JPS6221759B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPS6221759B2
JPS6221759B2 JP54026061A JP2606179A JPS6221759B2 JP S6221759 B2 JPS6221759 B2 JP S6221759B2 JP 54026061 A JP54026061 A JP 54026061A JP 2606179 A JP2606179 A JP 2606179A JP S6221759 B2 JPS6221759 B2 JP S6221759B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
flow rate
chamber
nitrogen
hydrogen
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP54026061A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS54124897A (en
Inventor
Pasukaru Deyushuman Jan
Regan Danieru
Bone Misheru
Bushe Jeraaru
Kerushu Furansowa
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TOMUSON SA
Original Assignee
TOMUSON SA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TOMUSON SA filed Critical TOMUSON SA
Publication of JPS54124897A publication Critical patent/JPS54124897A/ja
Publication of JPS6221759B2 publication Critical patent/JPS6221759B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/14—Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the reactive gases
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/059—Germanium on silicon or Ge-Si on III-V
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/065—Gp III-V generic compounds-processing

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、半導体装置を製造するために、気相
中で単結晶燐化インジウムのエピタキシヤル層を
形成する方法に係る。
特に、減圧（76トール）下で作動する所謂“水
平”反応器内で行なわれるこの種の方法により、
2000オングストロームのオーダの極めて薄い厚み
及び数平方センチメートルに至る比較的広い表面
を有する高品質の単結晶半導体のエピタキシヤル
層を形成し得ることは公知である。
適切なドーピングが実施された単結晶燐化イン
ジウムは、砒化ガリウムから製造されるダイオー
ドより強力で効率の良いGunn型ダイオードを製
造するための特に好ましい材料である。更に、超
高周波及び高利得の電界効果トランジスタ並びに
レーザーダイオード及びフオトダイオードの如き
電気光学装置に対する燐化インジウムの使用には
いくつかの利点がある。
しかし乍ら、気相中の燐化インジウムのエピタ
キシーによる層形成は、砒化ガリウムのエピタキ
シーに類似の方法で処理を実施する場合特に、重
大な問題が生じる。実際、有機金属化合物（この
場合トリエチルインジウム）と水素添加化合物
（この場合ホスフイン）との結合反応を、反応式 In（C2H5）3＋PH3→InP＋C2H6 (1) に従つて生起すると、エピタキシーは、黒粉の出
現により汚損される。
実際には下記の寄生反応が生起される。
In（C2H5）3＋PH3→H3PIn（C2H5）3 (2) 事実、反応１は反応２より緩徐であり、反応２
の結果生成する付加化合物は特に安定なので、反
応１は事実上生起されない。特に安定な前記化合
物の形成は下記の理由により説明される。即ち、
インジウムが電子の空格子点を有しており、他
方、燐が非結合二重項を有しているので付加化合
物の形成に有利であり、InPの形成が阻害され
る。
本発明の目的は、前記の問題を解決することで
ある。
本発明方法の特徴は下記の段階を含むことであ
る。
−温度700℃〜1000℃の気相中のホスフインの
熱分解による、反応式 4PH3→P4＋6H2 …(3) で示される燐蒸気の形成。
−温度350℃〜700℃の窒素と水素とを含む雰囲
気中、単結晶InPの支持体の存在中の燐蒸気とト
リエチルインジウムとによる、反応式 3/2H2＋1/4P4＋In（C2H5）3 →InP＋3C2H6 …(4) で示される反応。
本発明の別の特徴によれば、前記段階は、大気
圧より低い圧力、例えば10トールと大気圧との間
の圧力、好ましくは、76トール又は70〜80トール
の間の圧力に於いて実施される。
本発明方法の実施装置を概略的に示す図面に基
く下記の記載より、本発明が更に十分に理解さ
れ、且つ本発明の別の特徴が明らかにされるであ
ろう。
継続的反応は気相中で生起され、ガスは、（図
示の）反応器１０の構成部分を継続的に通過す
る。
前記構成部分は、 ―炉１４に内蔵された“石英”型ガラスの管状
熱分解室１１と、 ―シリンダと着脱自在なシヤツター１２１によ
り閉鎖されるフレア部とガス吸引手段１３に開口
する出口１２２とを含むエピタキシー室１２と、
を含む。
炉１４は、炉１４内を通る管即ち熱分解室１１
内の温度を、ホスフインの分解を生起する温度
700℃〜1000℃に維持し得る。最適温度は約750℃
である。
エピタキシー室１２の円筒状部分の軸は、熱分
解管即ち熱分解室１１の延長上にある。このこと
はガスの迅速な循環に有利である。前記の円筒状
部分の外側は、本来のエピタキシー領域の長さを
やや上回る長さに亘つて、例えば50KHzの高周
波誘導コイル１００により囲繞されている。前記
の如く生成された電界は、フーコー電流によつ
て、金属プレートから成るサセプタ１０１と称す
る放熱器内にかなりの加熱を生起する。サセプタ
１０１はサポート１０２により担持されており、
サポート１０２は、サセプタ上に配置された支持
体に衝突するガスの入射角を減少せしむべく傾斜
