JPS6228434B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6228434B2 JPS6228434B2 JP53117667A JP11766778A JPS6228434B2 JP S6228434 B2 JPS6228434 B2 JP S6228434B2 JP 53117667 A JP53117667 A JP 53117667A JP 11766778 A JP11766778 A JP 11766778A JP S6228434 B2 JPS6228434 B2 JP S6228434B2
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- JP
- Japan
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- wax
- workpiece
- substrate
- fixing
- porous
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- Expired
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G04—HOROLOGY
- G04G—ELECTRONIC TIME-PIECES
- G04G17/00—Structural details; Housings
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electric Clocks (AREA)
- Jigs For Machine Tools (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は特に時計、電子器機等を構成する水
晶、ガラス、セラミツク、シリコン、フエライト
等よりなる小形部品又は厚みが100μ以下のウエ
ハー等の超薄形部品の精密加工に用いるワーク接
着用の固定基板に関するものである。
晶、ガラス、セラミツク、シリコン、フエライト
等よりなる小形部品又は厚みが100μ以下のウエ
ハー等の超薄形部品の精密加工に用いるワーク接
着用の固定基板に関するものである。
時計や電子器機等を構成する小形部品や、超薄
型部品等の精密加工として一般にラツピング加工
又はポリシング加工等の方法があるが、これら加
工法においてワークをベースとなる基板に固定す
るには、従来は基板にワツクスを塗布し、基板と
ワークとの間にワツクスを介在させることで固定
強度を保持する方法で行なわれていた。
型部品等の精密加工として一般にラツピング加工
又はポリシング加工等の方法があるが、これら加
工法においてワークをベースとなる基板に固定す
るには、従来は基板にワツクスを塗布し、基板と
ワークとの間にワツクスを介在させることで固定
強度を保持する方法で行なわれていた。
そして、この際使用するワツクスの選定につい
ても、パラフイン等を主成分とする低融点のもの
を用いているのが実状であつた。
ても、パラフイン等を主成分とする低融点のもの
を用いているのが実状であつた。
他の方法としてワツクスを全く使用しないで真
空で吸引してワークを基板に固定する方法も行な
われている。
空で吸引してワークを基板に固定する方法も行な
われている。
しかし、ワークを基板にワツクスを用いて固定
する方法を用いた時、ワツクス量が多いと固定力
は維持出来るが、ワツクス層に厚みのバラツキを
生じせしめ、また逆にワツクス量を極端に少くす
ると固定強度が弱まる。ワツクスの選定について
も、融点があまり高いと作業性が悪く又薄く延ば
すという条件からも制約があり、一般的には強度
を犠性にしてパラフイン等を主成分とする低融点
のものを使用しているのが実状である。
する方法を用いた時、ワツクス量が多いと固定力
は維持出来るが、ワツクス層に厚みのバラツキを
生じせしめ、また逆にワツクス量を極端に少くす
ると固定強度が弱まる。ワツクスの選定について
も、融点があまり高いと作業性が悪く又薄く延ば
すという条件からも制約があり、一般的には強度
を犠性にしてパラフイン等を主成分とする低融点
のものを使用しているのが実状である。
又、ワツクスの精製上不純物を皆無にすること
は難かしく、又、ワツクスの層の均一性及びワー
クとワツクス間の熱応力分布の不均一性からし
て、ワツクスの層を高精度に均一にすることは非
常に難かしかつた。
は難かしく、又、ワツクスの層の均一性及びワー
クとワツクス間の熱応力分布の不均一性からし
て、ワツクスの層を高精度に均一にすることは非
常に難かしかつた。
このためワークのサイズが大きくなると特に量
産性も加味すると、３〜５μｍのワツクス層のバ
ラツキは必然的に生じてしまい、一応の限界値と
考えられていた。
産性も加味すると、３〜５μｍのワツクス層のバ
ラツキは必然的に生じてしまい、一応の限界値と
考えられていた。
次に真空吸引による固定方法によれば、特に薄
物となると吸着部と非吸着部との間に接着応力の
不均一を招き、結果的にはポリシング面に吸引模
様を生じせしめ、平坦度は極めて悪いものとなる
のが通常である。又、ワツクスの層にバラツキが
あればワークのラツピングやポリシングの厚み精
度としては、直接的にその影響も受け、ワークの
厚み寸法精度は悪いものとなる。
物となると吸着部と非吸着部との間に接着応力の
不均一を招き、結果的にはポリシング面に吸引模
様を生じせしめ、平坦度は極めて悪いものとなる
のが通常である。又、ワツクスの層にバラツキが
あればワークのラツピングやポリシングの厚み精
度としては、直接的にその影響も受け、ワークの
厚み寸法精度は悪いものとなる。
本発明の目的はこれらの弊害をさけ、ワツクス
層の影響を極めて少くするためワツクスの層を均
一にして接着力を保持しワークの加工精度を向上
させるためのワーク固定用の基板を提供すること
である。
層の影響を極めて少くするためワツクスの層を均
一にして接着力を保持しワークの加工精度を向上
させるためのワーク固定用の基板を提供すること
である。
上記目的を達成するために本発明は、焼結体を
ポーラス状に形成し、該ポーラス状の部分にワツ
クスを含浸させたワーク固定用の基板を提供する
ものである。
ポーラス状に形成し、該ポーラス状の部分にワツ
クスを含浸させたワーク固定用の基板を提供する
ものである。
以下、本発明について説明する。焼結体は
Al2O3、SiO2又はWC、金属粉末を主成分とする
原料粉末をCO、Ni等のバインダーと混合型に充
