JPS6228745A - 感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 イ、産東上の利用分野 本発明は感光体、例えば電子写真感光体に関するもので
ある。 口、従来技術 従来、電子写真感光体として、Ｓｅ又はＳｅにＡｓ、Ｔ
ｅ、Ｓｂ等をドープした感光体、ＺｎＯやＣｄＳを樹脂
バインダーに分散させた感光体等が知られている。しか
しながらこれらの感光体は、環境汚染性、熱的安定性、
機械的強度の点で問題がある。 一方、アモルファスシリコン（ａ−３ｉ）を母体として
用いた電子写真感光体が近年になって提案されている。 、ａ−３ｉは、５ｉ−３ｔの結合手が切れたいわゆるダ
ングリングボンドを有しており、この欠陥に起因してエ
ネルギーギャップ内に多くの局在準位が存在する。この
ために、熱励起担体のホッピング伝導が生じて暗抵抗が
゛小さく、また光励起担体が局在準位にトラップされて
光伝導性が悪くなっている。そこで、上記欠陥を水素原
子（Ｈ）で補償してＳｉにＨを結合させることによって
、ダングリングボンドを埋めることが行われる。 このようなアモルファス水素化シリコン（以下、ａ−３
ｉ：Ｈと称する。）の暗所での抵抗率は、１０８〜１０
９Ω−ｃｍであって、アモルファスＳｅと比較すれば約
１万分の１も低い。従って、ａ−３ｉ：Ｈの単層からな
る感光体は表面電位の暗減衰速度が大きく、初期帯電電
位が低いという問題点を有している。 しかし、他方では、可視及び赤外領域の光を照射すると
抵抗率が大きく減少するため、感光体の感光層として極
めて優れた特性を有している。 第８図には、上記のａ−３ｉ：Ｈを母材としたａ−３ｉ
系感光体９を組込んだ電子回置複写機が示されている。 この複写機によれば、キャビネット１の上部には、原稿
２を載せるガラス製原稿載置台３と、原稿２を覆うプラ
テンカバー４とが配されている。原稿台３の下方では、
光源５及び第１反射用ミラー６を具備した第１ミラーユ
ニツト７からなる光学走査台が図面左右方向へ直線移動
可能に設けられており、原稿走査点と感光体との光路長
を一定にするための第２ミラーユニツト２０が第１ミラ
ーユニツトの速度に応じて移動し、原稿台３側からの反
射光がレンズ２１、反射用ミラー８を介して像担持体と
しての感光体ドラム９上ヘスリツト状に入射するように
なっている。ドラム９の周囲には、コロナ帯電器１０、
現像器１１、転写部１２、分離部１３、クリーニング部
１４が夫々配置されており、給紙箱１５から各給紙ロー
ラー１６．１７を経て送られる複写紙１８はドラム９の
トナー像の転写後に更に定着部１９で定着され、トレイ
３５へ排紙される。定着部１９では、ヒーター２２を内
臓した加熱ローラー２３を圧着ローラー２４との間に現
像済みの複写紙を通して定着操作を行う。 しかしながら、ａ−３ｉ：Ｈを表面とする感光体は・長
期に亘って大気や湿気に曝されることによる影トコロナ
放電で生成される化学種の影響等の如き表面の化学的安
定性に関して、これまで充分な検討がなされていない。 例えば１力月以上放置したものは湿気の影響を受け、受
容電位が著しく低下することが分っている。一方・アモ
ルファス水素化炭化シリコン（以下、ａ−５ｉＣ：Ｈと
