JPS622653A - イメ−ジセンサの出力補正方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 イメージセンサの出力電圧を取り出す為の抵抗体をセン
サ基板内に薄膜等により形成し、これをレーザトリミン
グすることにより抵抗体の微１）１）＆１）整を可能に
し、出力電圧のばらつきを無くした。

〔産業上の利用分野〕

本発明はイメージセンサに係わり、特にイメージセンサ
の出力補正方法に関する。

Ｃｄｓ、Ｃｄ５ｅ等の光導電体素子アレイを形成し、素
子に照射される光の強さにより変化する素子の抵抗値を
検出するイメージセンナはファクシミリ装置等の読取部
分に使用されている。

〔従来の技術〕

第４図は従来のイメージセンサの回路図例、第５図はセ
ンサ基板上の配線パターン例を示す。

セラミック、ガラス等のセンサ基板１上にＣｄｓ、Ｃｄ
５ｅ等の光導電体で形成された光導電素子５　（回路図
ではｒｌｌ　”’　ｒ；ｊ　）が形成されている。

光導電素子５の一端は共通電極４に接続、他端は個別電
極６に接続される。個別電極６の上に絶縁層を介してマ
トリクス配線導体８が形成され、個別電極６とマトリク
ス配線導体８は絶縁層のスルーホールにより接続され１
、所謂クロスオーバ配線がなされている。なおセンサ基
板１は出力端子７を経て外部回路と接続される。

出力端子７はそれぞれ外付けの抵抗Ｒ１−Ｒｊおよびア
ナログスイッチ３に接続されている。次に回路動作を説
明すると、共通電極４側のスイッチ２の１つが閉じて選
択された共通電極４に電圧Ｖｏが供給され、他の共通電
極はすべて接地される。次にアナログスイッチ３抵抗Ｒ
１〜Ｒｊ　に現れる出力電圧を順次検出する。第３図は
出力電圧検出時の等価回路を示すもので、ここでとなる
。

一般にｒ　ＩＩ　−ｒ　ｖは２００〜３００にΩ位の高
抵抗であり、Ｒ１〜Ｒｊ　　は２００〜３００Ω位の抵
抗で、Ｒ′はＲ１に対して無視できる値である。

〔発明が解決しようとする問題点〕

第５図から明らかなように個別電極６側は出力端子７ま
での配線距離に差があり、従って出力端子７までの抵抗
値が異なる。このため本来同一の出力電圧が検出される
べき場合でも、この配線抵抗の違いにより出力電圧が変
動してしまい、検出誤差が生じる。

抵抗値を調整する方法が考えられるが、製造上きわめて
面倒であり、かつ細い配線パターンにすると断線等の問
題が生じやすい。

別の方法として外付けの抵抗Ｒ１〜Ｒｊ　の値を変える
方法もあるが、微少に異°なる抵抗を多数用意すること
は部品点数がそれだけ増大し高価なものとなる。本発明
は以上のような従来の問題点を解決することを目的とし
ている。

〔問題点を解決するための手段〕

上記目的は本発明によればセラミック、ガラス等の基板
（１）上に形成された光導電素子アレイ、この光導電素
子から電流を取り出すための電極、該光導電素子アレイ
をマトリックス配線するための導体、及び基板の外へ出
力を取り出すための電極から構成されるマトリックス配
線型のイメージセンサにおいて、出力電圧を取り出すた
めの抵抗体を上記基板（１）内に形成し、この抵抗体の
抵抗値をレーザートリミングにより調整することにより
、センサ出力のばらつきを補正することを特徴とするイ
メージセンサの出力補正方法により達成される。

〔作　用〕

従来出力電圧をとり出すための抵抗を外部に設けていた
のを、本発明ではセンサ基板内に薄膜等により形成し、
これをレーザトリミングで抵抗値を個々に微細に調整す
るようにしたので、イメージセンサの出力電圧のばらつ
きが無くなる。

〔実施例〕

次に画面により本発明の詳細な説明する。

第１図は本発明の実施例によりイメージセンサ回路図、
第２図は本発明の実施例によるセンサ基板上の配線パタ
ーンを示す。

本発明では第１図から明らかなように従来基板の外部に
外付けされていた抵抗Ｒ１〜Ｒｊ　を基板１内に形成し
たものである。

第２図は第５図において、最終の共通電極４に相当する
部分のみ示したもので、第２図において省略されている
部分は従来の配線パターンと同じである。

ＣＤｓやＣｄＳｅ等の光導電素子５の両端の共通電極４
および個別電極６は蒸着やスパッタ法によりＣｒ−Ａｕ
やＮｉＣｒ−Ａｕ等の電極材料が形成されている。

個別電極６の上に絶縁層が形成され、その上に厚膜印刷
法によりマトリックス配線導体８が形成される。

個別電極６の延長上に出力電圧をとり出すための抵抗体
９を形成し、抵抗体９はその一端を共通に接地端子１０
に接続される。

この抵抗体９に要求される抵抗値は５００Ω以下であり
、例えばタンタル（Ｔａ）を使用してもよいが、本実施
例の場合、電極材料と同じＣｒ−ＡｕやＮｉＣｒ−Ａｕ
等の材料を使用している。

この場合十分に抵抗体９として使用できる。

このように抵抗体９として電極材料と同じものを使用す
れば、特別に抵抗体形成のための工程を必要とせず製造
が容易である。

なお抵抗体９の抵抗値微細調整はすでに一般に〔効　果
〕 以上説明したように、本発明によれば簡単な方法でイメ
ージセンサの出力電圧補正ができ、読み取り誤差の発生
しない高品質のイメージセンサを実現することができる
。

ｒ；！Ｊ７ｊＦｊｉ０４ｆｌｆ ４、　発明の詳細な説明 第１図は本発明の実施例によるイメージセンサ回路図、
第２図は本発明の実施例によるセンサ基板の配線パター
ン、第３図はイメージセンサ検出回路の等価回路図、第
４図は従来のイメージセンサ回路図例、第５図は従来の
センサ基板の配線パターン例を示す。

図において１はセンサ基板、２はスイッチ、３はアナロ
グスイッチ、４は共通電極、５は光導電素子、６は個別
電極、７は出力端子、８はマトリクス配線導体、９は抵
抗体、１０は接地端子を示す。

ネｆ朗のデ厨イク・し１娩朗すづ図 ）ｃＪｌ＋ｒｓ　　　　口 イメークゼンｆ算イｆｆＪロ路口 耳　３Ｉ２１）１

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）セラミック、ガラス等の基板（１）上に形成され
   た光導電素子（５）アレイ、この光導電素子から電流を
   取り出すための電極、該光導電素子アレイをマトリック
   ス配線するための導体、及び基板（１）の外へ出力を取
   り出すための電極から構成されるマトリックス配線型の
   イメージセンサにおいて、出力電圧を取り出すための抵
   抗体（９）を上記基板（１）内に形成し、この抵抗体（
   ９）の抵抗値をレーザートリミングにより調整すること
   により、センサ出力のばらつきを補正することを特徴と
   するイメージセンサの出力補正方法。
2. （２）上記抵抗体を電極材料と同じ材料で形成すること
   を特徴とする特許請求の範囲１項記載のイメージセンサ
   の出力補正方法。