JPS62279650A - 半導体ウエ−ハの電気的特性測定用プロ−ブ針 - Google Patents
半導体ウエ−ハの電気的特性測定用プロ−ブ針Info
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- JPS62279650A JPS62279650A JP12311186A JP12311186A JPS62279650A JP S62279650 A JPS62279650 A JP S62279650A JP 12311186 A JP12311186 A JP 12311186A JP 12311186 A JP12311186 A JP 12311186A JP S62279650 A JPS62279650 A JP S62279650A
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- transmission lines
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体ウェーハ上のＩＣ，、ＬＳＩ等の電気
的特性を測定する為のプローブ針に関する。
的特性を測定する為のプローブ針に関する。
（従来の技術）
従来、第 図に示すウェーハ１上のＩＣ，ＬＳＩ等の電
気的特性を測定するのに、高い周波数領域でも電気的特
性の測定可能なプローブ針として、第６図に示す如く同
軸ケーブル３の先端中心に信号線４を突出し、同軸ケー
ブル３の先端外周にグランド部を取付けてその尖端を信
号線４の尖端に平行に２００μ程度接近させて成る同軸
型プローブ針６を第７図の如く計測器７のｘ、ｙ、ｚ軸
方向に移動可能なアーム８にセットし、ウェーハ１上の
ＩＣ，ＬＳＩ等のバッド２に接触させてパラメータを測
定する方法が採られている。
気的特性を測定するのに、高い周波数領域でも電気的特
性の測定可能なプローブ針として、第６図に示す如く同
軸ケーブル３の先端中心に信号線４を突出し、同軸ケー
ブル３の先端外周にグランド部を取付けてその尖端を信
号線４の尖端に平行に２００μ程度接近させて成る同軸
型プローブ針６を第７図の如く計測器７のｘ、ｙ、ｚ軸
方向に移動可能なアーム８にセットし、ウェーハ１上の
ＩＣ，ＬＳＩ等のバッド２に接触させてパラメータを測
定する方法が採られている。
（発明が解決しようとする問題点）
ところで、上記同軸型プローブ針６は、信号線４とグラ
ンド部が同軸ケーブル３の先端で数１１にわたって同軸
構造をとらない為、特性インピーダンスがその部分で変
化してしまい、高周波数領域での正確な電気的特性測定
ができなかった。また、この構造では多端子化が不可能
であった。さらに、上記プローブ針６は、信号線４とグ
ランド部がシールドされていないので、クコストーク、
即ち雑音が大きいという問題があった。
ンド部が同軸ケーブル３の先端で数１１にわたって同軸
構造をとらない為、特性インピーダンスがその部分で変
化してしまい、高周波数領域での正確な電気的特性測定
ができなかった。また、この構造では多端子化が不可能
であった。さらに、上記プローブ針６は、信号線４とグ
ランド部がシールドされていないので、クコストーク、
即ち雑音が大きいという問題があった。
一方、近時ＩＣ，ＬＳＩは高密度、高速化の開発が進め
られ、これに伴いこれらを評価するためのプローバとし
ては、特性インピーダンスの安定化、多端子化、ウェー
ハ上のパッドとの確実なコンタクト及びクコストークの
低減の図れるプローブ針を備えることが必要で、これの
開発が急がれている。
られ、これに伴いこれらを評価するためのプローバとし
ては、特性インピーダンスの安定化、多端子化、ウェー
ハ上のパッドとの確実なコンタクト及びクコストークの
低減の図れるプローブ針を備えることが必要で、これの
開発が急がれている。
そこで本発明は、特性インピーダンスの設定に対する安
定化、多端子化、確実なコンタクト及びクロストークの
低減を達成でき、高周波数領域で正確な電気的特性測定
をできるプローブ針を提供しようとするものである。
