JPS62278092A - 光記録媒体 - Google Patents
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- JPS62278092A JPS62278092A JP61122684A JP12268486A JPS62278092A JP S62278092 A JPS62278092 A JP S62278092A JP 61122684 A JP61122684 A JP 61122684A JP 12268486 A JP12268486 A JP 12268486A JP S62278092 A JPS62278092 A JP S62278092A
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
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- G11B2007/24312—Metals or metalloids group 14 elements (e.g. Si, Ge, Sn)
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- G11B2007/24316—Metals or metalloids group 16 elements (i.e. chalcogenides, Se, Te)
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- G11B7/2533—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising resins
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
［産業上の利用分野］
本発明はレーザ光によって情報を記録再生することので
きる光記録媒体に関するものである。
きる光記録媒体に関するものである。
［従来の技術］
レーザ光によって情報を媒体に記録し、かつ再生する光
デイスクメモリは、記録密度が高いことから大容量記録
装置として優れた特徴を有している。この光記録媒体材
料としては、テルル（Ｔｅ）へ 等のカルコゲン元素又はこれらの化合物が使用されてい
る（特公昭４７−２６８９７号公報）。とくにテルル−
セレン系合金はよく使用されている（特公昭５４−４１
９０２号公報、特公昭５７−７９１９号公報、特公昭５
７−５６０５８号公報）。
デイスクメモリは、記録密度が高いことから大容量記録
装置として優れた特徴を有している。この光記録媒体材
料としては、テルル（Ｔｅ）へ 等のカルコゲン元素又はこれらの化合物が使用されてい
る（特公昭４７−２６８９７号公報）。とくにテルル−
セレン系合金はよく使用されている（特公昭５４−４１
９０２号公報、特公昭５７−７９１９号公報、特公昭５
７−５６０５８号公報）。
近年、記録装置を小型化するため、レーザ光源としては
半導体レーザが使用されてきている。半導体レーザは発
振波長が８０００人前後であるが、テルル−セレン系合
金はこの波長帯にも比較的よく適合し、適度な反射率と
適度な吸収率が得られる（フィジカ・スティタス・ソリ
ダイ、 ７，１８９．１９６４（ｐｈｙｓ、 ５ｔａｔ
、 ｓｏｌ、 ７．１８９．１９６４＞ ）。
半導体レーザが使用されてきている。半導体レーザは発
振波長が８０００人前後であるが、テルル−セレン系合
金はこの波長帯にも比較的よく適合し、適度な反射率と
適度な吸収率が得られる（フィジカ・スティタス・ソリ
ダイ、 ７，１８９．１９６４（ｐｈｙｓ、 ５ｔａｔ
、 ｓｏｌ、 ７．１８９．１９６４＞ ）。
このテルル−セレン系合金を光記録層として用いた光記
録媒体は第２図に示すような構成になっている。すなわ
ち基板１に隣接してテルル−セレン系合金よりなる記録
層２１が設けられている。記録用レーザ光は基板１を通
して記録層２１に集光照射され、ピット２２が形成され
