JPS62271224A - 磁気デイスクの製造方法 - Google Patents
磁気デイスクの製造方法Info
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- JPS62271224A JPS62271224A JP11372486A JP11372486A JPS62271224A JP S62271224 A JPS62271224 A JP S62271224A JP 11372486 A JP11372486 A JP 11372486A JP 11372486 A JP11372486 A JP 11372486A JP S62271224 A JPS62271224 A JP S62271224A
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Landscapes
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
3、発明の詳細な説明
〔産業上の利用分野〕
本発明は、合成樹脂と金属板を複合化することにより得
られる磁気メモリー用基板の製造方法に関するものであ
る。
られる磁気メモリー用基板の製造方法に関するものであ
る。
更に詳しくは、転写法により金属表面に塗膜を形成して
成る表面平滑性および機械的+!1貿に優れた磁気メモ
リー用基板の製造方法に係るものである。
成る表面平滑性および機械的+!1貿に優れた磁気メモ
リー用基板の製造方法に係るものである。
(従来技術)
磁気ディスクメモリーはすでにコンピューターバックア
ップメモリー用として酋及されており、高容量ディスク
の開発が進められているが同時にコストダウン化の方向
もあり、高容量、安価なディスク基板が必要となってい
る。磁気ディスクの製造方法は(1)塗布型、(2)め
っき型、(3)スパッタ型の3つの方法がある。その中
で(1)の方法は仙の方法に比べ記憶容量がやや小ざい
ものの、コスト、生産性等の点で現在最も用いられてい
る方法である。(1)の方法の製造方法は次の様である
。まず、加工したアルミ板をクロメート処理し、磁性粉
が混合された樹脂組成物をスピンコード法で塗布し、焼
成、研削へラドバニッシュの工程をへて完成品に到る。
ップメモリー用として酋及されており、高容量ディスク
の開発が進められているが同時にコストダウン化の方向
もあり、高容量、安価なディスク基板が必要となってい
る。磁気ディスクの製造方法は(1)塗布型、(2)め
っき型、(3)スパッタ型の3つの方法がある。その中
で(1)の方法は仙の方法に比べ記憶容量がやや小ざい
ものの、コスト、生産性等の点で現在最も用いられてい
る方法である。(1)の方法の製造方法は次の様である
。まず、加工したアルミ板をクロメート処理し、磁性粉
が混合された樹脂組成物をスピンコード法で塗布し、焼
成、研削へラドバニッシュの工程をへて完成品に到る。
磁気ディスクは挙動する時磁気ヘッドが1μ仇以下の微
少な間隔をもって浮上しており、基板表面はきわめて平
滑な而が要求されている。しかしスピンコード法で磁性
粉を塗で11した場合、硬化後の表面粗さは均一にする
ことが困難であり品質において問題があった。
少な間隔をもって浮上しており、基板表面はきわめて平
滑な而が要求されている。しかしスピンコード法で磁性
粉を塗で11した場合、硬化後の表面粗さは均一にする
ことが困難であり品質において問題があった。
また(2)の方法及び(3)の方法は近年実用化されつ
つある磁気ディスクの製造方法であり、高密度容量の磁
気ディスクが得られるが何層も薄IIU層を重ねること
が必要であり、この為に工程数が多くなってしまい、又
膜質の均一性の点で問題があり、ざらには設備が大規模
になってしまうという欠点がある。
つある磁気ディスクの製造方法であり、高密度容量の磁
気ディスクが得られるが何層も薄IIU層を重ねること
が必要であり、この為に工程数が多くなってしまい、又
膜質の均一性の点で問題があり、ざらには設備が大規模
になってしまうという欠点がある。
本発明は表面平滑性の良好な塗布型で高密度容量を有す
る磁気ディスク製造方法について検討の結果完成させる
に到ったものである。
る磁気ディスク製造方法について検討の結果完成させる
に到ったものである。
即ち表面平滑性を有する1枚又は2枚の鏡面板の平滑面
に予め磁性粉を含み3次元架橋硬化した樹脂層を形成し
ておき、一方金属板の両面もしくは片面に硬化可能な樹
脂組成物を塗布し、前記硬化樹脂層と塗イF樹脂層を対
向させて積層し、塗布樹脂層を積層された状態で3次元
架橋せしめ、鏡面板剥離時に硬化塗膜を基板面に転写せ
しめるという方法で磁気ディスク用として極めて優れた