定化、多端子化、確実なコンタクト及びクロストークの
低減を達成でき、高周波数領域で正確な電気的特性測定
をできるプローブ針を提供しようとするものである。
（問題点を解決するための手段）
上記問題点を解決するための第１発明のプローブ針は、
誘電体基板上に、伝送線路を複数列平行に設け、この各
伝送線路の先端部を上方に隆起させて該隆起部の下側の
誘電体基板との間に空間部を形成するか又は弾性体を充
填して隆起部を接触部となし、この接触部を除いて少な
くとも誘電体基板上に伝送線路を挾んで絶縁体を接着し
、少なくとも前記絶縁体の上面に導電体を接合して成る
ものである。
誘電体基板上に、伝送線路を複数列平行に設け、この各
伝送線路の先端部を上方に隆起させて該隆起部の下側の
誘電体基板との間に空間部を形成するか又は弾性体を充
填して隆起部を接触部となし、この接触部を除いて少な
くとも誘電体基板上に伝送線路を挾んで絶縁体を接着し
、少なくとも前記絶縁体の上面に導電体を接合して成る
ものである。
第２発明のプローブ針は、第１発明のプローブ針に於い
て、各伝送線路の両側にて誘電体基板上にグランド線路
を平行に設けたものである。
て、各伝送線路の両側にて誘電体基板上にグランド線路
を平行に設けたものである。
第３発明のプローブ針は、第１発明のプローブ針に於い
て、左右両側端部長手方向に一定間隔にスルホールを穿
設し導電めっきを施して、絶縁体の上面及び誘電体基板
の下面の導電体を導通させたものである。
て、左右両側端部長手方向に一定間隔にスルホールを穿
設し導電めっきを施して、絶縁体の上面及び誘電体基板
の下面の導電体を導通させたものである。
第４発明のプローブ針は、第３発明のプローブ針に於い
て、各伝送線路の両側にて誘電体基板上にグランド線路
を平行に設け、絶縁体の上面及び誘電体基板の下面の導
電体を導通させて成るものである。
て、各伝送線路の両側にて誘電体基板上にグランド線路
を平行に設け、絶縁体の上面及び誘電体基板の下面の導
電体を導通させて成るものである。
（実施例）
第１発明のプローブ針の各種実施例を第１図ａ乃至Ｃに
よって説明する。
よって説明する。
第１図ａに示すプローブ針１０は、アルミナ（ＡＺＺ０
３）より成る長さ４ｆ）ｎ、幅１０１１、厚さ０ 、６
＋１１の誘電体基板１１上の長手方向に、厚さ３μ、
幅１５０μのＣｕより成る伝送線路１２が２００μの間
隔を存して３列平行に設けられ、各伝送線路１２の先端
部は上方に２字状に屈曲成形されて高さ１００μ隆起せ
しめられ、この隆起部１３の下側の誘電体基板１１との
間には空間部１４が形成されて、隆起部１３が接触部と
なっている。この接触部を除いて誘電体基板１１上には
伝送線路１２を挾んで厚さ１００μのボリイミドより成
る絶縁体１５が接着され、その絶縁体１５の上面には厚
さ３μのＣｕより成る導電体１６が接合されている。
３）より成る長さ４ｆ）ｎ、幅１０１１、厚さ０ 、６
＋１１の誘電体基板１１上の長手方向に、厚さ３μ、
幅１５０μのＣｕより成る伝送線路１２が２００μの間
隔を存して３列平行に設けられ、各伝送線路１２の先端
部は上方に２字状に屈曲成形されて高さ１００μ隆起せ
しめられ、この隆起部１３の下側の誘電体基板１１との
間には空間部１４が形成されて、隆起部１３が接触部と
なっている。この接触部を除いて誘電体基板１１上には
伝送線路１２を挾んで厚さ１００μのボリイミドより成
る絶縁体１５が接着され、その絶縁体１５の上面には厚
さ３μのＣｕより成る導電体１６が接合されている。
第１図すに示すプローブ針１０′は、第１図ａと同じ誘
電体基板上１上の各伝送線路１２の先端部が側面台形状
に屈曲成形されて高さ１００μ隆起せしめられ、この隆
起部１３′の下側の誘電体基板１１との間に弾性材１７
、例えばポリイミドが充填されて隆起部１３′が接触部
となされ、この接触部を除いて誘電体基板１１上に伝送
線路を挾んで厚さ１００μのアルミナより成る絶縁体１
５′が接着され、その絶縁体１５′の上面及び誘電体基
板上１１の下面に厚さ３μのＣｕより成る導電体１６が
接合されて成るものである。
電体基板上１上の各伝送線路１２の先端部が側面台形状
