JPS62220577A - アクテイブマトリクス型液晶表示素子 - Google Patents
アクテイブマトリクス型液晶表示素子Info
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- JPS62220577A JPS62220577A JP61065425A JP6542586A JPS62220577A JP S62220577 A JPS62220577 A JP S62220577A JP 61065425 A JP61065425 A JP 61065425A JP 6542586 A JP6542586 A JP 6542586A JP S62220577 A JPS62220577 A JP S62220577A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、電気光学的な液晶ディスプレイに用いられる
液晶表示素子、更に詳しくはスイッチング素子を組み込
んだアクティブマトリクス型ＴＮ−ＦＥＭ用液晶表示素
子に関するものである。
液晶表示素子、更に詳しくはスイッチング素子を組み込
んだアクティブマトリクス型ＴＮ−ＦＥＭ用液晶表示素
子に関するものである。
従来の技術
従来からスイッチング素子、例えばＣ−ＭＯＳあるいは
ＴＰＴを組み込んだアクティブマトリクス型ＴＰＴを組
み込んだアクティブマトリクス型ＴＮ−ＦＥＭ用液晶表
示素子をテレビ受像機として用いる場合には、下記要件
が必要とされている０（１）低電圧駆動 ＠）高速応答性、閾値電圧付近でも速いこと０（３）広
視野角 （４） 高コントラスト （５）高階調性 （６）幅広い使用温度範囲 そして、これらの要件を満たすためには、液晶組成物に
は次のような性質が必要とされる。
ＴＰＴを組み込んだアクティブマトリクス型ＴＰＴを組
み込んだアクティブマトリクス型ＴＮ−ＦＥＭ用液晶表
示素子をテレビ受像機として用いる場合には、下記要件
が必要とされている０（１）低電圧駆動 ＠）高速応答性、閾値電圧付近でも速いこと０（３）広
視野角 （４） 高コントラスト （５）高階調性 （６）幅広い使用温度範囲 そして、これらの要件を満たすためには、液晶組成物に
は次のような性質が必要とされる。
（１）誘電率異方性（Δε）が大きいこと０（２）
粘度（η）が低いこと。
粘度（η）が低いこと。
（３） 屈折率異方性（Δｎ）が小さいこと０（４）
弾性定数比（Ｋ３３／に１１） の値が大きいこと。
弾性定数比（Ｋ３３／に１１） の値が大きいこと。
（６）液晶温度範囲（Ｍ、Ｒ，）が広いこと。
しかしながら、これら物性値の中には、（１）と？）、
（１）と４３）のごとくお互いに相反する物性もあり、
これらの物性値を充分に満足する液晶組成物は未だ提案
されていない。表１は代表的な液晶化合物の各物性値で
あり、これらの化合物を適当に混合することによシ実用
的な液晶組成物を得ているのが現状である。
（１）と４３）のごとくお互いに相反する物性もあり、
これらの物性値を充分に満足する液晶組成物は未だ提案
されていない。表１は代表的な液晶化合物の各物性値で
あり、これらの化合物を適当に混合することによシ実用
的な液晶組成物を得ているのが現状である。
ｐ型液晶としては誘電率異方性（Δε）が太きいにも拘
らず粘度（η）が比較的小さいシアノフェニルシクロヘ
キサン系液晶が多用されている。そしてこの場合、その
狭い液晶温度範囲を広げるためにビフェニルシクロヘキ
サン系液晶やシクロヘキシルビフェニルシクロヘキサン
系液晶などの高温用液晶材料などが一般に加えられてい
る。しかしながらこのような高温用液晶材料を加えると
粘度（＝７）や屈折率異方性（Δｎ）が大きくなってし
まうため、更に液晶の透明点ｃｌ、ｐ、（ネマチック−
等方相相転移温度）が比較的高いうえ粘度（η）や屈折
率異方性（Δｎ）が小さいアルコキシフェニル−シクロ
ヘキシルカルボキシレート系液晶などが加えられる。
らず粘度（η）が比較的小さいシアノフェニルシクロヘ
キサン系液晶が多用されている。そしてこの場合、その
狭い液晶温度範囲を広げるためにビフェニルシクロヘキ
サン系液晶やシクロヘキシルビフェニルシクロヘキサン
系液晶などの高温用液晶材料などが一般に加えられてい
