JPS62292643A - ガラスまたはセラミック体の製造方法 - Google Patents
ガラスまたはセラミック体の製造方法Info
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- JPS62292643A JPS62292643A JP62142413A JP14241387A JPS62292643A JP S62292643 A JPS62292643 A JP S62292643A JP 62142413 A JP62142413 A JP 62142413A JP 14241387 A JP14241387 A JP 14241387A JP S62292643 A JPS62292643 A JP S62292643A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
3、発明の詳細な説明
本発明は、開気孔未処理体を、出発物質から形成し、精
製すべき未処理体が存在する装置を、精製ガス気流で洗
浄し、次いでシールし、次いで開気孔未処理体に存在す
るガスが精製ガスおよびガス状反応生成物の形態で除去
されるまで排気する方法で未処理体中に存在する不純物
と反応する加熱精製ガスで精製処理し、しかる後精製し
た未処理体を焼結するガラスまたはセラミック体の製造
方法に関するものである。
製すべき未処理体が存在する装置を、精製ガス気流で洗
浄し、次いでシールし、次いで開気孔未処理体に存在す
るガスが精製ガスおよびガス状反応生成物の形態で除去
されるまで排気する方法で未処理体中に存在する不純物
と反応する加熱精製ガスで精製処理し、しかる後精製し
た未処理体を焼結するガラスまたはセラミック体の製造
方法に関するものである。
更に、本発明は本発明の方法によって製造したガラス体
の使用に関するものである。
の使用に関するものである。
序文に記載した方法は、多孔性セラミック未処理体の精
製および先導波路製造用のプレフォームとして使用され
る高分散SiO□粒子の未処理体の精製に適する。
製および先導波路製造用のプレフォームとして使用され
る高分散SiO□粒子の未処理体の精製に適する。
はとんど不純物を含まず特に実質的に無水の石英ガラス
は、先導波路の製造のみならずランプエンベロープ特に
ガス放電ランプまたはハロゲンランプの製造のために必
要とされる。ガラス溶融物から従来の工程を経てかかる
ガラスを製造する方法は、存在する不純物のために妨げ
られる。
は、先導波路の製造のみならずランプエンベロープ特に
ガス放電ランプまたはハロゲンランプの製造のために必
要とされる。ガラス溶融物から従来の工程を経てかかる
ガラスを製造する方法は、存在する不純物のために妨げ
られる。
この理由により、上記目的のため、1〜5001mの範
囲の粒度を有する著しく微細な石英ガラス粒子の多孔性
未処理体を焼結することによる高純度ガラスの製造が続
けられた。未処理体は多孔性であり、従ってガス透過性
であるから、これらは存在する不純物と反応する加熱精
製ガス雰囲気中で精製処理することができ、次いで、精
製した条件において、約1500℃の温度で焼結して透
明ガラスが得られる。妨害する不純物は、例えば、DH
−イオンと遷移金属のイオンおよび粒子である。
囲の粒度を有する著しく微細な石英ガラス粒子の多孔性
未処理体を焼結することによる高純度ガラスの製造が続
けられた。未処理体は多孔性であり、従ってガス透過性
であるから、これらは存在する不純物と反応する加熱精
製ガス雰囲気中で精製処理することができ、次いで、精
製した条件において、約1500℃の温度で焼結して透
明ガラスが得られる。妨害する不純物は、例えば、DH
−イオンと遷移金属のイオンおよび粒子である。
かかる未処理体を懸濁液からゾル−ゲル転化を介して形
成することができるのみならず微粉砕した出発物質の多
孔性未処理体を、例えば遠心分離し次いで形状安定化す
ることによって形成することができる。開気孔未処理体
を、600〜900℃の範囲の温度で加熱した塩素含有
精製ガスで精製する先導波路の製造のためのプレフォー
ムとして使用すべきガラス体の製造方法は、西独国特許
出願第P 3511439.8号明細書から知られてい
る。この方法は、特にOH−イオンの除去に適している