る。基板１としてはポリカーボネート、ポリオレフィン
、ポリメチルペンテン、アクリル、エポキシ樹脂等の合
成樹脂やガラスが使用され、基板１にはピットが同心円
状あるいはスパイラル状に一定間隔で精度よく記録され
るように通常案内溝が設けられている。
録媒体は第２図に示すような構成になっている。すなわ
ち基板１に隣接してテルル−セレン系合金よりなる記録
層２１が設けられている。記録用レーザ光は基板１を通
して記録層２１に集光照射され、ピット２２が形成され
る。基板１としてはポリカーボネート、ポリオレフィン
、ポリメチルペンテン、アクリル、エポキシ樹脂等の合
成樹脂やガラスが使用され、基板１にはピットが同心円
状あるいはスパイラル状に一定間隔で精度よく記録され
るように通常案内溝が設けられている。
［発明が解決しようとする問題点］
しかしながら前記゛したような従来の光記録媒体におい
て、記録層として用いられているテルル−セレン系合金
はその組成を制御することが容易ではなく、そのため量
産性に問題があった。又、ピットを１〜ラック１周にわ
たって均一に形成することは困難であるため、充分に良
好な記録再生特性は得られなかった。
て、記録層として用いられているテルル−セレン系合金
はその組成を制御することが容易ではなく、そのため量
産性に問題があった。又、ピットを１〜ラック１周にわ
たって均一に形成することは困難であるため、充分に良
好な記録再生特性は得られなかった。
一方、本発明者らは、基板の上にセレン層、テルル層、
セレン層を順次積層して記録層とすることにより、量産
性および耐候性に優れ、かつ、トラック１周にわたって
ピットを均一に形成でき、良好な記録再生特性を有する
光記録媒体となることを見出し、すでに提案している。
セレン層を順次積層して記録層とすることにより、量産
性および耐候性に優れ、かつ、トラック１周にわたって
ピットを均一に形成でき、良好な記録再生特性を有する
光記録媒体となることを見出し、すでに提案している。
本発明はこれをさらに改善したもので、量産性および耐
候性に優れ、かつ高感度で信号品質の良好な光記録媒体
を提供することを目的とする。
候性に優れ、かつ高感度で信号品質の良好な光記録媒体
を提供することを目的とする。
［問題点を解決するための手段］
本発明は基板と、レーザ光によって一部が選択的に除去
されて情報を記録する前記基板上に形成された記録層と
からなる光記録媒体において、前記記録層がセレン層、
テルル層、鉛層、セレン層を順次基板上に積層したもの
であることを特徴とする光記録媒体である。
されて情報を記録する前記基板上に形成された記録層と
からなる光記録媒体において、前記記録層がセレン層、
テルル層、鉛層、セレン層を順次基板上に積層したもの
であることを特徴とする光記録媒体である。
本発明においては第１図に示すように基板１上にセレン
層２、テルル層３、鉛層４、セレン層５が順次積層され
て記録層を形成する。鉛層４を形成することにより、記
録により形成されるピットが大きく拡がらないようにな
る。
層２、テルル層３、鉛層４、セレン層５が順次積層され
て記録層を形成する。鉛層４を形成することにより、記
録により形成されるピットが大きく拡がらないようにな
る。
上下のセレン層の膜厚はともにそれぞれ５〜１００人の
範囲、テルル層の膜厚は１００〜５００人の範囲、鉛層
の膜厚は１〜５０人の範囲が記録再生特性、耐候性の観
点から望ましい。また基板としてはポリカーボネート、
ポリオレフィン、ポリメチルペンテン、アクリル、■ポ
キシ樹脂等の合成樹脂やガラスなど通常使用されている
ものが用いられる。
範囲、テルル層の膜厚は１００〜５００人の範囲、鉛層
の膜厚は１〜５０人の範囲が記録再生特性、耐候性の観
点から望ましい。また基板としてはポリカーボネート、
ポリオレフィン、ポリメチルペンテン、アクリル、■ポ
キシ樹脂等の合成樹脂やガラスなど通常使用されている
ものが用いられる。
本発明の光記録媒体は、基板上にセレン、テルル、鉛お