に屈曲成形されて高さ１００μ隆起せしめられ、この隆
起部１３′の下側の誘電体基板１１との間に弾性材１７
、例えばポリイミドが充填されて隆起部１３′が接触部
となされ、この接触部を除いて誘電体基板１１上に伝送
線路を挾んで厚さ１００μのアルミナより成る絶縁体１
５′が接着され、その絶縁体１５′の上面及び誘電体基
板上１１の下面に厚さ３μのＣｕより成る導電体１６が
接合されて成るものである。
第１図Ｃに示すプローブ針１０“は、第１図ａに示すプ
ローブ針１０の絶縁体１５を誘電体基板上１１上だけで
なく全周に被覆し、さらにそれを包みこむように導電体
１６を全周に接着したものである。
ローブ針１０の絶縁体１５を誘電体基板上１１上だけで
なく全周に被覆し、さらにそれを包みこむように導電体
１６を全周に接着したものである。
次に第２発明のプローブ針の各種実施例を第２図ａ乃至
Ｃによって説明する。
Ｃによって説明する。
第２図ａに示すプローブ針１８は、第１図ａに示すプロ
ーブ針１０の各伝送線路１２間及びその両外側にて誘電
体基板１１上に厚さ３μ、幅１５０μのＣｕより成るグ
ランド線路１９が伝送線路１２と２００μの間隔を存し
て平行に設けられているもので、その他の構成は第１図
ａのプローブ針１０と同一である。
ーブ針１０の各伝送線路１２間及びその両外側にて誘電
体基板１１上に厚さ３μ、幅１５０μのＣｕより成るグ
ランド線路１９が伝送線路１２と２００μの間隔を存し
て平行に設けられているもので、その他の構成は第１図
ａのプローブ針１０と同一である。
第２図すに示すプローブ針２０は、第１図すに示すプロ
ーブ針１０′の各伝送線路１２間及びその両外側にて誘
電体基板１１上に厚さ３μ、幅１５０μのＣｕより成る
グランド線路１９が伝送線路１２と２００μの間隔を存
して平行に設けられているもので、その他の構成は第１
図すのプローブ針１０’と同一である。
ーブ針１０′の各伝送線路１２間及びその両外側にて誘
電体基板１１上に厚さ３μ、幅１５０μのＣｕより成る
グランド線路１９が伝送線路１２と２００μの間隔を存
して平行に設けられているもので、その他の構成は第１
図すのプローブ針１０’と同一である。
第２図Ｃに示すプローブ針２１は、第１図Ｃに示すプロ
ーブ針１０″の各伝送線路１２間及びその両外側にて誘
電体基板１１上に厚さ３μ、幅１５０μのＣｕより成る
グランド線路１９が伝送線路１２と２００μの間隔を存
して平行に設けられているもので、その他の構成は第１
図Ｃのプローブ針１０“と同一である。
ーブ針１０″の各伝送線路１２間及びその両外側にて誘
電体基板１１上に厚さ３μ、幅１５０μのＣｕより成る
グランド線路１９が伝送線路１２と２００μの間隔を存
して平行に設けられているもので、その他の構成は第１
図Ｃのプローブ針１０“と同一である。
次いで第３発明のプローブ針の各種実施例を第３図によ
って説明する。
って説明する。
第３図に示すプローブ針２２は、第１図すに示すプロー
ブ針１０′の左右両側端部長手方向に３０１１間隔に直
径１ ＋ｎのスルホール２３を穿設して、該スルホール
２３に銅めっきを施し、上下両面の導電体１６を導通し
て成るものである。
ブ針１０′の左右両側端部長手方向に３０１１間隔に直
径１ ＋ｎのスルホール２３を穿設して、該スルホール
２３に銅めっきを施し、上下両面の導電体１６を導通し
て成るものである。
尚、このプローブ針２２の伝送線路１２の先端部の隆起
部１３′は、第１図ａに示す伝送線路１２の先端部の隆
起部１３に代えても良いものである。
部１３′は、第１図ａに示す伝送線路１２の先端部の隆
起部１３に代えても良いものである。
次に第４発明のプローブ針の各種実施例を第４図によっ
て説明する。
て説明する。
第４図に示すプローブ針２５は、第３図に示すプローブ
針２２の伝送線路１２間及びその両外側にて誘電体基板
１１上に厚さ３μ、幅１５０μのＣｕより成るグランド
線路１９が伝送線路１２と２００μの間隔を存して平行
に設けられているもので、その他の構成は第３図のプロ
ーブ針２２と同一である。
針２２の伝送線路１２間及びその両外側にて誘電体基板