る。しかしながらこのような高温用液晶材料を加えると
粘度（＝７）や屈折率異方性（Δｎ）が大きくなってし
まうため、更に液晶の透明点ｃｌ、ｐ、（ネマチック−
等方相相転移温度）が比較的高いうえ粘度（η）や屈折
率異方性（Δｎ）が小さいアルコキシフェニル−シクロ
ヘキシルカルボキシレート系液晶などが加えられる。
このアルコキシフェニル−シクロへキシルカルボキシレ
ート系液晶は物性調整用の液晶材料として非常に有用で
ある。
ート系液晶は物性調整用の液晶材料として非常に有用で
ある。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、このようにして調製された液晶組成物は
、Δｎが小さいためセルギャップを犬きくすることがで
き液晶セル作成が容易であるとい１うことや、マルチプ
レックス駆動のような使い方をする場合には充分速い応
答特性を示すという特長を有しているものの、スイッチ
ング素子を組み込んだアクティブマトリクス型ＴＮ−Ｆ
ＥＭ用液晶表示素子として用いる場合には、電圧無印加
の状態から閾値電圧に相当する電圧を印加した時の立ち
上がり応答時間を２００ ｍ５ｅｃ以下にするのが非常
に困難である。
、Δｎが小さいためセルギャップを犬きくすることがで
き液晶セル作成が容易であるとい１うことや、マルチプ
レックス駆動のような使い方をする場合には充分速い応
答特性を示すという特長を有しているものの、スイッチ
ング素子を組み込んだアクティブマトリクス型ＴＮ−Ｆ
ＥＭ用液晶表示素子として用いる場合には、電圧無印加
の状態から閾値電圧に相当する電圧を印加した時の立ち
上がり応答時間を２００ ｍ５ｅｃ以下にするのが非常
に困難である。
問題点を解決するための手段
本発明のアクティブマトリクス型液晶素子素子は、
（式中ｍは３，４，５，６，７ｔたは８を表す）で表さ
れる６−アルキル−２−（４−シアノフェニル）ピリミ
ジンの一種以上と、 一般式 （式中ｍ 、 ｎは１．２，３，４，６．６または７を
表す）で表される６−アルキル−２−（４−フルキルフ
ェニル）ピリミジン、および一般式（式中ｍ 、 ｎは
１．２，３，４，５，６または７を表す）で表される６
−アルキル−２−（４−アルキルオキシフェニル）ピリ
ミジンかもなる群から選ばれる一種以上と、 （但し、Ｘは炭素鎖数が１〜７のアルキル基またはアル
コキシ基を表し、ＹはＦ１炭素鎖数が１〜７のアルキル
基またはアルコキシ基、シアノ基または４−置換フェニ
ル基を表す）で表される骨格を有する化合物とを含み、
かつスイッチング素子を有することを特徴とする。
れる６−アルキル−２−（４−シアノフェニル）ピリミ
ジンの一種以上と、 一般式 （式中ｍ 、 ｎは１．２，３，４，６．６または７を
表す）で表される６−アルキル−２−（４−フルキルフ
ェニル）ピリミジン、および一般式（式中ｍ 、 ｎは
１．２，３，４，５，６または７を表す）で表される６
−アルキル−２−（４−アルキルオキシフェニル）ピリ
ミジンかもなる群から選ばれる一種以上と、 （但し、Ｘは炭素鎖数が１〜７のアルキル基またはアル
コキシ基を表し、ＹはＦ１炭素鎖数が１〜７のアルキル
基またはアルコキシ基、シアノ基または４−置換フェニ
ル基を表す）で表される骨格を有する化合物とを含み、
かつスイッチング素子を有することを特徴とする。
作 用
一般にＴＮ型液晶表示素子における立ち上がシ応答時間
τ１は次式で表される。
τ１は次式で表される。
ｒ、＝ｒｌ ＠ｄ２／（ｔＱ＊１ｔＶ２−Ｋｉ ｌ ａ
ｙｒ２）但し、■は印加電圧、ｄはセルギャップ、ｃｏ
は真空中の誘電率、Ｋｉ ｉ ＝ Ｋ１１ ＋ （Ｋ３
３−２に２２ ）／４（Ｋ１１はスプレーの弾性定数、
Ｋ２２はツイストの弾性定数、Ｋ３３はペンドの弾性定
数）を表している。
ｙｒ２）但し、■は印加電圧、ｄはセルギャップ、ｃｏ
は真空中の誘電率、Ｋｉ ｉ ＝ Ｋ１１ ＋ （Ｋ３
３−２に２２ ）／４（Ｋ１１はスプレーの弾性定数、
Ｋ２２はツイストの弾性定数、Ｋ３３はペンドの弾性定
数）を表している。
本発明の液晶表示素子に用いられる液晶組成物が、何故
閾値電圧付近で立ち上がり応答速度が速いのかは明らか
でないが、アルコキシフェニル−シクロヘキシルカルボ
