JPS62298046A

JPS62298046A - 光磁気記録媒体の製造方法

Info

Publication number: JPS62298046A
Application number: JP14173586A
Authority: JP
Inventors: Kaoru Toki; 土岐　薫
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1986-06-17
Filing date: 1986-06-17
Publication date: 1987-12-25

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】発明の詳細な説明（産業上の利用分野）本発明は光磁気メモリに用いられる記録媒体の製造方法
の改良に関するものである。

（従来の技術）従来の一般的な光磁気記録媒体５は、第５図に示す様に
、基体１の上に、第一の１呆護層２、記録層３、第二の
保護層４、の順に、スパッタリングや蒸着などの成膜方
法によって形成される。基体１としては、ガラス、Ａ１
合金及び、ＰＭＭＡ、ポリカーボネイト、エポキシなど
のプラスチック基板が用いられ、第−及び第二の保護層
としては、ＳｉＯ，５ｉ０２゜Ｓｉ３Ｎ４．ＡＩＮなど
の誘電体薄膜が用いられる。記録層としては、ＭｎＢ１
．ＭｎＣｕＢ１などの多結晶薄膜、Ｔｂ。

Ｇｄ、Ｄｙなどの希土類金属とＦｅ、Ｇｏなどの鉄族遷
移金属との組み合せによって作成される非晶質磁性合金
薄膜またＧＩＧなどの単結晶薄膜などが知られている。

これらの薄膜の中で、非晶質磁性合金薄膜は、書き込み
感度が高い、粒界ノイズが無い、膜面に垂直方向の磁気
異方性を有する膜が容易に作れるなどの利点を有するた
め記録媒体として最も有望視されている。

（発明が解決しようとする問題点）しかし、非晶質合金薄膜を記録層とする光磁気記録媒体
は、記録時に、レーザ光を熱源として用いて、キュリー
温度Ｔｃ近傍まで加熱する工程を経るため、非晶質固有
の熟的安定性が問題となる。

周知の如く、非晶質合金を加熱すると、大別して二つの
現象すなわち、構造緩和と結晶化が起こる。これらのう
ち、結晶化に対しては、Ｔｃが結晶化温度Ｔｘより十分
低くなる様、合金組成を選択すると共に緻密な１呆護膜
でおおうことにより対処することができたが、構造緩和
による特性変化をのがれることは困難であった。例えば
、記録層とじてＴｂＦｅ、ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅ
を用いた媒体に対して何度も同じ場所で記録再生・消去
を繰り返した場合、または加速試験のため、室温より高
い温度（例えば８０°Ｃ）に保持した場合、時間経過と
共に、カー回転角ｅｋは殆ど変化しないが保磁力Ｈｅが
少しずつ低下した。この保磁力の低下は、室温における
補償組成に対する記録膜組成が希土類リッチ側の場合で
も、遷移金属リッチの側においても同様に見られた。こ
の様な記録膜特性の経時変化は、記録、条件及び再生特
性の微妙な変化をもたらすため、媒体としての信頼性上
好ましくない。

本発明の目的は、経時変化のない安定な光磁気記録媒体
の製造方法を提供することにある。

（問題点を解決するための手段）本発明における光磁気記録媒体の製造方法は基体上に、
希土類と遷移金属から成る非晶質磁性合金膜を、少なく
とも記録層として有する様に成膜後、記録層をそのキュ
リー温度Ｔｃ近傍で加熱処理することを特徴とする。

記録層の加熱処理には、赤外線加熱炉もしくは、対流オ
ープンもしくは、数ミリ秒のパルス幅で、キセノンラン
プによるフラッシュ露光が用いられる。また、ディスク
状に形成した光磁気記録媒体に対しては、回転させなが
ら連続光を照射しても良い。さらに、記録層に集光した
レーザスポット光を一つ以上用いても良い。

（作用）発明者等の実験によれば、希土類−遷移金属から成る非
晶質磁性合金膜の保磁力Ｈｅと温度Ｔの間には第６図も
しくは第７図に示す関係がある。第６図は、室温Ｒ，Ｔ
とＴｃの間に補償温度Ｔａｍｐがない場合、第７図は、
室温Ｒ，ＴとＴｃの間に補償温度Ｔａｍｐがある場合を
示す。図において、実線Ａ、Ａ’は成膜直後の膜をＲ，
ＴからＴｃ近傍まで加熱した時のＨｅ変化を示し、破線
Ｂ、Ｂ’はＴｃ近傍からＲ，Ｔまで徐冷した時のＨｅ変
化を示す。加熱徐冷後は、Ｈｅは、いずれの場合も、２
〜３割低下する。しかし、−担この加熱処理を経ると、
その後は、同様の加熱徐冷過程を何度繰り返しても、同
じ破線Ｂ、Ｂ’に従って、Ｈｃが変化することがわかっ
た。