１１上に厚さ３μ、幅１５０μのＣｕより成るグランド
線路１９が伝送線路１２と２００μの間隔を存して平行
に設けられているもので、その他の構成は第３図のプロ
ーブ針２２と同一である。
尚、このプローブ針２６の伝送線路１２の先端部の隆起
部１３′は、第１図ａに示す伝送線路１２の先端部の隆
、起部１３に代えても良いものである。
部１３′は、第１図ａに示す伝送線路１２の先端部の隆
、起部１３に代えても良いものである。
上述の如く本発明の各プローブ針１０．１０′、１０“
、１８．２０．２１．２２．２５．２６は、誘電体基板
１１上に伝送線路１２が３列平行に設けられているので
、伝送線路１２はストリップ線路構造となっていて、伝
送線路１２の特性インピーダンスには変化は無く、どの
部分でも一定である。そこで実施例のプローブ針、例え
ば第１図ａのプローブ針１０を第５図に示す如く計測器
７のＸ、Ｙ、Ｚ軸方向に移動可能なアーム８にセットし
、ウェーハ１上のＩＣ，ＬＳＩ等のパッド２に接触させ
て、電気的特性を測定したところ、高周波数領域で、本
例では３０ＧＨ２の高周波数で正確に電気的特性を測定
できた。また、この測定を操り返し行っても、各伝送線
路１２の先端部には隆起部１３や１３′が設けられ、そ
の下側に空間部１４が形成され或いは弾性材１７が充填
されて、隆起部１３や１３′が弾性変形できるようにし
であるので、前記電気的特性測定において、測定するウ
ェーハ１上のＩＣ１ＬＳＩ等のパッド２と接触した際、
各伝送線路１２の接触部は潰れることが無く、常に確実
に安定して接触する。さらに、誘電体基板ｌｌ上の各伝
送線路１２は絶縁体１５に挾まれて、電気的にシールド
されているので、外部からのノイズが低減され、しかも
各伝送線路１２間のクロストークが低減される。また、
導電体１６が絶縁体１５の上面、絶縁体１５の上面と誘
電体基板１１の下面、絶縁体１５と誘電体基板１１の重
合状態における同面等に接合されて、導電層が少なくと
も二層形成されているので、特性インピーダンスの設定
に対し著しく安定する。特に絶縁体１５の上面と誘電体
基板１１の下面の導電体１６をスルホール２３により導
通した第３発明及び第４発明の場合は、特性インピーダ
ンスの設定は極立って安定する。さらに、誘電体基板１
１上の各伝送線路１２間及びその外側にグランド線路１
９を設けた第２発明及び第４発明の場合は、各伝送線路
１２間がシールドされてクコストークが一層低減され、
雑音は殆んど生じない。
、１８．２０．２１．２２．２５．２６は、誘電体基板
１１上に伝送線路１２が３列平行に設けられているので
、伝送線路１２はストリップ線路構造となっていて、伝
送線路１２の特性インピーダンスには変化は無く、どの
部分でも一定である。そこで実施例のプローブ針、例え
ば第１図ａのプローブ針１０を第５図に示す如く計測器
７のＸ、Ｙ、Ｚ軸方向に移動可能なアーム８にセットし
、ウェーハ１上のＩＣ，ＬＳＩ等のパッド２に接触させ
て、電気的特性を測定したところ、高周波数領域で、本
例では３０ＧＨ２の高周波数で正確に電気的特性を測定
できた。また、この測定を操り返し行っても、各伝送線
路１２の先端部には隆起部１３や１３′が設けられ、そ
の下側に空間部１４が形成され或いは弾性材１７が充填
されて、隆起部１３や１３′が弾性変形できるようにし
であるので、前記電気的特性測定において、測定するウ
ェーハ１上のＩＣ１ＬＳＩ等のパッド２と接触した際、
各伝送線路１２の接触部は潰れることが無く、常に確実
に安定して接触する。さらに、誘電体基板ｌｌ上の各伝
送線路１２は絶縁体１５に挾まれて、電気的にシールド
されているので、外部からのノイズが低減され、しかも
各伝送線路１２間のクロストークが低減される。また、
導電体１６が絶縁体１５の上面、絶縁体１５の上面と誘
電体基板１１の下面、絶縁体１５と誘電体基板１１の重
合状態における同面等に接合されて、導電層が少なくと
も二層形成されているので、特性インピーダンスの設定
に対し著しく安定する。特に絶縁体１５の上面と誘電体
基板１１の下面の導電体１６をスルホール２３により導
通した第３発明及び第４発明の場合は、特性インピーダ