称する。）について、その製法や存在が“Ｐｈ１１．Ｍ
ａｇ、Ｖｏｌ、　３５″　（１９７８）等に記載されて
おり、その特性として、耐熱性や表面硬度が高いこと、
ａ−３ｉ：）［と比較して高い暗所抵抗率（１０′〜１
０′３Ω−ｃｍ）を有すること、炭素量により光学的エ
ネルギーギヤツブが１．６〜２．８ｅＶの範囲に亘って
変化すること等が知られている。但し、炭素の含有によ
りハンドギャップが拡がるために長波長感度が不良とな
るという欠点がある。 こうしたａ−３ｉＣ：）ｌとａ−３ｉ：Ｈとを組合せた
電子写真感光体は例えば特開昭５５−１２７０８３号公
報において提案されている。これによれば、ａ−３ｉ：
８層を電荷発生（光導電）層とし、この電荷発生層下に
ａ−３ｉＣ：８層を設け、上７層のａ−３ｉ：Ｈにより
広い波長域での光怒度を得、かつａ−５ｉ：８層とへテ
ロ接合を形成する下層のａ−３ｉＣ：Ｈにより帯電電位
の向上を図っている。しかしながら、ａ−３ｉ：８層の
暗減衰を充分に防止できず、帯電電位はなお不充分であ
って実用性のあるものとはならない上に、表面にａ−３
ｉ：Ｈ眉が存在していることにより化学的安定性や機械
的強度、耐熱性等が不良となる。 一方、特開昭５７−１７９５２号公報には、ａ−Ｓｉ二
■■からなる電荷発生層上に第１のａ−３ｉＣ：Ｈ５を
表面改質屓として形成し、裏面上（支持体電極側）に第
２のａ−３ｉＣ：８層を形成している。 また、この公知技術に関連したものとして、実開昭５７
−２３５４３号公報にみられる如く、上記の電荷発生層
と上記第１及び第２のａ　−Ｓ　ｉ　Ｃ：　８層との間
に傾斜Ｅｘ　（ａ　　Ｓ　ｉ　１−ｘＣｘ　：　Ｈ）を
設け、この傾斜層においてａ−３ｉ：）（側でＸ−０と
し、ａ　−Ｓ　ｉ　Ｃ：　Ｈ層側でＸ−０，５とした感
光体が知られている。 しかしながら、上記の公知の感光体について本発明者が
検討を加えたところ、表面改質層を設けたことによる効
果は特に連続繰返し使用において、それ程発揮されない
ことが判明した。叩ち、２０〜３０万回の連続ランニン
グ時に表面のａ−３ｉＣ層が７〜８万回程度で機械的に
損傷され、これに起因する白スジや白ポチが画像欠陥と
して生じるため、耐剛性が充分ではない。しかも、繰返
し使用時の耐光疲労が生じ、画像流れも生じる上に、電
気的・光学的特性が常時安定せず、使用環境（温度、湿
度）による影響を無視できない。また、表面改質層と電
荷発生層との接着性も更に改善する必要がある。 ハ１発明の目的 本発明の目的は、表面改質層と電荷発生層との接着性に
優れ、機械的損傷に強くかつ耐剛性に優れている上に、
画像流れのない安定な画質が得られ、繰返し使用時の光
疲労が少なく、残留電位も低く、かつ特性が使用環境（
温度、湿度）によらずに安定している感光体を提供する
ことにある。 二１発明の構成及びその作用効果 即ち、本発明は、周期表第ＩＩＩａ族元素がヘビードー
プされかつ炭素原子、窒素原子及び酸素原子のうちの少
なくとも１種を含有するアモルファス水素化及び／又は
フッ素化シリコンからなる電荷ブロッキング層と；炭素
原子及び酸素原子を含有するアモルファス水素化及び／
又はフッ素化シリ周期表第ｍａ族又は第Ｖａ族元素がド
ープされかつアモルファス水素化及び／又はフッ素化シ
リコンからなる第１中間屓と；炭素原子、窒素原子及び