ことが証明されている。上記精製方法の本質的な理念は
、存在する不純物が面相拡散によって著しく小さな石英
ガラス粒子の表面に拡散し、そこで塩素含有雰囲気で反
応して揮発性化合物が形成され、開気孔を介して周期的
な圧力勾配によって圧入されるプレフォームの表面に到
達するということにある。
成することができるのみならず微粉砕した出発物質の多
孔性未処理体を、例えば遠心分離し次いで形状安定化す
ることによって形成することができる。開気孔未処理体
を、600〜900℃の範囲の温度で加熱した塩素含有
精製ガスで精製する先導波路の製造のためのプレフォー
ムとして使用すべきガラス体の製造方法は、西独国特許
出願第P 3511439.8号明細書から知られてい
る。この方法は、特にOH−イオンの除去に適している
ことが証明されている。上記精製方法の本質的な理念は
、存在する不純物が面相拡散によって著しく小さな石英
ガラス粒子の表面に拡散し、そこで塩素含有雰囲気で反
応して揮発性化合物が形成され、開気孔を介して周期的
な圧力勾配によって圧入されるプレフォームの表面に到
達するということにある。
この方法の問題は、高分散石英ガラス粒子の表面に最初
から存在する不純物が、直ちに完全に反応し輸送される
のではな(精製処理の高温のために物質中に拡散するに
も十分の時間を有するということである。このことは精
製処理を本質的に妨げ得る。
から存在する不純物が、直ちに完全に反応し輸送される
のではな(精製処理の高温のために物質中に拡散するに
も十分の時間を有するということである。このことは精
製処理を本質的に妨げ得る。
上記不純物の例は、銅、バナジウム、クロム、モリブデ
ン、タングステン、マンガン、鉄、コバルト、またはニ
ッケルのイオンおよび粒子であり、これらは、出発物質
を混合および押出して未処理体を製造する間の機械的摩
耗から生じ、出発素材の組成に寄与する粉末粒子の表面
に堆積する。
ン、タングステン、マンガン、鉄、コバルト、またはニ
ッケルのイオンおよび粒子であり、これらは、出発物質
を混合および押出して未処理体を製造する間の機械的摩
耗から生じ、出発素材の組成に寄与する粉末粒子の表面
に堆積する。
本発明の目的は、序文に記載した方法を、精製すべき未
処理体への不純物の拡散を精製処理にふいて実質的に回
避するような方法で改善するにある。
処理体への不純物の拡散を精製処理にふいて実質的に回
避するような方法で改善するにある。
本発明において、この目的は、元素の周期表(PTE)
のIb、 Va、 ■a、VIIaおよび/または■族
の元素の形態の金属不純物を、硫黄−酸素−ハロゲン化
合物で飽和したキャリヤーガスから成る精製ガスによっ
て200〜500℃の範囲の温度で揮発性錯体化合物に
転化することで達成される。
のIb、 Va、 ■a、VIIaおよび/または■族
の元素の形態の金属不純物を、硫黄−酸素−ハロゲン化
合物で飽和したキャリヤーガスから成る精製ガスによっ
て200〜500℃の範囲の温度で揮発性錯体化合物に
転化することで達成される。
本発明は、精製すべき未処理体への不純物の拡散が、精
製処理を比較的低い温度で行うことができる場合に実質
的に回避することができるという事実を認知したことに
基づく。
製処理を比較的低い温度で行うことができる場合に実質
的に回避することができるという事実を認知したことに
基づく。
このための条件は、除去すべき不純物の揮発性化合物が
比較的低い温度で生成されなければならないことである
。
比較的低い温度で生成されなければならないことである
。
種々の温度における塩化チオニル(SOCl 2)中の
Fe2O3の輸送測定において、驚くべきことには、著
しく揮、発性の酸素−硫黄−塩素一錯体化合物が300
〜400℃の範囲の温度で生成するということを見出し
た。他の元素、例えば、銅、バナジウム、クロム、モリ
ブデン、タングステン、マンガン、コバルトまたはニッ
ケルは同じ挙動を示す。従って、250〜500℃の範
囲の温度、好ましくは350〜450℃の範囲の温度で
、硫黄−酸素−ハロゲン化合物(例えば塩化チオニルま
たは塩化スルフリル)で飽和されたキャリヤーガス(例
えば、酸化物出発物質を用いる場合は酸素)から成る精
製ガス中でかかる不純物を反応させ、揮発させることが
できる。
Fe2O3の輸送測定において、驚くべきことには、著