基板を得られることを児い出し本発明に到達したもので
おる。
に予め磁性粉を含み3次元架橋硬化した樹脂層を形成し
ておき、一方金属板の両面もしくは片面に硬化可能な樹
脂組成物を塗布し、前記硬化樹脂層と塗イF樹脂層を対
向させて積層し、塗布樹脂層を積層された状態で3次元
架橋せしめ、鏡面板剥離時に硬化塗膜を基板面に転写せ
しめるという方法で磁気ディスク用として極めて優れた
基板を得られることを児い出し本発明に到達したもので
おる。
(発明の構成〕
以下に本発明の詳細を第1図により説明する。
本発明は第1図(C)の如ぎ金属板(3)とその片面も
しくは両面に形成される樹脂薄膜(2) 、(4)とか
ら構成される磁気メモリー用基板を製造するための方法
に関するものである。
しくは両面に形成される樹脂薄膜(2) 、(4)とか
ら構成される磁気メモリー用基板を製造するための方法
に関するものである。
まず第1図(a)に示した如く1枚もしくは2枚の磁気
ディスクに要求される平滑度を満足する表面を有する平
面板(1)を草備する。
ディスクに要求される平滑度を満足する表面を有する平
面板(1)を草備する。
平面板(1)としてはその平滑度に鑑み研摩されたカラ
ス板、金属板が用いられ、該表面に樹脂層(2)を形成
し必要に応じて加熱硬化せしめる。樹脂は一般には溶液
状の謂ゆるワニスとして用いられるため薄膜形成が可能
である。また被塗布板(平面板)が耐熱性を有り−る基
板であるため所望の温度での硬化が可能であり、必要な
らば塗膜の歪を援用する目的で高温アニールすることも
可能である。一般には、磁気機能膜をスパッター、蒸着
等により形成するに際して、表面が高温に曝らされると
か、機能膜を高温でアニールするに際しても高温に曝ら
されるといった工程に耐えるために、熱硬化型樹脂が好
んで用いられる。これら樹脂としてはイミド系樹脂、エ
ポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、ポリエステル系樹脂、
フェノール系樹脂等が挙げられる。
ス板、金属板が用いられ、該表面に樹脂層(2)を形成
し必要に応じて加熱硬化せしめる。樹脂は一般には溶液
状の謂ゆるワニスとして用いられるため薄膜形成が可能
である。また被塗布板(平面板)が耐熱性を有り−る基
板であるため所望の温度での硬化が可能であり、必要な
らば塗膜の歪を援用する目的で高温アニールすることも
可能である。一般には、磁気機能膜をスパッター、蒸着
等により形成するに際して、表面が高温に曝らされると
か、機能膜を高温でアニールするに際しても高温に曝ら
されるといった工程に耐えるために、熱硬化型樹脂が好
んで用いられる。これら樹脂としてはイミド系樹脂、エ
ポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、ポリエステル系樹脂、
フェノール系樹脂等が挙げられる。
また紫外線・電子線硬化可能なアクリル系樹脂も生産性
、経済性、表面硬度を考慮して好んで用いられる(か1
脂の一つでおる。
、経済性、表面硬度を考慮して好んで用いられる(か1
脂の一つでおる。
またこれらの樹脂に混合する磁性粉としては、’7’
Fe2 o、3、cro2、Fe、FeC0等がある
が薄膜化、高耐摩耗化といった条件を満すものとしてγ
−Fe2O3が好ましく、ざらには数%のC○をr−F
e203粉に被着したものは保磁がざらに向上し好まし
い。
Fe2 o、3、cro2、Fe、FeC0等がある
が薄膜化、高耐摩耗化といった条件を満すものとしてγ
−Fe2O3が好ましく、ざらには数%のC○をr−F
e203粉に被着したものは保磁がざらに向上し好まし
い。
この磁性粉を混合した樹脂層(2)の塗fli厚みとし
ては、最終的に金属基板との複合体となるため、その両
者の熱膨張係数の差による樹脂層のクラックを防止する
という意味で可及的に薄膜であることが好ましいが、一
般には100μm以下、特に20μm以下である。
ては、最終的に金属基板との複合体となるため、その両
者の熱膨張係数の差による樹脂層のクラックを防止する
という意味で可及的に薄膜であることが好ましいが、一
般には100μm以下、特に20μm以下である。
塗イ5方法としてはスピンナー法、バーコーター法、デ
ィップ法、コールコーター法等の常法により実施可能で
ある。
ィップ法、コールコーター法等の常法により実施可能で
ある。
また該工程では、最終塗膜(2)が平面板(1)の平滑
面に強固に密着するのは転写のし難さという観点から好
ましくなく、テープ剥離可能な程度の密着性でおること
が好ましい。この密着力の調整は樹脂の種類の選択、平
板面の離型処理といった手法で調整される。
面に強固に密着するのは転写のし難さという観点から好