している。このプレートの寸法は、表面の大きい
支持体をサセプタ上に配置すべく十分な大きさで
ある。サセプタ１０１内が温度350℃〜700℃にな
るようにコイル１００内の電流が調整される。エ
ピタキシーを生起する支持体の最適温度は約500
℃である。
ガス吸引手段は、一次真空型ポンプを含んでお
り、ポンプの手前に、分子篩を備えたトラツプが
設けられている。ポンプの容量は100m3／時のオ
ーダである。
反応器１０に、２個のガス供給パイプが接続さ
れている。１個のパイプ２１は、熱分解室１１の
入口、従つてエピタキシー室１２の対向側に接続
されており、別のパイプ２２は、室１２の入口に
接続されている。
供給パイプ２１は、弁２１１を備えた流量計２
１２からホスフイン（PH3）を受容する。
供給パイプ２２には、水素供給パイプ２３と窒
素供給パイプ２４と、水素とトリエチルインジウ
ムとの供給パイプ２５とが集結している。
窒素は、弁３３を備えた流量計３４を通る。水
素は、一方では、供給パイプ２３に装着されてお
り弁３１を備える流量計３２に入り、他方では、
温度20℃のトリエチルインジウムを収容している
容器の底部に浸漬している供給パイプ２６に装着
されており弁３５を備えている流量計３６に入
る。前記の容器から供給パイプ２５が出発してい
る。
直径５cmのエピタキシー室に供給される流量の
一例を下記に示す。
―PH3 0.1／分， ―直接H25／分， ―In（C2H5）3中に吹込まれるH21／分， ―N2 ３／分。
反応器内に、純粋な水素とホスフインとトリエ
チルインジウムとのみを導入する場合、反応２の
生成物によるエピタキシーの汚損を避けることが
できない。即ち、ホスフイン上のトリエチルイン
ジウムが熱分解を受けないので、熱分解効率が厳
密に100％に到達しない。
従つて、他のガスの分圧を減少し且つエピタキ
シーを生起すべき支持体上での通過速度を増加せ
しむべく水素に窒素を混合して前記の好ましくな
い反応の遅延を試みた。
窒素流量が、窒素と水素との総流量の30〜70％
の場合、（PH3とIn（C2H5）3との分圧は無視し得
る）、エピタキシーの汚損がほぼ完全に無である
ことが観察される。窒素は他の任意の不活性ガス
と代替され得る。
反応器内のガスの平均圧力が76トールのオーダ
のときに特に好結果が得られる。この全圧の場
合、燐蒸気の分圧の値は、ガスの循環を過度に緩
慢にする値に到達することなく、InPの好収率を
確保すべく十分な値である。実際、大気圧に近い
圧力では、気相内で核発生が生起される。このこ
とは、発煙及びエピタキシヤル層の汚損により示
される。
本発明方法を、（インジウムと燐とを出発物質
とする）液相中、又は（インジウムとPCl5とを
出発物質とする）気相中の従来のエピタキシー方
法と比較すると、下記の利点が観察される。
一層の品質に関しては、支持体とエピタキシヤ
ル層との間の転移はより急激である。種々のドー
ピング処理を行なつた複数個のエピタキシヤル層
を形成する場合にも同様である。
―形成される表面の寸法に関しては、本発明方
法によつて広い表面の形成が十分に可能である。
実際、液相中のエピタキシーは、常用の寸法の炉
と共に使用されるるつぼ内の極小表面に限定さ
れ、極度に大型の高価な炉を使用しなければこれ
らの表面を増大することができない。ハロゲン化
物の方法による気相中のエピタキシーは、温度勾
配が一定の値を有する極めて限定された領域内で
のみ生起される。従つて、エピタキシヤル層の表
面も限定される。これと対照的に本発明方法で
は、圧力とガス流量との条件が、エピタキシー室
の管状部の長さ全体に亘つて同時的に実現される
ので、エピタキシー室の管状部の長さ及び幅の全
体に亘つてエピタキシーが生起され得る。
【図面の簡単な説明】
図面は本発明方法の実施装置の概略説明図であ
る。 １０……反応器、１１……熱分解室、１２……
エピタキシー室、１３……ガス吸引手段、１４…
…炉、１００……コイル、１０１……サセプタ、
１０２……サポート、２１，２２……パイプ、２
３，２４，２５，２６……パイプ、３１，３３，
３５……弁、３２，３４，３６……流量計。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 700℃〜1000℃の気相中でホスフインを 式4PH3→P4＋6H2 に従つて熱分解させてリン蒸気含有ガスを予備形
    成し、 ― 前記リン蒸気含有予備形成ガス流を混合室に
    導入し、 ― 窒素と水素とトリエチルインジウムとを含む
    混合物を前記室に別に導入し、これにより、 ― 350℃〜700℃で単結晶InP支持体を存在させ
    て前記室内で前記ガス流中の前記リンと前記ト
    リエチルインジウムとを式 3/2H2＋1/4P4＋In（C2H5）3→InP＋3C2H6 に従つて反応させることを特徴とする リン化インジウムエピタキシヤル層の気相形成方
    法。 ２ 窒素ガス分圧が窒素と水素との全圧の30〜70
    ％であることを特徴とする特許請求の範囲第１項
    に記載の方法。 ３ ガスと蒸気との平均全圧が10トールと大気圧
    との間であることを特徴とする特許請求の範囲第
    １項又は第２項に記載の方法。 ４ ガスと蒸気との全圧が70〜80トールであるこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第３項に記載の方
    法。 ５ 反応領域内の平均全圧が76トールであること
    を特徴とする特許請求の範囲第４項に記載の方
    法。 ６ 同一反応器の熱分解室及びエピタキシー室に
    於いて段階が継続的に生起され、PH3の流量が主
    水素流量の1/10であり、トリエチルインジウムの
    流量が主水素流量の1/5である補助水素流の飽和
    により調整されており且つ窒素の流量が主水素流
    量の3/5であることを特徴とする特許請求の範囲
    第１項又は第２項に記載の方法。
JP2606179A 1978-03-07 1979-03-06 Method and apparatus for forming epitaxial layer of indium phosphide in gas phase Granted JPS54124897A (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR7806432A FR2419585A1 (fr) 1978-03-07 1978-03-07 Procede d'obtention en phase gazeuse d'une couche epitaxiale de phosphure d'indium, et appareil d'application de ce procede