キシレート系液晶を含ｔＡｋの組成系に比べて、各組成
物の分子骨格が類似しており、系全体のに１１が小さく
なっていることによるものであると考えられる。
閾値電圧付近で立ち上がり応答速度が速いのかは明らか
でないが、アルコキシフェニル−シクロヘキシルカルボ
キシレート系液晶を含ｔＡｋの組成系に比べて、各組成
物の分子骨格が類似しており、系全体のに１１が小さく
なっていることによるものであると考えられる。
また、ビシクロヘキサン骨格を有する化合物は電子密度
が低く、系全体の屈折率異方性Δｎを下げる効果がある
。
が低く、系全体の屈折率異方性Δｎを下げる効果がある
。
前記の式（１）で表される化合物と、弐（２）で表され
る化合物および式（３）で表される化合物よシなる群か
ら選ばれる化合物と、式（４）で表される化合物ととも
に用いられる好ましい化合物として、下記のものがある
。
る化合物および式（３）で表される化合物よシなる群か
ら選ばれる化合物と、式（４）で表される化合物ととも
に用いられる好ましい化合物として、下記のものがある
。
（、） 一般式
％式％（６）
（式中ｐｒ ｑは１．２，３．４または６を表す）で表
される４−（トランス−４−アルキルシクロヘキシル）
−トランス−アルコキシメチルシクロヘキサンの少なく
とも一種 （ロ）一般式 （式中ｍ 、 ｎは１．２，３，４，５，６または７を
表す）で表される４−（トランス−４−７ｋｄｆ−ルシ
クロヘキシル）−アルキルベンゼン、一般式（式中ｍ
、 ｎは１．２，３，４，５．８または７を表す）で表
される４−（トランス−４−アルキルシクロヘキシル）
−アルコキシベンゼン、および一般式 （式中ｍは１．２，３，４，５，６まだは７を表す）で
表されるトランス−４−アルキル−（４−シアノフェニ
ル）シクロヘキサンからなる群から選ばれる少なくとも
一種 （９）一般式 ％式％（９） （式中ｍ 、 ｎは１．２，３，４，５．６または７を
表す）で表される４−アルキル−〔トランス−４／
（）ランス−４“−アルキルシクロヘキシル）シクロヘ
キシル〕ベンゼン、一般式 ％式％（１０） （式中ｍ 、 ｎは１．２，３，４，５．６または７を
表す）で表される４−フルコキシー〔トランス−４７（
トランス−４“−アルキルシクロヘキシル）シクロヘキ
シル〕ベンゼン、および一般式（式中ｍは１．２，３，
４．Ｓｉ、６または７を表す）で表される４−フルオロ
−〔トランス−４′−（トララス−４“−フルキルシク
ロヘキシル）シクロヘキシル〕ベンゼンからなる群から
選ばれる少なくとも一種 （ｄ） 一般式 （式中ｍは１．２，３，４．ｅ５，６または７を表す）
で表される４−（トランス−４−アルキルシクロヘキシ
ル）−４−シアノビフェニルの少すくとも一種 本発明で用いる液晶組成物の好ましい例はトランス−４
−プロピル−（４−シアノフェニル）シクロヘキサン、
トランス−４−ペンチルー（４−シアノフェニル）シク
ロヘキサン、ト２ｙｘ−４−ヘア’チル−（４−シアノ
フェニル）シクロヘキサン、５−７’ロビルー２−（４
−フルオロフェニル）ピリミジン、６−ペンチル−２−
（４−シアノフェニル）ピリミジン、４−（トランス−
４−プロピルシクロヘキシル）−エトキシベンゼン、４
−（）ランス−４−プロピルシクロヘキシル）。
される４−（トランス−４−アルキルシクロヘキシル）
−トランス−アルコキシメチルシクロヘキサンの少なく
とも一種 （ロ）一般式 （式中ｍ 、 ｎは１．２，３，４，５，６または７を
表す）で表される４−（トランス−４−７ｋｄｆ−ルシ
クロヘキシル）−アルキルベンゼン、一般式（式中ｍ
、 ｎは１．２，３，４，５．８または７を表す）で表
される４−（トランス−４−アルキルシクロヘキシル）
−アルコキシベンゼン、および一般式 （式中ｍは１．２，３，４，５，６まだは７を表す）で
表されるトランス−４−アルキル−（４−シアノフェニ
ル）シクロヘキサンからなる群から選ばれる少なくとも
一種 （９）一般式 ％式％（９） （式中ｍ 、 ｎは１．２，３，４，５．６または７を
表す）で表される４−アルキル−〔トランス−４／
（）ランス−４“−アルキルシクロヘキシル）シクロヘ
キシル〕ベンゼン、一般式 ％式％（１０） （式中ｍ 、 ｎは１．２，３，４，５．６または７を