しく揮、発性の酸素−硫黄−塩素一錯体化合物が300
〜400℃の範囲の温度で生成するということを見出し
た。他の元素、例えば、銅、バナジウム、クロム、モリ
ブデン、タングステン、マンガン、コバルトまたはニッ
ケルは同じ挙動を示す。従って、250〜500℃の範
囲の温度、好ましくは350〜450℃の範囲の温度で
、硫黄−酸素−ハロゲン化合物(例えば塩化チオニルま
たは塩化スルフリル)で飽和されたキャリヤーガス(例
えば、酸化物出発物質を用いる場合は酸素)から成る精
製ガス中でかかる不純物を反応させ、揮発させることが
できる。
本発明の方法の有利な変形例において、精製ガスで装置
を洗浄する段階と未処理体中に存在するガスが除去され
るまで装置を排気する段階を有する精製サイクルを、十
分小さな不純物濃度が未処理体の断面全体に亘って達成
されるまで繰り返す。
を洗浄する段階と未処理体中に存在するガスが除去され
るまで装置を排気する段階を有する精製サイクルを、十
分小さな不純物濃度が未処理体の断面全体に亘って達成
されるまで繰り返す。
これによって、小さな孔径の未処理体についての精製処
理が加速され得る利点が伴われる。
理が加速され得る利点が伴われる。
また、この方法によって予備成形した開気孔未処理体の
みならず既に粉化した出発物質をも浄化することができ
ることは勿論である。
みならず既に粉化した出発物質をも浄化することができ
ることは勿論である。
しかし、上記粉化した出発物質から開気孔成分を続けて
製造する場合、一段階で不純物を除去するために例えば
、焼結によって成分を最終接触させる直前に精製段階を
行うのが一層効果的である。
製造する場合、一段階で不純物を除去するために例えば
、焼結によって成分を最終接触させる直前に精製段階を
行うのが一層効果的である。
本発明の方法の有利な変形例において、−回の精製サイ
クルのための精製ガス量を、精製すべき未処理体の孔の
容積より多く使用する。この結果として、未処理体の孔
の容積全体が各サイクルにおいて精製ガスで充填できる
ことを確実にする。
クルのための精製ガス量を、精製すべき未処理体の孔の
容積より多く使用する。この結果として、未処理体の孔
の容積全体が各サイクルにおいて精製ガスで充填できる
ことを確実にする。
本発明の方法の有利な変形例において、サイクルを、洗
浄時間と排気時間の比を1:1〜20:1として行い、
好ましい比は、5:1で、5分間の洗浄時間と1分間の
排気時間が用いられる。
浄時間と排気時間の比を1:1〜20:1として行い、
好ましい比は、5:1で、5分間の洗浄時間と1分間の
排気時間が用いられる。
全体として一時間だけの時間で、未処理体から次いで焼
結されるガラス体がその断面全体に亘って1 ppm未
満の金属不純物濃度を有するような高純度未処理体が得
られる。
結されるガラス体がその断面全体に亘って1 ppm未
満の金属不純物濃度を有するような高純度未処理体が得
られる。
本発明によって達成され得る利点は、特に、高度に濃密
な多孔性未処理体を精製しなければならない場合でさえ
、比較的短い時間の精製処理の後に、高純度未処理体を
、石英ガラス体を製造するため再現性のある方法で得る
ことができることにある。
な多孔性未処理体を精製しなければならない場合でさえ
、比較的短い時間の精製処理の後に、高純度未処理体を
、石英ガラス体を製造するため再現性のある方法で得る
ことができることにある。
比較的低い温度において精製処理を達成できる可能性は
、未処理体中へのまたは粉化した出発物質中の不純物の
拡散を回避する他の利点を示す。
、未処理体中へのまたは粉化した出発物質中の不純物の
拡散を回避する他の利点を示す。
実験室的でない条件下における製造である大規模製造の
ための他の大きな利点は、無被覆の(覆わない)高級鋼
の機械(ミキサー、ニーダ−1押出機)を使用できるこ
とである。
ための他の大きな利点は、無被覆の(覆わない)高級鋼
の機械(ミキサー、ニーダ−1押出機)を使用できるこ
とである。
以下、本発明を実施例により説明する。
実施例
未処理体を、大部分の粒子が4Qnmの粒径である10
〜1100nの範囲の粒径の8102粒子を遠心分離す
ることによって型で製造した。この目的のため、200
gの高分散SiO□粉末を0.5%アンモニア水溶液3