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS54124897A JPS54124897A (en) 1979-09-28
JPS6221759B2 true JPS6221759B2 (ja) 1987-05-14

Family

ID=9205430

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2606179A Granted JPS54124897A (en) 1978-03-07 1979-03-06 Method and apparatus for forming epitaxial layer of indium phosphide in gas phase

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4220488A (ja)
JP (1) JPS54124897A (ja)
DE (1) DE2908851A1 (ja)
FR (1) FR2419585A1 (ja)
GB (1) GB2015982B (ja)

Families Citing this family (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4330360A (en) * 1980-07-21 1982-05-18 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Molecular beam deposition technique using gaseous sources of group V elements
JPS57111298A (en) * 1980-12-29 1982-07-10 Fujitsu Ltd Growth of compound semiconductor layer and its device
JPS57155723A (en) * 1981-03-20 1982-09-25 Sanyo Electric Co Ltd Epitaxial growth method
US4509066A (en) * 1983-06-29 1985-04-02 Stauffer Chemical Company Sputtered semiconducting films of catenated phosphorus material and devices formed therefrom
AU553091B2 (en) * 1981-12-30 1986-07-03 Stauffer Chemical Company High phosphorus pholyphosphides
US4464342A (en) * 1982-05-14 1984-08-07 At&T Bell Laboratories Molecular beam epitaxy apparatus for handling phosphorus
JPS6055478B2 (ja) * 1982-10-19 1985-12-05 松下電器産業株式会社 気相成長方法
US4488914A (en) * 1982-10-29 1984-12-18 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Process for the epitaxial deposition of III-V compounds utilizing a continuous in-situ hydrogen chloride etch
DE3483164D1 (de) * 1983-01-19 1990-10-18 British Telecomm Zuechtung von halbleiter.
US4611388A (en) * 1983-04-14 1986-09-16 Allied Corporation Method of forming an indium phosphide-boron phosphide heterojunction bipolar transistor
DE3429899A1 (de) * 1983-08-16 1985-03-07 Canon K.K., Tokio/Tokyo Verfahren zur bildung eines abscheidungsfilms
US4504329A (en) * 1983-10-06 1985-03-12 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Process for the epitaxial deposition of III-V compounds utilizing a binary alloy as the metallic source
US4559217A (en) * 1983-11-01 1985-12-17 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Method for vacuum baking indium in-situ
US4504331A (en) * 1983-12-08 1985-03-12 International Business Machines Corporation Silicon dopant source in intermetallic semiconductor growth operations
US4999315A (en) * 1984-06-15 1991-03-12 At&T Bell Laboratories Method of controlling dopant incorporation in high resistivity In-based compound Group III-V epitaxial layers
JPH0630340B2 (ja) * 1984-07-28 1994-04-20 ソニー株式会社 半導体発光装置の製造方法とこれに用いる気相成長装置
US4759947A (en) * 1984-10-08 1988-07-26 Canon Kabushiki Kaisha Method for forming deposition film using Si compound and active species from carbon and halogen compound
GB2169003B (en) * 1984-11-16 1987-12-31 Sony Corp Chemical vapour deposition
US4636268A (en) * 1984-11-30 1987-01-13 At&T Bell Laboratories Chemical beam deposition method utilizing alkyl compounds in a carrier gas
US4717585A (en) * 1985-02-09 1988-01-05 Canon Kabushiki Kaisha Process for forming deposited film
US4716048A (en) * 1985-02-12 1987-12-29 Canon Kabushiki Kaisha Process for forming deposited film