表す）で表される４−フルコキシー〔トランス−４７（
トランス−４“−アルキルシクロヘキシル）シクロヘキ
シル〕ベンゼン、および一般式（式中ｍは１．２，３，
４．Ｓｉ、６または７を表す）で表される４−フルオロ
−〔トランス−４′−（トララス−４“−フルキルシク
ロヘキシル）シクロヘキシル〕ベンゼンからなる群から
選ばれる少なくとも一種 （ｄ） 一般式 （式中ｍは１．２，３，４．ｅ５，６または７を表す）
で表される４−（トランス−４−アルキルシクロヘキシ
ル）−４−シアノビフェニルの少すくとも一種 本発明で用いる液晶組成物の好ましい例はトランス−４
−プロピル−（４−シアノフェニル）シクロヘキサン、
トランス−４−ペンチルー（４−シアノフェニル）シク
ロヘキサン、ト２ｙｘ−４−ヘア’チル−（４−シアノ
フェニル）シクロヘキサン、５−７’ロビルー２−（４
−フルオロフェニル）ピリミジン、６−ペンチル−２−
（４−シアノフェニル）ピリミジン、４−（トランス−
４−プロピルシクロヘキシル）−エトキシベンゼン、４
−（）ランス−４−プロピルシクロヘキシル）。
−トランスーメトキシメチルシクロヘキサン、４−フル
オロ−〔トランス−４７（トランス−４”−プロピルシ
クロヘキシル）シクロヘキシル〕ベンゼン、４−メチル
−〔トランス−４／（）、ランス−４“−エチルシクロ
ヘキシル）シクロヘキシル〕ぺ／ゼン、４−メチル−〔
トランス−４’−（トランス−４“−ブチルシクロヘキ
シル）シクロヘキシル〕ベンゼン、及び６−ペンテルー
２−（４−エチルフェニル）ピリミジンよシなるもので
ある。
オロ−〔トランス−４７（トランス−４”−プロピルシ
クロヘキシル）シクロヘキシル〕ベンゼン、４−メチル
−〔トランス−４／（）、ランス−４“−エチルシクロ
ヘキシル）シクロヘキシル〕ぺ／ゼン、４−メチル−〔
トランス−４’−（トランス−４“−ブチルシクロヘキ
シル）シクロヘキシル〕ベンゼン、及び６−ペンテルー
２−（４−エチルフェニル）ピリミジンよシなるもので
ある。
また、式（４）で表される骨格を有する化合物の混合割
合は２０〜７０ｗｔ％ が適当である。
合は２０〜７０ｗｔ％ が適当である。
実施例
以下に本発明の実施の態様を図面を参照しつつ、詳細に
説明する。本実施例では測定の便宜上、個々の液晶表示
素子は外部駆動回路によりスイッチングを行った。
説明する。本実施例では測定の便宜上、個々の液晶表示
素子は外部駆動回路によりスイッチングを行った。
〈実施例１〉
下記組成の液晶組成物（＾を調製した。
この液晶組成物向の物性値は表２の通りである。
表 ２
次に、このようにして得られた液晶組成物式に４−シア
ノ−４’−（２−メチルブチル）ビフェニルを０．１ｗ
ｔ％添加した後、ＴＮセル〔Ａ〕（セルギャップ：６．
６μｍ、ポリイミド配向膜使用）に減圧注入した。
ノ−４’−（２−メチルブチル）ビフェニルを０．１ｗ
ｔ％添加した後、ＴＮセル〔Ａ〕（セルギャップ：６．
６μｍ、ポリイミド配向膜使用）に減圧注入した。
その後、偏光板を上下基板にラビング方向と偏光軸とが
一致するように貼り、常法に従い、セルの光透過率の電
圧依栂性および電圧応答特性を測定した。測定はキャノ
ン社製液晶評価装置を用い、２０℃で行った０液晶組成
物四の閾値電圧は２．０６■、飽和電圧は３．１５Ｖ
であった〇また、電圧無印加の状態から閾値電圧に相当
する電圧を印加した時の立ち上が９応答時間は１２６ｍ
８４Ｉ Ｃであり、６ｖの電圧を印加した状態から電
圧無印加の状態にした時の立ち下がシ応答時間は１７ｍ
５ｅｃであった。
一致するように貼り、常法に従い、セルの光透過率の電
圧依栂性および電圧応答特性を測定した。測定はキャノ
ン社製液晶評価装置を用い、２０℃で行った０液晶組成
物四の閾値電圧は２．０６■、飽和電圧は３．１５Ｖ
であった〇また、電圧無印加の状態から閾値電圧に相当
する電圧を印加した時の立ち上が９応答時間は１２６ｍ
８４Ｉ Ｃであり、６ｖの電圧を印加した状態から電
圧無印加の状態にした時の立ち下がシ応答時間は１７ｍ
５ｅｃであった。
以上より明らかなように、本発明の液晶表示素子は低電
圧駆動が可能であるとともに、高階調性、高速応答性に
優れアクティブマトリクス型液晶表示素子に適している