00 cm3に、f =35kHzの周波数の超音波作
用下において10分間かき混ぜおよび分散した。かかる
懸濁液を大きな実験室用遠心機において10000gで
15分間遠心分離し、透明溶液を排水し、沈降体を25
時間で120℃の温度に加熱し、この温度で1時間乾燥
した。この方法で、石英ガラスの密度の45%の密度を
有し、3mmの内径、16mmの外径および500mm
の長さを有する管状未処理体を製造した。
〜1100nの範囲の粒径の8102粒子を遠心分離す
ることによって型で製造した。この目的のため、200
gの高分散SiO□粉末を0.5%アンモニア水溶液3
00 cm3に、f =35kHzの周波数の超音波作
用下において10分間かき混ぜおよび分散した。かかる
懸濁液を大きな実験室用遠心機において10000gで
15分間遠心分離し、透明溶液を排水し、沈降体を25
時間で120℃の温度に加熱し、この温度で1時間乾燥
した。この方法で、石英ガラスの密度の45%の密度を
有し、3mmの内径、16mmの外径および500mm
の長さを有する管状未処理体を製造した。
かかる未処理体は、特に、50ppmの鉄の不純物を示
した。
した。
これら未処理体は、炉中420℃の温度で2時間精製し
、この場合、塩化チオニルで飽和した20℃の温度にふ
ける10−3m’/minの02ガス流を、炉に通して
5分間洗浄し、次いで上記精製ガスを充填した後、炉を
1分間排気し、このようにして5:1の充填時間対排気
時間の比率を得た。このサイクルを1時間に亘って繰り
返した。次いで、これらの条件下で精製した未処理体を
、2容量%の塩素ガスを添加したヘリウム雰囲気中50
0℃の温度で焼結し、未処理体を、3mm/minの降
下速度で炉を通過させた。12.25mmの直径を有し
、透明で、気泡がなく曇りのないガラス管を得、これの
断面全体に亘る金属不純物は1 ppm未満であった。
、この場合、塩化チオニルで飽和した20℃の温度にふ
ける10−3m’/minの02ガス流を、炉に通して
5分間洗浄し、次いで上記精製ガスを充填した後、炉を
1分間排気し、このようにして5:1の充填時間対排気
時間の比率を得た。このサイクルを1時間に亘って繰り
返した。次いで、これらの条件下で精製した未処理体を
、2容量%の塩素ガスを添加したヘリウム雰囲気中50
0℃の温度で焼結し、未処理体を、3mm/minの降
下速度で炉を通過させた。12.25mmの直径を有し
、透明で、気泡がなく曇りのないガラス管を得、これの
断面全体に亘る金属不純物は1 ppm未満であった。
生成した石英ガラス体は、2.28/am’の密度とn
n =1、4590の屈折率を有した。
n =1、4590の屈折率を有した。
特定の例として高純度石英ガラス管の製造を記載した。
しかし、本発明の方法は、高純度成形体を粉化した酸化
物出発原料から製造する任意の技術に対して使用するこ
とができ、例えば、酸化アルミニウムA l 203の
高純度成形体の製造またはセラミックの電子部品例えば
コンデンサーの製造も考えられる。
物出発原料から製造する任意の技術に対して使用するこ
とができ、例えば、酸化アルミニウムA l 203の
高純度成形体の製造またはセラミックの電子部品例えば
コンデンサーの製造も考えられる。
全ての上記方法において、金属摩耗を成形用具によって
加工すべき素材に到達させないための成形用具に−ダー
、ミキサー、押出機)の特別の被覆(例えば、成形用具
の表面上へ陰極スパッタリングによりAl2O2を被着
することによる)を、本発明の方法によって省略できる
ことは、特に大規模の製造に対し重要な利点である。セ
ラミック素材が成形用具表面上にある摩滅効果を及ぼす
ため、一般に若干の経過の後にかかる高価な被覆を繰り
返さねばならない。
加工すべき素材に到達させないための成形用具に−ダー
、ミキサー、押出機)の特別の被覆(例えば、成形用具
の表面上へ陰極スパッタリングによりAl2O2を被着
することによる)を、本発明の方法によって省略できる
ことは、特に大規模の製造に対し重要な利点である。セ
ラミック素材が成形用具表面上にある摩滅効果を及ぼす
ため、一般に若干の経過の後にかかる高価な被覆を繰り
返さねばならない。
第1表は、表面的に堆積した金属不純物を、本発明の方
法によって60重量%のSiO□、5重量%の水溶性結