ましくなく、テープ剥離可能な程度の密着性でおること
が好ましい。この密着力の調整は樹脂の種類の選択、平
板面の離型処理といった手法で調整される。
次いで第1図(a)に示した如く金属板(3)の片面若
しくは両面に最終的に硬化可能な樹脂(4)を塗布する
。該樹脂(4)は未硬化状態で前記樹脂層(2)を有す
る平面板(1)と樹脂層が対向するように積層圧締する
ので、無溶剤型の樹脂組成物であること、および平面板
(1)上の樹脂層(2)および金属板(3)と強固に密
着する樹脂でおることが必要で必る。
しくは両面に最終的に硬化可能な樹脂(4)を塗布する
。該樹脂(4)は未硬化状態で前記樹脂層(2)を有す
る平面板(1)と樹脂層が対向するように積層圧締する
ので、無溶剤型の樹脂組成物であること、および平面板
(1)上の樹脂層(2)および金属板(3)と強固に密
着する樹脂でおることが必要で必る。
この様な樹脂(4)としては耐熱性、耐候性、密霜性と
いう観点から無溶剤型のエポキシ樹脂系が優れており、
このうち特に耐熱性、密着性、耐湿熱性といった点で芳
香環を含むエポキシ樹脂、有機塩基酸無水物、硬化促進
剤を主成分とし配合してなる配合組成物が最適である。
いう観点から無溶剤型のエポキシ樹脂系が優れており、
このうち特に耐熱性、密着性、耐湿熱性といった点で芳
香環を含むエポキシ樹脂、有機塩基酸無水物、硬化促進
剤を主成分とし配合してなる配合組成物が最適である。
次いで該積層物を所定の圧力下で接着層を加熱硬化せし
め一体化する。(第1図(b))。
め一体化する。(第1図(b))。
その後第1図(C)に示した如く、平面板(1)を除去
して平面板面の樹脂(2)を基板側に転写せしめる。
して平面板面の樹脂(2)を基板側に転写せしめる。
かくして得られる磁気メモ1ノー用基板は、平面板の平
滑面が忠実に転写される上に、最上層表面に耐熱性樹脂
層が形成され、更に第2層の樹脂薄膜が形成されている
ため基板との密着性、耐クラツク性等に優れた基板であ
る。
滑面が忠実に転写される上に、最上層表面に耐熱性樹脂
層が形成され、更に第2層の樹脂薄膜が形成されている
ため基板との密着性、耐クラツク性等に優れた基板であ
る。
(実施例)
以下に実施例を述べる。
実施例1
片面研摩処理および離型処理を施した2枚のガラス板の
夫々の処理面(表面粗ざRmax O,01〜0、02
u rrt )に40Phrのr−Fe203超微粉を
含むポリイミド樹脂ワニス(商品名PYLE−HL、デ
ュポン社製)をスピンコードにより塗布し、150°C
の温度で溶媒を乾燥除去した後、200℃2時間加熱し
閉環反応を生せしめ完全硬化し、夫々ガラス板片面に厚
さ0.8μ汎の塗膜を形成した。
夫々の処理面(表面粗ざRmax O,01〜0、02
u rrt )に40Phrのr−Fe203超微粉を
含むポリイミド樹脂ワニス(商品名PYLE−HL、デ
ュポン社製)をスピンコードにより塗布し、150°C
の温度で溶媒を乾燥除去した後、200℃2時間加熱し
閉環反応を生せしめ完全硬化し、夫々ガラス板片面に厚
さ0.8μ汎の塗膜を形成した。
次いで、直径100 mm厚み1#のAu製円板の両面
に以下の配合のエポキシ樹脂配合物を脱泡後回布した。
に以下の配合のエポキシ樹脂配合物を脱泡後回布した。
厚みは10μ汎であった。
ビイスフエノールへ
エポキシ (eq・188相当)100重量部メヂルヘ
キリーヒドロブクール酸 無水物 882.6−ジタ
ーシャリ−ブチル −p−クレゾール 1.01.8−ジア
ザビシクロ(5,4,O)rクンデセンの2−エチルヘ
キシル カルボン酸塩 3.0次いで前記
カラス板の塗膜面を対向させて積層して熱プレスに挟み
、120°C3hr、l0Kg/cmで加熱加圧し積層
物を一体化した。
キリーヒドロブクール酸 無水物 882.6−ジタ
ーシャリ−ブチル −p−クレゾール 1.01.8−ジア
ザビシクロ(5,4,O)rクンデセンの2−エチルヘ
キシル カルボン酸塩 3.0次いで前記
カラス板の塗膜面を対向させて積層して熱プレスに挟み
、120°C3hr、l0Kg/cmで加熱加圧し積層
物を一体化した。
次いでガラス板のみを除去しポリイミド塗膜を転写した
。得られた複合板は厚み1.02〜1.04跡、表面粗
さRmax O,01〜0.02μ尻であり、保磁力6
000e、残沼磁束密度0.08Tであり、磁気ディス
ク用基板として理想的なものでおった。
。得られた複合板は厚み1.02〜1.04跡、表面粗
さRmax O,01〜0.02μ尻であり、保磁力6
000e、残沼磁束密度0.08Tであり、磁気ディス
ク用基板として理想的なものでおった。
実施例2
片面研摩を施した1枚のガラス板の萌摩面(表面粗ざR
max O,01〜0.02μm)に以下の如き紫外線