ンスの設定は極立って安定する。さらに、誘電体基板１
１上の各伝送線路１２間及びその外側にグランド線路１
９を設けた第２発明及び第４発明の場合は、各伝送線路
１２間がシールドされてクコストークが一層低減され、
雑音は殆んど生じない。
尚、上記各実施例のプローブ針の誘電体基ｖｉ１１は、
アルミナより成るが、石英でも良いものである。また、
上記各実施例では伝送線路１２が３列であるが、これに
限るものではなく、３列以上何列でも良いもので、数１
０列、数１００列の場合もある。
アルミナより成るが、石英でも良いものである。また、
上記各実施例では伝送線路１２が３列であるが、これに
限るものではなく、３列以上何列でも良いもので、数１
０列、数１００列の場合もある。
さらに、絶縁体はアルミナとポリイミドの混合体より成
るものでも良い。また、導電体１６上には必要に応じＡ
ｕめっきを施しても良いものである。
るものでも良い。また、導電体１６上には必要に応じＡ
ｕめっきを施しても良いものである。
（発明の効果）
以上の説明で判るように本発明のプローブ針は、誘電体
基板上に、伝送線路を複数列平行に設けたものであるか
ら、伝送線路はストリップ線路構造となっている。従っ
て、特性インピーダンスの設定を安定化させることがで
き、また、各伝送線路はどの部分でも特性インピーダン
スを一定化でき、さらに複数列の伝送線路によって多端
子化が実現できる。その上、本発明のプローブ針は、各
伝送線路の先端部の接触部である隆起部が弾性変形する
ので、測定するウェーハ上のＩＣ，、ＬＳＩ等のバンド
に接触しても潰れることが無く、常に確実に安定して接
触する。また各伝送線路は絶縁体に挾まれたり伝送線路
間やその外側にグランド線路が設けられたりしているの
で、各伝送線路は電気的にシールドされて、外部からの
ノイズが低減され、しかも各伝送線路間のクロストーク
が低減され雑音が大幅に低減される。また、導電体が少
なくとも絶縁体の上面に接合されて、導電層が形成され
ているので、特性インピーダンスの設定が著しく安定す
る。とりわけ、上下両面に導電体が接合され、スルホー
ルめっきにて導通されている場合は、特性インピーダン
スの設定は極立って安定する。かくして、高密度、高速
化される半導体つ工−ハ上のＩＣ，、ＬＳＩ等のの高周
波数領域での電気的特性の測定を正確、確実に安定して
行うことができる。
基板上に、伝送線路を複数列平行に設けたものであるか
ら、伝送線路はストリップ線路構造となっている。従っ
て、特性インピーダンスの設定を安定化させることがで
き、また、各伝送線路はどの部分でも特性インピーダン
スを一定化でき、さらに複数列の伝送線路によって多端
子化が実現できる。その上、本発明のプローブ針は、各
伝送線路の先端部の接触部である隆起部が弾性変形する
ので、測定するウェーハ上のＩＣ，、ＬＳＩ等のバンド
に接触しても潰れることが無く、常に確実に安定して接
触する。また各伝送線路は絶縁体に挾まれたり伝送線路
間やその外側にグランド線路が設けられたりしているの
で、各伝送線路は電気的にシールドされて、外部からの
ノイズが低減され、しかも各伝送線路間のクロストーク
が低減され雑音が大幅に低減される。また、導電体が少
なくとも絶縁体の上面に接合されて、導電層が形成され
ているので、特性インピーダンスの設定が著しく安定す
る。とりわけ、上下両面に導電体が接合され、スルホー
ルめっきにて導通されている場合は、特性インピーダン
スの設定は極立って安定する。かくして、高密度、高速
化される半導体つ工−ハ上のＩＣ，、ＬＳＩ等のの高周
波数領域での電気的特性の測定を正確、確実に安定して
行うことができる。
第１図ａ乃至Ｃは夫々本発明による第１発明の各種の実
施例を示す斜視図、第２図ａ乃至Ｃは夫々本発明による
第２発明の各種の実施例を示す斜視図、第３図ａ及びｂ
は夫々本発明による第３発明の各種の実施例を示す斜視
図、第４図ａ及びｂは夫々本発明による第４発明の各種
の実施例を示す斜視図、第５図は第１図ａのプローブ針
の使用状態を示す概略図、第６図は従来の同軸型プロー
ブ針の斜視図、第７図は第６図の同軸型プローブ針の使
