JPS62252009A - 透明導電膜 - Google Patents
透明導電膜Info
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- JPS62252009A JPS62252009A JP9463586A JP9463586A JPS62252009A JP S62252009 A JPS62252009 A JP S62252009A JP 9463586 A JP9463586 A JP 9463586A JP 9463586 A JP9463586 A JP 9463586A JP S62252009 A JPS62252009 A JP S62252009A
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- transparent conductive
- conductive film
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- film
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- Pending
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 8
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 29
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 9
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 7
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
- Solid-Phase Diffusion Into Metallic Material Surfaces (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は５例えば液晶ディスプレイ装置等に用いられる
透明導電膜に関するものである。
透明導電膜に関するものである。
従来より、液晶ディスプレイ装置等の電子ディスプレイ
装置においては、透明導電膜、特に高透過率及び低比抵
抗、さらには加工性に優れた特性を発揮すると言われる
ＩＴＯ膜（Ｉｒ＋２０３ ＋ ５ｎＯｚ＞からなる透明
導電膜が利用されている。 そして、このＩＴＯ膜は通常真空蒸着法又はスパッタ法
等の薄膜形成技術によって成膜されているのであるが、
これらの方法によって得られるＩＴＯｐＡはその組成が
酸化不足となっていて、この為透過率及び比抵抗の特性
が低下している。 そこで、従来では、かかる欠点を除去する為。 すなわちＩＴＯ＠の酸化状態を解消する為、通常５００
℃程度で大気中熱処理を施し、特性の改善を図っている
。 ところが、近年の電子ディスプレイ装置においては、例
えば有機カラーフィルターのような基材上に、ｒＴＯＷ
Ｘのような透明導ｉｓを成膜する必要が多くなって来て
いるが、このような有機カラーフィルターにあっては耐
熱性が乏しいものであり、従って上述のような５００℃
程度のような高温での大気中熱処理によってＩＴＯ膜の
特性向上を得ることは出来ない欠点がある。
装置においては、透明導電膜、特に高透過率及び低比抵
抗、さらには加工性に優れた特性を発揮すると言われる
ＩＴＯ膜（Ｉｒ＋２０３ ＋ ５ｎＯｚ＞からなる透明
導電膜が利用されている。 そして、このＩＴＯ膜は通常真空蒸着法又はスパッタ法
等の薄膜形成技術によって成膜されているのであるが、
これらの方法によって得られるＩＴＯｐＡはその組成が
酸化不足となっていて、この為透過率及び比抵抗の特性
が低下している。 そこで、従来では、かかる欠点を除去する為。 すなわちＩＴＯ＠の酸化状態を解消する為、通常５００
℃程度で大気中熱処理を施し、特性の改善を図っている
。 ところが、近年の電子ディスプレイ装置においては、例
えば有機カラーフィルターのような基材上に、ｒＴＯＷ
Ｘのような透明導ｉｓを成膜する必要が多くなって来て
いるが、このような有機カラーフィルターにあっては耐
熱性が乏しいものであり、従って上述のような５００℃
程度のような高温での大気中熱処理によってＩＴＯ膜の
特性向上を得ることは出来ない欠点がある。
