JPS62284071A - ニツケル基材面にパ−マロイ層を形成する方法 - Google Patents
ニツケル基材面にパ−マロイ層を形成する方法Info
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- JPS62284071A JPS62284071A JP12670386A JP12670386A JPS62284071A JP S62284071 A JPS62284071 A JP S62284071A JP 12670386 A JP12670386 A JP 12670386A JP 12670386 A JP12670386 A JP 12670386A JP S62284071 A JPS62284071 A JP S62284071A
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- nickel base
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
（産業上の利用分野）
仁の発明は、軟磁性体としてオーディオ用、ビデオ用、
ディジタル用等に用いられる磁気ヘッド打釦好適なパー
マロイ層、％にニッケル基材面にノぐ−マウイ層をイオ
ン注入法を利用して形成する方法に関するものである。
ディジタル用等に用いられる磁気ヘッド打釦好適なパー
マロイ層、％にニッケル基材面にノぐ−マウイ層をイオ
ン注入法を利用して形成する方法に関するものである。
（従来の技術）
磁気ヘッド材料には飽和磁束密度胸、電気比抵抗ρ及び
使用周波数帯域での実効透磁率が大きいことと共に、抗
磁力Ｈａが小さく、又各特性の温度変化による劣化、耐
摩耗性、摺動ノイズなどが少（第 ２ 頁） ないこと等が要求され、ノ々−マロイ合金、センダスト
合金、フェライト合金等が実用化されている。
使用周波数帯域での実効透磁率が大きいことと共に、抗
磁力Ｈａが小さく、又各特性の温度変化による劣化、耐
摩耗性、摺動ノイズなどが少（第 ２ 頁） ないこと等が要求され、ノ々−マロイ合金、センダスト
合金、フェライト合金等が実用化されている。
近年磁気記録機器の高性能化、小形化が求められ、これ
に伴ない磁気ヘッド材料に高記録密度化、高飽和磁束密
度（Ｂ−）、高透磁率（μ）等の高性ｎヒ化が要求され
、これに対応できるものとして薄膜状材料が試みられて
いる。更に、高軟磁気特性を得るためハイブリット薄膜
やアモルファス薄膜の製作が試みられてお夛、その製作
法として真空蒸着法、スフ餐ツタリング法、イオンブレ
ーティング法などの気相法並びにメッキ法などの液相法
が提来されている。
に伴ない磁気ヘッド材料に高記録密度化、高飽和磁束密
度（Ｂ−）、高透磁率（μ）等の高性ｎヒ化が要求され
、これに対応できるものとして薄膜状材料が試みられて
いる。更に、高軟磁気特性を得るためハイブリット薄膜
やアモルファス薄膜の製作が試みられてお夛、その製作
法として真空蒸着法、スフ餐ツタリング法、イオンブレ
ーティング法などの気相法並びにメッキ法などの液相法
が提来されている。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、いずれの方法も組成制御が困難である。
一方組成制御が容易であシ、溶湯から製造する超急冷凝
固法もあるが、ここでいう薄膜（０，１μ以下のオーダ
ー）を得ることは出来ないのが現状であるという問題点
があった。
固法もあるが、ここでいう薄膜（０，１μ以下のオーダ
ー）を得ることは出来ないのが現状であるという問題点
があった。
したがって、この発明の目的はニッケル基材面にイオン
注入法によシアモルファス状、Ｑ−マロイ（第 ３ 頁
） 層を形成することを提案するものであり、これＫよシ組
成による磁気特性が大きく変化するパーマロイの生成に
際して答易に組成制御をなし得ると共に軟磁気特性が優
れたアモルファス状層を直接得る方法を提供するもので
ある。