US5178904A (en) * 1985-02-16 1993-01-12 Canon Kabushiki Kaisha Process for forming deposited film from a group II through group VI metal hydrocarbon compound
JPS61189626A (ja) * 1985-02-18 1986-08-23 Canon Inc 堆積膜形成法
US4772486A (en) * 1985-02-18 1988-09-20 Canon Kabushiki Kaisha Process for forming a deposited film
US4726963A (en) * 1985-02-19 1988-02-23 Canon Kabushiki Kaisha Process for forming deposited film
US5244698A (en) * 1985-02-21 1993-09-14 Canon Kabushiki Kaisha Process for forming deposited film
US4818563A (en) * 1985-02-21 1989-04-04 Canon Kabushiki Kaisha Process for forming deposited film
US4853251A (en) * 1985-02-22 1989-08-01 Canon Kabushiki Kaisha Process for forming deposited film including carbon as a constituent element
US4801468A (en) * 1985-02-25 1989-01-31 Canon Kabushiki Kaisha Process for forming deposited film
JP2537175B2 (ja) * 1985-03-27 1996-09-25 キヤノン株式会社 機能性堆積膜の製造装置
IL79612A0 (en) * 1985-08-09 1986-11-30 American Cyanamid Co Method and apparatus for the chemical vapor deposition of iii-v semiconductors utilizing organometallic and elemental pnictide sources
US4729968A (en) * 1985-09-16 1988-03-08 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Hydride deposition of phosporus-containing semiconductor materials avoiding hillock formation
JPS6291494A (ja) * 1985-10-16 1987-04-25 Res Dev Corp Of Japan 化合物半導体単結晶成長方法及び装置
JPH0647727B2 (ja) * 1985-12-24 1994-06-22 キヤノン株式会社 堆積膜形成法
JPH084071B2 (ja) * 1985-12-28 1996-01-17 キヤノン株式会社 堆積膜形成法
JP2566914B2 (ja) * 1985-12-28 1996-12-25 キヤノン株式会社 薄膜半導体素子及びその形成法
JPH0727869B2 (ja) * 1987-06-22 1995-03-29 出光興産株式会社 プラズマ蒸着装置
US4801557A (en) * 1987-06-23 1989-01-31 Northwestern University Vapor-phase epitaxy of indium phosphide and other compounds using flow-rate modulation
US4870030A (en) * 1987-09-24 1989-09-26 Research Triangle Institute, Inc. Remote plasma enhanced CVD method for growing an epitaxial semiconductor layer
GB2213837B (en) * 1987-12-22 1992-03-11 Philips Electronic Associated Electronic device manufacture with deposition of material
EP0390552B1 (en) * 1989-03-31 1995-12-20 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of manufacturing compound semiconductor thin film
GB9116381D0 (en) * 1991-07-30 1991-09-11 Shell Int Research Method for deposition of a metal
GB2264957B (en) * 1992-03-12 1995-09-20 Bell Communications Res Deflected flow in a chemical vapor deposition cell
KR101525210B1 (ko) * 2013-12-20 2015-06-05 주식회사 유진테크 기판 처리장치
CN116143089A (zh) * 2023-01-10 2023-05-23 昆明理工大学 磷化铟回收装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL252729A (ja) * 1959-06-18
US3421952A (en) * 1966-02-02 1969-01-14 Texas Instruments Inc Method of making high resistivity group iii-v compounds and alloys doped with iron from an iron-arsenide source
US3617371A (en) * 1968-11-13 1971-11-02 Hewlett Packard Co Method and means for producing semiconductor material
NL7101215A (ja) * 1970-01-30 1971-08-03
GB1319559A (en) * 1970-06-04 1973-06-06 North American Rockwell Epitaxial composite and method of making
FR2092896A1 (en) * 1970-06-29 1972-01-28 North American Rockwell Epitaxial film growth - of semiconducting material, by decomposition of organo metallic cpds
JPS5129880B2 (ja) * 1973-03-15 1976-08-27