填し、電気炉還元雰囲気中で850℃〜1500℃で加
熱焼結を行うことでポーラス基板を形成する。気
孔率40〜65％、圧縮強度100〜700Kg／cm2、空隙径
は粒子径の約15％を標準とする。
Al2O3、SiO2又はWC、金属粉末を主成分とする
原料粉末をCO、Ni等のバインダーと混合型に充
填し、電気炉還元雰囲気中で850℃〜1500℃で加
熱焼結を行うことでポーラス基板を形成する。気
孔率40〜65％、圧縮強度100〜700Kg／cm2、空隙径
は粒子径の約15％を標準とする。
このポーラス状焼結体に融点100℃前後のマツ
ヤニ、シエラツク、パラフインを主成分とするワ
ツクスを真空含浸又は加熱強制含侵させることに
よりワークを固定するための接着用基板を作成で
きる。
ヤニ、シエラツク、パラフインを主成分とするワ
ツクスを真空含浸又は加熱強制含侵させることに
よりワークを固定するための接着用基板を作成で
きる。
次に本発明ワーク固定基板を使用して該基板１
にワーク２を固定する方法について説明する。
にワーク２を固定する方法について説明する。
第１図は時計の１部品であるロータ磁石をラツ
ピング加工するために基板に接着した状態を示す
断面図である。また第２図は水晶ウエハー等の極
薄物部品をラツピング加工するために基板に接着
した状態を示す断面図である。
ピング加工するために基板に接着した状態を示す
断面図である。また第２図は水晶ウエハー等の極
薄物部品をラツピング加工するために基板に接着
した状態を示す断面図である。
ポーラス状に形成しワツクスが含侵されている
基板１の上面をきれいにふきとり、その上面にワ
ーク２を直接のせて圧力をかけた状態でワツクス
の融点温度以上に加熱する、すると毛細管現象で
ワツクス３が浮き出て基板１とワーク２間に浸透
し基板１にワーク２が接合した時点で冷却させて
基板１にワーク２を接着させる。
基板１の上面をきれいにふきとり、その上面にワ
ーク２を直接のせて圧力をかけた状態でワツクス
の融点温度以上に加熱する、すると毛細管現象で
ワツクス３が浮き出て基板１とワーク２間に浸透
し基板１にワーク２が接合した時点で冷却させて
基板１にワーク２を接着させる。
すると毛細管現象で浮き出たワツクス量は極め
て少量であつてワツクスの層は極めて薄い層とな
り、且つ均一な層となる。しかも十分な接着強度
を得られる。このようにワークを固定した基板を
ラツピング等の機械にセツトして加工を行なえば
ワツクス層が薄く且つ均一であるので寸法精度の
高い部品を得ることができる。
て少量であつてワツクスの層は極めて薄い層とな
り、且つ均一な層となる。しかも十分な接着強度
を得られる。このようにワークを固定した基板を
ラツピング等の機械にセツトして加工を行なえば
ワツクス層が薄く且つ均一であるので寸法精度の
高い部品を得ることができる。
尚、焼結体の選定はワークの種類に応じて両者
の熱膨張係数差を極力少なくするように適宜選定
すると良い。
の熱膨張係数差を極力少なくするように適宜選定
すると良い。
以上説明した如く本発明によれば、前もつて焼
結基板にワツクスを含浸させた基板としたため、
ワークと基板間のワツクス量はポーラス内に侵入
した量しかないのでワークの平行度は基板面の面
状態によつて決まり、一方固定力はワークと基板
間のワツクスの量だけでなく基板内に含侵してい
るワツクス量もきいてくるため、ワークの固定力
を何等低下させることなく非常に均一な接着力を
維持しつつワークを固定することができて、ラツ
ピングやポリシング加工上極めて精度の高い加工
が得られる。
結基板にワツクスを含浸させた基板としたため、
ワークと基板間のワツクス量はポーラス内に侵入
した量しかないのでワークの平行度は基板面の面
状態によつて決まり、一方固定力はワークと基板
間のワツクスの量だけでなく基板内に含侵してい
るワツクス量もきいてくるため、ワークの固定力
を何等低下させることなく非常に均一な接着力を
維持しつつワークを固定することができて、ラツ
ピングやポリシング加工上極めて精度の高い加工
が得られる。
第１図および第２図は、本発明の実施例による
加工法を示す断面図。 １…基板、２…ワーク、３…ワツクス。
加工法を示す断面図。 １…基板、２…ワーク、３…ワツクス。
Claims (1)
- １ 時計や電子器機等を構成する小型部品また
は、超薄型のウエハーの精密ラツピングまたはポ
リシング加工等に用いるワーク接着用の固定基板
に於て、アルミナ系または炭化タングステン系ま
たは金属等の焼結体をポーラス状に形成し、該ポ
ーラス状の部分にワツクス（接着剤）が含浸され
ていることを特徴とするワーク固定基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11766778A JPS5543475A (en) | 1978-09-25 | 1978-09-25 | Working method of parts of clock or wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11766778A JPS5543475A (en) | 1978-09-25 | 1978-09-25 | Working method of parts of clock or wafer |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5543475A JPS5543475A (en) | 1980-03-27 |
| JPS6228434B2 true JPS6228434B2 (ja) | 1987-06-19 |
Family
ID=14717293
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11766778A Granted JPS5543475A (en) | 1978-09-25 | 1978-09-25 | Working method of parts of clock or wafer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5543475A (ja) |
-
1978
- 1978-09-25 JP JP11766778A patent/JPS5543475A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5543475A (en) | 1980-03-27 |
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