注入法によシアモルファス状、Ｑ−マロイ（第 ３ 頁
） 層を形成することを提案するものであり、これＫよシ組
成による磁気特性が大きく変化するパーマロイの生成に
際して答易に組成制御をなし得ると共に軟磁気特性が優
れたアモルファス状層を直接得る方法を提供するもので
ある。
なおこの発明において、ニッケル基材とはニッケル単材
、高純度ニッケルとニッケル合金のり２ツド材はもとよ
シ、アルミニウムや銅等の金属、或いはガラスやアルミ
ナ等のセラミックスなどの基板上にニッケル膜を真空蒸
着法、スパッタリング法、イオンブレーティング法並び
にメッキ法等の造膜法によって５０ＯＡ’以上形成した
ものを総称するものであｌ？に耐剥離性が要求される場
合にはニッケル単材が好ましい。
、高純度ニッケルとニッケル合金のり２ツド材はもとよ
シ、アルミニウムや銅等の金属、或いはガラスやアルミ
ナ等のセラミックスなどの基板上にニッケル膜を真空蒸
着法、スパッタリング法、イオンブレーティング法並び
にメッキ法等の造膜法によって５０ＯＡ’以上形成した
ものを総称するものであｌ？に耐剥離性が要求される場
合にはニッケル単材が好ましい。
また、パーマ四イ層を裏打ち層として利用する場合には
、半導体材料（Ｇｅ、８１％ＧａＡｓ等）やプラスチッ
ク（主として耐熱性樹脂）等にニッケル膜を形成したも
のも適用される。
、半導体材料（Ｇｅ、８１％ＧａＡｓ等）やプラスチッ
ク（主として耐熱性樹脂）等にニッケル膜を形成したも
のも適用される。
又、ニッケル自体は、よシ高純度のもの楊、生成パーマ
ロイト展の特性上好ましいが、例えばモリブデン（ＭＯ
）、クロム（Ｃｒ）、−ｒンガン（Ｍｎ ）等を添加し
た改良パーマロイをｉ！するときには、ニッケルにそれ
らの元素を添加した合金を用いることもできる。
ロイト展の特性上好ましいが、例えばモリブデン（ＭＯ
）、クロム（Ｃｒ）、−ｒンガン（Ｍｎ ）等を添加し
た改良パーマロイをｉ！するときには、ニッケルにそれ
らの元素を添加した合金を用いることもできる。
更に、ニッケル基材としてニッケル材（単材。
クラツド材を含む）に、予めモリブデン、クロム、マン
ガン等をその表面にイオン注入して得たものも同様に適
用できる。
ガン等をその表面にイオン注入して得たものも同様に適
用できる。
なお、ノ々−マロイはニッケル（Ｎ１）が６０〜９０重
量％で、残部が鉄（Ｆｅ）より成る合金を標準として、
更に、 Ｍｏ、（！ｒ１Ｍｎ等の第三添加元素を３．０
〜５．０重量Ｌｌｂ程度に含有させた合金を包含するも
のであシ、例えばＮｉ７９％、 Ｆｅ １７％、Ｍｏ
４ ％から成る合金が高透磁率を示すものとして知られ
ている。
量％で、残部が鉄（Ｆｅ）より成る合金を標準として、
更に、 Ｍｏ、（！ｒ１Ｍｎ等の第三添加元素を３．０
〜５．０重量Ｌｌｂ程度に含有させた合金を包含するも
のであシ、例えばＮｉ７９％、 Ｆｅ １７％、Ｍｏ
４ ％から成る合金が高透磁率を示すものとして知られ
ている。
（問題点を解決するための手段）
この発明は上記目的達成のため、ニッケル基材面に鉄イ
オンを加速エネルギー１０〜５００ ＫｅＶでイオン注
入することＫよりアモルファス状ノ９−マロイ層を形成
するようにしたものである。
オンを加速エネルギー１０〜５００ ＫｅＶでイオン注
入することＫよりアモルファス状ノ９−マロイ層を形成
するようにしたものである。
（第 ５頁）
即ちイオン注入＆Ｃ当っては、イオン注入室の真空度を
２ Ｘ １０−６〜７ Ｘ １０−Ｔｏｒｒに保持し、
−万イオン化室で鉄塩を加熱しつつ鉄（Ｆ−）イオンを
発生させ、それを１０〜５００ ＫｅＶの電圧で加速し
たものを質量分離室に導入して目的の＃ｃ（Ｆｅ”）イ
オンのみを通過させてイオン注入室に導き、このイオン
注入室内で、室温に保持されたニッケル基材の表面に照
射させ鉄イオンの注入を行なうものである。
２ Ｘ １０−６〜７ Ｘ １０−Ｔｏｒｒに保持し、
−万イオン化室で鉄塩を加熱しつつ鉄（Ｆ−）イオンを
発生させ、それを１０〜５００ ＫｅＶの電圧で加速し
たものを質量分離室に導入して目的の＃ｃ（Ｆｅ”）イ