Also Published As

Publication number Publication date
GB2015982B (en) 1982-05-19
DE2908851C2 (ja) 1990-07-05
JPS54124897A (en) 1979-09-28
GB2015982A (en) 1979-09-19
DE2908851A1 (de) 1979-09-13
FR2419585B1 (ja) 1980-09-12
FR2419585A1 (fr) 1979-10-05
US4220488A (en) 1980-09-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4220488A (en) Gas-phase process for the production of an epitaxial layer of indum phosphide
US4330360A (en) Molecular beam deposition technique using gaseous sources of group V elements
US4063974A (en) Planar reactive evaporation method for the deposition of compound semiconducting films
TW201932410A (zh) 製作石墨烯層結構的方法
JPH04193799A (ja) 炭化珪素単結晶の製造方法
JPS6220160B2 (ja)
JP3124775B2 (ja) 分子線形成用噴散方法及び噴散セル
JPH0194613A (ja) 気相成長方法
JP3000143B2 (ja) 化合物半導体の製膜方法
JP3068341B2 (ja) 気相成長装置
JPH0323624A (ja) 気相成長方法およびその装置
JPS60169563A (ja) テルル化金属の製造方法及び装置
JP3127501B2 (ja) 気相成長装置
JPS62247520A (ja) 気相処理装置
JPH02254715A (ja) 化合物半導体結晶層の製造方法
JPH05217910A (ja) 化合物半導体の気相成長装置及び気相成長方法
JP3049523B2 (ja) 半導体装置のシリコン酸化膜の製造法
JPS59128299A (ja) 燐化アルミニウム・インジウム単結晶の製造方法
JPS61155291A (ja) 気相成長方法
JPS58125698A (ja) 結晶成長装置
JPS59121918A (ja) 化合物の気相成長装置
JPH0590161A (ja) 有機金属気相成長装置
JPS63186418A (ja) 化合物半導体結晶層の製造方法
JPS6065793A (ja) 気相成長方法
JPS59156997A (ja) 化合物半導体のエピタキシヤル成長法