これはＴｃまでの加熱徐冷処理によって、非晶質磁性合
金膜に、構造緩和が起こり、その結果、熱的に安定な非
晶質磁性合金膜が実現できることを示している。

（実施例）基体１としてガラス及びアルミ合金上に、第１の保護層
２として厚さ１０００人のＳｉＮ膜、記録層３として厚
さ１０００人のＴｂ０．２２（ＦｅＯ，９Ｃ０６，１）
０．７８第２の保護層４として厚さ１００ＯＡのＳｉＮ
膜の順にスパッタリングにより、成膜することにより第
５図に示す光磁気記録媒体を形成した。成膜直後の記録
層のＨｃは、約１０ＫＯｅであった。この光磁気記録媒
体５を第１図（ａ）。

（ｂ）に示す様に赤外線ヒータ８を有する。約２００°
Ｃに昇温した赤外線加熱炉６もしくは対流オープン７中
に数分〜数十分保持後徐冷したところ、構造緩和により
Ｈｃは、７ＫＯｅに低下していた。このサンプルに対し
て、８０６Ｃ９０％で１００時間以上加速試験したが、
これ以上のＨｅの低下は見られなかった。又、１０６回
以上の配録・消去に対しても、Ｈｅの低下は見られなか
った。

ＰＭＭＡ及びポリカーボネイト基板上にも、同様の膜を
、成膜後、加熱処理として第２図に示す様に、数ミリ秒
のパルス幅でキセノンランプ９によるフラッシュ露光を
施すことにより、ガラス及びアルミ合金上に形成した膜
と同様に、安定な配録膜を実現できた。

ＰＭＭＡ、ポリカーボネイトなどの尉脂基板の場合、基
板の昇温をさけるため、ディスク状に形成した記録膜を
第３図に示す様に回転しながら連続光１０を照射するこ
とによっても、同様の加熱処理が実現できた。この連続
光として記録層に集光したレーザスポット光１１を、用
いることもできる。

（発明の効果）本発明によれば、成膜後に引き続き加熱処理を施こすこ
とにより、熱的に安定な非晶質磁性合金膜が実現でき、
その結果、信頼性の高い光磁気記録媒体を提供できる。

【図面の簡単な説明】

第１〜４図は本発明の詳細な説明するための図、第５図
は、媒体構成を示す図、第６．７図は、本発明の詳細な
説明するための図である。図において、１・・・基体、　２，４・−保護層、３・・・記録層、
５−・光磁気記録媒体、　　　６０．、赤外線加熱炉、
７・・・対流オープン、　　　　８・・・赤外線ヒータ
、９・・・キセノンランプ、　　　１０・・・連続光光
源、１１・・・レーザスポット光である。 −二で代理人ブｆ理士　内１　　　　晋３．：ｐ　／第１図第２図巴−二トア５第３図第４図第５図第６図ＲＴ　　　Ｔｃ　　Ｔ第７図ＲＴ　Ｔｗｍ　　Ｔｃ　Ｔ

Claims

【特許請求の範囲】

（１）基板上に、希土類と遷移金属から成る非晶質磁性
合金膜を少なくとも記録層として有する様に成膜後、記
録層を、そのキュリー温度近傍で、加熱処理することを
特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。
（２）記録層の加熱処理に赤外線加熱炉もしくは、対流
オープンを用いる特許請求の範囲第一項に記載の光磁気
記録媒体の製造方法。
（３）記録層の加熱処理に、数ミリ秒のパルス幅で、キ
セノンランプによるフラッシュ露光を用いる特許請求の
範囲第一項に記載の光磁気記録媒体の製造方法。
（４）ディスク状に形成した光磁気記録媒体を、回転し
ながら連続光を照射することにより記録層の加熱処理を
行う特許請求の範囲第一項に記載の光磁気記録媒体の製
造方法。
（５）記録層の加熱処理に、記録層に集光したレーザス
ポット光を、一つ以上用いることを特徴とする特許請求
の範囲第一項または第四項に記載の光磁気記録媒体の製
造方法。