オンのみを通過させてイオン注入室に導き、このイオン
注入室内で、室温に保持されたニッケル基材の表面に照
射させ鉄イオンの注入を行なうものである。
この場合、鉄塩は真空度１ ｘｌｏ−’ 〜３Ｘ １０
−’Ｔｏｒｒ下で５００〜６００℃に加熱した時、昇華
や分解で気化し得る塩が、例えば塩化物のＦｅ０Ｊ１１
、Ｆｅ（Ｖ３等が用いられアルゴンや窒素ガスをキャリ
ヤーガスとして放電させる。なお、上述のようにＭｏ、
Ｏｒ。
−’Ｔｏｒｒ下で５００〜６００℃に加熱した時、昇華
や分解で気化し得る塩が、例えば塩化物のＦｅ０Ｊ１１
、Ｆｅ（Ｖ３等が用いられアルゴンや窒素ガスをキャリ
ヤーガスとして放電させる。なお、上述のようにＭｏ、
Ｏｒ。
Ｍｎ等をイオン注入するときにはＭＯＣＩ６、ｎｏ（０
０）ｅ。
０）ｅ。
０ｒＢ５．０ｒ（Ｃｏ）６ ｓ Ｍｎ０ＡＩｓｌ 、Ｍ
ｎ５ｌ （Ｃｏ）工ｏ等の化合瞼がイオン源として使用
される。
ｎ５ｌ （Ｃｏ）工ｏ等の化合瞼がイオン源として使用
される。
加速エネルギーは、１０Ｋｅ’Ｖ以下ではスパッタリン
グ効果が者るしく発現して、単にＦｅ層が堆積するのみ
でイオン注入効果が不十分であシ、一方（第 ６ 頁） ５００ ＫｅＶ以上では、必要以上のイオン注入深さと
なシ、不経済である。この間においてニッケル膜の厚さ
に応じて適宜のものとなしうるがガウス分布の最大濃度
域が２００〜４ｏｏｘＲさに発現するようなイオン注入
状態、又は均−濃度深さが２００〜４ｏｏｘｍさに亘る
イオン注入状態が得られれば特性的に十分であるので、
５０〜２００ ＫｅＶの加速エネルギーがよシ好ましく
、又経済的でもある。
グ効果が者るしく発現して、単にＦｅ層が堆積するのみ
でイオン注入効果が不十分であシ、一方（第 ６ 頁） ５００ ＫｅＶ以上では、必要以上のイオン注入深さと
なシ、不経済である。この間においてニッケル膜の厚さ
に応じて適宜のものとなしうるがガウス分布の最大濃度
域が２００〜４ｏｏｘＲさに発現するようなイオン注入
状態、又は均−濃度深さが２００〜４ｏｏｘｍさに亘る
イオン注入状態が得られれば特性的に十分であるので、
５０〜２００ ＫｅＶの加速エネルギーがよシ好ましく
、又経済的でもある。
鉄イオンの注入照射量は所望の磁気特性に応じて適宜の
ものとすることができるが１例えば特に磁気ヘッド材と
して優れた特性を発現し得る鉄の最大濃度域が１９〜２
１ ｗｔチのパーマロイ膜を形成したい場合には８ Ｘ
１０”〜１×１♂フイオン／ｃｍ”の注入量となるよ
うに照射時間等を調整すればよい。
ものとすることができるが１例えば特に磁気ヘッド材と
して優れた特性を発現し得る鉄の最大濃度域が１９〜２
１ ｗｔチのパーマロイ膜を形成したい場合には８ Ｘ
１０”〜１×１♂フイオン／ｃｍ”の注入量となるよ
うに照射時間等を調整すればよい。
なお、ニッケル基材の表層における鉄の深さ方向に対す
る濃度分布釦おいて、ガウス分布を解消させて、一定濃
度域を形成させたい場合には、鉄イオンの加速エネルギ
ーを段階的に複数回に亘シ調整する手段換言すれば、段
階的に加速エネルギーを増加又は減少する手段を採用す
ることによつ（第 ７ 頁） て、注入深さが１１！整され、結果として一定濃度域を
形成することができる。これはニッケル材にＭｏ、Ｏｒ
％Ｍｎ等を予めイオン注入する場合如も。
る濃度分布釦おいて、ガウス分布を解消させて、一定濃
度域を形成させたい場合には、鉄イオンの加速エネルギ
ーを段階的に複数回に亘シ調整する手段換言すれば、段
階的に加速エネルギーを増加又は減少する手段を採用す
ることによつ（第 ７ 頁） て、注入深さが１１！整され、結果として一定濃度域を
形成することができる。これはニッケル材にＭｏ、Ｏｒ
％Ｍｎ等を予めイオン注入する場合如も。
同様になし得るものである。
また、本発明はノＲ−マロイ層を表層とするものの製造
方法としての態様以外忙、例えば、樹脂基板−ノ々−マ
ロイ裏打ち層−ｃｏ −ｃｒ垂直磁化層の構造からなる
材料の製造工程における中間工程としてのニッケル層を
