JPS622627A - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路Info
- Publication number
- JPS622627A JPS622627A JP60142122A JP14212285A JPS622627A JP S622627 A JPS622627 A JP S622627A JP 60142122 A JP60142122 A JP 60142122A JP 14212285 A JP14212285 A JP 14212285A JP S622627 A JPS622627 A JP S622627A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- frame terminal
- circuits
- terminal
- pad
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W44/00—Electrical arrangements for controlling or matching impedance
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07551—Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/547—Dispositions of multiple bond wires
- H10W72/5473—Dispositions of multiple bond wires multiple bond wires connected to a common bond pad
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/931—Shapes of bond pads
- H10W72/932—Plan-view shape, i.e. in top view
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は半導体集積回路に関する。
半導体集積回路(以下、ICと称する)のチッグ全・ゼ
ッケーノに実装する際、チップ上のパッドとパッケーゾ
のフレーム端子をボンディングワイヤを用いて接続し、
チップ上の回路とフレーム端子との間を電気的に接続し
ている。
ッケーノに実装する際、チップ上のパッドとパッケーゾ
のフレーム端子をボンディングワイヤを用いて接続し、
チップ上の回路とフレーム端子との間を電気的に接続し
ている。
この様子を第4図に示す。第4図に示すICチップ11
上のパッド12と工C/母ツケーソのフレーム端子13
との間の等何回路は、第5図に示すように、ノやラド1
2とフレーム端子13との間に、インピーダンスRa、
s ”w t ”c1’を百列罠挿入したものと考える
ことができる。ここで、Rcl、Rc、′はそれぞれデ
ンディングワイヤ14とノ譬ツド12及びフレーム端子
13との接触インピーダンスである。また、RWはデン
ディングワイヤ14のインピーダンスである。通常、ビ
ンディングワイヤ14としては、直径数+μm。
上のパッド12と工C/母ツケーソのフレーム端子13
との間の等何回路は、第5図に示すように、ノやラド1
2とフレーム端子13との間に、インピーダンスRa、
s ”w t ”c1’を百列罠挿入したものと考える
ことができる。ここで、Rcl、Rc、′はそれぞれデ
ンディングワイヤ14とノ譬ツド12及びフレーム端子
13との接触インピーダンスである。また、RWはデン
ディングワイヤ14のインピーダンスである。通常、ビ
ンディングワイヤ14としては、直径数+μm。
長さ数畷の金またはアルミニウムが用いられる。
このとき、接触インピーダンスB04. R,、’)!
a+〜数百mΩとなシ、またデンディングワイヤ14の
インピーダンスRWも同様に数十〜数百mΩの値をもつ
。したがって、・9ツド12と端子13間のインピーダ
ンスはloomΩ〜300mΩ程度となる。
a+〜数百mΩとなシ、またデンディングワイヤ14の
インピーダンスRWも同様に数十〜数百mΩの値をもつ
。したがって、・9ツド12と端子13間のインピーダ
ンスはloomΩ〜300mΩ程度となる。
ところで、ICにおいては、・ヤッケーノサイズの制約
等の点から、一般に1つのフレーム端子J3をICチッ
プ上の複数の回路で共用するようになっている。
等の点から、一般に1つのフレーム端子J3をICチッ
プ上の複数の回路で共用するようになっている。
1つのフレーム端子13を複数の回路で共用する際の従
来構成を第6図に示す0図示の如く、従来は、回路l1
回路2で共用される/4’ ラド12を設け、このパッ
ド12t″ボンデイングワイヤ14を介してフレーム端
子13に接続することによシ、回路1.回路2をフレー
ム端子13に接続するものである。
来構成を第6図に示す0図示の如く、従来は、回路l1
回路2で共用される/4’ ラド12を設け、このパッ
ド12t″ボンデイングワイヤ14を介してフレーム端
子13に接続することによシ、回路1.回路2をフレー
ム端子13に接続するものである。
しかしながら、上記の如く、複数の回路で共用されるパ
ッド12を介してこれら回路を1つのフレーム端子13
PC接続する構成の場合、次のような問題がある。
ッド12を介してこれら回路を1つのフレーム端子13
PC接続する構成の場合、次のような問題がある。
以下、この問題を説明する。第6図の場合、ノクツド1
2とフレーム端子13との間のインピーダンス(Rc、
+RW+aC4’)41各回路11回路2の共通インピ
ーダンスとなる。このインピーダンス(Rc、+Rw+
Rc、′)は、上記の如く、100mΩ〜300mΩと
無視できない大きさをもつ。したがって、この共通イン
ビー、ダンスを介して各回路1、回路2間に信号の干渉
が生じ、回路動作が不安定となる。