用状態を示す概略図である。 出願人 田中貴金属工業株式会社 ２０．２１・・・ブローフ゛計 第６図 手続補正書（方式） ％式％ １、事件の表示 昭和６１年特許願第１２３１１１号 ２、発明の名称 半導体ウェーハの電気的特性測定用プローブ針３、補正
をする者 事件との関係 特許出願人 ６、補正の内容 （１）明細書第１３頁第１８行目の「ａ及びｂは夫々」
を「は」に補正する。 （２）同第１３頁第１９行目の「の各種」を削除する。 （３）同第１３頁第１９行乃至２０行目の「ａ及びｂは
夫々本発明による第４発明の各種」を「は本発明による
第４発明」に補正する。
施例を示す斜視図、第２図ａ乃至Ｃは夫々本発明による
第２発明の各種の実施例を示す斜視図、第３図ａ及びｂ
は夫々本発明による第３発明の各種の実施例を示す斜視
図、第４図ａ及びｂは夫々本発明による第４発明の各種
の実施例を示す斜視図、第５図は第１図ａのプローブ針
の使用状態を示す概略図、第６図は従来の同軸型プロー
ブ針の斜視図、第７図は第６図の同軸型プローブ針の使
用状態を示す概略図である。 出願人 田中貴金属工業株式会社 ２０．２１・・・ブローフ゛計 第６図 手続補正書（方式） ％式％ １、事件の表示 昭和６１年特許願第１２３１１１号 ２、発明の名称 半導体ウェーハの電気的特性測定用プローブ針３、補正
をする者 事件との関係 特許出願人 ６、補正の内容 （１）明細書第１３頁第１８行目の「ａ及びｂは夫々」
を「は」に補正する。 （２）同第１３頁第１９行目の「の各種」を削除する。 （３）同第１３頁第１９行乃至２０行目の「ａ及びｂは
夫々本発明による第４発明の各種」を「は本発明による
第４発明」に補正する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）誘電体基板上に、伝送線路を複数列平行に設け、こ
の各伝送線路の先端部を上方に隆起させて該隆起部の下
側の誘電体基板との間に空間部を形成するか又は弾性材
を充填して隆起部を接触部となし、この接触部を除いて
少なくとも誘電体基板上に伝送線路を挟んで絶縁体を接
着し、少なくとも前記絶縁体の上面に導電体を接合して
成る半導体ウェーハの電気的特性測定用プローブ針。 ２）誘電体基板上に、伝送線路を複数列平行に設け、こ
の各伝送線路の先端部を上方に隆起させて該隆起部の下
側の誘電体基板との間に空間部を形成するか又は弾性材
を充填して隆起部を接触部となし、前記各伝送線路の両
側にて誘電体基板上にグランド線路を平行に設け、前記
接触部を除いて少なくとも誘電体基板上に伝送線路及び
グランド線路を挾んで絶縁体を接着し、少なくとも前記
絶縁体の上面に導電体を接合して成る半導体ウェーハの
電気的特性測定用プローブ針。 ３）誘電体基板上に、伝送線路を複数列平行に設け、こ
の各伝送線路の先端部を上方に隆起させて該隆起部の下
側の誘電体基板との間に空間部を形成するか又は弾性材
を充填して隆起部を接触部となし、前記接触部を除いて
少なくとも誘電体基板上に伝送線路を挟んで絶縁体を接
着し、この絶縁体の上面及び誘電体基板側の下面に導電
体を接合し、左右両側端部長手方向に一定間隔にスルホ
ールを穿設し導電めっきを施して上下両面の導電シート
を導通させて成る半導体ウェーハの電気的特性測定用プ
ローブ針。 ４）誘電体基板上に、伝送線路を複数列平行に設け、こ
の各伝送線路の先端部を上方に隆起させて該隆起部の下
側の誘電体基板との間に空間部を形成するか又は弾性材
を充填して隆起部を接触部となし、前記各伝送線路の両
側にて誘電体基板上にグランド線路を平行に設け、前記
接触部を除いて少なくとも誘電体基板上に伝送線路及び
グランド線路を挟んで絶縁体を接着し、この絶縁体の上
面及び誘電体基板側の下面に導電体を接合し、左右両側
端部長手方向に一定間隔にスルホールを穿設し導電めっ
きを施して上下両面の導電シートを導通させて成る半導