酸素原子のうちの少なくとも１種を含有するアモルファ
ス水素化及び／又はフッ素化シリコンからなる第２中間
層と；炭素原子、窒素原子及び酸素原子のうちの少なく
とも１種を前記第２中間眉よりも多く含有するアモルフ
ァス水素化及び／又はフッ素化シリコンからなる表面改
質層とが順次積層されてなる感光体に係るものである。 本発明によれば、表面改質層は炭素、窒素及び酸素の少
なくとも１つの原子を含有している上に、この層下に第
２及び第１中間層を設けているために、機械的損傷に対
して強くなり、白スジ発生等による画質の劣化がなく、
耐刷性が優れたものとので、表面改質層と電荷発生層と
の接着性が向上する。また、表面改質層と中間層とを電
荷発生層上に設けているので、上記に加えて、繰返し使
用時の耐光疲労に優れ、また画像流れもなく、残留電位
も低下し、電気的・光学的特性が常時安定化して使用環
境に影びを受けないことが確認されている。 ホ、実施例 以下、本発明を実施例について詳細に説明する。 第１図は、本実施例による正帯電用のａ−３ｉ系電子写
真感光体３９を示すものである。この感光体３９はＡ１
等のドラム状導電性支持基板４１上に、周期表第ｍａ族
元素（例えばホウ素）がへビードープされかつＣ，Ｎ及
びＯの少なくとも１つを含有するａ−３ｉ：Ｈ（これを
ａ−３ｉ　　（Ｃ）（Ｎ）（○）：Ｈと表す。）からな
るＰ１型電荷ブロッキング眉４４と、周期表第ＩＩＩａ
族元素（例えばホウ素）がライトドープされて真性化さ
れかつＣ及びＯを含有するａ−３ｉ：Ｈ（これをａ−３
ｉ　　（Ｃｏ）：Ｈと表す。）からなる電荷輸送層４２
と、ａ−３ｉ：Ｈからなる電荷発生層（不純物ドーピン
グなし又は真性化されたもの）４３と、周期表第１［［
ａ族又は第Ｖａ族元素がヘビードープされたビ型又はＮ
１アモルファス水素化シリコンからなる第１中間層４７
と、周期表第ＩＩＩａ族又は第Ｖａ族元素がドープされ
てＰ型又はＮ型或いは真性化（若しくは不純物ドーピン
グなしの）されかつＮ、Ｃ及びＯの少なくとも１つを含
有するアモルファス水素化シリコン（これをａ−３ｉ　
　（Ｃ）（Ｎ）　　（０）：Ｈと表す。）からなる第２
中間層４６と、周期表第ｍａ族又は第Ｖａ族元素がドー
プされてＰ型又はＮ型或いは真性化（若しくはドーピン
グなし）されかつａ　−Ｓ　ｉ　　（Ｃ）　　（Ｎ）（
０）：Ｈからなる表面改質層４５とが積層された構造か
らなっている。電荷発生層４３は暗所抵抗率ρＤと光照
射時の抵抗率ρＬとの比が電子写真感光体として充分大
きく光感度（特に可視及び赤外領域の光に対するもの）
が良好である。 なお、上記の缶石の炭素原子含有量は０〜７０％の範囲
では、第２図に示す如くに光学的エネルギーギヤツブ（
Ｅ　ｇ、　ｏｐｔ　）とほぼ直線的な関係があるので、
炭素原子含有量を光学的エネルギーギャップに置き換え
て規定することができる。 また、ａ　−Ｓ　ｉ　Ｃ：　Ｈは、炭素原子含有量を適
切に選択すれば、第３図の曲線ａのように比抵抗の上昇
、帯電電位保持能の向上という顕著な作用効果が得られ
る。叩ち、第３図に曲線ａで示すように、炭素原子含有
量が３０〜９０％のａ−３ｉＣ：Ｈを用いた場合、その
比抵抗は炭素含有量に従って変化し、１０１２Ω−ＣＩ