硬化樹脂配合物を塗布し、70°CIO分間乾燥後紫外
線を照則し硬化せしめた。硬化塗膜は鉛筆硬度で9Hで
あった。
max O,01〜0.02μm)に以下の如き紫外線
硬化樹脂配合物を塗布し、70°CIO分間乾燥後紫外
線を照則し硬化せしめた。硬化塗膜は鉛筆硬度で9Hで
あった。
ジペンタエリスリトール
ヘキ]ノアクリレート 1ooarx部
4−イソプロピル2−ヒドロキシ =2−メチルプロピオフェノン 4イソプロパツ
ール 400ト ル エ ン
100γ−Fe203
40レベリング剤
0.4塗膜厚みは0.8μ亀であった。
4−イソプロピル2−ヒドロキシ =2−メチルプロピオフェノン 4イソプロパツ
ール 400ト ル エ ン
100γ−Fe203
40レベリング剤
0.4塗膜厚みは0.8μ亀であった。
また実施例1に用いたのと同様なAl製円板の片面に、
実施例1に用いたエポキシ樹脂組成物を厚み10μ辺に
なるようにバーコーターを用いて塗布して実施例1と同
様な方法でAf2製円板片面に樹脂硬化層を有する基板
を得た。
実施例1に用いたエポキシ樹脂組成物を厚み10μ辺に
なるようにバーコーターを用いて塗布して実施例1と同
様な方法でAf2製円板片面に樹脂硬化層を有する基板
を得た。
得られた複合板は厚み1.01〜1.03.、表面粗さ
Rmax o、oi 〜0.02μmであり、保磁力6
000e、残留密度0.08T、磁気ディスク用基板と
して理想的なものであった。
Rmax o、oi 〜0.02μmであり、保磁力6
000e、残留密度0.08T、磁気ディスク用基板と
して理想的なものであった。
第1図は本発明の詳細な説明するための概略断面図であ
る。 (a)は加圧前の状態、(b)は加圧状態、(C)は平
面板を離型した状態を示す。
る。 (a)は加圧前の状態、(b)は加圧状態、(C)は平
面板を離型した状態を示す。
Claims (5)
- (1)離型処理した表面平滑性を有する1枚または2枚
の平面板上に磁性粉を混合した硬化可能な樹脂組成物を
薄く均一に塗布し硬化せしめる工程( I ) 次に1枚の円盤状金属板の少なくとも一つの面に3次元
架橋可能な液状樹脂組成物を塗布する工程(II) 該液状樹脂組成物を塗布した面に工程( I )で得られ
た樹脂を薄く均一に塗布し硬化した面を積層し、圧接し
液状樹脂組成物を3次元架橋し硬化せしめる工程(III
) 次いて平面板を除去し、該平面板上の硬化した樹脂薄膜
を円盤状金属板上に3次元架橋樹脂層を介して転写せし
める工程(IV)からなることを特徴とする磁気ディスク
の製造方法。 - (2)磁性粉を混合した硬化可能な樹脂組成物が放射線
硬化型樹脂組成物である特許請求の範囲第1項記載の磁
気ディスクの製造方法。 - (3)磁性粉を混合した硬化可能な樹脂組成物が加熱硬
化型樹脂組成物である特許請求の範囲第1項記載の磁気
ディスクの製造方法。 - (4)磁性粉を混合した硬化可能な樹脂組成物がポリイ
ミド系樹脂組成物である特許請求の範囲第1項及び第3
項記載の磁気ディスクの製造方法。 - (5)3次元架橋可能な液状樹脂組成物が、液状エポキ
シ樹脂、有機多塩基酸無水物、硬化促進剤を生成とする
樹脂組成物である特許請求の範囲第1項ないし第4項記
載の磁気ディスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11372486A JPS62271224A (ja) | 1986-05-20 | 1986-05-20 | 磁気デイスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11372486A JPS62271224A (ja) | 1986-05-20 | 1986-05-20 | 磁気デイスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62271224A true JPS62271224A (ja) | 1987-11-25 |
Family
ID=14619534
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11372486A Pending JPS62271224A (ja) | 1986-05-20 | 1986-05-20 | 磁気デイスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62271224A (ja) |
-
1986
- 1986-05-20 JP JP11372486A patent/JPS62271224A/ja active Pending
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