合剤および35重量%のH2Oから成る押出物素材から
除去することができることを示す。
法によって60重量%のSiO□、5重量%の水溶性結
合剤および35重量%のH2Oから成る押出物素材から
除去することができることを示す。
測定は中性子放射化分析によって行った。
第1表
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、開気孔未処理体を、出発物質から形成し、精製すべ
き未処理体が存在する装置を、精製ガス気流で洗浄し、
次いでシールし、次いで開気孔未処理体中に存在するガ
スが精製ガスおよびガス状反応生成物の形態で除去され
るまで排気する方法で未処理体中に存在する不純物と反
応する加熱精製ガスで精製処理し、しかる後精製した未
処理体を焼結するガラスまたはセラミック体を製造する
方法において、元素の周期表(PTE)のIb、Va、
VIa、VIIaおよび/またはVIII族の元素の形態の金属
不純物を、硫黄−酸素−ハロゲン化合物で飽和されてい
るキャリヤーガスから成る精製ガスによって200〜5
00℃の範囲の温度で揮発性錯体化合物に転化すること
を特徴とするガラスまたはセラミック体の製造方法。 2、酸素を、酸化物出発物質の未処理体の精製用キャリ
ヤーガスとして使用する特許請求の範囲第1項記載の製
造方法。 3、銅、バナジウム、クロム、モリブデン、タングステ
ン、マンガン、鉄、コバルトまたはニッケルの形態の金
属不純物を、反応させ揮発させる特許請求の範囲第1項
記載の製造方法。 4、塩化チオニルを、硫黄−酸素−ハロゲン化合物とし
て使用する特許請求の範囲第3項記載の製造方法。 5、塩化スルフリルを、硫黄−酸素−ハロゲン化合物と
して使用する特許請求の範囲第3項記載の製造方法。 6、酸素に5〜10容量%の硫黄−酸素−ハロゲン化合
物を添加したガス混合物を、精製ガスとして使用する特
許請求の範囲第1〜5項のいずれか1つの項に記載の製
造方法。 7、装置を精製ガスで洗浄する段階と装置を未処理体中
に存在するガスが除去されるまで排気する段階を有する
精製サイクルを、未処理体の断面全体に亘る十分小さな
不純物濃度を達成するまで繰り返す特許請求の範囲第1
〜6項のいずれか1つの項に記載の製造方法。 8、サイクルの洗浄時間と排気時間の比率を1:1〜2
0:1の範囲で使用する特許請求の範囲第1〜7項のい
ずれか1つの項に記載の製造方法。 9、5分間の洗浄時間と1分間の排気時間を用いる5:
1の比率を、使用する特許請求の範囲第1〜8項のいず
れか1つの項に記載の製造方法。 10、未処理体中の不純物を、350〜450℃の範囲
の温度で揮発性化合物に転化する特許請求の範囲第1〜
9項のいずれか1つの項に記載の製造方法。 11、精製すべき未処理体の孔の容積以上の精製ガス量
を、精製サイクルに使用する特許請求の範囲第1〜10
項のいずれか1つの項に記載の製造方法。 12、20℃の温度において塩化チオニルで飽和したO
_2のガス混合物を、精製ガスとして使用し、精製処理
を、420℃の温度で行う特許請求の範囲第6項または
10項記載の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3619510.3 | 1986-06-10 | ||
| DE19863619510 DE3619510A1 (de) | 1986-06-10 | 1986-06-10 | Verfahren zur herstellung von glas- oder keramischen koerpern |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62292643A true JPS62292643A (ja) | 1987-12-19 |
Family
ID=6302706
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62142413A Pending JPS62292643A (ja) | 1986-06-10 | 1987-06-09 | ガラスまたはセラミック体の製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4859224A (ja) |
| EP (1) | EP0249278B1 (ja) |