！１以上になる。 上記の傾向は、炭素に代えてＮ又はＯを含むａ−３ｉＮ
：Ｈ，ａ−３ｉＯ：Ｈについても同様である。 上記の層４５は感光体の表面を改質してａ−３ｉ系感光
体を実用的に優れたものとするために必須不可欠なもの
である。即ち、表面での電荷保持と、光照射による表面
電位の減衰という電子写真感光体としての基本的な動作
を可能とするものである。 従って、帯電、光減衰の繰返し特性が非常に安定となり
、長期間（例えば１力月以上）放置しておいても良好な
電位特性を再現できる。これに反し、ａ−３ｉ：Ｈを表
面とした感光体の場合には、湿気、大気、オゾン雰囲気
等の影響を受は易（、電位特性の経時変化が著しくなる
。 また、層４５は表面硬度が高いために、現像、転写、ク
リーニング等の工程における耐摩耗性があり、更に耐熱
性も良いことから粘着転写等の如く熱を付与するプロセ
スを通用することができる。 上記のような優れた効果を総合的に奏するためには、層
４５の組成を選択することが重要である。 叩ち、炭素原子を含有する場合、ｓｉ＋ｃ＝１ｏ。 ａｔｏｍｉｃ％（以下、ａｔｏｍｉｃ％を単に％で表す
。）としたとき１％≦ＣＣ）５９０％、更には１０％≦
（Ｃ）５７０％であることが望ましい。このＣ含有量に
よって上記した比抵抗が所望の値となり、かつ光学的エ
ネルギーギャップがほぼ２．５ｅＶ以上となり、可視及
び赤外光に対しいわゆる光学的に透明な窓効果により照
射光はａ−３ｉ：Ｈ層（電荷発生層）４３に到達し易く
なる。しかし、Ｃ含有量が１％以下では、機械的損傷等
の欠点が生じ、かつ比抵抗が所望の値以下となり易く、
かつ一部分の光は表面層４５に吸収され、感光体の光感
度が低下し易くなる。また、Ｃ含有量が９０％を越える
と層の炭素量が多くなり、半導体特性が失われ易い上に
ａ−３ｉＣ：Ｈ膜をグロー放電法で形成するときの堆積
速度が低下し易いので、Ｃ含有量は９０％以下とするの
がよい。同様に、窒素又は酸素を含有する層４５の場合
、１％≦ＣＮ）５９０％（更には１０％≦　〔Ｎ〕　５
７０％）がよく、０％〈　〔０〕　５７０％（更には５
％≦〔０〕≦３０％）がよい。 帯電能を向上させるためには、表面改質層４５友高抵抗
化してもよい。そのためには表面改質層を真性化しても
よい。 正又は負帯電使用に於いて、中間層から表面改質層中へ
の電子又は正孔の注入を容易にし、残留電位を極小化す
るためには、表面改質層をＰ又はＮ型としてもよい。各
場合の不純物ドープ量（後述のグロー放電分解時）は次
の通りであってよい。 真性化：ＢｚＨｓ／ＳｉＨ，＋　　２〜５０容ｆｆｉｐ
ｐｍＰ型：ＢｚＨｅ／ＳｉＨ＋　　５０〜１０００容量
　ｐ　ｐ　ｍＮ型：ＰＨ３／ＳｉＨ４１〜１０００容量
ｐｐｍまた、層４５はａ−Ｓ　ｉｃｏ、ａ−３ｉＮ、ａ
−３ｉｏ、ａ−３ｉｏｚ等からなっていてよく、その膜
厚を４００人≦し５５０００人の範囲内（特に４００人
≦ｔ≦２０００人に選択することも重要である。 即ち、その膜厚が５０００人を越える場合には、残留電
位ｖ尺が高くなりすぎかつ光感度の低下も生じ、ａ−３
ｉ系感光体としての良好な特性を失い易い。 また、膜厚を４００人未満とした場合には、トンネル効
果によって電荷が表面上に帯電されなくなるため、暗減