形成した樹脂基板の７４’−マロイ化の方法としても適
用できるものである。
方法としての態様以外忙、例えば、樹脂基板−ノ々−マ
ロイ裏打ち層−ｃｏ −ｃｒ垂直磁化層の構造からなる
材料の製造工程における中間工程としてのニッケル層を
形成した樹脂基板の７４’−マロイ化の方法としても適
用できるものである。
（作 用）
この発明は、以上のようにニッケル基材面に鉄イオンを
イオン注入することで、ニッケル表面をアモルファス状
のパーマロイ層に転換し得るものであうイオン注入量を
調整することＫよって所望組成或いは特性を有するノ々
−マロイ膜を極めて容易に得ることができる。又主とし
て加速エネルギーを調整することによって鉄の注入深さ
を調節し、Ｎｉ層を残存させたハイブリッド膜状とする
こともできる。更にイオン注入機に質量分離器が付設さ
れているものを使用するときにはイオン注入時の不純物
混入を適切に防止できる。したがって、前記問題点を解
決できる。
イオン注入することで、ニッケル表面をアモルファス状
のパーマロイ層に転換し得るものであうイオン注入量を
調整することＫよって所望組成或いは特性を有するノ々
−マロイ膜を極めて容易に得ることができる。又主とし
て加速エネルギーを調整することによって鉄の注入深さ
を調節し、Ｎｉ層を残存させたハイブリッド膜状とする
こともできる。更にイオン注入機に質量分離器が付設さ
れているものを使用するときにはイオン注入時の不純物
混入を適切に防止できる。したがって、前記問題点を解
決できる。
（発明の効果）
以上説明したよう釦、この発明はニッケル基材面に鉄イ
オンを注入することにょシパーマロイ層をその上に形成
する方法であるから （１）鉄イオンの注入量をｉｎ、［することにょクパー
マロイ層の組成制御を安易に行なうことができる。
オンを注入することにょシパーマロイ層をその上に形成
する方法であるから （１）鉄イオンの注入量をｉｎ、［することにょクパー
マロイ層の組成制御を安易に行なうことができる。
（２）更に、加速エネルギーを物足することによって、
アモルファス状ノｑ−マロイ層を直接得ることができる
。
アモルファス状ノｑ−マロイ層を直接得ることができる
。
（３）質量分離装置が付設されたイオン注入機を用いる
ときには、イオン注入時の不純物混入を適切忙防止する
ことができるので、ニッケル材の純度に応じて純度の優
れた７々−マロイ層を生成できる。
ときには、イオン注入時の不純物混入を適切忙防止する
ことができるので、ニッケル材の純度に応じて純度の優
れた７々−マロイ層を生成できる。
（４） ニッケル材として、例えばニッケルーモリブ
デン合金を用いれば、モリブデンパーマロイ層（第９
頁） を生成できる。
デン合金を用いれば、モリブデンパーマロイ層（第９
頁） を生成できる。
（５） ニッケル基材におけるニッケｋ Ｎ カ１００
ＯＡ’以上である場合には、パーマロイ層と未注入ニッ
ケル層が共存するハイブリッド層が形成される。
ＯＡ’以上である場合には、パーマロイ層と未注入ニッ
ケル層が共存するハイブリッド層が形成される。
（６）磁気ヘッド材として好適なパーマロイ組成になる
ように鉄イオン注入量を選定するととＫよって優れた磁
気ヘッド材を得ることができる。
ように鉄イオン注入量を選定するととＫよって優れた磁
気ヘッド材を得ることができる。
等の効果が発現されるので工業上極めて有利な方法であ
る。
る。
（実施例）
以下本発明を実施例によシ詳述する。
実施例−１
アルミナ基板を高周波イオンブレーティング装置に搬入
し、真空度５ Ｘ Ｉｏ−’ Ｔｏｒｒのアルゴンガス
算−気で、 −０，５ＫｅＶの電圧と４００ Ｗの高周
波を印加しつつイオンボンバード処理を行ない、純度９
９．９９ ％のニッケルメタルをＮ１源として真空度６
Ｘ ＩＦ’ Ｔｏｒｒで、−０，５ＫｅＶの基板電圧と
４００ Ｗの高周波を印加しつつ１０００ ＡｏのＮ１
イオンゾレーテ（第１０頁） イング膜をアルミナ基板上に形成させた。
し、真空度５ Ｘ Ｉｏ−’ Ｔｏｒｒのアルゴンガス