2とフレーム端子13との間のインピーダンス(Rc、
+RW+aC4’)41各回路11回路2の共通インピ
ーダンスとなる。このインピーダンス(Rc、+Rw+
Rc、′)は、上記の如く、100mΩ〜300mΩと
無視できない大きさをもつ。したがって、この共通イン
ビー、ダンスを介して各回路1、回路2間に信号の干渉
が生じ、回路動作が不安定となる。
例えば、第6図において、回路l1回路2をそれぞれ高
利得増幅回路、高電力出力回路とし、フレーム端子13
を′JL源用の端子とした場合、高電力出力回路2の大
きな信号′ll!流と共通インピーダンス(Rc、+R
W十Rc、′)によって発生する電圧が高利得増幅回路
1の電源電圧をゆさぶり。
利得増幅回路、高電力出力回路とし、フレーム端子13
を′JL源用の端子とした場合、高電力出力回路2の大
きな信号′ll!流と共通インピーダンス(Rc、+R
W十Rc、′)によって発生する電圧が高利得増幅回路
1の電源電圧をゆさぶり。
この回路1の動作を不安定にする。
このように、1つのフレーム端子13を複数の回路で共
用する場合の問題は、電源供給用のフレーム端子13以
外のフレーム端子13′5r:共用する場合も生じる。
用する場合の問題は、電源供給用のフレーム端子13以
外のフレーム端子13′5r:共用する場合も生じる。
この発明は上記の事情に対処すべくなされたもので、1
つのフレーム端子を複数の回路で共用する場合でありて
も、7レーム端子と・ゼットとの間のインピーダンスに
起因する各回路間の干渉が生じることがないICを提供
することを目的とする。
つのフレーム端子を複数の回路で共用する場合でありて
も、7レーム端子と・ゼットとの間のインピーダンスに
起因する各回路間の干渉が生じることがないICを提供
することを目的とする。
この発明は、ICCタッグ上各回路に専用のパッドを設
け、各パッドを複数の回路で兼用されるフレーム端子に
ざンディングワイヤで接続することにより、フレーム端
子と各回路間に共通インピーダンスが発生しないようK
したものである。
け、各パッドを複数の回路で兼用されるフレーム端子に
ざンディングワイヤで接続することにより、フレーム端
子と各回路間に共通インピーダンスが発生しないようK
したものである。
以下、図面t−参照してこの発明の実施例を詳細に説明
する。
する。
第1図は一実施例の構成を示す図である。図にふ・いて
、点線で囲んだ部分がICチップ21であり、その外側
がパッケーゾのフレームである。この例では、ICチッ
プ21上の複数の回路として、回路12回路2の2つの
回路を示す。
、点線で囲んだ部分がICチップ21であり、その外側
がパッケーゾのフレームである。この例では、ICチッ
プ21上の複数の回路として、回路12回路2の2つの
回路を示す。
また、フレーム端子としては電源用と接地用の2つの端
子22.23を示す。
子22.23を示す。
回路11回路2はそれぞれ専用の電源用パッド241,
242及び接地用パッド243゜244を有する。′各
電源用パッド24 J 、 242と電源用フレーム端
子22はそれぞれビンディングワイヤ251,252で
接続されている。
242及び接地用パッド243゜244を有する。′各
電源用パッド24 J 、 242と電源用フレーム端
子22はそれぞれビンディングワイヤ251,252で
接続されている。
同様に、各接地用パッド243,244と接地用フレー
ム端子23はそれぞれビンディングワイヤ253,25
4で接続されている。
ム端子23はそれぞれビンディングワイヤ253,25
4で接続されている。
第1図の各・9ツドと各フレーム端子間の等何回路を第
2図に示す。第2図において、Rcnはノクツド24n
とgンデングワイヤ25mと(D接触インピーダンスで
あj’ 、R(n’はビンディングワイヤ25nとフレ
ーム端子22.;23との接触インピーダンスであり5
Rynはボンディングワイヤ25nのインピーダンスで
ある。ただし、n=1,2.3s4である。
2図に示す。第2図において、Rcnはノクツド24n
とgンデングワイヤ25mと(D接触インピーダンスで
あj’ 、R(n’はビンディングワイヤ25nとフレ
ーム端子22.;23との接触インピーダンスであり5
Rynはボンディングワイヤ25nのインピーダンスで
ある。ただし、n=1,2.3s4である。
第2図から明らかなように、回路1と回路2との間には
、共通インピーダンスは存在しない。
、共通インピーダンスは存在しない。
したがって、この実施例によれば回路1と回路 2
との間に信号の干渉が発生することがない。
との間に信号の干渉が発生することがない。
第3図はこの発明の他の実施例の構成を示す図である。
第3図において、ICチップ26上に構成される回路は
、信号処理回路27とその出力回路28である。出力回
路28はエミッタホロワトランジスタQ1と定電流源I
IKよって構成されている。この出力回路Q、の出力は
、IC外部の負荷2に供給されるようKなっている。
、信号処理回路27とその出力回路28である。出力回
路28はエミッタホロワトランジスタQ1と定電流源I
IKよって構成されている。この出力回路Q、の出力は
、IC外部の負荷2に供給されるようKなっている。
上記回路構成においては、トランゾスタQ1のコレクタ
に信号電流が流れる。したがりて、信号処理回路27、
出力回路28それぞれに独立に専用の電源用・母ツド2
91,292が設けられる。そして、これら・!ラド2
91 、:192はそれぞれRンディングワイヤ301
.302を介して電源用フレーム端子31に接続されて
いる。
に信号電流が流れる。したがりて、信号処理回路27、
出力回路28それぞれに独立に専用の電源用・母ツド2
91,292が設けられる。そして、これら・!ラド2
91 、:192はそれぞれRンディングワイヤ301
.302を介して電源用フレーム端子31に接続されて
いる。
一万、上記信号1itLは、トランゾスタQ1のエミッ
タより出力用のパッド32.メンディングワイヤ33.