。
圧駆動が可能であるとともに、高階調性、高速応答性に
優れアクティブマトリクス型液晶表示素子に適している
。
〈実施例２〉
下記組成の液晶組成物の）を調製した０この液晶組成物
向の物性値は表３の通りである。
向の物性値は表３の通りである。
表 ３
次に、このようにして得られた液晶組成物の）に４−シ
アノ−４’−（２−メチルブチル）ビフェニルを０，１
ｗｔ％添加した後、ＴＮセル〔Ｂ〕（セルギャップ：６
．５μｍ、ポリイミド配向膜使用）に減圧注入した。
アノ−４’−（２−メチルブチル）ビフェニルを０，１
ｗｔ％添加した後、ＴＮセル〔Ｂ〕（セルギャップ：６
．５μｍ、ポリイミド配向膜使用）に減圧注入した。
その後、偏光板を上下基板にラビング方向と偏光軸とが
一致するように貼り、常法に従い、セルの光透過率の電
圧依存性および電圧応答特性を測定した◇測定はキャノ
ン社製液晶評価装置を用い、２０℃でおこなった。電圧
応答特性の測定結果を図に示す。
一致するように貼り、常法に従い、セルの光透過率の電
圧依存性および電圧応答特性を測定した◇測定はキャノ
ン社製液晶評価装置を用い、２０℃でおこなった。電圧
応答特性の測定結果を図に示す。
また、比較例として下記組成の液晶組成物ｑを調製した
。
。
Ｃ３Ｈ７％ ＣＨ２ＯＣＨ３１０ｗｔ％Ｃ３Ｈ７召Ｘ心
ＣＨ２ＱＣ２Ｈ５５ｗｔ％Ｃ３Ｈ７召Ｙ〆娶Ｆ
４ｗｔ％Ｃ３Ｈ７召＄ｏｃ２Ｈ６８ｗｔ％ Ｃ３Ｈ１１召に沢少Ｃ２Ｈ５５ｗｔ％ Ｃ３Ｈ７令Ｘ今Ｃ２Ｃ２Ｈ６１ｏ％ Ｃ３Ｈ−ｒ＜Ｅ＞ Ｃｏｏ＠ＱＣ２Ｈ６１ｏｗｔｅｓこ
の液晶組成物◎の物性値は表４の通りである。
ＣＨ２ＱＣ２Ｈ５５ｗｔ％Ｃ３Ｈ７召Ｙ〆娶Ｆ
４ｗｔ％Ｃ３Ｈ７召＄ｏｃ２Ｈ６８ｗｔ％ Ｃ３Ｈ１１召に沢少Ｃ２Ｈ５５ｗｔ％ Ｃ３Ｈ７令Ｘ今Ｃ２Ｃ２Ｈ６１ｏ％ Ｃ３Ｈ−ｒ＜Ｅ＞ Ｃｏｏ＠ＱＣ２Ｈ６１ｏｗｔｅｓこ
の液晶組成物◎の物性値は表４の通りである。
表 ４
次に、このようにして得られた液晶組成物０に４−シア
ノ−４′−（２−メチルブチル）ビフェニルを０．１ｗ
ｔ％添加した後、液晶組成物四の場合と同様にしてＴＮ
セル〔Ｃ〕（セルギャップ：６．５μｍ、ポリイミド配
向膜使用）に減圧注入し、セルの光透過率の電圧依存性
および電圧応答特性を測定した。電圧応答特性の測定結
果を液晶組成物０の場合と共に図に示す。
ノ−４′−（２−メチルブチル）ビフェニルを０．１ｗ
ｔ％添加した後、液晶組成物四の場合と同様にしてＴＮ
セル〔Ｃ〕（セルギャップ：６．５μｍ、ポリイミド配
向膜使用）に減圧注入し、セルの光透過率の電圧依存性
および電圧応答特性を測定した。電圧応答特性の測定結
果を液晶組成物０の場合と共に図に示す。
液晶組成物（Ｂ）の閾値電圧は１．８６ｖ、液晶組成物
ｑの閾値電圧は１．９３Ｖであった。何れの場合も立ち
下がり電圧応答時間は、閾値電圧付近の電圧でも５０
ｍ５ｅｃ以下であり実用上問題はなかった０図より明ら
かなようにアルコキシフェニル−シクロヘキシルカルボ
キシレート系液晶を系に含ｔない組成物は、アルコキシ
フェニル−シクロヘキシルカルボキシレート系液晶を系
に含む組成物に比べて、閾値電圧付近での立ち上がり応
答速度が非常に速く、アクティブマトリクス型液晶表示
素子に用いる場合、その実用的価値は極めて高い。
ｑの閾値電圧は１．９３Ｖであった。何れの場合も立ち
下がり電圧応答時間は、閾値電圧付近の電圧でも５０
ｍ５ｅｃ以下であり実用上問題はなかった０図より明ら
かなようにアルコキシフェニル−シクロヘキシルカルボ
キシレート系液晶を系に含ｔない組成物は、アルコキシ
フェニル−シクロヘキシルカルボキシレート系液晶を系
に含む組成物に比べて、閾値電圧付近での立ち上がり応
答速度が非常に速く、アクティブマトリクス型液晶表示
素子に用いる場合、その実用的価値は極めて高い。
また、本発明の液晶表示素子に用いられる４−アルキル
−〔トランス−４′−（トランス−４“−アルキルシク
ロヘキシル）シクロヘキシル〕ペンゼシクロヘキシル）
−トランス−アルコキシメチルシクロヘキサン、４−フ
ルオロ−（）う７スー４’−（トランス−４”−アルキ
ルシクロヘキシル）シクロヘキシルベンゼン、４−シア
ノ−〔トランス−４′−（トランス−４“−アルキルシ
クロヘキシル）シクロヘキシルベンゼン、トランス−４