算−気で、 −０，５ＫｅＶの電圧と４００ Ｗの高周
波を印加しつつイオンボンバード処理を行ない、純度９
９．９９ ％のニッケルメタルをＮ１源として真空度６
Ｘ ＩＦ’ Ｔｏｒｒで、−０，５ＫｅＶの基板電圧と
４００ Ｗの高周波を印加しつつ１０００ ＡｏのＮ１
イオンゾレーテ（第１０頁） イング膜をアルミナ基板上に形成させた。
次いでアルミナ基板をイオン注入４ｆｉ （Ｒ工ｆＥＮ
２００ＫＶ Ｌｏｗ Ｃｕｒｒｅｎｔ工ｍｐｌａｎｔｅ
ｒ ）にセットした。
２００ＫＶ Ｌｏｗ Ｃｕｒｒｅｎｔ工ｍｐｌａｎｔｅ
ｒ ）にセットした。
イオン注入機ではイオン注入室の真空度が２×１０−’
Ｔｏｒｒ Ｋ運したとき、イオン化室の塩化鉄（Ｆｅ
０１ｇ ）を５００℃に加熱して気化放電させた後１５
０ ＫｅＶの加速エネルギーで加速しつつ買置分離室で
Ｆｅ＋イオンのみを分離させ、真空度８ Ｘ ｉＯ−’
Ｔｏｒｒに保持されたイオン注入量のアルミナ基板（常
温下）にＦ−イオンを照射注入し、Ｉ Ｘ １０１フイ
オン／ｃＩＩＬ２の注入照射量となった時点でイオン注
入を終了させた。
Ｔｏｒｒ Ｋ運したとき、イオン化室の塩化鉄（Ｆｅ
０１ｇ ）を５００℃に加熱して気化放電させた後１５
０ ＫｅＶの加速エネルギーで加速しつつ買置分離室で
Ｆｅ＋イオンのみを分離させ、真空度８ Ｘ ｉＯ−’
Ｔｏｒｒに保持されたイオン注入量のアルミナ基板（常
温下）にＦ−イオンを照射注入し、Ｉ Ｘ １０１フイ
オン／ｃＩＩＬ２の注入照射量となった時点でイオン注
入を終了させた。
イオン注入を行なったアルミナ基板を観察したところ、
アルミナ基板上にアモルファス状パーマロイ膜が形成さ
れておシ、パーマロイ膜中の平均Ｎｉ／Ｆｅ原子比は約
４．０でろシ、最高Ｆθ磯度深さが４０ＯＡ’であるガ
ウス分布を示していた。
アルミナ基板上にアモルファス状パーマロイ膜が形成さ
れておシ、パーマロイ膜中の平均Ｎｉ／Ｆｅ原子比は約
４．０でろシ、最高Ｆθ磯度深さが４０ＯＡ’であるガ
ウス分布を示していた。
又、撮動試料型磁力計（理研電子社製ＥＨＶ −３５）
を用いて磁気時性を測定したところ第１図に示すような
磁束密度（Ｂ）−保磁力（ＨＪ忙関するヒステリ／（第
１１頁） ス曲線が得られ、飽和磁束密度Ｂｓが１６７５０ガウス
（Ｇ）を、［磁力Ｈａが３ ｘルスｆｙ Ｙ （ｏｓ
） ｆ各に示し％磁気ヘッド材料として適用し得るもの
であった。
を用いて磁気時性を測定したところ第１図に示すような
磁束密度（Ｂ）−保磁力（ＨＪ忙関するヒステリ／（第
１１頁） ス曲線が得られ、飽和磁束密度Ｂｓが１６７５０ガウス
（Ｇ）を、［磁力Ｈａが３ ｘルスｆｙ Ｙ （ｏｓ
） ｆ各に示し％磁気ヘッド材料として適用し得るもの
であった。
なお、同時に市販のノーマロイ′ｆ３（６μｍ厚で主成
分がＮｉ７２ｗｔ％、Ｆｅ １３ ｗｔ％ｓ Ｍｏ２
＊ ４ ｗｔ ％ ％Ｏｕ ５．４ ｗｔ％等から成る
）について磁気特性を測定したところ、飽和磁束密度が
２６００ （Ｇ）、抗磁力が５（Ｏｓ）であり、上述の
実施例よシ何れも劣るものであった。
分がＮｉ７２ｗｔ％、Ｆｅ １３ ｗｔ％ｓ Ｍｏ２
＊ ４ ｗｔ ％ ％Ｏｕ ５．４ ｗｔ％等から成る
）について磁気特性を測定したところ、飽和磁束密度が
２６００ （Ｇ）、抗磁力が５（Ｏｓ）であり、上述の
実施例よシ何れも劣るものであった。
’ｉ％鬼例−２
ニッケルー４ ｖｒｔ ％モリブデン合金箔に対して実
施例−１と同一の条件で鉄イオンの注入を行なって得ら
れたパーマロイ層について磁気特性を測定したところ、
各々飽和磁束密度Ｂｓが２０，０００ （Ｇ）、抗磁力
が０．１［Ｏθ］であった。
施例−１と同一の条件で鉄イオンの注入を行なって得ら
れたパーマロイ層について磁気特性を測定したところ、
各々飽和磁束密度Ｂｓが２０，０００ （Ｇ）、抗磁力
が０．１［Ｏθ］であった。
実施例−３
実施例−１と同一のイオン注入機を用いて純度９９．０
％のニッケル箔に対して１５０ ＫｅＶの加速エネルギ
ー テＭＯ（Ｃｏ）、をＭＯ源どしテ４ Ｘ ｌｏ′６