【問題点を解決する為の手段１
本発明は前記の問題点に鑑みてなされたものであり、基
材上に成膜した透明導電膜をプラズマ酸゛化処理して得
た透明導電膜を提供するものである。 【実施例］ 第１図は本発明になる透明導電膜製造に用いられる低温
プラズマリアクターの概略構成図、第２図はプラズマ酸
化処理による透明導電膜の比抵抗及び透過率の特性向上
を示すグラフである。 第１図中、１は低温プラズマリアクターの反応室、２．
３は平行平板型の２枚の平板電極、４は反応室１内を高
真空に排Ｚするろの真空ポンプ、５は平板電極２と３と
の間に１３．５６旧１ｚの高周波電力を印加して反応室
１内にプラズマを発生させる為の高周波電源、６は反応
室１内に反応ガスである酸素を導入する為のリークバル
ブである。 そして、例えば有機カラーフィルター等のように耐熱性
に乏しい基材７上にスパッタ等の薄膜形成技術によって
成膜されたＩＴＯ膜８を電極２上に配し、反応室１内を
１（１’Ｔｏｒｒ程度の高真空に排気し、次いで酸素ガ
スがＩ Ｔｏｒｒの分圧を示す程度リークバルブ６を用
いて酸素ガスを反応室１内に導入し、この状態で高周波
電源５により高周波電力密度が約０．２５１４／ｃｍｉ
程度となるよう高周波電力を平板電極２．３間に印加す
る。 そうすると、反応室１内には酸素ガスのプラズマが発生
し、励起状態となった酸素ラディカルとＩＴＯ膜８とが
反応し、ＩＴＯ膜８の酸化処理が行なわれて、ＩＴＯ膜
の特性が改善されるようになる。 因に、プラズマ処理時間によるＩＴＯ膜の比抵抗及び透
３ａｆの特性を示すと、第２（２！のグラフ中、実線（
比抵抗）及び点線〈透過率）で表わす通りであり、約４
〜５分間のプラズマ処理によってＩＴ○膜の比抵抗及び
透過率の特性は大幅に向上している。 又、このプラズマ処理に際して、約Ｉ Ｔｏｒｒ程度の
圧力で発生するプラズマは低温プラズマと呼ばれるもの
であり、プラズマ中の電子温度は数千度と高いものの、
ガス温度は数百度程度であり、従ってＩＴＯ膜８が設け
られている基材７の温度はこのガス温度によって影テさ
れるにすぎないから、この基材７は比較的低い温度にさ
らされるにすぎず、耐熱性に乏しくても充分に耐え得る
のである。 尚、さらに低温を望むような場合にあっては、ＩＴＯ膜
８が設けられている基材７を設置している平板電極２を
水冷しておけば良く、例えば１００℃以下に基材７を保
持することもできる。 又、このプラズマ処理によってＩＴＯＭ及び基材がダメ
ージを受けることもなかったものである。 尚、上記実施例ではＩＴＯ膜の場合で説明したが、５ｂ
２０．膜、Ｃｄ０Ｉ模、Ｃｄ ２ Ｓ ｎ Ｏ＋ ＩＩ
Ｈ等でも同様である。 【効果】 本発明に係る透明導電膜は、基材上に成膜した透明導電
膜をプラズマ酸化処理して得たものであるから、酸化不
足に起因する比抵抗や透過率の特性の大幅な改善が図ら
れ、しかもプラズマ酸化処理は比較的低温でなさｔびる
から、透明導電膜が成膜されている基材が耐熱性の乏し
いものであっても阿等の損海がないものである等の特長
を有する。
材上に成膜した透明導電膜をプラズマ酸゛化処理して得
た透明導電膜を提供するものである。 【実施例］ 第１図は本発明になる透明導電膜製造に用いられる低温
プラズマリアクターの概略構成図、第２図はプラズマ酸
化処理による透明導電膜の比抵抗及び透過率の特性向上
を示すグラフである。 第１図中、１は低温プラズマリアクターの反応室、２．
３は平行平板型の２枚の平板電極、４は反応室１内を高
真空に排Ｚするろの真空ポンプ、５は平板電極２と３と
の間に１３．５６旧１ｚの高周波電力を印加して反応室
１内にプラズマを発生させる為の高周波電源、６は反応
室１内に反応ガスである酸素を導入する為のリークバル
ブである。 そして、例えば有機カラーフィルター等のように耐熱性
に乏しい基材７上にスパッタ等の薄膜形成技術によって
成膜されたＩＴＯ膜８を電極２上に配し、反応室１内を
１（１’Ｔｏｒｒ程度の高真空に排気し、次いで酸素ガ
スがＩ Ｔｏｒｒの分圧を示す程度リークバルブ６を用
いて酸素ガスを反応室１内に導入し、この状態で高周波
電源５により高周波電力密度が約０．２５１４／ｃｍｉ
程度となるよう高周波電力を平板電極２．３間に印加す
る。 そうすると、反応室１内には酸素ガスのプラズマが発生
し、励起状態となった酸素ラディカルとＩＴＯ膜８とが
反応し、ＩＴＯ膜８の酸化処理が行なわれて、ＩＴＯ膜