−アルキル−（ａ−シアノシクロヘキシル）シクロヘキ
サンなどのビシクロヘキサン骨格を有する液晶化合物は
、誘電率異方性（Δε）が大きいものでも屈折率異方性
（Δｎ）が小さく、液晶表示素子のセルギャップを大き
くすることができセル作成上有利である０これらビシク
ロヘキサン骨格を有する液晶化合物の混合割合は１〜ｇ
□ ｗ ｔ％、好ましくは２ｏ〜７ Ｑ ｗ ｔ％が
適当である。混合割合が１ｗｔ％未満の場合にはその効
果は認められず、混合割合がｓｏｗ１％ を越えると
実用的な物性を有する液晶組成物を得るのが甚だ困難に
なる。
−〔トランス−４′−（トランス−４“−アルキルシク
ロヘキシル）シクロヘキシル〕ペンゼシクロヘキシル）
−トランス−アルコキシメチルシクロヘキサン、４−フ
ルオロ−（）う７スー４’−（トランス−４”−アルキ
ルシクロヘキシル）シクロヘキシルベンゼン、４−シア
ノ−〔トランス−４′−（トランス−４“−アルキルシ
クロヘキシル）シクロヘキシルベンゼン、トランス−４
−アルキル−（ａ−シアノシクロヘキシル）シクロヘキ
サンなどのビシクロヘキサン骨格を有する液晶化合物は
、誘電率異方性（Δε）が大きいものでも屈折率異方性
（Δｎ）が小さく、液晶表示素子のセルギャップを大き
くすることができセル作成上有利である０これらビシク
ロヘキサン骨格を有する液晶化合物の混合割合は１〜ｇ
□ ｗ ｔ％、好ましくは２ｏ〜７ Ｑ ｗ ｔ％が
適当である。混合割合が１ｗｔ％未満の場合にはその効
果は認められず、混合割合がｓｏｗ１％ を越えると
実用的な物性を有する液晶組成物を得るのが甚だ困難に
なる。
〈実施例３〉
下記組成の液晶組成物０を調製した。
Ｃ６Ｈ１１（Ｘ沢少Ｃ２Ｈ６１０ｗｔチＣ３Ｈ７ｑ Ｃ
Ｈ２ＯＣＨ３３２ｗｔ％Ｃ３Ｈｙ ＋ ＣＮ
ｓｗｔ％この液晶組成物０の物性値は表５の通りである
。
Ｈ２ＯＣＨ３３２ｗｔ％Ｃ３Ｈｙ ＋ ＣＮ
ｓｗｔ％この液晶組成物０の物性値は表５の通りである
。
表 ６
次に、このように°して得られた液晶組成物側に４−シ
アノ−４’ −（２−メチルブチル）ビフエニルを０．
１ｗｔ％ 添加した後、液晶組成物式。場合と同様べし
てＴＮセル〔Ｄ〕（セルギャップ：６、。
アノ−４’ −（２−メチルブチル）ビフエニルを０．
１ｗｔ％ 添加した後、液晶組成物式。場合と同様べし
てＴＮセル〔Ｄ〕（セルギャップ：６、。
μｍ、ポリイミド配向膜使用）に減圧注入し、セルの光
透過率の電圧依存性および電圧応答特性を測定した。液
晶組成物（Ｄ）の閾値電圧は２．２６Ｖ、飽和電圧は３
．３８Ｖであった。
透過率の電圧依存性および電圧応答特性を測定した。液
晶組成物（Ｄ）の閾値電圧は２．２６Ｖ、飽和電圧は３
．３８Ｖであった。
また、電圧無印加の状態から閾値電圧に相当する電圧を
印加した時の立ち上がり応答時間は１８０ｍ５ｅｃ で
あり、６ｖの電圧を印加した状態から電圧無印加の状態
にした時の立ち下カリ応答時間は２１１ｆｆｌａｅｃ
であった０ 以上より明らかなように、本発明の液晶表示素子は高階
調性、高速応答性に優れアクティブマトリクス型液晶表
示素子に適している。
印加した時の立ち上がり応答時間は１８０ｍ５ｅｃ で
あり、６ｖの電圧を印加した状態から電圧無印加の状態
にした時の立ち下カリ応答時間は２１１ｆｆｌａｅｃ
であった０ 以上より明らかなように、本発明の液晶表示素子は高階
調性、高速応答性に優れアクティブマトリクス型液晶表
示素子に適している。
発明の効果
以上述べたように、本発明液晶表示素子はスイッチング
素子を有するアクティブマトリクス型において特に優れ
た特性を示す液晶組成物を用いた液晶表示素子であり、
閾値電圧付近での高速応答特性に優れており、その実用
的価値は非常に高いＣ
素子を有するアクティブマトリクス型において特に優れ
た特性を示す液晶組成物を用いた液晶表示素子であり、
閾値電圧付近での高速応答特性に優れており、その実用
的価値は非常に高いＣ
図は本発明の一実施例であるＴＮセルの電圧応答特性を
示すグラフである。
示すグラフである。
Claims (7)
- （１）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中ｍは３、４、５、６、７または８を表す）で表さ