衰の増大や光感度の低下が生じてしまう。 第２中間層４６については、残留電位低下のためには、
電荷発生層からの電荷の注入の可能とするのに中間層を
Ｐ又はＮ型としてもよい。導電型制御のためのドーピン
グ量は表面改質層と同じでよい。また、Ｃ，Ｎ、０の含
有量は層４５のそれよりも少なくする。即ち、Ｏ＜　〔
Ｃ）５１０％、０く（Ｎ）５１０％、Ｏ＜（０）≦５％
とするのがよい。 この中間層の膜厚は５０〜５０００人とするのがよいが
、５０００人を越えると上記したと同様の現象が生し易
＜、５０人未満では中間層としての効果が乏しくなる。 好ましくは、１００Å以上、１０００Å以下とするのが
よい。 第１中間層４７は感度の向上、残留電位の低下、表面改
質層、中間層４６の接着性の向上及び画像の安定化のた
めに設置する。中間層４７は、上記特性改善のためには
、Ｐ又はＮ型化する必要がある。不純物ドープ量は（Ｐ
Ｈ３）／　（Ｓ　ｔＨ＋）＝１〜１０００　（好ましく
は１０〜５００）容量ｐｐｍ、ＣＢ２Ｈ６）／　（Ｓｉ
Ｈ４）＝１０〜１０００　（好ましくは５０〜５００）
容ＭｐｐＬ１１としてよい。 この中間層の膜厚は５０〜５０００人とするのがよいが
、５０００人を越えると上記したと同様の現象が生じ易
く、５０人未満では中間層としての効果が乏しくなる。 電荷発生層４３については、帯電能を向上するためには
、電荷発生層の高抵抗化を図ってもよい。 その為には、電荷発生層を真性化してもよい。この真性
化には、Ｂ　２　）ｉ　ｓ　／　Ｓ　ｉ　Ｈ＋　＝　Ｌ
〜２０容量ｐｐｍとするのがよい。 また、電荷発生層は１〜１０μｍ、好ましくは５〜７μ
ｍとするのがよい。電荷発生層４３が１μｍ未満である
と光感度が充分でなく、また１０μｍを越えると残留電
位が上昇し、実用上不充分である。 電荷輸送層４２については、帯電能、感度を最適化する
ためには、真性化してもよい。真性化のためのドープ量
は、（ＢｚＨ６）／　（ＳｉＨ４）＝２〜２０容量ｐｐ
ｍが最適である。但し、上記値はｃ１度に依存するため
、必ずしも上記値に限定されるものではない。電荷輸送
層の膜厚は１０〜３０μｍとするのがよい。また、電苛
輸送層の組成は、１％〈　〔Ｃ〕　５３０％、好ましく
は１０％≦（Ｃ）５３０％がよく、０％〈　〔０〕　５
１０％、好ましくは０％〈〔０９５１％がよい。 また、上記電荷ブロッキング層４４は、基鈑４１からの
電子の注入を充分に防ぎ、感度、帯電能の向上のために
は、周期表第［１１ａ族元素（例えばボロン）をグロー
放電分解でドープして、Ｐ型（更にはビ型）化するとよ
い。ブロッキング層の組成によって、次のようにドーピ
ング量を制御する。 ａ−３ｉＣ又はａ−ｓｉｃｏ： Ｐ型＜ｐ”ｑ）： Ｂ　２　Ｈ６／　Ｓ　ｉ　Ｈ４＝２０〜５０００容ｆｆ
ｌｐｐｍａ−３ｉＮ又はａ−８ｉＮＯ： Ｐ型（ｐ９）　。 Ｂ　ｚ　Ｔ４６／　Ｓ　ｉ　Ｈ４＝２０００〜５０００
容ｆｆｉｐｐｍブロッキング層は、Ｓ　’　Ｏ％　Ｓ　
＋０２等の化合物でもよい。 また、ブロッキング層４４は膜厚５００人〜２μｍがよ
い。５００人未満であるとブロッキング効果が弱く、ま
た２μｍを越えると電荷輸送能が悪くなり易い。 ブロッキング層４４の組成については、次のようにする
のが望ましい。即ち、１％〈〔０３５９０％、好ましく
は１０％≦ＣＣ’Ｊ　５７０％とし、１％〈〔Ｎ〕≦９