よびセレンを順に真本蒸着させることによって製造する
ことができる。
よびセレンを順に真本蒸着させることによって製造する
ことができる。
［作 用］
テルル層とセレン層の間に鉛層を介在させることによっ
てピットが大きく拡がらなくなり、優れた光記録媒体を
得ることができる。これはピット形成による反射率変化
の主装置であるテルル層の表面張力が鉛層の形成により
変化することによってピットが拡がりにくくなるためで
あると思われる。
てピットが大きく拡がらなくなり、優れた光記録媒体を
得ることができる。これはピット形成による反射率変化
の主装置であるテルル層の表面張力が鉛層の形成により
変化することによってピットが拡がりにくくなるためで
あると思われる。
ピットが大きく拡がらないのでピットをつめて記録でき
、高密度記録が可能となるとともに記録パワー変動に対
する余裕度も大きくなるので実用的な光記録媒体となる
。
、高密度記録が可能となるとともに記録パワー変動に対
する余裕度も大きくなるので実用的な光記録媒体となる
。
［実施例］
以下本発明の実施例について説明する。
実施例１
内径１５ｍ＃ｌ、外径１３０＃ｌ１１１％厚さ１．２ｍ
のポリカーれ、６ ｘ １０’Ｔｏｒｒ以下に排気した
。蒸発源としては、第１の抵抗加熱用ボートにテルル（
Ｔｅ）を入れ、第２の抵抗加熱用ボートにセレン（Ｓｅ
）を入れ、電子ビーム加熱用るつぼに鉛（ｐｂ）を入れ
た。
のポリカーれ、６ ｘ １０’Ｔｏｒｒ以下に排気した
。蒸発源としては、第１の抵抗加熱用ボートにテルル（
Ｔｅ）を入れ、第２の抵抗加熱用ボートにセレン（Ｓｅ
）を入れ、電子ビーム加熱用るつぼに鉛（ｐｂ）を入れ
た。
まずＳｅを８０人厚蒸着し、次にＴｅを２２５人厚蒸着
し、次にＰｂを水晶振動子の周波数変化からの換騨で２
人厚蒸着し、最後にｓｅを８０人厚蒸着した。この光デ
ィスクを９５℃で１時間アニールしたのち、波長８３０
０Ａにおける基板入射反射率を測定したところ３５％で
あった。波長８３００への半導体レーザ光を基板を通し
て入射して１．５Ｉｍφ程度に絞り、媒体線速度５．６
ｍ／ｓｅｃ 、記録周波数３．７７ＭＨｚ、記録パルス
幅７０ｎＳｅＣの条件で記録し、０．７ｍＷで再生した
。
し、次にＰｂを水晶振動子の周波数変化からの換騨で２
人厚蒸着し、最後にｓｅを８０人厚蒸着した。この光デ
ィスクを９５℃で１時間アニールしたのち、波長８３０
０Ａにおける基板入射反射率を測定したところ３５％で
あった。波長８３００への半導体レーザ光を基板を通し
て入射して１．５Ｉｍφ程度に絞り、媒体線速度５．６
ｍ／ｓｅｃ 、記録周波数３．７７ＭＨｚ、記録パルス
幅７０ｎＳｅＣの条件で記録し、０．７ｍＷで再生した
。
記録パワー５．５ｍ−において、バンド幅３０ｋＨ２の
キャリアーとノイズとの比（Ｃ／Ｎ ）は５０ｄＢと良
好であった。又、Ｃ／Ｎが４５ｄＢ以上得られる記録パ
ワー領域は５．０ｍＷから７．５ｍ１ｌと広範囲であっ
た。
キャリアーとノイズとの比（Ｃ／Ｎ ）は５０ｄＢと良
好であった。又、Ｃ／Ｎが４５ｄＢ以上得られる記録パ
ワー領域は５．０ｍＷから７．５ｍ１ｌと広範囲であっ
た。
比較のための８０人厚のＳｅ、 ２２５人厚のＴｅ、
８０人厚のｓｅの光ディスクでは、記録パワー５．０
ｍＷにおいてＣ／Ｎは４８ｄＢであり、Ｃ／Ｎが４５ｄ
Ｂ以上得られる記゛−＼ 録パワー領域は５．０ｍＷから６．５ｍＷと狭い範囲で
あった。
８０人厚のｓｅの光ディスクでは、記録パワー５．０
ｍＷにおいてＣ／Ｎは４８ｄＢであり、Ｃ／Ｎが４５ｄ
Ｂ以上得られる記゛−＼ 録パワー領域は５．０ｍＷから６．５ｍＷと狭い範囲で
あった。
次（、本実施例のディスクを７０’０８０％の高温高湿
度の環境に６０時間保存した後、上記特性を調べたが変
化はなく、耐候性に優れた光記録媒体であることが確認
された。
度の環境に６０時間保存した後、上記特性を調べたが変
化はなく、耐候性に優れた光記録媒体であることが確認
された。
実施例２
実施例１と同様にして、８０人へ属Ｓｅ、 ２２５人