イオン７、／の注入量でイオン注入を行ない、続いてＦ
ｅＯＡＩｇをＦｅ源として同一の加速エネルギーでＩ
Ｘ １０１フイオン／ｃｍ”のイオン注入を行なった。
％のニッケル箔に対して１５０ ＫｅＶの加速エネルギ
ー テＭＯ（Ｃｏ）、をＭＯ源どしテ４ Ｘ ｌｏ′６
イオン７、／の注入量でイオン注入を行ない、続いてＦ
ｅＯＡＩｇをＦｅ源として同一の加速エネルギーでＩ
Ｘ １０１フイオン／ｃｍ”のイオン注入を行なった。
得られたパーマ四イ層の磁気特性は朗和磁気腎度で２０
，０００ ＣＧ）、抗磁力で帆１（Ｏｅ）の値をそれぞ
れ示した。
，０００ ＣＧ）、抗磁力で帆１（Ｏｅ）の値をそれぞ
れ示した。
第１図は実施例−１によシ製作したパーマロイ層につい
ての保磁力（刊に対する磁束密度（Ｂ）の変化を示すグ
ラフである。 特許出願人 日本軽金属株式会社 同 理化学研死所
ての保磁力（刊に対する磁束密度（Ｂ）の変化を示すグ
ラフである。 特許出願人 日本軽金属株式会社 同 理化学研死所
Claims (1)
- ニッケル基材面に鉄イオンを加速エネルギー１０〜５０
０ＫｅＶでイオン注入することにより、その表層にパー
マロイ層を形成せしめることを特徴とするニッケル基材
面にパーマロイ層を形成する方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12670386A JPS62284071A (ja) | 1986-05-31 | 1986-05-31 | ニツケル基材面にパ−マロイ層を形成する方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12670386A JPS62284071A (ja) | 1986-05-31 | 1986-05-31 | ニツケル基材面にパ−マロイ層を形成する方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62284071A true JPS62284071A (ja) | 1987-12-09 |
Family
ID=14941761
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12670386A Pending JPS62284071A (ja) | 1986-05-31 | 1986-05-31 | ニツケル基材面にパ−マロイ層を形成する方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62284071A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009238291A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Fujitsu Ltd | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
| CN115181934A (zh) * | 2022-06-21 | 2022-10-14 | 广州国显科技有限公司 | 掩膜板及掩膜板的制备方法 |
-
1986
- 1986-05-31 JP JP12670386A patent/JPS62284071A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009238291A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Fujitsu Ltd | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
| CN115181934A (zh) * | 2022-06-21 | 2022-10-14 | 广州国显科技有限公司 | 掩膜板及掩膜板的制备方法 |
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