる。
また、切欠部１８は封止成型時に位置規正ピン
が嵌合する位置規正部としても作用するが、図示
するようにくさび形状をしているため、位置規正
ピンと切欠部との相対的な関係に多少のずれが生
じたとしても、位置規正ピンに確実に切欠部１８
に嵌入するところとなり、この嵌入の過程で、各
基板支持部の位置を正しい位置に修正する規正効
果が奏される。したがつて、極めて良好な封止作
業が可能となり、位置規正の不備によつて生じる
封止成型不良が著るしく減少する。
が嵌合する位置規正部としても作用するが、図示
するようにくさび形状をしているため、位置規正
ピンと切欠部との相対的な関係に多少のずれが生
じたとしても、位置規正ピンに確実に切欠部１８
に嵌入するところとなり、この嵌入の過程で、各
基板支持部の位置を正しい位置に修正する規正効
果が奏される。したがつて、極めて良好な封止作
業が可能となり、位置規正の不備によつて生じる
封止成型不良が著るしく減少する。
なお、図示する例では、切欠部１８の角度を約
90゜に設定しているが、この角度に設定した場合
封止成型前の組立工程で実施されるダイスボンド
あるいはワイヤボンドに際してのリードフレーム
の移送における位置規正面で特に良好な結果が得
られた。なお、以上の実施例では、切欠部１８の
形状をくさび形としたが、たとえば第４図で示す
ように台形あるいは略半楕円形としてもよい。さ
らに切欠部の形成位置ならびに形成辺についても
図示するところに特定されるものではなく、基板
支持体間の第２の共通接続細条部分としてもよ
い。また、第１の共通接続細条の側にも形成して
もよい。
90゜に設定しているが、この角度に設定した場合
封止成型前の組立工程で実施されるダイスボンド
あるいはワイヤボンドに際してのリードフレーム
の移送における位置規正面で特に良好な結果が得
られた。なお、以上の実施例では、切欠部１８の
形状をくさび形としたが、たとえば第４図で示す
ように台形あるいは略半楕円形としてもよい。さ
らに切欠部の形成位置ならびに形成辺についても
図示するところに特定されるものではなく、基板
支持体間の第２の共通接続細条部分としてもよ
い。また、第１の共通接続細条の側にも形成して
もよい。
第１図は、従来の樹脂封止形半導体装置用リー
ドフレームの形状を示す平面図、第２図はその封
止状態を示す断面図、第３図は本発明の樹脂封止
形半導体装置用リードフレームの形状を示す平面
図、第４図は切欠部の形状を示す図である。 １……基板支持部、２……ねじ止め用の孔、
３，４，５……外部リード部、６，１０……共通
接続細条、７，１１……位置決め用の孔、８，９
……細条、１２，１３……金型、１４……樹脂、
１５……金型の突起、１６……ねじ止め用の孔を
形成するための金型の突起、１７……トランジス
タ素子、１８……切欠部。
ドフレームの形状を示す平面図、第２図はその封
止状態を示す断面図、第３図は本発明の樹脂封止
形半導体装置用リードフレームの形状を示す平面
図、第４図は切欠部の形状を示す図である。 １……基板支持部、２……ねじ止め用の孔、
３，４，５……外部リード部、６，１０……共通
接続細条、７，１１……位置決め用の孔、８，９
……細条、１２，１３……金型、１４……樹脂、
１５……金型の突起、１６……ねじ止め用の孔を
形成するための金型の突起、１７……トランジス
タ素子、１８……切欠部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 第１の共通接続細条、同共通接続細条から同
一方向へ延びる複数本の外部リード部、同外部リ
ード部の１本の先端部に繋る放熱板を兼ねる基板
支持部、同基板支持部の前記外部リード部との連
繋部側とは反対の反対側に一端が繋る少くとも２
本の細条および同細条の他端に繋り、前記第１の
共通接続細条と基板支持部をはさんで向い合う第
２の共通接続細条を有するとともに、同第２の共
通接続細条に位置決めならびに熱変形緩和用の切
欠部が形成されていることを特徴とするリードフ
レーム。 ２ 切欠部が２本の細条間に位置する第２の共通
接続細条部分に形成されていることを特徴とする
特許請求の範囲第１項に記載のリードフレーム。 ３ 切欠部の形状がくさび形、台形もしくは略半
楕円形のいずれかであることを特徴とする特許請
求の範囲第１項に記載のリードフレーム。 ４ 切欠部の形状がくさび形であり、爽角が約90
゜に選定されていることを特徴とする特許請求の
範囲第１項に記載のリードフレーム。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56107905A JPS589348A (ja) | 1981-07-09 | 1981-07-09 | リ−ドフレ−ム |
| CA000406545A CA1195782A (en) | 1981-07-06 | 1982-07-05 | Lead frame for plastic encapsulated semiconductor device |
| DE198282106033T DE69390T1 (de) | 1981-07-06 | 1982-07-06 | Leiterrahmen fuer halbleiteranordnung in plastikverkapselung. |
| DE8282106033T DE3277757D1 (en) | 1981-07-06 | 1982-07-06 | Lead frame for plastic encapsulated semiconductor device |
| US06/395,799 US4482915A (en) | 1981-07-06 | 1982-07-06 | Lead frame for plastic encapsulated semiconductor device |
| EP82106033A EP0069390B1 (en) | 1981-07-06 | 1982-07-06 | Lead frame for plastic encapsulated semiconductor device |
| CA000471714A CA1213678A (en) | 1981-07-06 | 1985-01-08 | Lead frame for plastic encapsulated semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56107905A JPS589348A (ja) | 1981-07-09 | 1981-07-09 | リ−ドフレ−ム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS589348A JPS589348A (ja) | 1983-01-19 |
| JPS6220706B2 true JPS6220706B2 (ja) | 1987-05-08 |
Family
ID=14471032
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56107905A Granted JPS589348A (ja) | 1981-07-06 | 1981-07-09 | リ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS589348A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5634033B2 (ja) | 2008-08-29 | 2014-12-03 | セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー | 樹脂封止型半導体装置とその製造方法 |
| JP6143726B2 (ja) * | 2008-08-29 | 2017-06-07 | セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー | 樹脂封止型半導体装置とその製造方法、リードフレーム |
-
1981
- 1981-07-09 JP JP56107905A patent/JPS589348A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS589348A (ja) | 1983-01-19 |
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