０％、好ましくは１０％≦（Ｎ）５７０％とし、Ｏ％≦
Ｃｏ）５７０％、好ましくはＯ％≦〔０〕≦３０％とす
るのがよい。 なお、上記の各層は水素を含有することが必要である。 特に、電荷発生層４３中の水素含を量は、ダングリング
ボンドを補償して光導電性及び電荷保持性を向上させる
ために必須不可欠であって、１０〜３０％であるのが望
ましい。この含有量範囲は表面改質層４５、ブロッキン
グ層４４及び電荷輸送層４２も同様である。また、導電
型を制御するための不純物として、Ｐ型化のためにボロ
ン以外にもＡβ、Ｇ　ａ　１１　ｎ　ＸＴβ等の周期表
ｎＩａ族元累を使用できる。Ｎ型化のためにはリン以外
にも、Ａｓ、Ｓｂ等の周期表第Ｖａ族元素を使用できる
。 次に、上記した感光体（例えばドラム状）の製造方法及
びその装置（グロー放電装置）を第４図について説明す
る。 この装置５１の真空槽５２内ではドラム状の基板４１が
垂直に回転可能にセットされ、ヒーター５５で基板４１
を内側から所定温度に加熱し得るヨウニナっている。基
板４１に対向してその周囲に、ガス導出口５３付きの円
筒状高周波電極５７が配され、基板４１との間に高周波
電源５６によりグロー放電が生ぜしめられる。なお、図
中の６２はＳ　ｉ　Ｈ４又はガス状シリコン化合物の供
給源、６３はＣＨ４等の炭化水素ガスの供給源、６４は
Ｎ２等の窒素化合物ガスの供給源、６５はｏ２等の酸素
化合物ガスの供給源、６６はＡｒ等のキャリアガス供給
源、６７は不純物ガス（例えば８２Ｈ６）供給源、６８
は各流量計である。このグロー放電装置において、まず
支持体である例えばＡｌ基板４１の表面を清浄化した後
に真空槽５２内に配置し、真空槽５２内のガス圧が１Ｏ
−６Ｔｏｒｒとなるように調節して排気し、かつ基板４
１を所定温度、特に１００〜３５０℃（望ましくは１５
０〜３００℃）に加熱保持する。次いで、高純度の不活
性ガスをキャリアガスとして、Ｓｉ　ｌ−１４又はガス
状シリコン化合物、ＣＨ４、Ｎ２．０２等を適宜真空槽
５２内に導入し、例えば０．０１〜１０Ｔｏｒｒの反応
圧下で高周波電源５６により高周波電圧（例えば１３．
５６　ＭＨｚ）を印加する。これによって、上記各反応
ガスを電極５７と基板４１との間でグロー放電分解し、
Ｐ＋型ａ−３ｉＣＯ：Ｈ，，４型ａ−３ｉＣＯ：Ｈ，ａ
−３ｉ　　：Ｈ、ビ又はＮ’ｆｉａ−３ｉ　：Ｈ，、ａ
−３ｉＣＯ：Ｈ，ａ−５ｉＣＯ：Ｈを上記の層４４．４
２．４３．４７．４６．４５として基板上に連続的に（
即ち、例えば第１図の例に対応して）堆積させる。 上記製造方法においては、支持体上にａ−３ｉ系の層を
製膜する工程で支持体温度を１００〜３５０℃としてい
るので、感光体の膜質（特に電気的特性）を良くするこ
とができる。 なお、上記ａ−３ｉ系感光体の各層の形成時において、
ダングリングボンドを補償するためには、上記したＨの
かわりに、或いはＨと併用してフッ素をＳｉＦ４等の形
で導入し、ａ　　３１：　Ｆ　％ａ−Ｓｉ　　：Ｈ：Ｆ
、ａ−３ｉＮ：Ｆ、ａ−３ｉＮ：Ｈ：Ｆ、　　　ａ−３
ｉＣ：Ｆ、　　　ａ−３ｉＣ：Ｉ（：Ｆとすることもで
きる。この場合のフン素置は０．５〜１０％が望ましい
。 なお、上記の製造方法はグロー放電分解法によるもので