れる５−アルキル−２−（４−シアノフェニル）ピリミ
ジンの一種以上と、 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中ｍ、ｎは１、２、３、４、５、６または７を表す
）で表される５−アルキル−２−（４−アルキルフェニ
ル）ピリミジン、および一般式▲数式、化学式、表等が
あります▼ （式中ｍ、ｎは１、２、３、４、５、６または７を表す
）で表される５−アルキル−２−（４−アルキルオキシ
フェニル）ピリミジンからなる群から選ばれる一種以上
と、 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （但し、Ｘは炭素鎖数が１〜７のアルキル基またはアル
コキシ基を表し、ＹはＦ、炭素鎖数が１〜７のアルキル
基またはアルコキシ基、シアノ基または４−置換フェニ
ル基を表す）で表される骨格を有する化合物とを含み、
かつスイッチング素子を有することを特徴とするアクテ
ィブマトリクス型液晶表示素子。 - （２）少なくとも、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中ｐ、ｑは１、２、３、４または５を表す）で表さ
れる４−（トランス−４−アルキルシクロヘキシル）−
トランス−アルコキシメチルシクロヘキサンの一種以上
を含む特許請求の範囲第１項記載のアクティブマトリク
ス型液晶表示素子。 - （３）少なくとも、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中ｍ、ｎは１、２、３、４、５、６または７を表す
）で表される４−（トランス−４−アルキルシクロヘキ
シル）−アルキルベンゼン、一般式▲数式、化学式、表
等があります▼ （式中ｍ、ｎは１、２、３、４、５、６または７を表す
）で表される４−（トランス−４−アルキルシクロヘキ
シル）−アルコキシベンゼン、および一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中ｍは１、２、３、４、５、６または７を表す）で
表されるトランス−４−アルキル−（４−シアノフェニ
ル）シクロヘキサンからなる群から選ばれる一種以上を
含む特許請求の範囲第１項記載のアクティブマトリクス
型液晶表示素子。 - （４）少なくとも、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中ｍ、ｎは１、２、３、４、５、６または７を表す
）で表される４−アルキル−〔トランス−４′−（トラ
ンス−４″−アルキルシクロヘキシル）シクロヘキシル
〕ベンゼン、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中ｍ、ｎは１、２、３、４、５、６または７を表す
）で表される４−アルコキシ−〔トランス−４′−（ト
ランス−４″−アルキルシクロヘキシル）シクロヘキシ
ル〕ベンゼン、および一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中ｍは１、２、３、４、５、６または７を表す）で
表される４−フルオロ−〔トランス−４′−（トランス
−４″−アルキルシクロヘキシル）シクロヘキシル〕ベ
ンゼンからなる群から選ばれる一種以上を含む特許請求
の範囲第１項記載のアクティブマトリクス型液晶表示素
子。 - （５）少なくとも、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中ｍは１、２、３、４、５、６または７を表す）で
表される４−（トランス−４−アルキルシクロヘキシル
）−４′−シアノビフェニルを含む特許請求の範囲第１
項記載のアクティブマトリクス型液晶表示素子。 - （６）トランス−４−プロピル−（４−シアノフェニル
）シクロヘキサン、トランス−４−ペンチル−（４−シ
アノフェニル）シクロヘキサン、トランス−４−ヘプチ
ル−（４−シアノフェニル）シクロヘキサン、５−プロ
ピル−２−（４−フルオロフェニル）ピリミジン、５−
ペンチル−２−（４−シアノフェニル）ピリミジン、４
