JPS62236664A - 磁気デイスク用基盤のテクスチヤリング方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は磁気ディスク！ｊ装置の磁気ディスク用基盤の
加工法に関するものであり、特に磁気ディスク用基盤の
テスクチャリング法に係るものである。

［従来の技術］ 磁気ディスク装置は大容量化、高密度化の趨勢にあり、
磁性媒体は従来の塗布型媒体からスパッタリングやメッ
キ法によるｇ膜媒体へと移行しつつある。

そして、高密度化に伴ない磁気ディスクと磁気ヘッドと
の間隔、即ち浮上量は益々小さくなってきており、最近
では０．３ｐｍ以下になっている。

このようにヘッド浮上量が著しく小さいため、ディスク
面に突起があるとヘッドクラッシュを招き、ディスク表
面を傷つけることがある。

また、ヘッドクラッシュに至らないような微小な突起で
も情報の読み書きの際の種々のエラーの原因になりやす
い。

一方、磁気ディスク装置は大容量化、高密度化と並行し
て小型化も進められており、スピンドル回転用のモータ
ー等も益々小さくなっている。このため、モーターのト
ルクが不足し、ヘッドがディスク面に固着したまま浮上
しないという現象が生じやすい。

このヘッドの固着をヘッドと基盤表面の接触を小さくす
ることにより防止する手段として、所謂「テクスチャリ
ング法」が採用されている。この「テクスチャリング法
」とは、磁気ディスクの基盤表面に微細な溝を形成する
ものである。

一般にテクスチャリングの加工方法としては、回転中の
磁気ディスク基盤表面に平均砥粒径が１〜１５ｐｍのラ
ッピングテープを加圧ローラー等で押し付ける方法（以
下「テープラッピング」という）が主として用いられて
いる。

［発明が解決しようとする問題点］ しかしながら、このような方法でテクスチャリングを施
した場合には、基盤表面にＲｍａｘＯ・０８〜０・５ｇ
ｍ程度の突起が存在し、前記の突起に起因した問題が生
じる。

そこで、本発明においては従来のテープラッピング加工
におけるこのような問題を解消し、突起のないテクスチ
ャリング面を得ることを目的として創作された。

［問題点を解決するための手段］ 本発明は、磁気ディスク用基盤を回転させながらラフピ
ングテープを加圧ローラーで基盤面に押し付ける第一工
程と、該第一工程で使用したラッピングテープの平均砥
粒径より小さな砥粒を用いて研磨する第二工程とからな
ることを特徴とする磁気ディスク用基盤のテクスチャリ
ング方法に係る。

尚、第二工程で使用する砥粒の平均径は０．６ＪＬｍよ
り小さいこと、四にはその砥粒がコロイダルシリカ（シ
リカゾル）であることが望ましい。

［作用］ 本発明は次の第一工程と第二工程とに分かれる。

第一工程は通常のテープラッピングである。

この工程で使用されるラッピングテープの平均砥粒径は
最終的に必要とされる磁気ディスクの粗さにより選択さ
れるものであるが、一般には１〜１５Ｂｍのものが採用
される。同様にテープラッピングの際に使用される潤滑
液は一般の研削用の潤滑液が用いられる。その他の基盤
回転数や研磨時間も一般的な条件で可能である。

また、この第１工程を２回施すこと、例えば、１回目に
平均砥粒１０ｇｍのラフピングテープで処理し、その後
２回目に３ｐ、ｍのラッピングテープで処理することを
行なっても何らさしつかえはない。

第二工程は第一工程で使用したラッピングテープの平均
砥粒径より小さな砥粒を用いて研磨する工程である。

即ち、第一工程で発生した基盤表面の突起を除去する役
割を果たす工程である。

従って、この工程で使用される砥粒の平均砥粒径は０．
５４ｍより小さいことが望ましい。

何故なら、平均砥粒径が０．６１Ｌｍ以上の砥粒を用い
た場合には第二工程の砥粒によって逆に突起が発生した
り、またはテクスチャリングの主目的である微細な溝（
第一工程で形成されている）までも除去してしまうこと
になるからである。このことから、最適の平均砥粒径は
０．３ルｍ以下であるといえる。

本発明はこの第二工程が付加されている点に従来技術と
異なる特徴があるが、第二工程の具体的方法としては次
のような方法が挙げられる。

■第一工程と同様の装こ、同様の潤滑剤を用いる方法で
ある。即ち、テープラッピング法において平均砥粒径が
０．５１Ｌｍより小さいラフピングテープを用いて短時
間加工する方法である。