厚へ属ｅ、８八属のＰｂ、 ８０人へ属Ｓｅを順次積層
して光記録媒体を作製した。実施例１と同様の記録再生
実験により、５．５ｍＷの記録パワーにおいてＣＡＭは
５０ｄＢと良好であり、４５ｄＢ以上のＣＡＭを１ｎら
れる記録パワー領域は５．０ｍＷから７．５ｍＷと広範
囲であった。
厚へ属ｅ、８八属のＰｂ、 ８０人へ属Ｓｅを順次積層
して光記録媒体を作製した。実施例１と同様の記録再生
実験により、５．５ｍＷの記録パワーにおいてＣＡＭは
５０ｄＢと良好であり、４５ｄＢ以上のＣＡＭを１ｎら
れる記録パワー領域は５．０ｍＷから７．５ｍＷと広範
囲であった。
実施例３
実施例１と同様にして、２０人へ属Ｓｅ、 ２４０人
厚へ属ｅ、 ４八属のＰｂ、 ２０人へ属Ｓｅを順次積
−して光記録媒体を作製した。実施例１と同様の記録再
生実験により、５，５畦の配録パワーにおいてＣＡＭは
４９ｄＢと良好であり、４５ｄＢ以上のＣＡＭを得られ
る記録パワー領域は５．０ｍＷから７．５ｍ−と広範囲
であった。
厚へ属ｅ、 ４八属のＰｂ、 ２０人へ属Ｓｅを順次積
−して光記録媒体を作製した。実施例１と同様の記録再
生実験により、５，５畦の配録パワーにおいてＣＡＭは
４９ｄＢと良好であり、４５ｄＢ以上のＣＡＭを得られ
る記録パワー領域は５．０ｍＷから７．５ｍ−と広範囲
であった。
［発明の効果コ
以上説明したように本発明の光記録媒体は量産性および
耐候性に優れているばかりでなく、高感度で信号品質の
良好なものである。
耐候性に優れているばかりでなく、高感度で信号品質の
良好なものである。
第１図は本発明の光記録媒体の一実施例を示す部分断面
図、第２図は従来の光記録媒体を示す部分断面図である
。 １・・・基板 ２．５・・・セレン層 ３・・・テルル層 ４・・・鉛層 ２１・・・記録層 ２２・・・ピッド ア゛＼
図、第２図は従来の光記録媒体を示す部分断面図である
。 １・・・基板 ２．５・・・セレン層 ３・・・テルル層 ４・・・鉛層 ２１・・・記録層 ２２・・・ピッド ア゛＼
Claims (1)
- （１）基板と、レーザ光によつて一部が選択的に除去さ
れて情報を記録する前記基板上に形成された記録層とか
らなる光記録媒体において、前記記録層がセレン層、テ
ルル層、鉛層、セレン層を順次基板上に積層したもので
あることを特徴とする光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61122684A JPS62278092A (ja) | 1986-05-27 | 1986-05-27 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61122684A JPS62278092A (ja) | 1986-05-27 | 1986-05-27 | 光記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62278092A true JPS62278092A (ja) | 1987-12-02 |
| JPH051751B2 JPH051751B2 (ja) | 1993-01-08 |
Family
ID=14842066
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61122684A Granted JPS62278092A (ja) | 1986-05-27 | 1986-05-27 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62278092A (ja) |
-
1986
- 1986-05-27 JP JP61122684A patent/JPS62278092A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH051751B2 (ja) | 1993-01-08 |
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