の特性が改善されるようになる。 因に、プラズマ処理時間によるＩＴＯ膜の比抵抗及び透
３ａｆの特性を示すと、第２（２！のグラフ中、実線（
比抵抗）及び点線〈透過率）で表わす通りであり、約４
〜５分間のプラズマ処理によってＩＴ○膜の比抵抗及び
透過率の特性は大幅に向上している。 又、このプラズマ処理に際して、約Ｉ Ｔｏｒｒ程度の
圧力で発生するプラズマは低温プラズマと呼ばれるもの
であり、プラズマ中の電子温度は数千度と高いものの、
ガス温度は数百度程度であり、従ってＩＴＯ膜８が設け
られている基材７の温度はこのガス温度によって影テさ
れるにすぎないから、この基材７は比較的低い温度にさ
らされるにすぎず、耐熱性に乏しくても充分に耐え得る
のである。 尚、さらに低温を望むような場合にあっては、ＩＴＯ膜
８が設けられている基材７を設置している平板電極２を
水冷しておけば良く、例えば１００℃以下に基材７を保
持することもできる。 又、このプラズマ処理によってＩＴＯＭ及び基材がダメ
ージを受けることもなかったものである。 尚、上記実施例ではＩＴＯ膜の場合で説明したが、５ｂ
２０．膜、Ｃｄ０Ｉ模、Ｃｄ ２ Ｓ ｎ Ｏ＋ ＩＩ
Ｈ等でも同様である。 【効果】 本発明に係る透明導電膜は、基材上に成膜した透明導電
膜をプラズマ酸化処理して得たものであるから、酸化不
足に起因する比抵抗や透過率の特性の大幅な改善が図ら
れ、しかもプラズマ酸化処理は比較的低温でなさｔびる
から、透明導電膜が成膜されている基材が耐熱性の乏し
いものであっても阿等の損海がないものである等の特長
を有する。
第１図は本発明に係る透明導電膜を得る為の低温プラズ
マリアクターの概略構成図、第２図はプラズマ酸化処理
による透明導電膜の比抵抗及び透過率の特性向上を示す
グラフである。 １・・・反応室、２．３・・・平板電極、４・・・真空
ポンプ、５・・・高周波電源、６・・・リークバルブ、
７・・・基材、８・・・ＩＴＯ膜（透明導電膜）。
マリアクターの概略構成図、第２図はプラズマ酸化処理
による透明導電膜の比抵抗及び透過率の特性向上を示す
グラフである。 １・・・反応室、２．３・・・平板電極、４・・・真空
ポンプ、５・・・高周波電源、６・・・リークバルブ、
７・・・基材、８・・・ＩＴＯ膜（透明導電膜）。
Claims (1)
- 基材上に成膜した透明導電膜をプラズマ酸化処理して得
たことを特徴とする透明導電膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9463586A JPS62252009A (ja) | 1986-04-25 | 1986-04-25 | 透明導電膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9463586A JPS62252009A (ja) | 1986-04-25 | 1986-04-25 | 透明導電膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62252009A true JPS62252009A (ja) | 1987-11-02 |
Family
ID=14115726
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9463586A Pending JPS62252009A (ja) | 1986-04-25 | 1986-04-25 | 透明導電膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62252009A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04301063A (ja) * | 1991-03-27 | 1992-10-23 | Sanyo Electric Co Ltd | 透明導電膜の製造方法 |
-
1986
- 1986-04-25 JP JP9463586A patent/JPS62252009A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04301063A (ja) * | 1991-03-27 | 1992-10-23 | Sanyo Electric Co Ltd | 透明導電膜の製造方法 |
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