−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）−エトキ
シベンゼン、４−（トランス−４−プロピルシクロヘキ
シル）−トランス−メトキシメチルシクロヘキサン、４
−フルオロ−〔トランス−４′−（トランス−４″−プ
ロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル〕ベンゼン、４
−メチル−〔トランス−４′−（トランス−４″−エチ
ルシクロヘキシル）シクロヘキシル〕ベンゼン、４−メ
チル−〔トランス−４′−（トランス−４″−ブチルシ
クロヘキシル）シクロヘキシル〕ベンゼン、５−ペンチ
ル−２−（４−エチルフェニル）ピリミジンを含む特許
請求の範囲第１項記載のアクティブマトリクス型液晶表
示素子。 - （７）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （但し、Ｘは炭素鎖数が１〜７のアルキル基またはアル
コキシ基を表し、ＹはＦ、炭素鎖数が１〜７のアルキル
基またはアルコキシ基、シアノ基または４−置換フェニ
ル基を表す）で表される骨格を有する化合物の混合割合
が２０〜７０ｗｔ％の液晶組成物を有する特許請求の範
囲第１項記載のアクティブマトリクス型液晶表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61065425A JPS62220577A (ja) | 1986-03-24 | 1986-03-24 | アクテイブマトリクス型液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61065425A JPS62220577A (ja) | 1986-03-24 | 1986-03-24 | アクテイブマトリクス型液晶表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62220577A true JPS62220577A (ja) | 1987-09-28 |
Family
ID=13286703
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61065425A Pending JPS62220577A (ja) | 1986-03-24 | 1986-03-24 | アクテイブマトリクス型液晶表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62220577A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4913532A (en) * | 1987-10-19 | 1990-04-03 | Casio Computer Co., Ltd. | Liquid crystal composition and liquid crystal display device using the same |
| US4944577A (en) * | 1987-10-19 | 1990-07-31 | Casio Computer Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
-
1986
- 1986-03-24 JP JP61065425A patent/JPS62220577A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4913532A (en) * | 1987-10-19 | 1990-04-03 | Casio Computer Co., Ltd. | Liquid crystal composition and liquid crystal display device using the same |
| US4944577A (en) * | 1987-10-19 | 1990-07-31 | Casio Computer Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
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