体ウェーハの電気的特性測定用プローブ針。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61123111A JPH0669055B2 (ja) | 1986-05-28 | 1986-05-28 | 半導体ウエ−ハの電気的特性測定用プロ−ブ針 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61123111A JPH0669055B2 (ja) | 1986-05-28 | 1986-05-28 | 半導体ウエ−ハの電気的特性測定用プロ−ブ針 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62279650A true JPS62279650A (ja) | 1987-12-04 |
| JPH0669055B2 JPH0669055B2 (ja) | 1994-08-31 |
Family
ID=14852447
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61123111A Expired - Lifetime JPH0669055B2 (ja) | 1986-05-28 | 1986-05-28 | 半導体ウエ−ハの電気的特性測定用プロ−ブ針 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0669055B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10282144A (ja) * | 1997-04-07 | 1998-10-23 | Micronics Japan Co Ltd | 平板状被検査体試験用プローブユニット |
| US6281691B1 (en) | 1998-06-09 | 2001-08-28 | Nec Corporation | Tip portion structure of high-frequency probe and method for fabrication probe tip portion composed by coaxial cable |
| JP2009294064A (ja) * | 2008-06-05 | 2009-12-17 | Totoku Electric Co Ltd | 高周波測定用プローブ |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59141239A (ja) * | 1983-01-31 | 1984-08-13 | Fujitsu Ltd | Ｉｃ測定用プロ−バ |
| JPS60236241A (ja) * | 1984-04-30 | 1985-11-25 | カスケード・マイクロテツク・インコーポレイテツド | ウエハプローブ |
| JPS612338A (ja) * | 1984-06-15 | 1986-01-08 | Hitachi Ltd | 検査装置 |
| JPS6114389U (ja) * | 1984-06-29 | 1986-01-28 | 日立電子エンジニアリング株式会社 | 高周波コンタクト装置 |
-
1986
- 1986-05-28 JP JP61123111A patent/JPH0669055B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| US6400168B2 (en) | 1998-06-09 | 2002-06-04 | Nec Corporation | Method for fabricating probe tip portion composed by coaxial cable |
| JP2009294064A (ja) * | 2008-06-05 | 2009-12-17 | Totoku Electric Co Ltd | 高周波測定用プローブ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0669055B2 (ja) | 1994-08-31 |
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