| JP (1) | JPS62292643A (ja) |
| AT (1) | ATE50758T1 (ja) |
| DE (2) | DE3619510A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005101456A1 (ja) * | 2004-04-12 | 2005-10-27 | Shin-Etsu Quartz Products Co., Ltd. | エキシマuvランプ用合成石英ガラス管およびその製造方法 |
| JP2006294440A (ja) * | 2005-04-12 | 2006-10-26 | Shinetsu Quartz Prod Co Ltd | エキシマuvランプ用異形合成石英ガラス管およびその製造方法 |
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| DE3941865A1 (de) * | 1989-12-19 | 1991-06-20 | Rheydt Kabelwerk Ag | Verfahren zum entfernen von verunreinigungen aus einer vorform |
| DE3941863A1 (de) * | 1989-12-19 | 1991-06-20 | Rheydt Kabelwerk Ag | Verfahren zum herstellen einer vorform fuer lichtwellenleiter |
| DE3941864A1 (de) * | 1989-12-19 | 1991-06-20 | Rheydt Kabelwerk Ag | Verfahren zum entfernen von verunreinigungen aus einer ausgangsvorform |
| DE4133173A1 (de) * | 1991-10-07 | 1993-04-22 | Rheydt Kabelwerk Ag | Verfahren zum herstellen einer vorform fuer optische fasern |
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| EP1242324A1 (en) * | 1999-09-10 | 2002-09-25 | Corning Incorporated | Pure fused silica, furnace and method |
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- 1986-06-10 DE DE19863619510 patent/DE3619510A1/de not_active Withdrawn
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- 1987-06-02 AT AT87201034T patent/ATE50758T1/de not_active IP Right Cessation
- 1987-06-02 DE DE8787201034T patent/DE3761817D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1987-06-09 JP JP62142413A patent/JPS62292643A/ja active Pending
-
1988
- 1988-08-08 US US07/229,781 patent/US4859224A/en not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
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| US4859224A (en) | 1989-08-22 |
| EP0249278B1 (de) | 1990-03-07 |
| ATE50758T1 (de) | 1990-03-15 |
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