あるが、これ以外にも、スパッタリング法、イオンブレ
ーティング法や、水素放電管で活性化又はイオン化され
た水素導入下でＳｉを蒸発させる方法（特に、本出願人
による特開昭５６−７８４１３号（特願昭５４−１５２
４５５号）の方法）等によっても上記感光体の製造が可
能である。 以下、本発明を具体的な実施例について説明する。 グロー放電分解法により、ドラム状ＡＮ支持体上に第１
図の構造の電子写真感光体を作製した。 即ち、まず支持体である、例えば平滑な表面を持つドラ
ム状ＡＡ基板４１の表面を清浄化した後に、第４図の真
空槽５２内に配置し、真空槽５２内のガス圧が１Ｏ−６
Ｔｏｒｒとなるように調節して排気し、かつ基板４１を
所定温度、とくに１００〜３５０　’ｃ（望ましくは１
５０〜３００”Ｃ）に加熱保持する。次いで、高純度の
Ａｒガスをキャリアガスとして導入し、０．５Ｔｏｒｒ
の背圧のもとて周波数１３．５６　Ｍｌｔｚの高周波電
力を印加し、１０分間の予備放電を行った。次いで、Ｓ
　ｉ　Ｈ４とＢ２Ｈ６からなる反応ガスを導入し、流量
比１：１：１：（１，５ｘｌ叶３）の（Ａｒ＋Ｓ　ｉＨ
４＋ｃＨ４＋Ｂ２Ｈｓ）混合ガスをグロー放電分解する
ことにより、電荷ブロッキング機能を担うＰｌ（Ｆ）　
ａ　　Ｓ　ｉ　ＣＯ：　ＨＥ　４４とａ　−Ｓ　ｉ　Ｃ
○：Ｈ電荷輸送層（但し、Ｂ　２　Ｈ６／　Ｓ　ｉ　Ｈ
４＝　６容量％、（Ｃ）＝１２％、〔○〕＝１０００ｐ
ｐｍ　　（Ｓ　ｉに対し））４２とを６　ｔ−ｔ　ｍ　
／　ｈ　ｒの堆積速度で順次所定厚さに製膜した。引き
続き、Ｂ　２１（６及びＣＨ，を供給停止し、ＳｊＨ，
＋を放電分解し、厚さ５μｍのａ−３ｉ：Ｈ眉４３を形
成した。引き続いて、不純物ガスの流量比を変化させて
グロー放電分解し、膜厚も変化させた中間層４７を形成
し、更にａ−３ｉＣＯ：Ｈ又はａ−ＳｉＮＯ：Ｈ中間層
４６、表面保護層４５を更に設げ、電子写真感光体を完
成させた。比較例として、中間層４７のない感光体を作
成した。 こうして作成された感光体の構成をまとめると次の通り
であった。 （１）１表面改質層：ａ−３ｉＮＯ：Ｈ又はａ−３ｉＣ
Ｏ：Ｈ （２）、中間層：ドープ量、膜厚変化（第５図参照）（
３１，ａ−３ｉ　：　Ｈ電荷発生層：膜厚−５μｍ（４
１，ａ−３ｉＣＯ：Ｈ電荷輸送層：膜厚＝１５μｍＣ含
有量＝１１％ ０含有量＝０．０５％ （５１，ａ−３ｉ　Ｃｏ　：　Ｈ又はａ−３ｉＮＯ：Ｈ
電荷ブロッキング層：膜厚＝１μｍ 炭素含有量＝１１％ 正帯電用二Ｂドープ有り （６）、支持体二Ａｌシリンダー（鏡面研碧仕上げ）次
に上記の各感光体を使用して各種のテストを次のように
行った。 ■ユがｌ強度 第６図に示すように、感光体３９面に垂直に当てた０、
３Ｒダイヤ針７０に荷重Ｗを加え、感光体をモータ７１
で回転させ、傷をつける。次に、電子写真複写機Ｕ−Ｂ
ｉｘ１６００　　（小西六写真工業社′！Ａ）改造機に
て画像出しを行い、何ｇの荷重から画像に白スジが現れ
るかで、その感光体の引っかき強度（ｇ）とする。 互像流並 温度３３°Ｃ１相対湿度８０％の環境下で、感光体を電
子写真複写機Ｕ　−Ｂｉｘ　４５００　　（小西六写真
工業社製）改造機内に２４時間順応させた後、現像剤、
紙、ブレードとは非接触で１０００コピーの空回しを行
