JPS62287066A - ハイブリツドイオンプレ−テイング方法とその装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ３、発明の詳細な説明 （技術分野） この発明は、ハイブリットイΔ−ンブレー１インク方法
どぞの装置に関りるＬ）のである。さらに訂しくけ、ホ
［１カソードプラズマ法と高周波励起ブ゛ラズマ法とを
複合化した、ｆｌｊｌ的率、かつ、安定ｆ）ｌに優れた
プラズマ状態を作り、優れた晶質の薄ｌつ１を形成する
ことを可１１Ｌどしたバイア゛リッドイΔ−ンブレーテ
ィング方法とその装置に関ηるｂのである。

（背輿技術） プラスチック、金属、セラミックス等の様々の形状の物
品の表面に、金属、無機物、カーホン、あるいは右（幾
ポリマーヤ）１ラミツクスイｔどの薄ｎう）（蒸着源）
を形成したしの（５１１、導電・１）１ノｒルム、絶縁
膜、表示素子、）１乙学フイルム、電子−ノ′ハイス、
保護膜、装部などの多様／、ｆ川途用野ｌ＼の応用か明
侍されているもので、Ｊで番こ実用化されでいるもの＝
し少くない。

このような薄膜を形成するための方法、装置としでは、
真空蒸着装置内に置いた蒸発源からの蒸発粒子をグロー
敢電によってイオン化して行うものか知られている。イ
オンプレーティングと呼ばれている技術である。

イオンプレーティングについては、小口カソード型のも
のと、高周波励起型のｂのとかあることし知られている
。

これらのイオンプレーティング法は薄膜形成技術として
優れたものではあるが、生産効率と薄膜の↑ノ１能の両
面において優れた技術、装置としては依然として多くの
問題か未解決の現状にある。

覆なわ６、ホロカソードの場合には、カソード部等の装
置の汚れ、損傷が避けられず、熱的安定・１１に欠ＩＪ
　、ｉ’ｌ肱の性能の均一・１ノ１を確実な・ｂのとす
ることノ〕ζテ１１シいという問題がある。このため、
優れた品質の薄膜を、連続的な処理どじで実現Ｍること
は困ｌ！ＩＩであった。

また、高周波励起型のイオンプレーティングの場合には
、優れた品質の薄膜を安定して仁するためには極めて有
効であるものの、ぞの薄膜を効率的に製）盾するための
生産・１ノ１０点では若干の問題かあつ　Ｉこ　。

（発明の目的） この発明は、このようｔｉ事情に鑑みてなされたもので
あって、優れた品質の薄膜を効率的に形成するための新
しいタイプのイオンプレーディングの方法と装置とを促
供することを目的としている。

（発明の構成） この発明のイオンプレーティング方法は、ホ［１カソー
ドプラズマイオンブレーテイングと高周波励起イオンプ
レーティングとをハイブリッド化したことを特徴とする
もので、これ１（でにイ＾い優れた効果を実現するもの
である。

また、この発明は、このハイブリッドイオンプレーティ
ングのための装置をも実現覆る。この装置は、真空室と
；排気系と；ガス導入系と；薄膜形成月利の蒸発源と；
必要により設ける抵抗加熱または高周波誘導加熱の蒸発
手段と；ホ［Ｉカソードプラズマガンど；高周波励起の
手段と；被処理物の保持と移動の手段とからなり、該ホ
ロカソードプラズマガンによって蒸発源物質の蒸発とイ
オン化を行い、かつ、被処理物と蒸発源物質との間に設
しＪだ高周波励起手段によって蒸発粒子のイオン化励起
を行うようにしたことを特徴どしている。

以下、添削した図面に沿って、この発明の方法と駅首を
説明する。

図は、この発明の一例を示したものであって、この具体
例にこの発明の方法と装置が限定されるものでないこと
はいうまでもない。

第１図に例示した装置では、真空室（１）は、ベルン〜
ノ（２）にＪ、って気密に保たれている。真空室（１〉
は真空ポンプによって排気する。ベルジャ（２）には、
真空排気口（３）とともに、反応ガス導入口（４）を設
ける。また、ベルジャ（２）の内部には、蒸発原料物質
のハース（５）、ホ［１カソードプラズマガン（６）お
Ｊ、び高周波励起手段（７）とを設ける。被処理物（８
）は、保持手段（９）によって支持する。