フレーム端子34t″介して負荷ZK流れるので、接地
側には定電流しか流れない。したがって、接地用のパッ
ド35は出力回路28と信号処理回路27で共用するこ
とができる。この/4’ツド35はメンディングワイヤ
36を介して接地用フレーム端子37に接続されている
。
タより出力用のパッド32.メンディングワイヤ33.
フレーム端子34t″介して負荷ZK流れるので、接地
側には定電流しか流れない。したがって、接地用のパッ
ド35は出力回路28と信号処理回路27で共用するこ
とができる。この/4’ツド35はメンディングワイヤ
36を介して接地用フレーム端子37に接続されている
。
以上詳述したようにこの発明は、パッドとフレーム端子
との間のインピーダンスが共Mインピーダンスとして問
題になるような場合は、各回路に専用のパッドを設け、
それぞれ?ンディングワイヤを介して共通のクレーム端
子に接続するようにしたものである。したがって、この
発明によれば、各回路とこれらに共用されるフレーム端
子との間に共通インピーダンスが発生するのを防ぐこと
ができる。例えば、電源と接地間に大きな信号電流が流
れる回路と他の回路を同一チップ上Kg成した場合にも
、電源及び接地用のフレーム端子をそれぞれ1個として
も、回路間の干渉は起こらず、安定な動作が得られる。
との間のインピーダンスが共Mインピーダンスとして問
題になるような場合は、各回路に専用のパッドを設け、
それぞれ?ンディングワイヤを介して共通のクレーム端
子に接続するようにしたものである。したがって、この
発明によれば、各回路とこれらに共用されるフレーム端
子との間に共通インピーダンスが発生するのを防ぐこと
ができる。例えば、電源と接地間に大きな信号電流が流
れる回路と他の回路を同一チップ上Kg成した場合にも
、電源及び接地用のフレーム端子をそれぞれ1個として
も、回路間の干渉は起こらず、安定な動作が得られる。
第1図はこの発明の一実施例の構成を示す図、第2図は
第1図の等価回路図、第3図はこの発明の他の実施例の
構成を示す図、第4図はパッドとフレーム端子の接続構
成を示す図、第5図は第4図の等価回路図、第6図は1
つのフレーム端子を複数の回路で共用する従来構成を示
す図である。 21.26・・・ICチップ、241〜244゜291
.292…パツド、22,23.31・・・フレーム
端子、251〜254 、 J 01 、302・・・
メンディングワイヤ。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第1図 第2図 第3図 〉 第4囚 第5図 第6図
第1図の等価回路図、第3図はこの発明の他の実施例の
構成を示す図、第4図はパッドとフレーム端子の接続構
成を示す図、第5図は第4図の等価回路図、第6図は1
つのフレーム端子を複数の回路で共用する従来構成を示
す図である。 21.26・・・ICチップ、241〜244゜291
.292…パツド、22,23.31・・・フレーム
端子、251〜254 、 J 01 、302・・・
メンディングワイヤ。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第1図 第2図 第3図 〉 第4囚 第5図 第6図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体集積回路チップ上に構成された複数の回路と、 この複数の回路で共用されるフレーム端子と、上記複数
の回路それぞれに独立に設けられ、ボンデングワイヤを
介して上記フレーム端子に接続されるパッドとを具備し
た半導体集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60142122A JPS622627A (ja) | 1985-06-28 | 1985-06-28 | 半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60142122A JPS622627A (ja) | 1985-06-28 | 1985-06-28 | 半導体集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS622627A true JPS622627A (ja) | 1987-01-08 |
Family
ID=15307904
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60142122A Pending JPS622627A (ja) | 1985-06-28 | 1985-06-28 | 半導体集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS622627A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6362336A (ja) * | 1986-09-03 | 1988-03-18 | Nec Corp | 半導体集積回路装置 |
| JPH06346222A (ja) * | 1993-04-23 | 1994-12-20 | Degussa Ag | 硬質かつ耐引掻性の、硼素を含有する表面層を備えた白金およびパラジウムからなる物品および硬化方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4950878A (ja) * | 1972-09-18 | 1974-05-17 |
-
1985
- 1985-06-28 JP JP60142122A patent/JPS622627A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4950878A (ja) * | 1972-09-18 | 1974-05-17 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6362336A (ja) * | 1986-09-03 | 1988-03-18 | Nec Corp | 半導体集積回路装置 |
| JPH06346222A (ja) * | 1993-04-23 | 1994-12-20 | Degussa Ag | 硬質かつ耐引掻性の、硼素を含有する表面層を備えた白金およびパラジウムからなる物品および硬化方法 |
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