■第一工程と同様の装置を用い、テープ状のクロス、ポ
リウレタン、人工皮革、若しくはポリエステル、ポリア
ミド、ポリアクリルニトリル等のテープのような所謂ク
リーニングテープをラフピングテープのかわりに用い、
水等に平均砥粒径が０．５４ｍより小さい砥粒を懸濁さ
せた研磨液を用いる方法である。

当然にこの研磨液の中には界面活性剤等を添加してもよ
い。

■加工装置として所謂研磨機を用い、ドーナツ状のクロ
ス、ポリウレタン、人口皮革等をポリシャーとして用い
、■と同様の研磨液を用いて加工する方法である。

ここで、■及び■の方法においては加圧ローラーをディ
スク基盤面と平行に振幅させてもよい。

以上の方法を実現するに適した装置の概略構造は、第１
図から第３図に示される。

第１図は丘記の■及び■の方法に適した装置であり、１
はディスク基盤、２はゴムロール。

３はテープで、同装置においてはテープ３をゴムロール
２で回転するディスク基盤１に押し付けながら研磨する
。

第２図及び第３図は上記の■の方法に適した装置を示す
。

第２図において、４はディスク基盤、５はポリシャー、
６は保持板であり、同装置においては保持板６に保持さ
れているポリシャー５の間に回転するディスク２Ｓｉ盤
４を挟装して研磨する。

第３図において、７はディスク基盤、８はキャリヤー、
９はポリシャー、１０は保持板であり、同装置において
は保持板１０で保持されているポリシャー９の間にディ
スク基盤７を装したキャリヤー８を挟装し、保持板１０
及びキャリヤー８を回転させながら研磨する。

本発明の第一工程及び第二工程で用いられる砥粒の材質
としては、アルミナ、シリコンカーバイト、酸化クロム
、ダイヤモンド等の通常研磨に用いられる材質なら何れ
でもよいが、第二工程の■及び■の方法においてはこれ
らの他にコロイダルシリカ（シリカゾル）が加えられる
こともよい。

コロイダルシリカ（シリカゾル）は突起の除去性が優れ
ているだけでなく、砥粒の押し込みがなく、また洗浄性
にも優れており、このことから第二工程後の洗浄が容易
であり、洗浄後の基盤表面にも磁気ディスクの欠陥の原
因になる押し込み等の砥粒の残存が極めて少ないからで
ある。

［実施例］ 外径９５　ｍ　ｍ、内径２５ｍｍ、厚さ１．２７ｍｍの
孔あき円板にＮ１−Ｐメッキを施した後、その表面をＲ
ｍａｘｏ　、０３ＩＬｍ以下に鏡面研磨したものに第１
表に示す条件でテクスチャリング加工を施した。

この結果を第１表における表面状況の欄に示すが、第一
工程後に第二工程を施した本発明の実施例に係るものに
ついては何れも表面に突起が存在しないのに対し、第一
工程のみの比較例（従来法）では何れも０．１−０．５
１Ｌｍｃ７）突起が多数存在した。

また、第４図に第１表の実施例２の、第５図に第１表の
比較例２の条件で得た基盤の表面粗さのチャートを示す
が、第４図においては突起もなく均一なパターンを示す
のに対し、第５図では多数の突起が存在することがわか
る。

［発明の効果］ 以上のように本発明は、磁気ディスク用基盤を回転させ
ながらラッピングテープを加圧ローラーで基盤面に押し
付ける第一工程（従来法）を施した後に、更に該第一工
程で使用したラフピングテープの平均砥粒径より小さな
砥粒を用いて研磨するという第二工程を施す方法により
、磁気ディスク基盤の表面の微細な溝を除去することな
く第一工程で生じた突起を除去することを可能とした。

これにより、高密度磁気ディスク基盤に適した良好な基
盤面を形成する方法を与える。

【図面の簡単な説明】

第１図から第３図は本発明の方法の実施に適用される装
置の概略構造図、第４図及び第５図は２！盤表面の表面
粗さを示すチャート図である。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）磁気ディスク用基盤を回転させながらラッピング
   テープを加圧ローラーで基盤面に押し付ける第一工程と
   、該第一工程で使用したラッピングテープの平均砥粒径
   より小さな砥粒を用いて研磨する第二工程とからなるこ
   とを特徴とする磁気ディスク用基盤のテクスチャリング
   方法。
2. （２）第二工程で使用する砥粒の平均径が０．６μｍよ
   り小さいものである特許請求の範囲第（１）項記載の磁
   気ディスク用基盤のテクスチャリング方法。
3. （３）第二工程で使用する砥粒がコロイダルシリカ（シ
   リカゾル）である特許請求の範囲第（１）項記載の磁気
   ディスク用基盤のテクスチャリング方法。