った後、画像出しを行い、以下の基準で画像流れの程度
を判定した。 ◎二画像流れが全くなく、５．５ポイントの英字や細線
の再現性が良い。 Ｏ：Ｓ、Ｓポイントの英字がやや太くなる。 △：５．５ポイントの英字がつふれて読みづらい。 Ｘ：５，５ポイントの英字判読不能。 ・亡Ｖに（Ｖ） Ｕ　−Ｂ　ｉｘ　２５００改造機を使った電位測定で、
４００ｎｍにピークをもつ除電光３０１ｕｘ−ｓｅｅを
照射した後も残っている怒光体表面電位。 卒蚕１皿ヱ文ユヱＬ Ｕ　−Ｂ　ｉｘ　２５００改造機（小西六写真工業（）
句製）を用い、感光体流れ込み電流灸ＯＯμＡ、露光な
しの条件で３６０ＳＸ型電位計（トレック社′！Ａ）で
測定した現像直前の表面電位。 ｌ”　＝　　丹Ｅ’／　（ｌｕｘ・ｓａｃ　）上記の装
置を用い、グイクロイックミラー（光伸光学社語）によ
り像露光波長のうち６２０ｎｍ以上の長波長成分をシャ
ープカットし、表面電位を５００ｖから２５０■に半減
するのに必要な露光量。 （露光量は５５０−１型光量計（ＥＧａｎｄＧ社製）に
て測定） 結果を第７図にまとめて示した。この結果から、本発明
に基づいて感光体を作成すれば、電子写真用として各性
能に優れた感光体が得られることが分かる。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第７図は本発明の実施例を示すものであって、 第１図はａ−３ｉ系感光体の断面図、 第２図はａ−３ｉＣの光学的エネルギーギヤ。 プを示すグラフ、 第３図はａ−３ｉＣＯ比抵抗を示すグラフ、第４図はグ
ロー放電装置の概略断面図、第５図は各感光体の層構成
を示す表、 第６図は引っかき強度試験機の概略図、第７図は各感光
体の特性を示す表 である。 第８図は従来の電子写真複写機の概略断面図である。 なお、図面に示された符号において、 ３９・・・・・・・・・ａ−３ｉ系感光体４１・・・・
・・・・・支持体（基板）４２・・・・・・・・・電荷
輸送層 ４３・・・・・・・・・電荷発生層 ４４・・・・・・・・・電荷ブロッキング層４５・・・
・・・・・・表面改質層 ４６．４７・・・・・・・・・中間層 である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、周期表第IIIａ族元素がヘビードープされかつ炭素
   原子、窒素原子及び酸素原子のうちの少なくとも１種を
   含有するアモルファス水素化及び／又はフッ素化シリコ
   ンからなる電荷ブロッキング層と；炭素原子及び酸素原
   子を含有するアモルファス水素化及び／又はフッ素化シ
   リコンからなる電荷輸送層と；アモルファス水素化及び
   ／又はフッ素化シリコンからなる電荷発生層と；周期表
   第IIIａ族又は第Ｖａ族元素がドープされかつアモルフ
   ァス水素化及び／又はフッ素化シリコンからなる第１中
   間層と；炭素原子、窒素原子及び酸素原子のうちの少な
   くとも１種を含有するアモルファス水素化及び／又はフ
   ッ素化シリコンからなる第２中間層と；炭素原子、窒素
   原子及び酸素原子のうちの少なくとも１種を前記第２中
   間層よりも多く含有するアモルファス水素化及び／又は
   フッ素化シリコンからなる表面改質層とが順次積層され
   てなる感光体。