ホロカソードプラズマガンには、ＤＣ２０〜１００Ｖ、
１００〜１．０ＯＯＡ、また高周波による励起は、４０
０ＫｌｌＺ〜１００　Ｈｔｌｚ程度の条件を採用するこ
とが好ましい。被処理物基板には、ＤＣ３０〜１００Ｖ
の直流電圧を印加Ｊることもできる。

真空室の圧力は、通常のホ［１カソード法の場合の１０
−３〜１０−４Ｔｏｒｒよりも低い圧力とすることがで
きる。おおむね、１０〜１０’Ｔｏｒｒ稈度とするのが
好ましい。

もらろん、蒸発源物質の種類、所望の薄膜の物性に応じ
てこれら条１′］に必ずしも限定されることなくハイブ
リッドイオンプレーティングを行うことができる。

高周波励起については、１−ＩＩｔｉ合、Ｃ結合のいず
れのものでもよく、さらにはたとえば、第２図に示した
ような被処理物の連続的移動手段を設けるなどして、ベ
ルジャの構造を適宜に変更することができる。

５９人カスにＬＬ、アルゴン、ヘリウム、水素、酸素、
窒素、有機上ツマ−などの不活ヒ］、あるい（３１反応
゛１）１のガスの適宜なものを用いることかできる。３
ｉｔ：　７．：、導入ノｊスかなくとも蒸発物ｖ１を励
起し、イオン化号ることかできる。

このハイブリッドイオンプレーティングにおいては、通
常のホ［１カソード法では蒸発＄１′ｆ子のイ」ン化率
かＩＩいどいわれているか、高周波励起を複合化Ｊるこ
とにＪ、って、プラズマ密麻かざらに高くイｆす、イオ
ン化率がさらに人きくイする。

３：た高周波励起によって、Ｊ、り低Ｈ−条イ′１−ζ
゛、かつ安定に敢電を維持すること−ｂてきるので、ｎ
ｂ　ｌｌ６ｔの品質は著しく向上し、均一性も増大する
。ボ［１カッ−Ｆ法の特長である効率・ｔ）＋も充分に
牛かりことかできる。

（発明の効果） この発明のハイブリッドイオンプレーティングにＪ、っ
て、ホ【」カソードプラズマ法および高周波励起ｙ′プ
ラズマ法各々の方法によっては実現覆ることのできなか
った、イオンプレーティング反応の効率・１１、プラズ
マの安定・１ノ１、牛成覆る薄Ｉ６）の物性の均一・１
ノ１ど、その品質の向「乙１どの（０れ）こ効果が得ら
れる。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は、この発明の方法と装置の例を示
した一ｂのである。 図中の番号は次のものを示している。 １・・・真空室 ２・・・ベルジ（） ５・・・ハース ６・・・ホ［］カカソードプラズマ刀 ン７・・高周波励起手段 代理人　弁理士　　四　　）Ｙ　　利　　大東　　１　
　図 第　　２　　図

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）蒸発粒子をイオン化励起して薄膜を形成するイオ
   ンプレーティング方法において、ホロカソードプラズマ
   によって蒸発源物質の蒸発とイオン化を行うとともに、
   導入ガス、または蒸発物質の各々、もしくはこれら双方
   を高周波電界により励起を行うことを特徴とするハイブ
   リッドイオンプレーティング方法。
2. （２）真空室と；排気系と；ガス導入系と；薄膜形成材
   料の蒸発源と；必要により設ける抵抗加熱または高周波
   誘導加熱の蒸発手段と；ホロカソードプラズマガンと；
   高周波励起の手段と；被処理物の保持と移動の手段とか
   らなり、該ホロカソードプラズマガンによって蒸発源物
   質の蒸発とイオン化を行い、かつ、被処理物と蒸発源物
   質との間に設けた高周波励起手段によって蒸発粒子のイ
   オン化励起を行うようにしたハイブリッドイオンプレー
   ティング装置。